JPS6083005A - 光導波路およびその製造法 - Google Patents
光導波路およびその製造法Info
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- JPS6083005A JPS6083005A JP19073983A JP19073983A JPS6083005A JP S6083005 A JPS6083005 A JP S6083005A JP 19073983 A JP19073983 A JP 19073983A JP 19073983 A JP19073983 A JP 19073983A JP S6083005 A JPS6083005 A JP S6083005A
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- Japan
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- optical waveguide
- single crystal
- iron
- garnet
- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光通信に使用される光導波路およびその製造方
法に関する。
法に関する。
近年、光通信の実用化が急速に進展しておシ、光部品の
小型化、高信頼化に対する研究開発が盛んに押し進めら
れている。光通信システムの構成要素にはレーザー光源
の安定化を図るため磁気光学材料からなる光アイソレー
タが使用される。
小型化、高信頼化に対する研究開発が盛んに押し進めら
れている。光通信システムの構成要素にはレーザー光源
の安定化を図るため磁気光学材料からなる光アイソレー
タが使用される。
従来の光アイソレータとしては第１図に示すような基本
構成からなるものが知られている。［例えば滝、宮崎、
赤尾、信学技報ＭＷ ８Ｏ−９５（１９８１）］ずなわ
ち、ＧＧＧ単結晶基板１上にＲＦスパッタリング法で作
成したＢｉ：ＹＩＧ薄膜２およびＺｎＯ上層部３から構
成され、さらに、Ａｔクラッド層のモード選択回路４、
磁化膜からなる非相反回路５、および相反回路６、ルチ
ルプリズム７を付加した構造である。この光アイソレー
タにおいてはルチルプリズム７より入射したレーザー光
はファラデー効果およびコツトン・ムートン効果の影響
を受けて偏波面が回転し、他端のルチルプリズム８よす
出射するが、他端のルチルプリズム８よシ入射した光は
ファラデー効果およびコツトン・ムートン効果の影響に
よって、さらに偏波面が回転するため手前のルチルプリ
ズム７を通過することはできない。
構成からなるものが知られている。［例えば滝、宮崎、
赤尾、信学技報ＭＷ ８Ｏ−９５（１９８１）］ずなわ
ち、ＧＧＧ単結晶基板１上にＲＦスパッタリング法で作
成したＢｉ：ＹＩＧ薄膜２およびＺｎＯ上層部３から構
成され、さらに、Ａｔクラッド層のモード選択回路４、
磁化膜からなる非相反回路５、および相反回路６、ルチ
ルプリズム７を付加した構造である。この光アイソレー
タにおいてはルチルプリズム７より入射したレーザー光
はファラデー効果およびコツトン・ムートン効果の影響
を受けて偏波面が回転し、他端のルチルプリズム８よす
出射するが、他端のルチルプリズム８よシ入射した光は
ファラデー効果およびコツトン・ムートン効果の影響に
よって、さらに偏波面が回転するため手前のルチルプリ
ズム７を通過することはできない。
以上が従来の光アイソレータの代表的な例である。しか
し、このような構成の光アイソレータは一般に酸化物か
らなる単体部品を集めて構成されており、光集積回路に
適用する際、光源として一般に使用される■−■化合物
半導体レーザーあるいは■−Ｖ化合化合物半導体光路波
路ノリシックに結合することは不可能であった。
し、このような構成の光アイソレータは一般に酸化物か
らなる単体部品を集めて構成されており、光集積回路に
適用する際、光源として一般に使用される■−■化合物
