JPH0153922B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0153922B2 JPH0153922B2 JP19288083A JP19288083A JPH0153922B2 JP H0153922 B2 JPH0153922 B2 JP H0153922B2 JP 19288083 A JP19288083 A JP 19288083A JP 19288083 A JP19288083 A JP 19288083A JP H0153922 B2 JPH0153922 B2 JP H0153922B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- power supply
- pin diodes
- high frequency
- positive power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体及びハイブリツトを使用し
て高周波の高速切換を行なう高周波切換回路に関
するものである。
て高周波の高速切換を行なう高周波切換回路に関
するものである。
従来この種の回路として第１図に示すものがあ
つた。図において、１は高周波信号を入力する空
中線端子、２は高周波高電力を入力する送信機端
子、３は高周波信号を出力する受信機端子、４は
空中線端子１からの高周波信号を、送信機端子２
又は受信機端子３に切換えるために使用する90゜
ハイブリツド、５（５ａ，５ｂ）は90゜ハイブリ
ツド４の２つの端子を短絡するためのPINダイオ
ード、６はPINダイオード５をON（短絡）させ
るためのバイアス電流を発生させるバイアス発生
回路、７はバイアス発生回路６に正電源を供給す
る正電源供給端子、８はバイアス発生回路６のバ
イアス電流を制御する制御入力端子、９はPINダ
イオード５の電荷を放電するための半導体スイツ
チ、１０はPINダイオード５の電荷を放電するた
めに半導体スイツチ９に負電源を供給する負電源
供給端子、１１は半導体スイツチ９の制御を行な
う制御入力端子である。１２は90゜ハイブリツド
４の１端子を終端するための終端低抗である。
つた。図において、１は高周波信号を入力する空
中線端子、２は高周波高電力を入力する送信機端
子、３は高周波信号を出力する受信機端子、４は
空中線端子１からの高周波信号を、送信機端子２
又は受信機端子３に切換えるために使用する90゜
ハイブリツド、５（５ａ，５ｂ）は90゜ハイブリ
ツド４の２つの端子を短絡するためのPINダイオ
ード、６はPINダイオード５をON（短絡）させ
るためのバイアス電流を発生させるバイアス発生
回路、７はバイアス発生回路６に正電源を供給す
る正電源供給端子、８はバイアス発生回路６のバ
イアス電流を制御する制御入力端子、９はPINダ
イオード５の電荷を放電するための半導体スイツ
チ、１０はPINダイオード５の電荷を放電するた
めに半導体スイツチ９に負電源を供給する負電源
供給端子、１１は半導体スイツチ９の制御を行な
う制御入力端子である。１２は90゜ハイブリツド
４の１端子を終端するための終端低抗である。
次に動作について説明する。
まず空中線端子１と送信機端子２とを接続する
場合は、制御入力端子８に“Ｈ”（“Ｌ”）レベル
の制御信号を入力する。すると、バイアス発生回
路６は正電源供給端子７から供給される電力を用
いてPINダイオード５をON（短絡）するための
バイアスを発生する。これによりPINダイオード
５はONとなり90゜ハイブリツド４の２端子間が短
絡され、空中線端子１と送信機端子２とが接続さ
れる。また、このとき受信機端子３は終端抵抗１
２と接続される。
場合は、制御入力端子８に“Ｈ”（“Ｌ”）レベル
の制御信号を入力する。すると、バイアス発生回
路６は正電源供給端子７から供給される電力を用
いてPINダイオード５をON（短絡）するための
バイアスを発生する。これによりPINダイオード
５はONとなり90゜ハイブリツド４の２端子間が短
絡され、空中線端子１と送信機端子２とが接続さ
れる。また、このとき受信機端子３は終端抵抗１
２と接続される。
次に空中線端子１と受信機端子３とを接続する
場合は、制御入力端子８から上記とは逆のレベ
ル、即ち“Ｌ”（“Ｈ”）レベルの制御信号を入力
する。すると、バイアス発生回路６からPINダイ
オード５に与えるバイアスが無くなる。また、上
記制御信号が印加されると同時に、放電制御入力
端子１１にも半導体スイツチ９を制御する信号が
入力され、負電源供給端子１０から供給される負
の電源によりPINダイオード５に蓄積された電荷
は急速に放電される。このPINダイオード５の電
荷が無くなれば該PINダイオード５はOFF（開
放）となり、空中線端子１と受信機端子３とが接
続される。また、このとき送信機端子２は終端抵
抗１２と接続される。
場合は、制御入力端子８から上記とは逆のレベ
ル、即ち“Ｌ”（“Ｈ”）レベルの制御信号を入力
する。すると、バイアス発生回路６からPINダイ
オード５に与えるバイアスが無くなる。また、上
記制御信号が印加されると同時に、放電制御入力
端子１１にも半導体スイツチ９を制御する信号が
入力され、負電源供給端子１０から供給される負
の電源によりPINダイオード５に蓄積された電荷
は急速に放電される。このPINダイオード５の電
荷が無くなれば該PINダイオード５はOFF（開
放）となり、空中線端子１と受信機端子３とが接
