JPS6084849A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6084849A JPS6084849A JP58192739A JP19273983A JPS6084849A JP S6084849 A JPS6084849 A JP S6084849A JP 58192739 A JP58192739 A JP 58192739A JP 19273983 A JP19273983 A JP 19273983A JP S6084849 A JPS6084849 A JP S6084849A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- semiconductor
- chip
- plate
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/20—Arrangements for cooling
- H10W40/28—Arrangements for cooling comprising Peltier coolers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明ｒ」、放熱の良好な半導体咬ＩＪＴＬＶＬ関す
る。
る。
従来、半得体素子の動作時に発する熱の放散は、第１図
に示す方法で行なわｎていた。すなわち。
に示す方法で行なわｎていた。すなわち。
第１図において、（１）は半導体チップであり、（２）
は半導体チップ（１）と引き出しリード（８）とＷｅ続
する内部リード線であり、（４）はパッケージを構成す
る樹脂である。半導体チップ（１）の接合部で七の動Ｉ
’ｌｌ’によＶ発生した熱は、王として側１１ｉ１ （
４）の表面から対流伝熱と輻射伝熱とにエフ放畝丁ゐ。
は半導体チップ（１）と引き出しリード（８）とＷｅ続
する内部リード線であり、（４）はパッケージを構成す
る樹脂である。半導体チップ（１）の接合部で七の動Ｉ
’ｌｌ’によＶ発生した熱は、王として側１１ｉ１ （
４）の表面から対流伝熱と輻射伝熱とにエフ放畝丁ゐ。
ま７ｊ、同時Ｖｔ、引き出しリード（８）を通して図示
しない配設基板への伝専伝熱に工ってｔ放熱さｉｔてい
る。
しない配設基板への伝専伝熱に工ってｔ放熱さｉｔてい
る。
しかしながら、半導体テップ（１）の接合部あたジの発
熱量かわず〃・であっても、工Ｃｖ果績度が大きくなる
と、半導体テップ（１）でのつも隔置が人きくなるので
、半畳体チップ（１）と側屈（４）の表面との１１１」
の熱姐抗を下け、また、佃鹿（４Ｊ ＱＪ表曲を沌ＩＬ
る生気の鮎を増加させ°ても、放熱か十分子ｃ達成ざＩ
Ｌず、半４体の特性が発熱にエリ劣化することがある。
熱量かわず〃・であっても、工Ｃｖ果績度が大きくなる
と、半導体テップ（１）でのつも隔置が人きくなるので
、半畳体チップ（１）と側屈（４）の表面との１１１」
の熱姐抗を下け、また、佃鹿（４Ｊ ＱＪ表曲を沌ＩＬ
る生気の鮎を増加させ°ても、放熱か十分子ｃ達成ざＩ
Ｌず、半４体の特性が発熱にエリ劣化することがある。
この発明は、前ｄピφ悄に基ついてなさＩしたものであ
り、半導体チップの近ｆｆＪＴＬ電子冷沫装匝葡設けて
、半導体チップの発熱を効果的に放熱し、温度特性の安
定した半導体装置を提供することを目的とするものでお
る。
り、半導体チップの近ｆｆＪＴＬ電子冷沫装匝葡設けて
、半導体チップの発熱を効果的に放熱し、温度特性の安
定した半導体装置を提供することを目的とするものでお
る。
次に、この発明の一′実施ψＵについて図１を参照しな
からｄ発明する。
からｄ発明する。
第２図に２いて、（５）にＮ型半導体であり、（６）ａ
Ｐ型半導体であり、いずｎも吸熱板（７）ＶＣ取り付け
らｎる。吸熱板（７）に、ＭＩＪ記Ｎ型半尋半導５）３
工びＰ型半導体（６）葡取り付けた血とに反対側の囲を
、半導体チップ（１）を搭載する鎖板（８Ｊの表面に接
触して、扉板（８）に取り付けらｎる。前ａＣＮ型半専
半導体）に、第１の′ｌ１４ｉ倹（９）を有する第１の
放熱板調にも接続さｎ、捷た、削配Ｐ型半寺体（句は、
第２の′電極Ｑη會准する第２の放熱板（−にも依絖さ
ｆＬる。削配の工うにして電子冷体装置が構成さｆＬ、
第１の′嘔健（転用２（１）’電極＋１１１．１ｉ１４
１の放熱板調の一部表面あ・工び第２の放熱板（Ｉ２１
の一部表ＩｎＩ會噸いて、−子冷体鉄匝に碩１１ｉｑ