半導体レーザーあるいは■−Ｖ化合化合物半導体光路波
路ノリシックに結合することは不可能であった。
したがって、本発明は上述の問題点を解決するためにな
されたものであシ、本発明の目的は■−■化合物半導体
レーザーあるいは■−■化合物半導体光導波路とモノリ
シックに結合できる構造を有する光導波路を提供するこ
と、本発明の他の目的は小型の平面型光導波路を提供す
ること、本発明の更に他の目的は埋込み型光導波路を提
供すること、本発明の更に他の目的は鉄ガーネットから
なる光導波路と提供すること、本発明の更に他の目的は
本発明の光導波路からなる光アイソレータを提供するこ
と、本発す」の更に他の目的は本発明の光導波路を用い
た光集積回路を提供すること、本発明の更に他の目的は
本発明の光４波路の製造方法を提供することである。
されたものであシ、本発明の目的は■−■化合物半導体
レーザーあるいは■−■化合物半導体光導波路とモノリ
シックに結合できる構造を有する光導波路を提供するこ
と、本発明の他の目的は小型の平面型光導波路を提供す
ること、本発明の更に他の目的は埋込み型光導波路を提
供すること、本発明の更に他の目的は鉄ガーネットから
なる光導波路と提供すること、本発明の更に他の目的は
本発明の光導波路からなる光アイソレータを提供するこ
と、本発す」の更に他の目的は本発明の光導波路を用い
た光集積回路を提供すること、本発明の更に他の目的は
本発明の光４波路の製造方法を提供することである。
本発明は材質の異なる基板上に形成した鉄を含ま；デい
ガーネットの島状薄膜をゾーンメルト法で単結晶化し、
この単結晶部を梅結晶として鉄ガーネツト薄膜を固相成
長させることによって鉄ガーネツト光導波路を形成する
ものである。
ガーネットの島状薄膜をゾーンメルト法で単結晶化し、
この単結晶部を梅結晶として鉄ガーネツト薄膜を固相成
長させることによって鉄ガーネツト光導波路を形成する
ものである。
非晶質材料上に単結晶薄膜を形成する技術としては、た
とえばＪ−Ｆ、 Ｇｉｂｂｏｎｇらの発表による非晶質
５１３Ｎ４上に島状に形成した多結晶ＳＩをレーザーア
ニール法によって単結晶化する方法が挙げられる［Ｊ、
Ｆ、 Ｇｉｂｂｏｎｓ ｅｔ ａｔ、、 Ａｐｐｌ
ｐＨｙｓ。
とえばＪ−Ｆ、 Ｇｉｂｂｏｎｇらの発表による非晶質
５１３Ｎ４上に島状に形成した多結晶ＳＩをレーザーア
ニール法によって単結晶化する方法が挙げられる［Ｊ、
Ｆ、 Ｇｉｂｂｏｎｓ ｅｔ ａｔ、、 Ａｐｐｌ
ｐＨｙｓ。
Ｌｅｔｔ、、 ３４ 、 （１２）、 ８３１ （１９
７９）ｌ。本発明は鉄を含まないガーネット膜のレーザ
ーアニールによるゾーンメルト実験、さらに鉄を含まな
いガーネット単結晶上への鉄ガーネツト単結晶膜の固相
エピタキシー成長実験奮行なった結果、所定の単結晶膜
が得られる技術を確定したことに基づくものである。さ
らに、本発明はこの方法によって形成した島状単結晶膜
が光導波路、とくに埋込み型光導波路として機能するこ
とを見出したことによってなされたものである。
７９）ｌ。本発明は鉄を含まないガーネット膜のレーザ
ーアニールによるゾーンメルト実験、さらに鉄を含まな
いガーネット単結晶上への鉄ガーネツト単結晶膜の固相
エピタキシー成長実験奮行なった結果、所定の単結晶膜
が得られる技術を確定したことに基づくものである。さ
らに、本発明はこの方法によって形成した島状単結晶膜
が光導波路、とくに埋込み型光導波路として機能するこ
とを見出したことによってなされたものである。
なお、本発明において、鉄を冨まないガーネット膜上に
鉄カーネット膜を形成する理由は次のとおシである。す
なわち、種類の異なる基板上に光導波路のような細長い
単結晶領域を形成するためには固相成長よシ液相成艮の
方が有利であシ、ゾーンメルトが好ましい。しかしなが
ら、鉄ガーネットは分解溶融型化合物であるため溶融さ
せることはできない。このため、一旦鉄を含まないガー
ネット単結晶膜をゾーンメルト法で形成した後、その上
に鉄ガーネツト膜を固相成長させる必要がある。さらに
、鉄ガーネツト光導波路に対してその周囲を屈折率の少
