JPS6083350A - 集積回路の製造方法 - Google Patents
集積回路の製造方法Info
- Publication number
- JPS6083350A JPS6083350A JP58191473A JP19147383A JPS6083350A JP S6083350 A JPS6083350 A JP S6083350A JP 58191473 A JP58191473 A JP 58191473A JP 19147383 A JP19147383 A JP 19147383A JP S6083350 A JPS6083350 A JP S6083350A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- bump
- integrated circuit
- forming
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/251—Materials
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は集積回路の製造方法に関し、特に外部端子であ
る電極用金バンプを有する集積回路の製造方法に関する
。
る電極用金バンプを有する集積回路の製造方法に関する
。
従来、集積回路の電極用Ａｕバンプ及び表面保護用のポ
リイミド被膜の形成は、第１図〜第３図に示す如〈実施
されている。
リイミド被膜の形成は、第１図〜第３図に示す如〈実施
されている。
第１図はウェーハ上に第１バンプ並びに第２バンプの形
成された集積回路製造工程の断面図、第２図は表面保護
とバンプのはがれ防止のためにポリイミド被膜を形成し
た集積回路の平面図、第３図は第２図のＡ−Ａ’断面図
である０ 第１図に示すように、拡散、絶縁膜形成、配線工程の終
了したウェーハの絶縁膜５の上に接着層であるＴｉ膜１
、バリヤ層であるｐｔ模膜２全付た後その上に第１バン
プ３、第２バンプ４をＡｕメッキで形成する。
成された集積回路製造工程の断面図、第２図は表面保護
とバンプのはがれ防止のためにポリイミド被膜を形成し
た集積回路の平面図、第３図は第２図のＡ−Ａ’断面図
である０ 第１図に示すように、拡散、絶縁膜形成、配線工程の終
了したウェーハの絶縁膜５の上に接着層であるＴｉ膜１
、バリヤ層であるｐｔ模膜２全付た後その上に第１バン
プ３、第２バンプ４をＡｕメッキで形成する。
次いで、第２図、第３図に示すエラに表面保護並びにバ
ンプのはがれ防止の九めポリイミド被膜６を形成する。
ンプのはがれ防止の九めポリイミド被膜６を形成する。
ポリイミド被膜はウェーッ・上にポリイミド被膜を翅布
形成した後、露光、現像により第２バンプ４上のポリイ
ミド被膜を除去し、第１バンプ３の端部を覆うように選
択除去する０しかし、第２バンプ４の厚さは１０〜２５
μｍと厚く異常にきつい段差のため、所望のパターン通
りの選択除去が困難で、第１バング３の端部を覆，１つ
ないばかりか、第２バンプ４以外のウェーッ・表面を露
出して形成されることが多い。
形成した後、露光、現像により第２バンプ４上のポリイ
ミド被膜を除去し、第１バンプ３の端部を覆うように選
択除去する０しかし、第２バンプ４の厚さは１０〜２５
μｍと厚く異常にきつい段差のため、所望のパターン通
りの選択除去が困難で、第１バング３の端部を覆，１つ
ないばかりか、第２バンプ４以外のウェーッ・表面を露
出して形成されることが多い。
このように形成された集積回路では第１バンプ３の端部
が十分覆われていないのでポリイミド被膜６の第１の役
割であるバンプのはがれ防止の役に立たない。また第１
バンプ３及びバンプ以外のウェーハの一部が露出されて
いるので表面保護の面でも不十分であるという欠点がＳ
，た。
が十分覆われていないのでポリイミド被膜６の第１の役
割であるバンプのはがれ防止の役に立たない。また第１
バンプ３及びバンプ以外のウェーハの一部が露出されて
いるので表面保護の面でも不十分であるという欠点がＳ
，た。
また、この種の集積回路は高温等の過酷な条件下での信
頼性が要求されることがあり、この場合Ａｕバンプ内に
異種金属が狭まれていることは強度劣化、電気的特性の
劣化につながることになるという欠点を有していた。
頼性が要求されることがあり、この場合Ａｕバンプ内に
異種金属が狭まれていることは強度劣化、電気的特性の
