JPS5916165U - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
- Publication number
- JPS5916165U JPS5916165U JP1982111432U JP11143282U JPS5916165U JP S5916165 U JPS5916165 U JP S5916165U JP 1982111432 U JP1982111432 U JP 1982111432U JP 11143282 U JP11143282 U JP 11143282U JP S5916165 U JPS5916165 U JP S5916165U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetoresistive element
- oxide film
- groove
- magnetoresistive
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来例を説明する断面図、第２図は本考案を説
明する断面図である。 １１はシリコン半導体基板、１２はシリコン酸化膜、１
３は溝、１４は磁気抵抗材料、１５はシリコン酸化膜、
１６は電極である。
明する断面図である。 １１はシリコン半導体基板、１２はシリコン酸化膜、１
３は溝、１４は磁気抵抗材料、１５はシリコン酸化膜、
１６は電極である。
Claims (1)
- シリコン半導体基板と該基板上に付着したシリコン酸化
膜と該酸化膜に設けた溝と該溝内に埋め込まれた磁気抵
抗材料とを具備して成る磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982111432U JPS5916165U (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982111432U JPS5916165U (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 磁気抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5916165U true JPS5916165U (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=30258738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1982111432U Pending JPS5916165U (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5916165U (ja) |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP1982111432U patent/JPS5916165U/ja active Pending
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