JPS6084894A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPS6084894A JPS6084894A JP19250184A JP19250184A JPS6084894A JP S6084894 A JPS6084894 A JP S6084894A JP 19250184 A JP19250184 A JP 19250184A JP 19250184 A JP19250184 A JP 19250184A JP S6084894 A JPS6084894 A JP S6084894A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体レーザ装置に関し、とくに製法が容易で
かつ新規な構造を呈する半導体レーザ装置に関するもの
である。
かつ新規な構造を呈する半導体レーザ装置に関するもの
である。
半導体レーザは、光通信、光情報端末、ビデオディスク
、計測等の幅広い応用に適した光源として期待されてい
る。これらの応用では、レーザの横基本モードを保った
まま、できる限り高い光出力を出すことが望ましい。ま
た、光を光学レンズで集光する際には、レーザのビーム
広がり角が等方的である方が光の利用効率が高く光学系
が簡単になるなどのメリットがある。これらの条件をみ
たす１つの構造例として、従来、第１図に示したような
、一種のＢＨレーザ（一般に埋込型ダブルへテロ・レー
ザと称されている。）がある。たとえば、特開昭５２−
３３９２号にみられる。これは、ｎ−ＧａＡｓ基板１１
の上に溝を形成し、この基板上に通常の液相エピタキシ
ャル法により。
、計測等の幅広い応用に適した光源として期待されてい
る。これらの応用では、レーザの横基本モードを保った
まま、できる限り高い光出力を出すことが望ましい。ま
た、光を光学レンズで集光する際には、レーザのビーム
広がり角が等方的である方が光の利用効率が高く光学系
が簡単になるなどのメリットがある。これらの条件をみ
たす１つの構造例として、従来、第１図に示したような
、一種のＢＨレーザ（一般に埋込型ダブルへテロ・レー
ザと称されている。）がある。たとえば、特開昭５２−
３３９２号にみられる。これは、ｎ−ＧａＡｓ基板１１
の上に溝を形成し、この基板上に通常の液相エピタキシ
ャル法により。
ｎ −Ｇ ａ １−ｙ Ａ Ｑ ｙ Ａ ｓクラッド１
２．アンドープ活性層Ｇａｔ ｘＡＩ２ｘＡｓ１３、ｐ
Ｇａｔ−ＹＡＱ ＹＡ ｓクラッド１４を成長したも
のである。ここで、適当な成長条件を選ぶことにより、
第１図のように、溝の中央部に三ケ月状に活性層Ｂが成
長し、溝の肩の部分でその厚みをｄ＝０ （図中に点線
の円で示した。）となるようにすることができる。この
構造は、活性層のまわりをそれよりもバンドギャップの
大き０クラツド層でうめこんだＢ Ｉ−ル−ザと等価で
あり、１回の液相成長で形成できるという大きな利点を
有する。
２．アンドープ活性層Ｇａｔ ｘＡＩ２ｘＡｓ１３、ｐ
Ｇａｔ−ＹＡＱ ＹＡ ｓクラッド１４を成長したも
のである。ここで、適当な成長条件を選ぶことにより、
第１図のように、溝の中央部に三ケ月状に活性層Ｂが成
長し、溝の肩の部分でその厚みをｄ＝０ （図中に点線
の円で示した。）となるようにすることができる。この
構造は、活性層のまわりをそれよりもバンドギャップの
大き０クラツド層でうめこんだＢ Ｉ−ル−ザと等価で
あり、１回の液相成長で形成できるという大きな利点を
有する。
反面、溝のうめこみがた、活性層の厚みのばらつきによ
り、特性がばらつきやすいという欠点があった。特に、