続される。また、このとき送信機端子２は終端抵
抗１２と接続される。
このようにして回路の切換えが行なわれるが、
今、仮にPINダイオード５の電荷を半導体スイツ
チ９で急速に放電させないとすれば、上記PINダ
イオード５の電荷の放電は漏れ電流によつて放電
されることになり、その放電に時間がかかつてし
まう。この結果、空中線端子１と送信機端子２又
は受信機端子３との切換時間か長くなることにな
る。
今、仮にPINダイオード５の電荷を半導体スイツ
チ９で急速に放電させないとすれば、上記PINダ
イオード５の電荷の放電は漏れ電流によつて放電
されることになり、その放電に時間がかかつてし
まう。この結果、空中線端子１と送信機端子２又
は受信機端子３との切換時間か長くなることにな
る。
このように従来の高周波切換回路では、高周波
高電力の切換えを高速で行なうためには、PINダ
イオードのバイアス用の正電源と別に放電用の負
電源を必要とするという欠点があつた。
高電力の切換えを高速で行なうためには、PINダ
イオードのバイアス用の正電源と別に放電用の負
電源を必要とするという欠点があつた。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を
除去するためになされたもので、PINダイオード
に蓄積された電荷をコンデンサをスイツチングし
て放電することにより、放電用の負電源を必要と
することなく、高周波高電力の切換を高速で行な
うことのできる高周波切換回路を提供することを
目的としている。
除去するためになされたもので、PINダイオード
に蓄積された電荷をコンデンサをスイツチングし
て放電することにより、放電用の負電源を必要と
することなく、高周波高電力の切換を高速で行な
うことのできる高周波切換回路を提供することを
目的としている。
以下この発明の一実施例を図について説明す
る。第２図において、第１図と同一符号は同一の
ものを示す。１３ａ，１３ｂはそれぞれPINダイ
オード５ａ，５ｂに蓄積された電荷を放電するた
めの放電用コンデンサであり、該コンデンサ１３
ａ，１３ｂの一端はそれぞれ上記PINダイオード
５ａ，５ｂのアノード側に接続され、又他端は半
導体スイツチ９に接続されている。そしてこの半
導体スイツチ９は、端子１１への放電制御信号に
より制御され、上記コンデンサ１３ａ，１３ｂの
他端を正電源又はアースに接続するようになつて
いる。
る。第２図において、第１図と同一符号は同一の
ものを示す。１３ａ，１３ｂはそれぞれPINダイ
オード５ａ，５ｂに蓄積された電荷を放電するた
めの放電用コンデンサであり、該コンデンサ１３
ａ，１３ｂの一端はそれぞれ上記PINダイオード
５ａ，５ｂのアノード側に接続され、又他端は半
導体スイツチ９に接続されている。そしてこの半
導体スイツチ９は、端子１１への放電制御信号に
より制御され、上記コンデンサ１３ａ，１３ｂの
他端を正電源又はアースに接続するようになつて
いる。
次に動作について説明する。
空中線端子１と送信機端子２とを接続する場合
は、従来と同様に制御入力端子８に制御信号を入
力すれば、バイアス発生回路６はこれを受けて正
電源供給端子７から供給される電力を用い、PIN
ダイオード５ａ，５ｂをON（短絡）するための
バイアスを発生する。これによりPINダイオード
５ａ，５ｂはONし、90゜ハイブリツド４の２端子
間が短絡され、空中線端子１と送信機端子２とが
接続される。また、このとき受信機端子３は終端
抵抗１２と接続される。ここで、PINダイオード
５がONしている時には、半導体スイツチ９は第
２図で示すように正電源供給端子７側に接続され
ており、従つて放電用コンデンサ１３は正電源に
より充電されている。
は、従来と同様に制御入力端子８に制御信号を入
力すれば、バイアス発生回路６はこれを受けて正
電源供給端子７から供給される電力を用い、PIN
ダイオード５ａ，５ｂをON（短絡）するための
バイアスを発生する。これによりPINダイオード
５ａ，５ｂはONし、90゜ハイブリツド４の２端子
間が短絡され、空中線端子１と送信機端子２とが
接続される。また、このとき受信機端子３は終端
抵抗１２と接続される。ここで、PINダイオード
５がONしている時には、半導体スイツチ９は第
２図で示すように正電源供給端子７側に接続され
ており、従つて放電用コンデンサ１３は正電源に
より充電されている。
次に空中線端子１と受信機端子３とを接続する
場合は、上記とは逆レベルの制御信号をその入力
端子８に入力する。すると、バイアス発生回路６
からPINダイオード５に与えるバイアスが無くな
る。また上記制御信号が印加されると同時に、放
電制御入力端子１１にも半導体スイツチ９を制御
する信号が入力され、該半導体スイツチ９は放電
用コンデンサ１３の一端を接地するよう切換えら
れる。放電用コンデンサ１３の一端が接地される
と、該コンデンサ１３に蓄積されている電荷は
PINダイオード５に蓄積されている電荷とは逆極
性であるので、該PINダイオード５の電荷は放電
用コンデンサ１３によつて放電される。このPIN
ダイオード５の電荷が無くなれば該PINダイオー
ド５はOFF（開放）となり、空中線端子１と受信
機端子３とが接続される。また、このとき送信機
端子２は終端抵抗１２と接続される。
場合は、上記とは逆レベルの制御信号をその入力
端子８に入力する。すると、バイアス発生回路６
からPINダイオード５に与えるバイアスが無くな
る。また上記制御信号が印加されると同時に、放
