JPS6084001A - 高周波切換回路 - Google Patents
高周波切換回路Info
- Publication number
- JPS6084001A JPS6084001A JP19288083A JP19288083A JPS6084001A JP S6084001 A JPS6084001 A JP S6084001A JP 19288083 A JP19288083 A JP 19288083A JP 19288083 A JP19288083 A JP 19288083A JP S6084001 A JPS6084001 A JP S6084001A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- pin diode
- high frequency
- capacitor
- switching circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体及びハイブリッドを使用して高周波
の高速切換を行なう高周波切換l路に関するものである
。
の高速切換を行なう高周波切換l路に関するものである
。
従来この種の回路として第1図にbすものがあった。図
において、1は高周波信号を入出力する空中線端子、2
は高周波高電力を入力する送信機端子、3は高周波信号
を出力する受信機端子、4は空中線端子1からの高周波
信号を、送信機端子2又は受信機端子3に切換えるため
に使用する90°ハイブリツド、5 (5a、5b)は
90°ハイブリツド4の2つの端子を短絡するためのP
INダイオード、6はPINダイオード5をON(短絡
)させるためのバイアス電流を発生させるバイアス発生
回路、7はバイアス発生回路6に正電源を供給する正電
源供給端子、8はバイアス発生回路6のバイアス電流を
制御する制御入力端子、9はPINダイオード5の電荷
を放電するための半導体スイッチ、10はPINダイオ
ード5の電荷を放電するために半導体スイッチ9に負電
源を供給する負電源供給端子、11は半導体スイッチ9
の制御を行なう制御入力端子である。12は9゜°ハイ
ブリッド4の1端子を終端するための終端抵抗である。
において、1は高周波信号を入出力する空中線端子、2
は高周波高電力を入力する送信機端子、3は高周波信号
を出力する受信機端子、4は空中線端子1からの高周波
信号を、送信機端子2又は受信機端子3に切換えるため
に使用する90°ハイブリツド、5 (5a、5b)は
90°ハイブリツド4の2つの端子を短絡するためのP
INダイオード、6はPINダイオード5をON(短絡
)させるためのバイアス電流を発生させるバイアス発生
回路、7はバイアス発生回路6に正電源を供給する正電
源供給端子、8はバイアス発生回路6のバイアス電流を
制御する制御入力端子、9はPINダイオード5の電荷
を放電するための半導体スイッチ、10はPINダイオ
ード5の電荷を放電するために半導体スイッチ9に負電
源を供給する負電源供給端子、11は半導体スイッチ9
の制御を行なう制御入力端子である。12は9゜°ハイ
ブリッド4の1端子を終端するための終端抵抗である。
次に動作について説明する。
まず空中線端子1と送信機端子2とを接続する場合は、
制御入力端子8に“H″ (“L″)レヘルの制御信号
を入力する。すると、バイアス発生回路6は正電源供給
端子7がら供給される電力を用いてPINダイオード5
をON(短絡)するためのバイアスを発生する。これに
よりPINダイオード5はONとなり90”ハイブリッ
ド4の2端子間が短絡され、空中線端子1と送信機端子
2とが接続される。また、このとき受信機端子3は終端
抵抗12と接続される。
制御入力端子8に“H″ (“L″)レヘルの制御信号
を入力する。すると、バイアス発生回路6は正電源供給
端子7がら供給される電力を用いてPINダイオード5
をON(短絡)するためのバイアスを発生する。これに
よりPINダイオード5はONとなり90”ハイブリッ
ド4の2端子間が短絡され、空中線端子1と送信機端子
2とが接続される。また、このとき受信機端子3は終端
抵抗12と接続される。
次に空中線端子1と受信機端子3とを接続する場合は、
制御入力端子8がら上記とは逆のレベル、即ち“L”
(“H”)レベルの制御信号を入力する。すると、バイ
アス発生回路6がらPINダイオード5に与えるバイア
スが無くなる。また、上記制御信号が印加されると同時
に、放電制御入力端子11にも半導体スイッチ9を制御
する信号が入力され、負電源供給端子10から供給され
る負の電源によりPINダイオード5に蓄積された電荷
は急速に放電される。このPINダイオード5の電荷が
無くなれば該PINダイオード5は0FF(開放)とな
り、空中線端子1と受信機端子3とが接続される。また
、このとき送信機端子2は終端抵抗12と接続される。
制御入力端子8がら上記とは逆のレベル、即ち“L”
(“H”)レベルの制御信号を入力する。すると、バイ
アス発生回路6がらPINダイオード5に与えるバイア
スが無くなる。また、上記制御信号が印加されると同時
に、放電制御入力端子11にも半導体スイッチ9を制御
する信号が入力され、負電源供給端子10から供給され
る負の電源によりPINダイオード5に蓄積された電荷
は急速に放電される。このPINダイオード5の電荷が
無くなれば該PINダイオード5は0FF(開放)とな
り、空中線端子1と受信機端子3とが接続される。また