この構造は、通常の停止法による液相成長では、溶液と
基板との接Ｍ面のｄ１！！度分布が不均一になってしま
い、活性層の厚さｄが０．０５〜０．２５ μｍはどもばらつき、安定した活性層が得られず歩留り
低下の最大の原因となる。
り、特性がばらつきやすいという欠点があった。特に、
この構造は、通常の停止法による液相成長では、溶液と
基板との接Ｍ面のｄ１！！度分布が不均一になってしま
い、活性層の厚さｄが０．０５〜０．２５ μｍはどもばらつき、安定した活性層が得られず歩留り
低下の最大の原因となる。
本発明の目的は、上記欠点を除去して製法の容易な、か
つ、ばらつきのない活性層を有した半導体レーザ装置を
提供することにある。
つ、ばらつきのない活性層を有した半導体レーザ装置を
提供することにある。
上記目的を達成させるための本発明の構成は、液相成長
におけるスライド速度を３０〜１００ＩＩＩＩｌ／秒で
滑らか、かつ、連続的に移動させてＱａ、、ＡＱ、Ａｓ
（０≦Ｘ≦０．３５）からなる活性層を形成させて設け
てなることにある。
におけるスライド速度を３０〜１００ＩＩＩＩｌ／秒で
滑らか、かつ、連続的に移動させてＱａ、、ＡＱ、Ａｓ
（０≦Ｘ≦０．３５）からなる活性層を形成させて設け
てなることにある。
本発明は上述の様に活性層の溶液溜めを連続的に移動さ
せて結晶層の成育が行われるため、液相溶液と基板との
接触面が安定して、０．０３〜０．０７μｍという極め
て薄い層の活性層が得られる。また、基板の溝または凹
部に対応した中央部分に上記結晶の成長が集中して溝部
以外の領域では活性層の厚さが上記中央部分の１７２〜
１／３、あるいは殆んど結晶層の成長がみられなくなる
。従って、上記活性層は実質的に１回の液相成長で他の
領域から電気的、光学的に独立した安定した膜厚の層と
なる。従来は安定した膜厚の活性層は得られず、また、
活性層を独立した層にするため、選択成長や不薦物拡散
などの工程を必要としていた。この様に本考案の活性層
は極めて簡単な工程で形成でき、かつ、ばらつきも少な
くなり製品歩留りが著しく向上した。
せて結晶層の成育が行われるため、液相溶液と基板との
接触面が安定して、０．０３〜０．０７μｍという極め
て薄い層の活性層が得られる。また、基板の溝または凹
部に対応した中央部分に上記結晶の成長が集中して溝部
以外の領域では活性層の厚さが上記中央部分の１７２〜
１／３、あるいは殆んど結晶層の成長がみられなくなる
。従って、上記活性層は実質的に１回の液相成長で他の
領域から電気的、光学的に独立した安定した膜厚の層と
なる。従来は安定した膜厚の活性層は得られず、また、
活性層を独立した層にするため、選択成長や不薦物拡散
などの工程を必要としていた。この様に本考案の活性層
は極めて簡単な工程で形成でき、かつ、ばらつきも少な
くなり製品歩留りが著しく向上した。
上記スライド速度が１００ｍｍ／秒を超えると、活性層
の厚さが０．０３μｍ未満と極めて薄くなり光源に足る
光出力パワーが得られず使用できない。また同時に、活
性層の厚さが薄くなると他の液相溶液溜めからの残留溶
液カスあるいは、溶液内に望ましくない乱流が生じて形
成される膜の厚さのばらつきが急に増大し、」二業的ベ
ースでの製作は不可である。また、」二記スライド速度
が３０閣／秒未満であると、活性層の厚さが０．０７μ
ｒｎを超える厚さになり１１ζ以外の部分にも活性層が
厚く成長してしまう。溝以外の部分に活性層が厚く成長
すると、結ノー発光領域を他の領域より電気的、光学的
に隔絶せねばならず不純物拡散などの他の工程が必要と
なり望ましくない。
