JPS608238A - シクロアルケニルアルキン類の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 して特に適する、シクロアルケニルアルキン類の新規な
製造方法に関する。また本発明はこの方法における新規
な中間体に関する。

本発明によって提供される方法は一般式式中、ｎは数Ｏ
または１を表わし；記号Ｒ１及びＲ２の一方は水素を表
わし且つ他力は水素，ヒドロキシもしくはオキソ基また
は保護されたヒドロキシもしくはオキソ基を表わし，Ｒ
３はヒドロキシ、オキソ基、＝ＣＨ−ＣＨ２−ＯＨもし
くは＝　ＣＨ−ＣＨＯまたは保護されたヒドロキシもし
くはオキソ官能基をもつこれらのノ、１から誘導された
基を表わし；Ｒ４は−Ｃｏ−ＯＲ６，−Ｃｏ−Ｒ６、 −Ｃｏ−ＮＲ’　Ｒ７，−ＧＯ−ＣＬまたは＝ｓｏ２−
Ｒｅを表わし；そしてＲ６及びＲ７は飽和したまたは芳
香族の炭化水素基を表わすか、或いはＲ７はまた水素を
表わす、 の化合物をＲ’ＯＨの開裂によって一般式式中、ｎ、Ｒ
１，Ｒ２及びＲ３は、ｌ１記の意味な有する、 の化合物に転化し、そして必要に応じて、Ｒ１。

Ｒ２またはＲ３が保護されたヒドロキシまたはオキソ基
をもつ式１１の化合物を対応するヒドロキシまたはオキ
ソ化合物に加水分解することを特徴とする。

本明細書において用いる「保護されたヒドロキシもしく
はオキソ基」或いは「保護されたヒドロキシもしくはオ
キソ官能基」なる用語には、アルコール類及びケトン類
またはアルデヒド類に対して通常用いられる保護基が包
含される。好ましい保護されたヒドロキシ基は炭素原子
７個までを含むエーテル、シリルエーテル及びアセター
ル基、例えばメトキシ、エトキシ、ベンジルオキシ、ト
リメチルシリルオキシ、（２−メトキシ−２−プロピル
）オキシ等である。好ましい保護されたオキシノ、（は
炭素原子１０個までを含むアセタールまたはケタール基
、特にオキソ基がアルカノールまたはアルカンジオール
でケタール化またはアセタール化された基である。特に
好ましい具体化例においては、「保護されたオキソ基」
なる用語は２個のメトキシ基またはエチレンジオキシ基
を表わす。

「飽和したまたは芳香族の炭化水素基」なる用品には好
ましくは炭素原子１０個までを含むアルキル、アリール
、アリールアルキル及びアルキルアリール恭が包含され
る。これらの基の例はメチル、エチル、フェニル、トリ
ル等である。

本発明に従えば、式Ｉの化合物を比較的温和な条件ドで
１ｔつ良好な収率において式ＩＩの純粋な化合物に転化
し得ることが見出された。

式ＩＴの化合物の本発明による製造はそれ自体公知の方
法において、加熱によりそして／または触媒の存在ドに
おいて、式Ｉの化合物におけるＲ’　ＯＨを開裂させる
ことによって行うことができる。ｌｉ３！Ｉ−Ｉな触媒
は例えば次のものである：ａ）有機性窒素塩基、特に第
−級及び第二級窒素塩基（例えはイミダゾール、１，２
．４−トリアゾール、アニリン）、ｂ）強酸（好ましく
はｐＫａく１の酢）と有機性窒素塩基の塩、特１こクロ
ライド、ブロマイド及びトシレート（例えばピリジニウ
ムｐ−トシレート）、Ｃ）ホスホニウム塩（例えばＩ・
リフェニルホスホニウムクロライドまたはブロマイド）
、ｄ）酸、好ましくはｐＫａ＜１の＠酸し例えばトルエ
ンスルホン酸、アンバーリスｉ□　（Ａｍｂｅｒｌｙｓ
ｔ）Ａ　１５０（ＦｌｕｋａＡＧ）、塩化水素酸、硫酸
］、ｅ））リアルキルクロロシラン（例えばトリメチル
クロロシラン）、ｆ）リチウム塩、例えば強（ｐ　Ｋ　
ａ　＜　１　）酪のリチウム塩（例えば塩化リチウム、
過塩素酸リチウム、四フッ化ホウ素酩リチウム）、並び
にｇ）パラジウム−（０）触媒（例えば酢酸パラジウム
の付加による）。

反応温度は殊に基Ｒ４の意味及び反応を触媒の存在下ま
たは不存在下で行うかに依存する。必要な反応温度は一
般に２００℃以下である：しかしながら、成る場合には
、Ｒ４０Ｈの開裂は室温で起こる。圧力は臨界的ではな
い。従ってこの反１も梨好ましくは大気圧下で行う。

本発明による式Ｉの化合物の式ＩＩの化合物への転化は
不活性有機溶媒、例えばエーテル、アルコール、ニトリ
ル、アミドまたは飽和した、芳香族もしくは塩素化され
た炭化水素中で有利に行われる。好ましい溶媒の例はジ
エチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチ１／ングリコールジメチ
ルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル
、メタノール、アセＩ・ニトリル、ジメチルホルムアミ
ド、△・キサン、Ｉ・ルエン、ベンゼン、キシレ〉′、
塩化メチレン、ジクロロエタン等−ｃある。