Ｌ匍Ｖｔモールドさｎている。なお、第２図ＶＣおいて
、ＭＩ図におけるのと同一の査号を付したものは第１図
に２けるのとＩＯＪ様の愼龍を市する部材である。
Ｐ型半導体であり、いずｎも吸熱板（７）ＶＣ取り付け
らｎる。吸熱板（７）に、ＭＩＪ記Ｎ型半尋半導５）３
工びＰ型半導体（６）葡取り付けた血とに反対側の囲を
、半導体チップ（１）を搭載する鎖板（８Ｊの表面に接
触して、扉板（８）に取り付けらｎる。前ａＣＮ型半専
半導体）に、第１の′ｌ１４ｉ倹（９）を有する第１の
放熱板調にも接続さｎ、捷た、削配Ｐ型半寺体（句は、
第２の′電極Ｑη會准する第２の放熱板（−にも依絖さ
ｆＬる。削配の工うにして電子冷体装置が構成さｆＬ、
第１の′嘔健（転用２（１）’電極＋１１１．１ｉ１４
１の放熱板調の一部表面あ・工び第２の放熱板（Ｉ２１
の一部表ＩｎＩ會噸いて、−子冷体鉄匝に碩１１ｉｑ
Ｌ匍Ｖｔモールドさｎている。なお、第２図ＶＣおいて
、ＭＩ図におけるのと同一の査号を付したものは第１図
に２けるのとＩＯＪ様の愼龍を市する部材である。
半導体装置を、第２図に示すようＶＣ電子冷？ＪＩＬ装
置を組み込んで構成した場合、第２図に示す矢印方間に
′亀訛を通じると、通じる電流に比Ｖ１１シて吸熱板（
７ンが低温になる。そうすると、半導体チップ（υと吸
熱板（７ンとの間の温度勾配が大きくなり、半導体チッ
プ（１）からの伝熱量が増加し、半導体チップ（１）の
温度が低下することとなる。また、半導体チップ（１ン
で光生じた熱Ｍは、吸熱板（７へＮ型半専体（５］およ
びＰ型半寺体（６）を伝導して、第１の放熱板調と第２
の放熱板調とｙｃ集中する。その結果、第１の放熱板調
２工びか２の放熱板（Ｉ２１は、仙１ｊ飢句の表１１］
、ｃり尚温ＶＣなり、つまり第１の放熱板調お工び第２
の放熱板（１２１と夕本気との温度差が大きくなり、対
流伝熱お工ひ暢射伝熱が増加することＶＣより、半導体
装置全体からの放熱を十分な１％のとすることができる
。したがって、半導体テップ（υの動作中Ｖｔ過熱する
の全有効に防止することができ、半導体装置の温度特性
を一段と同上させることができる。
置を組み込んで構成した場合、第２図に示す矢印方間に
′亀訛を通じると、通じる電流に比Ｖ１１シて吸熱板（
７ンが低温になる。そうすると、半導体チップ（υと吸
熱板（７ンとの間の温度勾配が大きくなり、半導体チッ
プ（１）からの伝熱量が増加し、半導体チップ（１）の
温度が低下することとなる。また、半導体チップ（１ン
で光生じた熱Ｍは、吸熱板（７へＮ型半専体（５］およ
びＰ型半寺体（６）を伝導して、第１の放熱板調と第２
の放熱板調とｙｃ集中する。その結果、第１の放熱板調
２工びか２の放熱板（Ｉ２１は、仙１ｊ飢句の表１１］
、ｃり尚温ＶＣなり、つまり第１の放熱板調お工び第２
の放熱板（１２１と夕本気との温度差が大きくなり、対
流伝熱お工ひ暢射伝熱が増加することＶＣより、半導体
装置全体からの放熱を十分な１％のとすることができる
。したがって、半導体テップ（υの動作中Ｖｔ過熱する
の全有効に防止することができ、半導体装置の温度特性
を一段と同上させることができる。
以上、この発明の一実施例について詳述したが、この発
明＃′；を前ａＣ冥施世’ＪＶＣ眠足さＩＬるものでは
なく、Ｃの発明の要旨の軛囲内で極々変形して実施する
ことができるのはいうまでＩ［１１ない。
明＃′；を前ａＣ冥施世’ＪＶＣ眠足さＩＬるものでは
なく、Ｃの発明の要旨の軛囲内で極々変形して実施する
ことができるのはいうまでＩ［１１ない。
Ｍ’ｌＪ記央７１！ｉ例に半導体テップを冷却してその
発熱を外部に放散するものであるが、この発明に、ＬＳ
Ｉ、トランジスタ、サイリスク等の、動作により発熱を
伴なう能！ＩＩ］部品にも通用することができる。葦だ
、曲配実施例に、電子冷凍装置１段を組み込んだ半導体
装置であるが、より効率良〈冷却するために、を子冷凍
装置葡２段または七ｆＬ以上のｙ劫を血タリｖｃ黴枕し
、半纏体表直ＶＣ組み込んでもよい。
発熱を外部に放散するものであるが、この発明に、ＬＳ
Ｉ、トランジスタ、サイリスク等の、動作により発熱を
伴なう能！ＩＩ］部品にも通用することができる。葦だ
、曲配実施例に、電子冷凍装置１段を組み込んだ半導体
装置であるが、より効率良〈冷却するために、を子冷凍
装置葡２段または七ｆＬ以上のｙ劫を血タリｖｃ黴枕し
、半纏体表直ＶＣ組み込んでもよい。
以上Ｖｔ詳述したようＶＣｌこの発明ＶＣよると、動作