の厚さが０．０３μｍ未満と極めて薄くなり光源に足る
光出力パワーが得られず使用できない。また同時に、活
性層の厚さが薄くなると他の液相溶液溜めからの残留溶
液カスあるいは、溶液内に望ましくない乱流が生じて形
成される膜の厚さのばらつきが急に増大し、」二業的ベ
ースでの製作は不可である。また、」二記スライド速度
が３０閣／秒未満であると、活性層の厚さが０．０７μ
ｒｎを超える厚さになり１１ζ以外の部分にも活性層が
厚く成長してしまう。溝以外の部分に活性層が厚く成長
すると、結ノー発光領域を他の領域より電気的、光学的
に隔絶せねばならず不純物拡散などの他の工程が必要と
なり望ましくない。
本発明は、１回の液相成長」二程により、安定した膜厚
の活性層を形成するというり・、１°異性を有するため
、上記活性層の厚さは、最もＪ’Ｘい部分で０．０３〜
０．０７μｍが肝要である。この様な活性層を所望特性
を持たせて形成するため、活性層形成時、容液に対し成
長用基板を連続的且なめらかに移動させて形成すること
が肝要である。移動の速度は３０〜１００＋ｎｍ／秒と
するのが良い。液相成長温度は７００〜１０００℃の間
で、適宜材料により異なるが上記温度範囲であ九ば全く
同様に使用できる。
の活性層を形成するというり・、１°異性を有するため
、上記活性層の厚さは、最もＪ’Ｘい部分で０．０３〜
０．０７μｍが肝要である。この様な活性層を所望特性
を持たせて形成するため、活性層形成時、容液に対し成
長用基板を連続的且なめらかに移動させて形成すること
が肝要である。移動の速度は３０〜１００＋ｎｍ／秒と
するのが良い。液相成長温度は７００〜１０００℃の間
で、適宜材料により異なるが上記温度範囲であ九ば全く
同様に使用できる。
以下実施例を用いて詳細に説明する。第２図は本発明の
一実施例としての半導体レーザ装置の概略断面図である
。図はファブリ・ペロー共振器の鏡面よりみた断面図で
ある。
一実施例としての半導体レーザ装置の概略断面図である
。図はファブリ・ペロー共振器の鏡面よりみた断面図で
ある。
幅３〜６μｍ、深さ１〜２μｍのストライブ状の溝（四
部）５１１を有したｎ−ＧａＡｓ基板５１上に、上記溝
肩部での膜厚が１．０〜３．０μｍのｎ Ｇ ａ １−
ｙ Ａ ｎ Ｙ Ａ ｓ （０−２≦ｙ≦０．７）層
５２を形成する。次いで、上記クラッド層５２上に、上
記）１ζ５１１に対応させて三日月状の下に垂れ下った
形状の活性層５３をＧａ、ｚＡＱｙＡｓ（０≦Ｘ≦０．
３５）で形成する。この活性層５３は上記溝５１１の中
央部が最も厚＜０．０３〜０．０７μｍで形成される。
部）５１１を有したｎ−ＧａＡｓ基板５１上に、上記溝
肩部での膜厚が１．０〜３．０μｍのｎ Ｇ ａ １−
ｙ Ａ ｎ Ｙ Ａ ｓ （０−２≦ｙ≦０．７）層
５２を形成する。次いで、上記クラッド層５２上に、上
記）１ζ５１１に対応させて三日月状の下に垂れ下った
形状の活性層５３をＧａ、ｚＡＱｙＡｓ（０≦Ｘ≦０．
３５）で形成する。この活性層５３は上記溝５１１の中
央部が最も厚＜０．０３〜０．０７μｍで形成される。
一方、上記活性層は上記溝５１１の中央から離れるに従
い、次第に股（層）厚が小さくなり上記溝５１１以外で
は殆んど形成されないか、中央部の１７２〜１／３とな
る。この活性層の形成方法については後に詳述する。次
いで上記活性Ｗ１５３１５３上１ｇ５１１以外でのクラ
ッド層５２上に別のクラッド層５４を薄い処で１ 、０
−３ 、０ μｍの膜ノリのｐ−Ｇａ、 。
い、次第に股（層）厚が小さくなり上記溝５１１以外で
は殆んど形成されないか、中央部の１７２〜１／３とな
る。この活性層の形成方法については後に詳述する。次