本発明によって提供される方法は触媒の存在ドにおいて
また不存在下において行うことができる。本方法を触媒
の存在ドにおいて行う場合、触媒を触媒量またはそれ以
上の量で用いることができる。好ましい触媒は有機性窒
素塩基、これらの塩基のり１及びリチウム塩である。

Ｒ１，Ｒ２またはＲ３が保護されたヒドロキシまたはオ
キソ基をもつ生ずる式■１の化合物の加水分解は保護基
の加水分解に対するそれ自体公知の方法に従って行うこ
とができる。

本発明によって提供される方法の更に好ましい変法は、
Ｒ８が基＝ＣＨ−ＣＨ２０Ｈを表わす式１の化合物をホ
スホニウム塩、好ましくはトリフェニルホスホニウムク
ロライドまたはブロマイドの等モル量またはこれ以上の
量の存在下において反応させることからなる。この変法
に従えば、まず対応する式ＩＩの化合物が生成せしめら
れ、次いでこのものが対応するホスホニウム塩に直接転
化される［即ちＲ３におけるヒドロキシ基がホスホニウ
ム用、例えば−ｐ　（Ｃａ　Ｈａ　）　ｓ慟Ｃ１８また
は−ｐ　（Ｃ６Ｈａ　）　ｇ　＠　Ｂ　ｒθに転化され
る］。

本発明によって提供される方法に従えば、好ましくはｎ
は数０を表わし、そしてＲ２が水素を表わすか、或いは
ｎは数１を表わす式Ｉの化合物を用いる。特に好ましい
具体化例においては、式Ｉにおいてｎは数ｌを表わし、
そしてＲ１は水素を表わす。更に原則として、記号Ｒ１
及びＲ２の一方が水素を表わし且つ他方が水素または ヒドロキシ、特にヒドロキシを表わす式Ｉの化合物、例
えばｎが数１を表わし、Ｒ１が水素を表わし、そしてＲ
２がヒドロキシを表わす式Ｉの化合物が好ましい。

Ｒ３によって表わされる特に好ましい基はヒドロキシ及
び基＝ＣＨ−ＣＨ２，ＯＨである。加えて、Ｒ３に随時
存在していてもよい二重結合は好ましくは一般にトラン
ス立体配置を有する。

上記の式ＩにおいてＲ４で表わされる特に好ましい基は
基−ＣＯ−ＯＲＢであり、特にＲ６がＣ１〜Ｃ６−アル
キルを表わす基である。

殊に好ましい基は一〇〇−０ＣＲ，及び−〇〇−０Ｃ２
Ｈ６である。上記式１においてＲ４で表わされる他の好
ましい基は基−Ｃｏ−ＯＲ’であり、特にＲ６が芳香族
炭化水素基（例えばベンゾイル）を表わす基である。

原則的に、シクロペンチル環の５−位またはシクロヘキ
シル環の６−位における水素原子及びノ、ＱＲ４０−が
相互にシス位Ｍ［ｓｙｎ除去（ｅｌｉｍｉｎａｔｉｏｎ
）］を表わす式１の化合物が更に好ましい。

本発明によって提供される方法の更に好ましい変法は一
般式 式中、Ｒ５はヒドロキシまたは基 ＝ＣＨ−ＣＨ２−０Ｉ（を表わし、モしてＲ４は上記の
意味を有する。

の化合物またはその光学的対掌体を立体的に障害された
塩基性リチウム化合物の存在下においてＲ４０Ｈの開裂
によって一般式 式中　Ｒ５は上記の意味を有する。

の化合物またはその光学的対掌体に転化することからな
る。

［立体的に障害された塩基性リチウム化合物」なる用語
には塩基性基上に立体障害を有し［基−０Ｒ４に対する
核的攻撃（ｎｕｃｌｅｏｐｈｉｌ−ｉｃ　ａｔｔａｃｋ
）を継けるため］１つ少なくとも９．好ましくは少なく
とも１１のｐＫａ値をもつ有機化合物から誘導されるリ
チウム−有機化合物か包含される。立体障害は例えばｌ
−位における炭素原子で枝分れまたは置換によって、或
いはベンゼン環の〇−位置における置換によって行うこ
とができる。かかる化合物の中で好ましいものは上記の
条件を満すアルキルリチウム、リチウムアルカル−ト、
リチウムフェルレート、リチウムジアルキルアミド等、
例えばリチウムｔｅ−ｒｔ、ブチレート、リチウム１．
１＝ジメチルペンタル−ト、リチウム２，６−シメチル
フエル−ト、リチウム２，６−ジ（ｔｅｒｔ、ブチル）
フェルレート、リチウム２．６−シクロロフエル−ト、
ｔｅｒｔ、ブチルリチウム、２，６−ジ（ｔｅｒｔ、ブ
チル）フェニルリチウム及びリチウムジイソプロピルア
ミドである。

この変法において、式Ｉａ（またはその対掌体）の化合
物１モル当り好ましくは少なくとも約２モルのリチウム
化合物を用いる。特に好ましい具体化例においては、多
量に用いても反応に有害な影響を及ぼさぬが、リチウム
化合物約２〜３モル当量を用いる。

式Ｉの化合物の反応に関連して上に述べた温度、圧力及
び溶媒は同様にこの変法に適用されうる。しかしながら
、この変法は好ましくは約４０°Ｃ〜約７０℃の温度で
行われる。飽和した及び芳香族炭化水素が特に好ましい
溶媒である。

この変法は高収率を与える。更に随時Ｒ５に存在してい
てもよい二重結合の立体配置が保存される。更に、一般
に式Ｉの化合物及びその光学的対常体（但し残りの立体
異性体ではない）のみが上記の温和な温度条件下で十分
に反応するために、この変法は純粋な異性体化合物を製
造する際に特に適当である。