し小さい鉄を含まないガーネットで覆うことによって、
よシ効率の高い光導波特性を得ることができる。
鉄カーネット膜を形成する理由は次のとおシである。す
なわち、種類の異なる基板上に光導波路のような細長い
単結晶領域を形成するためには固相成長よシ液相成艮の
方が有利であシ、ゾーンメルトが好ましい。しかしなが
ら、鉄ガーネットは分解溶融型化合物であるため溶融さ
せることはできない。このため、一旦鉄を含まないガー
ネット単結晶膜をゾーンメルト法で形成した後、その上
に鉄ガーネツト膜を固相成長させる必要がある。さらに
、鉄ガーネツト光導波路に対してその周囲を屈折率の少
し小さい鉄を含まないガーネットで覆うことによって、
よシ効率の高い光導波特性を得ることができる。
以下、実施例によυ本発明の詳細な説明する。
実施例１
第２図には本発明における光導波路の形成プロセスの一
例を示す。ＧａＡＳ基板９上にＳ ｊ ０２あるいはＳ
ｉ３Ｎ４等の非晶質膜１０を形成し、その表面の一部を
細長い島状のＧｄ３Ｇａ５０１２で満たした。
例を示す。ＧａＡＳ基板９上にＳ ｊ ０２あるいはＳ
ｉ３Ｎ４等の非晶質膜１０を形成し、その表面の一部を
細長い島状のＧｄ３Ｇａ５０１２で満たした。
Ｇ ｄ ｓ （ｉ ａ ｓ ０１２の形成はスパッタ蒸
着法が好ましい。
着法が好ましい。
ツイテ、Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２の島に沿ってレーザービー
ム１３を走査し、Ｑｄ３Ｇａ５０１２のゾーンメルトを
行なった。このとき、溶融したＧ（１３Ｇａ５０１２は
熱伝導度の低い５ｉ０２あるいは５ｉｓＮａ等の非晶質
材料１０に囲まれているため、温度の低い表面から結晶
化が生じ、第２図に示したような細長い単結晶領域１１
全形成した。なお、本実施例では非晶質材料１０に接す
る部分１２では多結晶の発生が観察さ扛た。
ム１３を走査し、Ｑｄ３Ｇａ５０１２のゾーンメルトを
行なった。このとき、溶融したＧ（１３Ｇａ５０１２は
熱伝導度の低い５ｉ０２あるいは５ｉｓＮａ等の非晶質
材料１０に囲まれているため、温度の低い表面から結晶
化が生じ、第２図に示したような細長い単結晶領域１１
全形成した。なお、本実施例では非晶質材料１０に接す
る部分１２では多結晶の発生が観察さ扛た。
このようにして形成した島状Ｇｄ３ Ｇａｓ ０１２単
結晶領域の上には第３図に示すようにＹ３Ｆｅ５Ｏ１２
膜１８をＧｄ ３ Ｇ ａｓ ０１２単結晶領域１６ニ
沿ツテ島状に形成した後、６００〜８００ｃに加熱して
Ｙｓ Ｆ ｅ ５０１２の固相成長を行なった。この結
果、ＹａＦｅｓ０１２１８はＧｄ３Ｇａ５Ｏ１２を単結
晶基板として島状単結晶に成長させることができた。さ
らにこの上にＧｄ３ Ｇａ ５Ｑ 、２膜を蒸着するこ
とによって屈折率の少し小さい上層部を形成し、本発明
の埋込み型光導波路を作成した。
結晶領域の上には第３図に示すようにＹ３Ｆｅ５Ｏ１２
膜１８をＧｄ ３ Ｇ ａｓ ０１２単結晶領域１６ニ
沿ツテ島状に形成した後、６００〜８００ｃに加熱して
Ｙｓ Ｆ ｅ ５０１２の固相成長を行なった。この結
果、ＹａＦｅｓ０１２１８はＧｄ３Ｇａ５Ｏ１２を単結
晶基板として島状単結晶に成長させることができた。さ
らにこの上にＧｄ３ Ｇａ ５Ｑ 、２膜を蒸着するこ
とによって屈折率の少し小さい上層部を形成し、本発明
の埋込み型光導波路を作成した。
実施例２
第４図に示すように、ｌｎｐ単結晶丞板２ｏ上に形成し
たＩｎＧａＡｓＰ半へ１１体レーザー２１０光軸延長上
に実施例１で示した方法にょっでＧｄ３Ｇａ５０１２単
結晶領域２３を形成し、さらにＳ Ｉ ３Ｎ ４薄膜２
４を図のようにプラズマＣ’ＶＤ法で蒸着し／ζ。
たＩｎＧａＡｓＰ半へ１１体レーザー２１０光軸延長上
に実施例１で示した方法にょっでＧｄ３Ｇａ５０１２単
結晶領域２３を形成し、さらにＳ Ｉ ３Ｎ ４薄膜２
４を図のようにプラズマＣ’ＶＤ法で蒸着し／ζ。
ついで、Ｙ３Ｆｅ６０１２薄膜２５をＧｄｓ Ｇａｓ
０１２単結晶領域２３および５ｊｓＮ４膜２４上に形成