することＶＣ工Ｖ兄熱する半寺悴テップ金直接に、効率
良く冷却するので、半導体チップの過熱を防止して、半
部′Ｉ４−装匝の温就峙注金一段と同上することができ
る。また１組み込んだ′電子冷凍装置にθ１ｔ、丁ｘｌ
Ａｃを調節すると、電子冷凍装置による冷却能力を任意
ＰＣすることができる。ま１ヒ、この発明の半導体装置
Ｖｔは、可動部分のない゛電子Ｃｖ凍装置を組み込んで
いるので、冷却に除し、騒音を発さす、また、摩耗もな
いので、寿命を半永久的なものとすることができる。
することＶＣ工Ｖ兄熱する半寺悴テップ金直接に、効率
良く冷却するので、半導体チップの過熱を防止して、半
部′Ｉ４−装匝の温就峙注金一段と同上することができ
る。また１組み込んだ′電子冷凍装置にθ１ｔ、丁ｘｌ
Ａｃを調節すると、電子冷凍装置による冷却能力を任意
ＰＣすることができる。ま１ヒ、この発明の半導体装置
Ｖｔは、可動部分のない゛電子Ｃｖ凍装置を組み込んで
いるので、冷却に除し、騒音を発さす、また、摩耗もな
いので、寿命を半永久的なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半４悸装置を示す１ｌｆＴ曲図、および
、第２図はこの発明の一実施例である半導体装置を示す
断ｌｆ［］図である。 （１）：半導体テップ Ｌ５Ｊ ： Ｎ減半専拝（６）
：Ｐ型半導体 （７）：吸熱板 （８）二基板 調：第１の放熱板 （助：第２の放熱板 代理人 人 岩 瑠 雄
、第２図はこの発明の一実施例である半導体装置を示す
断ｌｆ［］図である。 （１）：半導体テップ Ｌ５Ｊ ： Ｎ減半専拝（６）
：Ｐ型半導体 （７）：吸熱板 （８）二基板 調：第１の放熱板 （助：第２の放熱板 代理人 人 岩 瑠 雄
Claims (1)
- 半導体チップと、こｌｒＬに近接して成り、半導体チッ
プを搭載する基板に配置する吸熱板と、前＝１吸熱板に
一端全接触するＮ型半尋体寂工びＰ型半導体と、前記Ｎ
型半導体の他端Ｖｔ接触して設けた第１の放熱板あ・工
び削配Ｐ型半尋体の他端にう安触して設けた第２の放熱
板とを儂え、Ｎ型半導体の他端から吸熱板を介してＰ型
半導体の他端へと′亀θＩＬを辿しることにエフ半導体
チックを冷却する電子冷凍装置金儲えたことを特徴とす
る半尋体装直。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58192739A JPS6084849A (ja) | 1983-10-15 | 1983-10-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58192739A JPS6084849A (ja) | 1983-10-15 | 1983-10-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6084849A true JPS6084849A (ja) | 1985-05-14 |
Family
ID=16296253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58192739A Pending JPS6084849A (ja) | 1983-10-15 | 1983-10-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6084849A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS625651U (ja) * | 1985-06-25 | 1987-01-14 | ||
| JPH01245549A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-09-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置およびその製法 |
| JPH04216655A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-06 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
| JPH04320360A (ja) * | 1991-03-23 | 1992-11-11 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体パッケージ |