−１−温式ＩａにおけるＲ６は好ましくは基＝ＣＨ−Ｃ
Ｈ２−ＯＨを表わす。この基における二重結合は好まし
くはトランス立体配置として存在する。Ｒ４によって表
わされる好ましい基は−Ｃｏ−Ｒ’及び特に−〇〇−０
Ｒ６である。かかる基の中で特に好ましい基は ＣＯＯＣＨ３，ＣＯＯＣ２Ｈ５、 −Ｇｏ−Ｃ，Ｈ，及び−Ｃｏ−ＣＨ，である。

式Ｉの化合物は新規なものであり、そしてまた本発明の
・部を構成するものである。この化合物はそれ自体公知
の方法において、例えば対応するりチウムアルコレ−１
−（Ｒ’がリチウムを表わす式Ｉの化合物）から、対応
するクロライド、即ち式Ｃｌ−Ｃｏ−０Ｒ’、ＣＩ−Ｃ
ｏ−Ｒ’、ＣＩ−Ｃｏ−ＮＲ’　Ｒ？、Ｃ１−ＣＯ−Ｃ
ＩまたはＣｌ−３ｏ２−Ｒ’　、（＋、！ＬＲ’及びＲ
７は上記の意味を有する、の化合物との反応によって製
造することができる。この反応に対して必要なりチウム
アルコレートはそれ自体公知の方法において、対応する
シクロペンタノンまたはシクロヘキサノンを対応するア
ルキニルリチウムと反応させて得ることができる。この
場合に更に随時存在していてもよいヒドロキシ及びオキ
ソ基は有利には保護された形態で存在する。これらの保
護基は必要に応じて、基Ｒ４の導入前または後に開裂さ
せることができるか、或いは本発明におけるＲ４０Ｈの
開裂を行って始めて開裂させることができる。

式ＩＩの化合物のカロチノイドへの転化は公知の方法或
いはそれ自体公知の方法において、例えば適当なアルデ
ヒドまたはホスホニウム塩に転化し、次いでビッティヒ
（Ｗｔ　ｔ　ｔ　ｉ　ｇ）反応に付すことによって行う
ことができる。

また本発明は本明細書に述べた如き全ての新規化合物、
混合物、製法及び用途に関する。

本発明を以下の実施例によって更に詳細に説明する。

実施例１ エチル（ｉｓ　、４Ｒ，６Ｒ’）−４−ヒドロキシ−１
，−（３−ヒドロキシ−１−ブチニル）−２゜２．６−
　トリメチルシクロへキシルカルボネート１０．１４ｇ
を熱ジメチルホルムアミド５０ｍ１に溶解した。この溶
液をピリジニウムｐ−ｌ・シレートＩｇで処理し、この
Ｊｔｔ舎物を予熱した油浴中で１．５時間攪拌した（油
浴温度９０〜９３°Ｃ１内部温度約７９〜８２℃）。次
に混合物を半飽、和ｊｎ化ナトリウム溶液５００ｍ１に
注ぎ、ジエチルエーテル各２００　ｍ　ｌで３回抽出し
た。有機相を飽和塩化ナトリウム溶液で１回洗浄し、硫
酸すＩ・リウムーＪ二で乾燥し、そして蒸発させた。得
られた粗製の生成物（８、３ｇ）をシリカゲル上でヘキ
サン／ジエチルエーテル（容量比ｉ　：　ｔ　）によっ
てクロマトグラフィーにかけた。かくして、（４Ｒ）−
４−（４−ヒドロキシ−２，２，６−ドリメチルー１−
シクロへキセニル）−３−ブチン−２−オール５−９ｇ
（８３，３％）が得られた。

出発物質として用いたエチル（１３，４Ｒ，６Ｒ）−４
−ヒドロキシ−１−（３−ヒドロキシ−１−ブチニル）
−２，２，６−）リメチルシクロへキシルカルボネート
は次の如くして製造した：ａ）磁気攪拌機、温度計、滴
下ロート及び不活性ガス化装置を備えた四つ目フラスコ
中で、（４Ｒ，６Ｒ）−４−ヒドロキシ−２，２，６−
１リメチルシクロヘキサノン１９．５２ｇを無水テトラ
ヒドロフラン４０ｍ１及びピリジニウムＰｉシレート２
０　ｍ　ｇの混合物にアルゴン下で溶解し、次にこの溶
液に１５〜２０℃で約２０分以内にイソプロピルメチル
エーテル１４−４ｇを滴下した。得られた溶液Ａをｆｆ
ｉ　ｃ　）に述べた如くして処理した。

ｂ）攪拌機、温度計、滴下ロート上昇管及び不活性ガス
化装置を備えたスルホン化用フラスコ中に無水テトラヒ
ドロフラン８０　ｍ　ｌ中の３−ブチン−２−イルトリ
メチルシリルエーテル２３．５ｇの溶液をアルゴン下で
入れ、−３０°Ｃに冷却し、−３０°Ｃ〜２０℃で１０
分以内に、ヘキサン中のブチルリチウムの約１　、５６
ＭｍＩ＆１０５ｍｌで滴下処理した。この混合物を一１
０°Ｃで更に３０分間攪拌し、次に再び一４０℃に冷却
した。得られた溶液ＢをＩＩＣ）に述べた如くして処理
した。

