JPS6081603U - 薄膜サ−ジ電圧吸収デイバイス - Google Patents

薄膜サ−ジ電圧吸収デイバイス

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Publication number
JPS6081603U
JPS6081603U JP17307883U JP17307883U JPS6081603U JP S6081603 U JPS6081603 U JP S6081603U JP 17307883 U JP17307883 U JP 17307883U JP 17307883 U JP17307883 U JP 17307883U JP S6081603 U JPS6081603 U JP S6081603U
Authority
JP
Japan
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thin film
surge voltage
absorption device
voltage absorption
film surge
Prior art date
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Pending
Application number
JP17307883U
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English (en)
Inventor
猪原　淳一
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、従来例の内観図、第２図は本考案の実施例の
平面図、第３図は本考案の実施例の断面図である。 １・・・・・・酸化亜鉛等の焼結体の円板、２，１３・
・・・・・電極、３・・・・・・モールド剤、４・・・
・・・半田、５・・・・・・端子、１１．１２・・・・
・・Ｎ電極、１４・・・・・・基板、１５・・・・・・
ワイヤー（ＡＩ又はＡｕ）、１６・・・・・・薄膜（酸
化亜鉛又は酸化亜鉛と他金属との混合物）、１７・・・
・・・絶縁体、１８・・・・・・接着剤。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 電極面を持った絶縁体上に、酸化亜鉛の薄膜を形成し、
    該電極に対向する電極を薄膜上に設けた薄膜サージ電圧
    吸収ディバイス。
JP17307883U 1983-11-10 1983-11-10 薄膜サ−ジ電圧吸収デイバイス Pending JPS6081603U (ja)

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