した後、同相エピタキシー成長法で単結晶化を図った。
０１２単結晶領域２３および５ｊｓＮ４膜２４上に形成
した後、同相エピタキシー成長法で単結晶化を図った。
この結果、Ｙ ３Ｆｅｓ ０１２薄膜２５ ハＳ ｉｓ
Ｎ４ ｉ上まで成長を続け、レーザ一部２１との界面
まで単結晶化することができた。さらに、Ｇｄ３ Ｇａ
３０１２薄膜２６で覆うことによシ、レーザ一部の光軸
延長上にＹ’３ Ｆｅ５０１２からなる光導波路を形成
することができた。
Ｎ４ ｉ上まで成長を続け、レーザ一部２１との界面
まで単結晶化することができた。さらに、Ｇｄ３ Ｇａ
３０１２薄膜２６で覆うことによシ、レーザ一部の光軸
延長上にＹ’３ Ｆｅ５０１２からなる光導波路を形成
することができた。
実施例３
実１ｉｌｘ例２ Ｋ＞イテ、Ｙ３Ｆｒｓ−Ｏｔ２（１）
代ゎシに、（ＹＢｉ＞３Ｆｅ５０１２単結晶薄膜からな
る光導波路を形成した。ついで、第５図に示すように、
Ｇｄ５Ｇａｓ ０１２１換３２上にＡ７薄膜からなるモ
ード選択回路３４および３５を形成し、さらに磁化膜か
らなる相反および非相反回路３６を形成した。
代ゎシに、（ＹＢｉ＞３Ｆｅ５０１２単結晶薄膜からな
る光導波路を形成した。ついで、第５図に示すように、
Ｇｄ５Ｇａｓ ０１２１換３２上にＡ７薄膜からなるモ
ード選択回路３４および３５を形成し、さらに磁化膜か
らなる相反および非相反回路３６を形成した。
このようにして作製しグヒ光導波路は半導体レーザー３
３から出射したレーザー光全減衰することなく他端から
出射するが、他端から入射した光はレーザ一部３３に遅
するまでに渡設さゼるために光アイソレータとして機能
することが明らかになった。さらに、本発明の光アイソ
レータはレーザー光源部と同一基板を用いて一体になっ
ていることが特徴であり、小型化、高信頼化を達成する
とと第１表で示す鉄を含まないガーネット膜を形成し、
これをレーザー照射によってゾーンメルトすることによ
シ単結晶化した。さらにこの単結晶領域上に第１表で示
す鉄ガーネツト膜を島状に形成し、同相エピタキシー成
長によって鉄カーネット単結晶膜を形成した。
３から出射したレーザー光全減衰することなく他端から
出射するが、他端から入射した光はレーザ一部３３に遅
するまでに渡設さゼるために光アイソレータとして機能
することが明らかになった。さらに、本発明の光アイソ
レータはレーザー光源部と同一基板を用いて一体になっ
ていることが特徴であり、小型化、高信頼化を達成する
とと第１表で示す鉄を含まないガーネット膜を形成し、
これをレーザー照射によってゾーンメルトすることによ
シ単結晶化した。さらにこの単結晶領域上に第１表で示
す鉄ガーネツト膜を島状に形成し、同相エピタキシー成
長によって鉄カーネット単結晶膜を形成した。
第１表
この結果得られた細長い鉄ガーネット単結晶は光導波路
として機能することが確認された。また、この鉄ガーネ
ツト単結晶上に再び鉄を含″！！、ないガーネット膜を
蒸着することによって、より光とじ込め効率の良い光導
波路を形成することができた。
として機能することが確認された。また、この鉄ガーネ
ツト単結晶上に再び鉄を含″！！、ないガーネット膜を
蒸着することによって、より光とじ込め効率の良い光導
波路を形成することができた。
〔発明の効果」
以上の実施例で示したように、本発明の光導波路は■−
■化付化学物半導体レーザーいは■−■−■物半導体光
導波路とモノリシックに結合できる構造を有しているの
で、小型、高信頼の光アイソレータ、光来椋回路を形成
することができる。
■化付化学物半導体レーザーいは■−■−■物半導体光
導波路とモノリシックに結合できる構造を有しているの
で、小型、高信頼の光アイソレータ、光来椋回路を形成
することができる。
また、本発明の方法によれば平面型光導波路、埋込与型
光導波路を容易に形成することが可能になる。
光導波路を容易に形成することが可能になる。
第１図は従来の光アイソレータの構成図、第２図は本発
明の一実施例としてのレーザー照射によって島状Ｇｄ３