Ｃ）溶液Ａを−４・０℃で１０分以内に溶液Ｂに滴ドし
た。この混合物を更に３０分間撹拌し、次にクロロキ酸
エチル１５　、７　ｍ　ｌで処理し、混合物を攪拌しな
がら１時間以内に室温に加温した。

次に混合物をＯ’Ｃに冷却し、攪拌しながら３Ｎ硫酎１
００　ｍ　ｌで処理し、０〜５℃で更に３０分間１〜）
！拌した。この混合物を酢酸エチル２５０　ｍ　ｌで希
釈し、水相を分離した。水相を酢酸エチル各２５０ｍ１
で２回逆抽出した。有機相を飽和炭酸本人ｆ　ｉ−リウ
ム溶液各２５０　ｍ　ｌで３回、そして飽和塩化ナトリ
ウム溶液で２５０　ｍ　１−ｃ１回洗浄し、合液し、硫
酸ナトリウム上で乾燥した。乾燥剤を濾別し、濾液を回
転蒸発機で濃縮（水浴温＋１１ｉ５０°Ｃ）した後、粗
製の生成物４３．６ｇが得られ、このものをシリカゲル
」二でヘキサン／ジエチルエーテル（容量比１　：　ｌ
）によってクロマトグラフィーにかけた。生成物を含む
フラクションから、やや帯黄色の油として合計３６．５
ｇ（９７，８％）のエチル（ｉｓ　、４Ｒ，６Ｒ）−４
−ヒドロキシ−１−（３−ヒドロキシ−１−ブチニル）
−２，２，６１リメチルシクロヘキシルカルポネートが
得られた。

実施例２ 磁気攪拌機、温度計、還流冷却器及びアルゴンへ２ドピ
ース（ｈｅａｄｐｉｅｃｅ）を備えたコロフラスコ中で
、イミダゾール６．７ｇをアルゴン下でトリエチレング
リコールジメチルエーテル４０　ｍ　ｌに溶解し、この
溶液を油浴中で１９５°Ｃに加熱した。次にトリエチレ
ングリコールジメチルエーテル１５ｍ１中ノエチル（ｔ
ｓ、４Ｒ，５Ｒ）−４−ヒドロキシ−１−（５−ヒドロ
キシ−３−メチル−３Ｅ〜ペンテン−１−イニル）−２
，２，６−ドリノチルシクロへキシルカルボネート８．
０ｇの溶液を内ン゛脅温度１８８〜１９０°Ｃで６０分
以内に滴下した。この混合物を同一温度に更に３０分間
保存し、次に氷／水２００ｍ１に汀いだ。水相をジエチ
ルエーテル各２５０　ｍ　ｌで２回抽出した。合液した
エーテル相を水苔１゜Ｏｍｌで４回洗ｆｑｌ　＋、、硫
酸ナトリウム４二で乾燥し、約５０°Ｃで回転蒸発機に
てＣ縮し、次に高真空ドにて室温で３時間乾燥した。冑
られた粗製の生成物（０，６ｇ）をシリカゲルＬでジエ
チルエーテル／ヘキサン（容ｊト比１　：　ｌ）によっ
てクロマトグラフィーにかけ、か＜　Ｌ、てやや（Ｆ）
黄色のン由として、　（４Ｒ）−５〜（４−ヒドロキシ
−２，２，６−ｌ・リフチル−１−イクロヘキセニル）
−３−メチル−２−ペンテン−４−イン−１−オール３
．５ｇ（６１，４％）を単離することかできた（比２Ｅ
／２Ｚ＝９１　、０　：　４　。

７）。

出発物質として用いたエチル（Ｉｓ、４Ｒ。

６Ｒ）−４−ヒドロキシ−１−（５−ヒドロキシ−３−
メチル−３Ｅ−ペンテン−１−イニル）−２，２，６−
）リメチルシクロハ、キシルカルボネートは次の如くし
て製造した。

ａ）１ｆｉ気攪拌機、温度計、滴下ロート及び不活性カ
ス化装置を備えた四つ目フラスコ中で、（４Ｒ，６Ｒ）
−４−ヒドロキシ−２，２，６−）リメチルシグロへキ
サノン５２．０ｇをアルゴン下でテトラヒドロフラン６
５ｍ１及びピリジニウムり−）シレーｉ　５０　ｍ　ｇ
に溶解し、この溶液を１５〜２００Ｇで２０分以内にイ
ンプロペニルメチルエーテル４８．０ｇで滴下処理した
。＃！Ｉられた帯仏色の溶液Ａを節Ｃ）に述べた如くし
て直接処理した。

ｂ）攪拌機、温度計、滴下ロート」二ｙ管及び不活性ガ
ス化装置を備えたスルホン化用フラスコ中に、無水テト
ラヒドロフラン５０ｍ１中の５−（２−メトキシ−２−
プロピル）オキシ−３−メ１ノア〜３Ｅ−ペンテンー１
−イン７９ｇの溶液をアルボンドで入れ、そして−２０
°Ｃに冷却した。

この溶液を一３０℃〜２０℃で２０分以内にヘキサン中
のブナルリチウムの約１　、５６Ｍ溶＄２．８０ｍ１で
滴下処理し、’ｔ：、じた混合物を更に３０分１ｉ３＋
　ＩＮ拌した。ｆｌｆられた橙色溶液Ｂｆｃｉｉｊｃ）
に述べた如くして直接処理した。