劣化につながることになるという欠点を有していた。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、ポリイミド被膜は
第１バンプ端部を十分覆い、バンプのはがれ防止を十分
果すと共に過酷な条件下でも信頼性の高い集積回路の製
造方法を提供することにある０ 〔発明の構成〕 本発明の集積回路の製造方法は、拡散領域、絶縁膜、配
線を形成したウェーハの前記絶縁膜の上に密着層として
の第１の金属膜、バリヤ層としての第２金属膜及びＡｕ
の第１バンプを順次形成する第１の工程と、前記第１バ
ツグの全部又は一部上に開：孔部を持つポリイミド被膜
を形成する第２の工程と、前記ポリイミド被膜の全表面
に化学薬品でエツチング可能な金属より成る第３の金属
膜を形成する第３の工程と、前記第３：の金属膜の形成
されまたウェーハ上にホトレジスト膜を全面被着し前記
ポリイミド被膜の開孔部より小さな開孔部を前記ポリイ
ミド被膜開孔部に重ねて形成する第４の工程と、前記第
３の金属膜のうち前記開孔部内の第３金属膜を工，チン
グ除去す・・る第１５の工程と、前記ホトレジスト膜を
マスクとして前記第３の金属膜を電極として電解Ａｕメ
ッキを・行な・うて第２バンプを形成する第６の工程と
、前記ホトレジスト膜をポリイミド膜を溶解しない有機
性剥離剤で剥離する第７の工程と、前記第３の金属膜を
工，チング除去する第８の工程とを含んで構成される。
第１バンプ端部を十分覆い、バンプのはがれ防止を十分
果すと共に過酷な条件下でも信頼性の高い集積回路の製
造方法を提供することにある０ 〔発明の構成〕 本発明の集積回路の製造方法は、拡散領域、絶縁膜、配
線を形成したウェーハの前記絶縁膜の上に密着層として
の第１の金属膜、バリヤ層としての第２金属膜及びＡｕ
の第１バンプを順次形成する第１の工程と、前記第１バ
ツグの全部又は一部上に開：孔部を持つポリイミド被膜
を形成する第２の工程と、前記ポリイミド被膜の全表面
に化学薬品でエツチング可能な金属より成る第３の金属
膜を形成する第３の工程と、前記第３：の金属膜の形成
されまたウェーハ上にホトレジスト膜を全面被着し前記
ポリイミド被膜の開孔部より小さな開孔部を前記ポリイ
ミド被膜開孔部に重ねて形成する第４の工程と、前記第
３の金属膜のうち前記開孔部内の第３金属膜を工，チン
グ除去す・・る第１５の工程と、前記ホトレジスト膜を
マスクとして前記第３の金属膜を電極として電解Ａｕメ
ッキを・行な・うて第２バンプを形成する第６の工程と
、前記ホトレジスト膜をポリイミド膜を溶解しない有機
性剥離剤で剥離する第７の工程と、前記第３の金属膜を
工，チング除去する第８の工程とを含んで構成される。
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第４図（ａ）〜（ｇ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した断面図である。
めの工程順に示した断面図である。
第４図（ａ）に示すように、拡散、絶縁膜及び配線工程
を終了した集積回路表面の絶縁膜５の上にバンプと絶縁
層との密着層として０．１μｍ厚のＩｆ ｉ膜１、’ｐ
ｉとＡｕバンプのバリヤ層としてのＯ５１μｍ厚のｐｔ
膜２、及びＡｕの第１バンプ３を形成する。
を終了した集積回路表面の絶縁膜５の上にバンプと絶縁
層との密着層として０．１μｍ厚のＩｆ ｉ膜１、’ｐ
ｉとＡｕバンプのバリヤ層としてのＯ５１μｍ厚のｐｔ
膜２、及びＡｕの第１バンプ３を形成する。
次に、第４図（ｂ）に示すように１ウエーハの表面にポ
リイミド被膜を被着させ、第１バンブ３上に第２バンブ
形成用の開孔部９を形成する。このとき第１バンプ３の
端部はポリイミド被膜６により確実に覆われるように形
成する。
リイミド被膜を被着させ、第１バンブ３上に第２バンブ
形成用の開孔部９を形成する。このとき第１バンプ３の
端部はポリイミド被膜６により確実に覆われるように形
成する。
次に、第４図（Ｃ）に示すように、後の工程で化学薬品
により容易に工，チングされ、またＡｕメッキの電極と
して好都合な金属として１． Ｐｄ、 Ｎｉ 、 ＱＨ
からなる群から選ばれた金属として０．１μｍ厚のＰｄ
膜７を全面にスバ、りにより形成する。
により容易に工，チングされ、またＡｕメッキの電極と
して好都合な金属として１． Ｐｄ、 Ｎｉ 、 ＱＨ