Ｇａ５Ｏ１２膜を単結晶化するプロセスを示す図、第３
図は本発明の光導波路を示す図、第４図は本発明の他の
実施例としてのレーザー光源部とモノリシックに結合し
た光導波路を示す断面図、第５図は本発明の更に他の実
施例としてのレーザー光源部とモノリフツクに結合した
光アイソレータを示す図である。 １・・・ＧＧＧ単結晶基板、２・・・Ｂｉ：ＹＩＧ薄膜
、３・・・ＺｎＯ上層部、４・・・モード選択回路、５
・・・非相反回路、６・・・相反回路、７，８・・・ル
チルプリズム、９・・・ＧａＡ３単結晶基板、１０・・
・５ｉ０２あるいは５ｉ３Ｎ４等の非晶質膜、１１−＝
Ｇｄ３Ｇａ５０１２単結晶領域、１２・・・Ｇｄ５（Ｊ
ａ５０１２多結晶領域、１３・・・レーザービーム、１
４・・・ＧａＡｓ単結晶基板、１５・・・Ｓ ｉ ０２
６るいはＳｉ３Ｎ４等の非晶質膜、１６− Ｇｄ ３
Ｑａ ５０１２単結晶領域、１７−Ｇｃｉ３Ｇａｓ０１
２多結晶領域、１ Ｂ −Ｙａ Ｆｅ５Ｏ１２単結晶膜
、１９・−・ｏｃｌ、ｏａ、 ０１ｍ薄膜、２０ ・Ｉ
ｎ Ｐ単結晶基板、２１−ＩｎＧａＡｓＰ半導体Ｖ−
ザー、２２−８ｉＯ２膜、２３・・−Ｇｄ３Ｑａ５Ｑ１
２単結晶領域、２４−８ｒ３Ｎ４膜、２５−ＹｓＦｅ５
０ｓｚ単結晶膜、２６ ”４ｄｓ Ｇａ５Ｏ１２薄膜、
２７・・・ＩｎＰ単結晶基板、２８・・・５ｉｎ２膜、
２９ ・・・ｏａ、ｏａ ５０１２単結晶領域、３０−
ＧｄｓＧａｓＯｔ２多ｍ晶領域、３１ ・＝ （ＹＢ
ｉ）ｓ Ｆ”ｅｓＯ１２単結晶薄膜、３２、’、、Ｑｄ
３Ｑａ５０１２薄膜、３３−ＩｎＧａＡｓＰ半導体レー
ザー、３４．３５・・・モート°選択回路、３６第 ｌ
ｌ 第 ２ 図 第 ３ 図 ３ 第 ４ 口
明の一実施例としてのレーザー照射によって島状Ｇｄ３
Ｇａ５Ｏ１２膜を単結晶化するプロセスを示す図、第３
図は本発明の光導波路を示す図、第４図は本発明の他の
実施例としてのレーザー光源部とモノリシックに結合し
た光導波路を示す断面図、第５図は本発明の更に他の実
施例としてのレーザー光源部とモノリフツクに結合した
光アイソレータを示す図である。 １・・・ＧＧＧ単結晶基板、２・・・Ｂｉ：ＹＩＧ薄膜
、３・・・ＺｎＯ上層部、４・・・モード選択回路、５
・・・非相反回路、６・・・相反回路、７，８・・・ル
チルプリズム、９・・・ＧａＡ３単結晶基板、１０・・
・５ｉ０２あるいは５ｉ３Ｎ４等の非晶質膜、１１−＝
Ｇｄ３Ｇａ５０１２単結晶領域、１２・・・Ｇｄ５（Ｊ
ａ５０１２多結晶領域、１３・・・レーザービーム、１
４・・・ＧａＡｓ単結晶基板、１５・・・Ｓ ｉ ０２
６るいはＳｉ３Ｎ４等の非晶質膜、１６− Ｇｄ ３
Ｑａ ５０１２単結晶領域、１７−Ｇｃｉ３Ｇａｓ０１
２多結晶領域、１ Ｂ −Ｙａ Ｆｅ５Ｏ１２単結晶膜
、１９・−・ｏｃｌ、ｏａ、 ０１ｍ薄膜、２０ ・Ｉ
ｎ Ｐ単結晶基板、２１−ＩｎＧａＡｓＰ半導体Ｖ−
ザー、２２−８ｉＯ２膜、２３・・−Ｇｄ３Ｑａ５Ｑ１
２単結晶領域、２４−８ｒ３Ｎ４膜、２５−ＹｓＦｅ５
０ｓｚ単結晶膜、２６ ”４ｄｓ Ｇａ５Ｏ１２薄膜、
２７・・・ＩｎＰ単結晶基板、２８・・・５ｉｎ２膜、
２９ ・・・ｏａ、ｏａ ５０１２単結晶領域、３０−
ＧｄｓＧａｓＯｔ２多ｍ晶領域、３１ ・＝ （ＹＢ
ｉ）ｓ Ｆ”ｅｓＯ１２単結晶薄膜、３２、’、、Ｑｄ
３Ｑａ５０１２薄膜、３３−ＩｎＧａＡｓＰ半導体レー
ザー、３４．３５・・・モート°選択回路、３６第 ｌ
ｌ 第 ２ 図 第 ３ 図 ３ 第 ４ 口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、鉄を含まないガーネット単結晶領域を該ガーネット
よシ熱伝導度の低い材料と鉄カーネット単結晶層の間に
存在せしめることを特徴とする光導波路。 ２、特許請求の範囲第１項において、上記光導波路をｌ
［Ｉ−Ｖ化合物基板上に形成することを特徴とする光導
波路。 ３、上記光導波路を鉄を含まないガーネット薄膜で覆う
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光導波路