Ｃ）溶液Ｂを−１５℃で２０分以内に溶液Ａで滴ド処理
し、この混合物を室温で更に３０分間攪拌した。混合物
を一２０’Ｃに冷却し、攪拌しながらクロロキ酸エチル
４２ｔｎｌで処理し、次に４１ｊられた混合物を１時間
にわたって室温に加温した。

次にｌｆｉ合物をジエチルエーテル２５０　ｍ　ｌで希
釈し、水相をジエチルエーテル２５０ｍ１で逆洗浄した
。イ１機相を飽和塩化ナトリウム溶液各２５０ｍ１で２
回洗浄し、合液し、硫酸ナトリウム−Ｅで乾燥した。乾
燥剤を濾別し、濾液を回転蒸発機でＣ縮（水浴温度５０
℃）した後、褐−・黄色油として粗製のエチル（ｉｓ　
、４Ｒ，６Ｒ）−４−（２−メトキシ−２−プロピル）
オキシ−１−［５−（２−メトキシ−２−プロピル）オ
キシ−３−メチル−３Ｅ−ペンテン−１−イニル］−２
，２゜６−ドリメチルシクロへ午ジルカルボ、ｌＴ、−
＋−ｔｇ１．５ｇが得られた。

ｄ）摺られた褐−黄色油をテトラヒドロフラノ４５０ｍ
１及び水５０ｍ１に溶解しくｐＡッた溶液）、ピリジニ
ウムｐ−）シレート２ｇで処理し、更に２０分間攪拌し
た（透明な溶液）。次にこの褐−黄色油溶液を固体の炭
酸カリウム２ｇで処理１−５回転蒸発機で一定重量にな
るまで／８：発させた（浴温５０℃）。残渣をジエチル
エーテル２５０ｍ１で希釈し、水２５０ｍ１で抽出した
。水相を分離し、ジエチルエーテル２５０ｍ１で逆抽出
した。有機相を飽和塩化ナトリウＬ、溶液各２５０　ｍ
　ｌで２回洗浄し、合液し、そして硫酸ナトリウム」二
で乾燥した。乾燥剤を濾別し、濾液を回転蒸発機でｅ縮
（水浴温度５０℃）した後、粗製の生成物１４０ｇが得
られ、このものをシリカゲルにでジエチルエーテル／ヘ
キサンＣ’３量比１：ｌ）によってクロマトグラフィー
にかけた。生成物を含むフラクションから、やや帯黄色
油として純粋なエチル（ｉｓ、４Ｒ，６Ｒ）−４−ヒド
ロキシ−１−（５−ヒドロ午シー３−メチルー３Ｅ−メ
ンテン−■−イニル）−２，２，６−ドリメチルシクロ
ヘキシルカルポネー’合計９９　、０　ｇ（：９１．６
％）が（１ｔられた。

実施例３ ｍ　／Ａ撹拌機、還流冷却器及びアルゴンヘノドピース
を備えた二ロフラスコ中で、イミダゾール４．４ｇをト
リエチレングリコールジメチルエーテル５０ｍ１にアル
ゴン下で溶解し、この溶液を油浴中で１９５℃に加熱し
た。次にトリエチレングリコールジメチルエーテル１０
ｍｌ中のエチル１−（５−ヒドロキシ−３−メチル−３
Ｅ−ペンテン−１−イニル）−２，２，６−ドリメチル
シクロへキシルカルボネート５ｇの溶液を内部温度１８
５〜１９０℃で約２０分以内に滴下した。この混合物を
同一温度に更に１時間保存し、次に氷／水２００ｍ１に
注いだ。水相をジエチルエーテル各２５０　ｍ　ｌで２
回抽出した。合液したエーテル相を水呑１００ｍ１で４
回洗浄し、硫酸ナトリウムＬで乾燥し、約４０°Ｃにて
回転蒸発器で濃縮し、次に高ｆ（布下にて室温で２時間
乾燥した。イ５１らねた粗製の生成物（３、６ｇ）をシ
リカゲルヒでジエチルエーテル／ヘキサン（容量比ｌ：
１）によってクロマトグラフィーにがけた。生成物を含
むフラクションから、やや帯黄色の油として５−（２，
６，６−１−ジメチル−１−シクロへキセニル）−３−
メチル−２−ペンテン−４−イン−１−オール２．１ｇ
（５９，５％）が得られた。

（比２Ｅ／２Ｚ＝９８．８　：　Ｏ’、６）。

出発物質として用いたエチル１−（５−ヒドロキシ−３
−メチル−３Ｅ−ペンテン−１−イニル）−２，２，６
−１９メチルシクロハーキシルカルポ不−１・は次の如
くして製造した：ａ）撹拌機、温度計、滴下ロート及び
アルゴンヘノドピースを備えたスルホン化用フラスコ中
に、５−（２−メトキシ−２−プロピル）オキシ−３−
メチル−３Ｅ−ペンテン−１−イン１１５．１ｇ及びテ
トラヒドロフラン９０ｍ１を入れ、この７Ｈｊ合物を一
２５°Ｃに冷却し、この温度で２０分以内にヘキサン中
のブチルリチウムの１゜６Ｍ溶液で滴下処理した。この
混合物を０℃で更に１５分間攪拌し、次に一１０’ｃに
冷却し、この温度で１５分以内に２．２．６−１リメチ
ルシクロー、ギサノン７２．９ｇで滴下処理した。次に
混合物を室温に加温し、更に２時間攪拌した。この１ｊ
コ合物をＯ′Ｃに冷却し、この温度で１５分以内にクロ
ロキ酸エチル６７．５ｍｌで滴下処理し、放置して室温
に加温し、そして更に１．５時間攪拌した。次に混合物
を飽和炭酸水素ナトリウム溶液１１に江ぎ、ジエチルエ
ーテル各１１で２回抽出した。有機相を脱イオン水１１
で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、乾燥剤を濾別し
、濾液を真空下にて回転蒸発機で濃縮した（浴温度約４
５℃）。残渣かも高真空下にて浴温度６０°Ｃで１時間
にわたり、５−（２−メトキシ−２−プロピル）オキシ
−３−メチル−３Ｅ−ペンテン−１−インを除去した。