からなる群から選ばれた金属として０．１μｍ厚のＰｄ
膜７を全面にスバ、りにより形成する。
次に、第４図（ｄ）に示すように全表面にホトレジスト
膜８を塗布した後ポリイミド被膜６の開孔部９より小さ
な開孔部となるようポリイミド被膜の開孔部に重ねてホ
トレジスト膜８をパターニングし、ホトレジスト膜の開
孔部１ｏを形成する。
膜８を塗布した後ポリイミド被膜６の開孔部９より小さ
な開孔部となるようポリイミド被膜の開孔部に重ねてホ
トレジスト膜８をパターニングし、ホトレジスト膜の開
孔部１ｏを形成する。
次に、ホトレジスト膜８をマスクとし、ウェーハを塩化
第二鉄、塩酸等にょるＰｄエツチング液に浸漬し、開孔
部１０に露出しているＰｄ膜を選択工、チングにより除
去する。
第二鉄、塩酸等にょるＰｄエツチング液に浸漬し、開孔
部１０に露出しているＰｄ膜を選択工、チングにより除
去する。
次に、第４図（ｅ）に示すように、さきに形成したＰｄ
膜７を電極として、開孔部１ｏに電解Ａｕメ、キにより
２０μｍ厚の第２バンプ４を形成する。
膜７を電極として、開孔部１ｏに電解Ａｕメ、キにより
２０μｍ厚の第２バンプ４を形成する。
次に、第４図（ｆ）に示すように、ウェーハ上のホトレ
ジスト・１膜８を剥離液で剥離除去する。
ジスト・１膜８を剥離液で剥離除去する。
次いで、第４図（ｇ）に示すように、Ｐｄ膜７を塩化第
二鉄、塩酸等によるＰｄエツチング液で工、チング除去
する。
二鉄、塩酸等によるＰｄエツチング液で工、チング除去
する。
以上の工程によって、電極のＡｕバンプ及び保護ポリイ
ミド被膜が形成できる。
ミド被膜が形成できる。
以上形成されたポリイミド被膜は従来のように第２バン
プ形成後でなく、薄い第１バンプ形成後に形成するので
ホトレジストのパターニングは正確に実施することがで
き、第１バンプの端部をポリイミド被膜で十分カバーす
ることができ、従って絶縁層との間でのはがれを確実に
防止することができる。また同様の理由にエリウェーハ
面も露出することがないのでポリイミド被膜の保護膜と
しての役割も十分果すことが可能である。
プ形成後でなく、薄い第１バンプ形成後に形成するので
ホトレジストのパターニングは正確に実施することがで
き、第１バンプの端部をポリイミド被膜で十分カバーす
ることができ、従って絶縁層との間でのはがれを確実に
防止することができる。また同様の理由にエリウェーハ
面も露出することがないのでポリイミド被膜の保護膜と
しての役割も十分果すことが可能である。
なお、本実施例では第２バンプ形成前に第１バンプ上に
形成した第３の金属膜であるＰｄ膜を除去した。Ｐｄ膜
が第１バンプ、第２バンプ間に介在しても本発明の目的
は達成できるが、この集積回路が高温等の過酷な条件に
さらされると機械的強度の劣化、電気的特性劣化を促進
するが本実施例では第２バンプ形成前に除去されている
ので高信頼性の集積回路とすることができる。
形成した第３の金属膜であるＰｄ膜を除去した。Ｐｄ膜
が第１バンプ、第２バンプ間に介在しても本発明の目的
は達成できるが、この集積回路が高温等の過酷な条件に
さらされると機械的強度の劣化、電気的特性劣化を促進
するが本実施例では第２バンプ形成前に除去されている
ので高信頼性の集積回路とすることができる。
なお、上記実施例では第１金属膜としてＴ１膜、第２金
属膜としてＰｔ膜を使用し九が、これに限定されるもの
でなく第１金属膜としてはＯｒ 、 Ｎｉ０ｒ。
属膜としてＰｔ膜を使用し九が、これに限定されるもの
でなく第１金属膜としてはＯｒ 、 Ｎｉ０ｒ。
Ｔａ、Ｍｏ、第２金属膜としては、Ｐｄ、Ｎｉの金属膜
が同様に適用することが出来る。 □ 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、バンプのはがれ
が少なく、表面保護効果が大きく、高信頼性の集積回路
を容易に製造することができる。
が同様に適用することが出来る。 □ 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、バンプのはがれ
が少なく、表面保護効果が大きく、高信頼性の集積回路
を容易に製造することができる。
第１図は従来のウェーハ上に第１バンプ上第２バンクの
形成された工程の集積回路の断面図、第２図は従来の表
面にポリイミド被膜の形成された集積回路の平面図、第
３図は第２図のＡ、−Ａ’断面図、第４図（ａ）〜（ｇ
）は本発明の一実施例を説明するための工程順に示した