、このとき送信機端子2は終端抵抗12と接続される。
このようにして回路の切換えが行なわれるが、今、仮に
PINダイオード5の電荷を半導体スイッチ9で急速に
放電させないとすれば、上記PINダイオード5の電荷
の放電は漏れ電流によって放電されることになり、その
放電に時間がかかってしまう。この結果、空中線端子1
と送信la端子−2又は受信機端子3との切換時間が長
くなることになる。
PINダイオード5の電荷を半導体スイッチ9で急速に
放電させないとすれば、上記PINダイオード5の電荷
の放電は漏れ電流によって放電されることになり、その
放電に時間がかかってしまう。この結果、空中線端子1
と送信la端子−2又は受信機端子3との切換時間が長
くなることになる。
このように従来の高周波切換回路では、高周波高電力の
切換えを高速で行なうためには、PINダイオードのバ
イアス用の正電源と別に放電用の負電源を必要とすると
いう欠点があった。
切換えを高速で行なうためには、PINダイオードのバ
イアス用の正電源と別に放電用の負電源を必要とすると
いう欠点があった。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、PINダイオードに蓄積された
電荷をコンデンサをスイフチングして放電することによ
り、放電用の負電源を必要とすることなく、高周波高電
力の切換を高速で行なうことのできる高周波切換回路を
提供することを目的としている。
ためになされたもので、PINダイオードに蓄積された
電荷をコンデンサをスイフチングして放電することによ
り、放電用の負電源を必要とすることなく、高周波高電
力の切換を高速で行なうことのできる高周波切換回路を
提供することを目的としている。
以下この発明の一実施例を図について説明する。
第2図において、第1図と同一符号は同一のものを示す
。13a、13bはそれぞれPINダイオードsa、s
bに蓄積された電荷を放電するための放電用コンデンサ
であり、該コンデンサ13a。
。13a、13bはそれぞれPINダイオードsa、s
bに蓄積された電荷を放電するための放電用コンデンサ
であり、該コンデンサ13a。
13bの一端はそれぞれ上記PINダイオード5a、5
bのアノード側に接続され、又他端は半導体スイッチ9
に接続されている。そしてこの半導体スイッチ9は、端
子11への放電制御信号により制御され、上記コンデン
サ13a、13bの他端を正電源又はアースに接続する
ようになってぃ次に動作について説明する。
bのアノード側に接続され、又他端は半導体スイッチ9
に接続されている。そしてこの半導体スイッチ9は、端
子11への放電制御信号により制御され、上記コンデン
サ13a、13bの他端を正電源又はアースに接続する
ようになってぃ次に動作について説明する。
空中線端子1と送信機端子2とを接続する場合は、従来
と同様に制御入力端子8に制御信号を入力すれば、バイ
アス発生回路6はこれを受けて正電源供給端子7から供
給される電力を用い、PINダイオード5a、5bをO
N(短絡)するためのバイアスを発生する。これにより
PINダイオ−F5a、5bはONL、90”ハイブリ
ッド4の2端子間が短絡され、空中線端子1と送信機端
子2とが接続される。また、このとき受信機端子3は終
端抵抗12と接続される。ここで、PINダイオード5
がONL、ている時には、半導体スイフチ9は第2図で
示すように正電源供給端子7側に接続されており、従っ
て放電用コンデンサ13は正電源により充電されている
。
と同様に制御入力端子8に制御信号を入力すれば、バイ
アス発生回路6はこれを受けて正電源供給端子7から供
給される電力を用い、PINダイオード5a、5bをO
N(短絡)するためのバイアスを発生する。これにより
PINダイオ−F5a、5bはONL、90”ハイブリ
ッド4の2端子間が短絡され、空中線端子1と送信機端
子2とが接続される。また、このとき受信機端子3は終
端抵抗12と接続される。ここで、PINダイオード5
がONL、ている時には、半導体スイフチ9は第2図で
示すように正電源供給端子7側に接続されており、従っ
て放電用コンデンサ13は正電源により充電されている
。
次に空中線端子1と受信機端子3とを接続する場合は、
上記とは逆レベルの制御信号をその入力端子8に入力す
る。すると、バイアス発生回路6からPINダイオード
5に与えるバイアスが無くなる。また上記制御信号が印
加されると同時に、放電制御入力端子11にも半導体ス
イッチ9を制御する信号が入力され、該半導体スイ・ノ
チ9は放電用コンデンサ13の一端を接地するよう切換
えられる。放電用コンデンサ13の一端が接地されると
、該コンデンサ13に蓄積さている電荷はPINダイオ
ード5に蓄積されている電荷とは逆極性であるので、該
PINダイオード5の電荷は放電用コンデンサ13によ
って放電される。このPINダイオード5の電荷が無く
なれば該PINダイオード5はOFF (開放)となり
、空中線端子1と受信機端子3とが接続される。また、
このとき送信殿端子2は終端抵抗12と接続される。
上記とは逆レベルの制御信号をその入力端子8に入力す
る。すると、バイアス発生回路6からPINダイオード
5に与えるバイアスが無くなる。また上記制御信号が印
加されると同時に、放電制御入力端子11にも半導体ス
イッチ9を制御する信号が入力され、該半導体スイ・ノ
チ9は放電用コンデンサ13の一端を接地するよう切換
えられる。放電用コンデンサ13の一端が接地されると