粗製のエチル１−　［５−（２−ノドキシ−２−プロピ
ル）オキシ−３−メチル−３Ｅ−ペンテン−１−イニル
］−２．２’、６−ドリメチルシクロヘキシルカルポネ
ー）２３２．１ｇ（１１７，３％）が得られ、このもの
を更に精製せずに直接処理した。

ｂ）上記節ａ）に述べた如くして得られた粗製の生成物
１０５．５ｇを、攪拌機、温度計及びアルインｅヘッド
ピースを備えたスルホン化用フラスコ中のテトラヒドロ
フラン６３０ｍ１に溶解し、この溶液を脱イオン水１０
５ｍ１及びピリジニウムｐ−トシレート５．２５ｇで処
理し、混合物を室温で更に３０分間攪拌した。この混合
物を飼料炭酸水素ナトリウム溶液７５０　ｍ　ｌに柱ぎ
、ジエチルエーテル各６００ｍ１で３回抽出した。

イーｆ様相を半飽和炭酸水素ナトリウム溶液７５０ｍ１
で洗ｔ′ｆ＋　Ｌ、硫酸ナトリウム旧で乾燥し、乾燥剤
を濾別し、溶液を真空下にて回転蒸発機（浴温度約４５
°Ｃ）で濃縮した。高真空下で乾燥した後、粗製の生成
物８４．８ｇ　（１１６，９％）が（１１られ、このも
のをシリカゲル」二でヘキサン／ジエチルエーテル（容
量比？＝１）によってクロマトグラフィーにかけた。か
くして５−（２，６゜６−ドリメチルー１−シクロへキ
セニル）−３−メチル−２−ペンテン−４−イン−１−
オール２．３ｇ（４，５％）及びエチル１−（５−ヒド
ロキシ−３−メチル−３Ｅ−ペンテン−１−イニル）−
２，２，６−ドリメチルシクロへキシルカルボネート５
３．６ｇ（７３，９％）か得られた。

実施例４ 攪拌機、温度計、滴下ロート、還流冷却器及び不活性ガ
ス化装；６を備えたスルホン化用フラスコ中にｔｅｒｔ
、ブタノール１６ｍ１及び無水トルエン２０　ｍ　ｌを
アルゴン下で入れ、そして−２５００に冷却した。この
溶液を一３０℃〜−２０°Ｃで１０分以内にヘキサン中
のブチルリチウムの１゜５６Ｍ溶液２５ｍ１で滴下処理
し、この混合物を冷却しながら更に３０分間撹拌した。

次にかくして製造したリチウムｔｅｒｔ、ブチレートの
溶液に約２０℃で無水トルエン１２０ｍ１中の（ｌＳ、
４Ｒ，６Ｒ）−４−ヒドロキシ−１−（５−ヒドロキシ
−３−メチル−３Ｅ−ペンテン−１−イニル）−２，２
，６−１リノチルシクロへキシルベンゾニー）１４．４
ｇの溶液を一度に加えた。得られた懸濁液を油浴によっ
て注意して６５℃に加熱し、この温度で１．５時間攪拌
した。その後、混合物を氷／水１５０　ｍ　ｌに注いだ
。水相を分離し、ジエチルエーテル各１５０　ｍ　ｌで
２回抽出した。有機相を飽和塩化ナトリウム溶液１５０
ｍ１で洗節し、合液し、そして硫酸ナトリウム上で乾燥
し、約４０℃にて回転蒸発機で濃縮し、次に残渣を高真
空ドにて室温で１時間乾燥した。

７１）られた粗製の生成物（ｔｚ、ｏｇ）をシリカゲル
にでジエチルエーテル／へ午サン（容ｆｆｌ比１：１）
によってクロマトグラフィーにかけた。生成物を含むフ
ラクションから、帯黄色の結晶として（４Ｒ）−５−（
４−ヒドロキシ−２，２，６−ドリノチルー１−シクロ
ヘキセン−１−イル）−３−メチル−２Ｅ−ペンテン−
４−イン−１−オール合計７．５ｇ（８０％）が得られ
た（純度９８．８％、２Ｚ異性体含量１．１％）。

出発物質として用いた（ＩＳ、４Ｒ，６Ｒ）−４−ヒド
ロキシ−１−（５−ヒドロキシ−３−メチル−３Ｅ−メ
ンテン−１−イニル）−２，２゜６−ドリメチルシクロ
へキシルベンゾエートは次の如くして製造した： ａ）テトラヒドロフラン２０　ｍ　ｌ中の（４Ｒ１６Ｒ
）−４−ヒドロキシ−２，２，６−１リメチルシクロへ
キサノン１６．４ｇ及びピリジニウムｐ−＋・シレー’
ｐ　３０　ｍ　ｇの溶液をアルゴン下にて１５〜２０°
Ｃで１０分以内にインプロペニルメチルエーテル１６．
０ｇで滴下処理した。