断面図である。 １・・・・・・Ｔｉ膜、２・・・・・・ｐｔ膜、３・・
・・・・第１バンプ、４・・・・・・第２バンプ、５・
・・・・・絶縁膜、６・・・・・・ポリイミド被膜、７
・・・・・・Ｐｄ膜、８・・・・・・ホトレジスト膜、
９．１０・・・・・・開孔部。 第ｌ 図 凛２２ 図 第 ４ 旧
形成された工程の集積回路の断面図、第２図は従来の表
面にポリイミド被膜の形成された集積回路の平面図、第
３図は第２図のＡ、−Ａ’断面図、第４図（ａ）〜（ｇ
）は本発明の一実施例を説明するための工程順に示した
断面図である。 １・・・・・・Ｔｉ膜、２・・・・・・ｐｔ膜、３・・
・・・・第１バンプ、４・・・・・・第２バンプ、５・
・・・・・絶縁膜、６・・・・・・ポリイミド被膜、７
・・・・・・Ｐｄ膜、８・・・・・・ホトレジスト膜、
９．１０・・・・・・開孔部。 第ｌ 図 凛２２ 図 第 ４ 旧
Claims (3)
- （１）拡散領域、絶縁膜、配線を形成したウェーハの前
記絶縁膜の上に密着層としての第１の金属膜、バリヤ層
としての第２金属膜及びＡｕの第１バンブを、順次形成
する第１の工程と、前記第１バンプの全部又は一部上に
開孔部を持つポリイミド被膜を形成する第２の工程と、
前記ポリイミド被膜の全表面に化学薬品で工、チング可
能な金属よシ成る第３の金属膜を形成する第３の工程と
、前記第３の金属膜の形成されたウェーハ上にホ、トレ
ジスト腺ヲ全面被着し前記ポリイミド被膜の開孔部より
小さな開孔部を前記ポリイミド被膜開孔部に重ねて形成
する第４の工程と、前記第３の金属膜のうち前記開孔部
内の第３金属膜を工、チング除去する第５の工程と、前
記ホトレジスト膜をマスクとして前記第３の金属膜を電
極として電解Ａｕメ、キを行なって第２バンプを形成す
る第６の工程と、前記ホトレジスト膜をポリイミド膜を
溶解しない有機性剥離剤で剥離する第７の工程と、前記
第３の金属膜を工、チング除去する第８の工程とを含む
ことを特徴とする集積回路の製造方法。 - （２）第１の金属膜がＴｉ膜、第２の金属膜がｐｔ膜で
ある特許請求の範囲第（１）項記載の集積回路の製造方
法。 - （３）化学薬品でエツチング可能な金属がｐａ、Ｎｉ。 Ｏｕからなる群から選ばれた金属でるる特許請求の範囲
第（１）項又は第（２）項記載の集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58191473A JPS6083350A (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58191473A JPS6083350A (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6083350A true JPS6083350A (ja) | 1985-05-11 |
Family
ID=16275235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58191473A Pending JPS6083350A (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6083350A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5917231A (en) * | 1997-02-17 | 1999-06-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device including an insulative layer having a gap |
-
1983
- 1983-10-13 JP JP58191473A patent/JPS6083350A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5917231A (en) * | 1997-02-17 | 1999-06-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device including an insulative layer having a gap |
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