| US5224908A (en) * | 1989-11-15 | 1993-07-06 | Aisin Aw Co., Ltd. | Automatic transmission |
| US5537342A (en) * | 1990-08-28 | 1996-07-16 | Lsi Logic Corporation | Encapsulation of electronic components |
-
1983
- 1983-10-15 JP JP58192739A patent/JPS6084849A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS625651U (ja) * | 1985-06-25 | 1987-01-14 | ||
| JPH01245549A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-09-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置およびその製法 |
| US5224908A (en) * | 1989-11-15 | 1993-07-06 | Aisin Aw Co., Ltd. | Automatic transmission |
| US5537342A (en) * | 1990-08-28 | 1996-07-16 | Lsi Logic Corporation | Encapsulation of electronic components |
| JPH04216655A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-06 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
| JPH04320360A (ja) * | 1991-03-23 | 1992-11-11 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体パッケージ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6167949B1 (en) | Low EMI emissions heat sink device | |
| CN204668293U (zh) | 芯片散热装置、虚拟数字币挖矿机及电子设备 | |
| JP2928236B1 (ja) | 発熱素子の放熱部材 | |
| JPH05335454A (ja) | 電子機器の冷却装置 | |
| JPH042156A (ja) | 電力用半導体装置 | |
| US6081028A (en) | Thermal management enhancements for cavity packages | |
| JPS6249700A (ja) | ヒ−トシンク装置 | |
| CN204836913U (zh) | 复合散热器和散热模组 | |
| JPS60202956A (ja) | 回路モジユ−ル | |
| JP3068488B2 (ja) | プリント基板 | |
| CN100372108C (zh) | 电子装置的散热模块 | |
| JPS61144855A (ja) | 半導体回路のためのパツケージ | |
| CN210837727U (zh) | 适用电路板的散热装置 | |
| JP3684903B2 (ja) | 混成集積回路の実装構造 | |
| JPS63192256A (ja) | 集積回路の冷却構造 | |
| CN110662397B (zh) | 电子设备的散热设计方法、散热结构及电子设备 | |
| JPH0677347A (ja) | 基 板 | |
| JP3477790B2 (ja) | 電気回路装置 | |
| JP2001358265A (ja) | 電磁波抑制伝熱成形体 | |
| JPS6146098A (ja) | 電子機器の放熱構造 | |
| JPH0530392Y2 (ja) | ||
| JPS63227099A (ja) | 電子装置の放熱構造 | |
| JPS58145094A (ja) | 誘導加熱調理器 | |
| JPS5839055U (ja) | 電子部品 | |
| JPH034072Y2 (ja) |