ｂ）無水テトラヒドロフラン３０ｍ１中の５−（２−メ
トキシ−２−プロピル）オキシ−３−メチル−３Ｅ−ペ
ンテン−１−イン２７ｇの溶液をアルゴン下で、−２０
℃に冷却し、次に一３０℃〜２０°Ｃで１０分以内にヘ
キサン中のブチルリチウムのｊ、５６Ｍ溶液９０ｍ１で
滴下処理し、この混合物を更に３０分間攪拌した。

ｃ）ｈ記ｆｔＴｂ）に述べた如くして得られた溶液を−
１５°Ｃで１５分以内に、ヒ記節ａ）に述べた如くして
製造した溶液で滴下処Ｆ、ＩＬ、この混合物を室温で更
に１昨間攪拌した。混合物を一１０’０に冷却し、攪拌
しながらベンゾイルクロライド１８．６ｍｌで処理し、
次に室温で一夜（１８時間）攪拌した。その後、混合物
を飽和炭酸水素ナトリウム溶液２００　ｍ　ｌに注ぎ、
水相を分離し。

ジエチルエーテル各３００ｍ１で２回逆抽出した。有機
相を飽和塩化ナトリウム溶液各２５０ｍｌで２回洗浄し
、濃縮し、硫酸ナトリウト上で乾燥し、そして乾燥剤を
濾別した。濾液を回転蒸発機（水浴温度４０°Ｃ）で濃
縮した後、褐−黄色油として粗製の（ＩＳ、４Ｒ，６Ｒ
）−４１（２−メドキシー２−プロピル）オキシ−１−
［５−（２−メトキシ−２−プロピル）オキシ−３−メ
チル−３Ｅ−ペンテン−１−イニル］−２，２゜６−ド
リメチルシグロへキシルベンゾエートが得られる。ｄ）
イｙ）られた褐−φ色油をテトラヒドロフラン４００　
ｍ　ｌ及び水２０ｍ１に溶解しく１蜀った溶液）、ピリ
ジニウムｐ−１シレートＩｇで処理し、すｙに１５分間
攪拌した（透明な溶液）。次にこの混合物を飽和炭酸水
素ナトリウム溶液２００ｍＸに往ぎ、水相を分離し、ジ
エチルエーテル各３００　ｍ　ｌで２回抽出した。有機
相を合１夜し、硫酸すＩ・リウム」二で乾煙し、乾燥剤
を濾別した。

濾液を回転蒸発機（浴温度４０°Ｃ）で濃縮した後、粗
製の生成物５１．３ｇが得られ、このものをシリカケル
−１−でジエチルエーテル（容量比２：１）によってク
ロマトグラフィーにかけた。生成物を含むフラクション
から，淡黄色油として、純粋な（Ｉｓ，４Ｒ，６Ｒ）　
−４−ヒドロキシ−１−（５−ヒドロキシ−３−メチル
−３Ｅ−ペンテン−１−イニル）−２．２．６−ドリメ
チルシクロヘキシルベンゾエート合計３７。

２ｇ（８６．１％）が得られた。

実施例５ 攪拌機、温度計、滴下ロート、還流冷却器及び不活性ガ
ス化装置を備えたスルホン化用フラスコ中にｔｅｒｔ．
ブクノール４０ｍｌ及び無水トルエン５　０　ｍ　ｌを
アルゴン下で入れ、そして−２５℃に冷却した。この溶
液を一３０°Ｃ〜２０°Ｃで３０分以内に、ヘキサン中
のブチルリチウムの１。

５６Ｍ溶液１　３　０　ｍ　ｌで滴下処理し、この混合
物を冷却しながら更に３０分間攪拌した。次いでかくし
て製造したリチウムｔｅｒｔ．ブチレートの溶液に６℃
で無水トルエン１　５　０　ｍ　ｌ中のエチル（Ｉ　Ｓ
　、４Ｒ．６Ｒ）−４−ヒドロキシ−１−（５−ヒドロ
キシ−３−メチル−３Ｅ−ペンテン−ｌ−イニル）−２
．２．６−１リメチルシクロへキシル力ルホネート（実
施例２に従って製造したもの）３２．４ｇの溶液を・度
に加えた。この＃ｉ己合物を油浴によって注意して５５
℃に加熱し、この富商で３０分間攪拌した。その後、混
合物を水／水４００ｍｌに注いだ。水相を分離し、ジエ
チルエーテル各３　０　０　ｍ　ｌで２回抽出した。有
機相を飽和塩化ナトリウム溶液３　０　０　ｍ　ｌで洗
浄し、合液し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、約４０℃に
て回転蒸発機で濃縮し、次に残渣を高真空下にて室温で
５時間乾燥した。かくして（４Ｒ）−５−（４−ヒドロ
キシ−２，６．６１リメチル−１−シクロへキセニル）
−３−メチル−２−ペンテン−４〜イン−１−オール（
２Ｚ異性体１。

４％と共に２Ｅ異性体９０．５％含有〕の黄−橙色の結
晶性生成物２３．９ｇ　（１０２−１％）がｔＭられ、
このものをシリカゲルとでジエチルエーテル／ヘキサン
（容量比１：１）によってクロマトグラフィーにかけた
。生成物を含むフラクションから、帯黄色の結晶として
（４Ｒ）−５−　（４−ヒドロキシ−２．６．６−ｌ・
リフチル−１−シクロヘキセン−１−イル）−３−メチ
ル−２Ｅ−ペンテン−４−イン−１−オール（純度９８
．０％、２ｚ異性体含量ｏ　、５％）合計１９．９ｇ（
８５％）が得られた。