電制御入力端子１１にも半導体スイツチ９を制御
する信号が入力され、該半導体スイツチ９は放電
用コンデンサ１３の一端を接地するよう切換えら
れる。放電用コンデンサ１３の一端が接地される
と、該コンデンサ１３に蓄積されている電荷は
PINダイオード５に蓄積されている電荷とは逆極
性であるので、該PINダイオード５の電荷は放電
用コンデンサ１３によつて放電される。このPIN
ダイオード５の電荷が無くなれば該PINダイオー
ド５はOFF（開放）となり、空中線端子１と受信
機端子３とが接続される。また、このとき送信機
端子２は終端抵抗１２と接続される。
このような本実施装置では、PINダイオード５
の蓄積電荷をコンデンサ１３及びこれをスイツチ
ングする半導体スイツチ９によつて放電するよう
にしたので、従来装置における負電源装置を省略
することができ、装置を簡単に、安価にすること
ができる。
の蓄積電荷をコンデンサ１３及びこれをスイツチ
ングする半導体スイツチ９によつて放電するよう
にしたので、従来装置における負電源装置を省略
することができ、装置を簡単に、安価にすること
ができる。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、PINダイオー
ドの蓄積電荷をコンデンサをスイツチングして放
電するようにしたので、負電源装置を用いること
なく、簡単な回路構成で高周波高電力を高速に切
換えることができる効果がある。
ドの蓄積電荷をコンデンサをスイツチングして放
電するようにしたので、負電源装置を用いること
なく、簡単な回路構成で高周波高電力を高速に切
換えることができる効果がある。
第１図は従来の高周波切換回路を示す図、第２
図はこの発明の一実施例による高周波切換回路の
概略構成図である。 ４……90゜ハイブリツド、５……PINダイオー
ド、６……バイアス発生回路、７……正電源供給
端子、８……制御入力端子、９……半導体スイツ
チ、１１……放電制御入力端子、１３……放電用
コンデンサ。なお図中、同一符号は同一又は相当
部分を示す。
図はこの発明の一実施例による高周波切換回路の
概略構成図である。 ４……90゜ハイブリツド、５……PINダイオー
ド、６……バイアス発生回路、７……正電源供給
端子、８……制御入力端子、９……半導体スイツ
チ、１１……放電制御入力端子、１３……放電用
コンデンサ。なお図中、同一符号は同一又は相当
部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 縦続接続された２つのハイブリツドと、該ハ
イブリツド同士の２つの接続点にアノードを接続
しカソードを接地した２つのPINダイオードとを
備え、 該両PINダイオードをオン、オフして高周波高
電力の切換えを行なう高周波切換回路において、 外部制御信号に応じて上記２つのPINダイオー
ドを共にオンするためのバイアス電流を発生する
バイアス発生回路と、 該バイアス発生回路に正電源を供給する正電源
と、 一端が上記２つのPINダイオードのアノード側
に接続された２つのコンデンサと、 上記外部制御信号に応じて上記コンデンサの両
他端を上記正電源と同一の正電源またはアースの
いずれか一方に接続し上記２つのPINダイオード
を共にオン状態に保つか又はオフとする半導体ス
イツチとを備えたことを特徴とする高周波切換回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19288083A JPS6084001A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 高周波切換回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19288083A JPS6084001A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 高周波切換回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6084001A JPS6084001A (ja) | 1985-05-13 |
| JPH0153922B2 true JPH0153922B2 (ja) | 1989-11-16 |
Family
ID=16298509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19288083A Granted JPS6084001A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 高周波切換回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6084001A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0295001A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波半導体スイッチ |
-
1983
- 1983-10-14 JP JP19288083A patent/JPS6084001A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6084001A (ja) | 1985-05-13 |
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