、該コンデンサ13に蓄積さている電荷はPINダイオ
ード5に蓄積されている電荷とは逆極性であるので、該
PINダイオード5の電荷は放電用コンデンサ13によ
って放電される。このPINダイオード5の電荷が無く
なれば該PINダイオード5はOFF (開放)となり
、空中線端子1と受信機端子3とが接続される。また、
このとき送信殿端子2は終端抵抗12と接続される。
このような本実施装置では、PINダイオード5の蓄積
電荷をコンデンサ13及びこれをスイ・ノチングする半
導体スイッチ9によって放電するようにしたので、従来
装置における負電源装置を省略することができ、装置を
簡単に、安価にすることができる。
電荷をコンデンサ13及びこれをスイ・ノチングする半
導体スイッチ9によって放電するようにしたので、従来
装置における負電源装置を省略することができ、装置を
簡単に、安価にすることができる。
以上のようにこの発明によれば、PINダイオードの蓄
積電荷をコンデンサをスイッチングして放電するように
したので、負電源装置を用いることなく、簡単な回路構
成で高周波高電力を高速に切換えることができる効果が
ある。
積電荷をコンデンサをスイッチングして放電するように
したので、負電源装置を用いることなく、簡単な回路構
成で高周波高電力を高速に切換えることができる効果が
ある。
第1図は従来の高周波切換回路を示す図、第2図はこの
発明の一実施例による高周波切換回路の概略構成図であ
る。 4・・・90°ハイブリツド、5・・・PINダイオー
ド、6・・・バイアス発生回路、7・・・正電源供給端
子、8・・・制御入力端子、9・・・半導体スイッチ、
11・・・放電制御入力端子、13・・・放電用コンデ
ンサ。 なお図中、同一符号は同工又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄
発明の一実施例による高周波切換回路の概略構成図であ
る。 4・・・90°ハイブリツド、5・・・PINダイオー
ド、6・・・バイアス発生回路、7・・・正電源供給端
子、8・・・制御入力端子、9・・・半導体スイッチ、
11・・・放電制御入力端子、13・・・放電用コンデ
ンサ。 なお図中、同一符号は同工又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄
Claims (1)
- +l) 縦続接続された2つのハイブリッドと、上記の
ハイブリッドの2出力の各々とアース間に接続された2
つのPINダイオードとを備え1、該PINダイオード
をオン、オフして宵周波高電力の切換えを行なう高周波
切換回路において、外部制御信号に応じて上記PINダ
イオードをオンするだめのバイアス電流を発生するバイ
アス発生回路と、その一端が上記PINダイオードのア
ノード側に接続されたコンデンサと、上記外部制御信号
に応じて上記コンデンサの他端を正電源またはアースに
接続し上記PINダイオードをオン状態に保つか又はオ
フとする半導体スイッチとを備えたことを特徴とする高
周波切換回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19288083A JPS6084001A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 高周波切換回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19288083A JPS6084001A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 高周波切換回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6084001A true JPS6084001A (ja) | 1985-05-13 |
| JPH0153922B2 JPH0153922B2 (ja) | 1989-11-16 |
Family
ID=16298509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19288083A Granted JPS6084001A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 高周波切換回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6084001A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0295001A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波半導体スイッチ |
-
1983
- 1983-10-14 JP JP19288083A patent/JPS6084001A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0295001A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波半導体スイッチ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0153922B2 (ja) | 1989-11-16 |
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