４ｋ　許出ｍ１　人　エフ・ホフマン拳うーロシュ・ウ
ントΦコンハニー惨アクチェンゲゼル シャフト 第１頁の続き ■Ｉｎｔ、　Ｃ１，’　識別記号　庁内整理番号Ｃ０７
Ｃ１７５１００６５６１−４Ｈ ／／Ｂ　０１　Ｊ　３１１０２　１０２　７０５９−４
Ｇ優先権主張　＠１９８３年１０月１３日■スイス（Ｃ
Ｈ）■５５８３／８３−２ ０発　明　者　ミラン・ソウクプ スイス国４３３２シュタイン・ブル ーメンベーク（番地なし） ０発　明　者　エーリッヒ・ビドマー スイス国４１４２ミュンヘンシュタ イン・ミツチルベーク４７

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、・般式 式中、ｎは数Ｏまたはｌを表わし；記号−Ｒ１及びＲ２
   の　方は水素を表わし目一つ他方は水素、ヒドロキシも
   しくはオキソ基または保護されたヒドロキシもしくはオ
   キソ基を表わし；Ｒ３はヒドロキシ、オキソ基、＝ＣＨ
   −ＣＨ２−ＯＨも しくは＝ＣＨ−ＣＨｏまたは保護さ れたヒドロキシもしくはオキソ官能 基をもつこれらのノ、（の−・っから誘遵された基を表
   わし、ｌ（４は−Ｃｏ−ＯＲ”、−Ｃｏ−Ｒ”、−〇〇
   −ＮＲ６Ｒ？　、−Ｃｏ−ＣＩまたは一５ｏ２−Ｒｅを
   表わし；そしてＲ６及びＲ７は飽和したまたは芳香族の
   炭化水素基を表わすか、或いはＲ７はまた水素を表わす
   、 の化合物をＲ’　ＯＨの開裂によって一般式式中、ｎ、
   Ｒ’　、Ｒ２及びＲ３は上記の意味を有する、 の化合物に転化し、そして必要に応じて、Ｒ１、Ｒ２ま
   たはＲ３が保護されたヒドロキシまたはオキソ基をもつ
   式ＩＩの化合物を対応するヒドロキシまたはオキソ化合
   物に加水分解することを特徴とするシクロアルケニルア
   ルキン類の製造方法。 ２　、Ｒ４０Ｈの開裂を加熱によって行う特許請求の範
   囲第１項記載の方法。 ３、式１の化合物の反応を触奴の存在下において行う特
   許請求の範囲第１項または第２項記載の方法。 ４、反応を有機性窒素塩基もしくはかかる塩基の塩また
   はリチウ１、塩の存在下において、好ましくはイミダゾ
   ール、１．２．４−トリアゾール、アニリン、ピリジニ
   ウムｐ−トシレート、塩化リチウム、過１１２素酸リチ
   ウム、リチウムｔｅｒｔ。 ブチレートまたは四フン化ホウ素酸リチウムの存在Ｆに
   おいて行う特許請求の範囲第１〜３項のいずれかに記載
   、の方法。 ５、ｎがＧｌを表わし、そしてＲ１が水素を表わす式Ｉ
   の化合物を用いる特許請求の範囲第１〜４ダ１のいずれ
   かに記載の方法。 ６、記号１（１及びＲ２の一方が水素を表わし且つ他力
   か水素またはヒドロキシ、好ましくはヒドロキシを表わ
   す式１の化合物を用いる特許請求の範囲第１〜５項のい
   ずれかに記載の方法。 ７、Ｒ３がヒドロキシまたは基＝ＣＨ−ＣＨ２−ＯＨを
   表わす式Ｉの化合物を用いる特許請求の範囲第１〜６項
   のいずれかに記載の方法。 ８、一般式 式中、Ｒ５はヒドロキシまたは 基＝ＣＨ−ＣＨ２−ＯＨを表わ１７、そしてＲ４は特許
   請求の範囲第１項記載の意味を右する、 の化合物またはその光学的対常体を立体障害された塩基
   性リチウム化合物の存在下において反応させる特許請求
   の範囲第１〜７項のいずれかに記載のりｊ法。 ９、Ｒ４が式−〇　〇　＝　ＣＲ８または−ＣＯ−Ｒ６
   の基、好ましくは−ＣＯ−ＯＣＨ３、−Ｃ０−ＯＣ２Ｒ
   ５または一〇〇−Ｃ６Ｈ，を表わす式■またはＩａの化
   合物を用いる特許請求の範囲第１〜ｓ　ｒｓ＋のいずれ
   かに記載の方法。 １０、・般式 式中、ｎは数０または１を表わし：記号Ｒ１及びＲ２の
   一方は水素を表わし比つ他力は水素、ヒドロキシもしく
   はオキソノ１（または保護されたヒドロキシもしくはオ
   キソ基を表わし、Ｒ３はヒドロキシ、オキソ基、＝ＣＨ
   −ＣＨ２−ＯＨもしくは＝ＣＨ−ＣＨｏまたは保護され
   たヒドロキシもレイはオキソ官能基をもつこれらの基か
   ら誘導された基を表わし、Ｒ４は−Ｇｏ−ＯＲＢ、−Ｃ
   ｏ−Ｒ’、 −ＣＯ−ＮＲ６Ｒ７、−ＣＯ−Ｃ１または一３Ｏ２−Ｒ
   ’を表わし；そしてＲ６及びＲ７は飽和したまたは芳香
   族の炭化水素基を表わすか、或いはｉ？はまた水素を表
   わす、 の化合物。