。 ４、鉄を含まないガーネット薄膜をゾーンメルト法で単
結晶化する工程、および単結晶化した鉄を含まないガー
ネットを種結晶として上記鉄ガニネット薄膜を固相エピ
タキシー法で単結晶化する工程を含むことを特徴とした
先導波路製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19073983A JPS6083005A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 光導波路およびその製造法 |
| US06/660,144 US4691983A (en) | 1983-10-14 | 1984-10-12 | Optical waveguide and method for making the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19073983A JPS6083005A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 光導波路およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6083005A true JPS6083005A (ja) | 1985-05-11 |
Family
ID=16262960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19073983A Pending JPS6083005A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 光導波路およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6083005A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02139502A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光アイソレータと磁気光学素子と光集積回路と磁気光学素子の製造方法と光集積回路の製造方法 |
| JP2005536874A (ja) * | 2002-08-19 | 2005-12-02 | ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 基板上のフィルム領域を処理して、こうした領域内及びその端部領域をほぼ均一にするレーザ結晶化プロセス及びシステム、及びこうしたフィルム領域の構造 |
| JP2008139517A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Hoya Corp | 光導波路回路基盤 |
-
1983
- 1983-10-14 JP JP19073983A patent/JPS6083005A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02139502A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光アイソレータと磁気光学素子と光集積回路と磁気光学素子の製造方法と光集積回路の製造方法 |
| JP2005536874A (ja) * | 2002-08-19 | 2005-12-02 | ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 基板上のフィルム領域を処理して、こうした領域内及びその端部領域をほぼ均一にするレーザ結晶化プロセス及びシステム、及びこうしたフィルム領域の構造 |
| JP2008139517A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Hoya Corp | 光導波路回路基盤 |
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