いで上記活性Ｗ１５３１５３上１ｇ５１１以外でのクラ
ッド層５２上に別のクラッド層５４を薄い処で１ 、０
−３ 、０ μｍの膜ノリのｐ−Ｇａ、 。
Ａ Ｑ Ｙ Ａ ｓ （０−２≦ｙ≦０．７）で形成す
る。ここで、上記活性層５３は溝５１１の中央部付近で
、」二記クラッド層５２および５４の中間゛に位置する
様、予めクラッドＦ１５２．５４の７’Ｘさを調整する
ことが必要である。次いで、上記クラッド層５４上にス
トライプ電極５５および基板裏面にも電極５６を形成す
る。更に」〕記の溝の方向と直交する結晶の両面でへき
開して先具ＪｈＪ ：！’ｒ’ｊを形成する。必要なら
ば、上記クラッドＸ７５４上に表面層（図示せず）をＧ
ａＡｓなどの化合物半導体より形成してもよい。又上記
表面層内に電極取出しのための不純物拡散領域を形成し
てもよいことは勿論である。
る。ここで、上記活性層５３は溝５１１の中央部付近で
、」二記クラッド層５２および５４の中間゛に位置する
様、予めクラッドＦ１５２．５４の７’Ｘさを調整する
ことが必要である。次いで、上記クラッド層５４上にス
トライプ電極５５および基板裏面にも電極５６を形成す
る。更に」〕記の溝の方向と直交する結晶の両面でへき
開して先具ＪｈＪ ：！’ｒ’ｊを形成する。必要なら
ば、上記クラッドＸ７５４上に表面層（図示せず）をＧ
ａＡｓなどの化合物半導体より形成してもよい。又上記
表面層内に電極取出しのための不純物拡散領域を形成し
てもよいことは勿論である。
本発明は、これら通常の半導体レーリ′装置用の常套手
段を何んら拒むものではない。
段を何んら拒むものではない。
第３図は、上述の半導体レー′すｒ装置の活性層の成長
方法を説明するための模式図である。第３（ａ）図は液
相成長するためのクラファイ１−製成長ボートの構造で
ある。スライダー２７上に置かれた成長基板２３を順次
溶液溜め２４ （ｎ−クラッド用）２５（活性層用）そ
して２６（，１−クラッド用）の順で所定のスライド速
度Ｖでスライドさせて結晶成長を行う。
方法を説明するための模式図である。第３（ａ）図は液
相成長するためのクラファイ１−製成長ボートの構造で
ある。スライダー２７上に置かれた成長基板２３を順次
溶液溜め２４ （ｎ−クラッド用）２５（活性層用）そ
して２６（，１−クラッド用）の順で所定のスライド速
度Ｖでスライドさせて結晶成長を行う。
各溶液の例は次の通りである。
上記溶液溜め２４にはＧａが６ｇ、ＡＱ、が１０ｒｎｇ
、ＧａＡｓが４００ｍｇそしてＴｅが０．５ｍｇ（Ｓｎ
の場合は３００−１０００ｍｇ）溶融されて後にクラッ
ド層５２を構成する。また、」二記溜め２５にはＧａが
６ｇ、ＧａＡｓが４００ ｍ ｇそしてＡＱが２ 、０
ｍ ｇ溶融されて後に活性層５３を構成する。また、
上記溜め２６にはＧａが６ｇ、ＧａＡｓが４００ｍｇそ
してＺ ｎが３０ｍｇ溶融されて後にクラッド層５４を
構成する。この成長方法は、マイクロコンピュータ（−
１高精度フィードバック制御機構により、所望のスライ
ド速度ｖ （＜１００ｍｎ／５ｅｅ）（第３図の矢印が
スライド方向を示している。）に０．１秒以内で加減速
できる成長装置を使用することにより、第３図（ｂ）の
点線２２に示したように、成長基板を活性層溶液中を一
定のスライド速度で通過させることで成長を行うもので
ある。この場合、ノ、（板の溶液中の移動に伴って、溶
液は成長の間常に回転し６、かくはんされているので、
溶液と基板接触面での溶液は組成およびドープ剤の濃度
が安定して均一な状態になっている。このため、成長の
ようすは従来の方法と全く異なる。このことは、第４図
に示したように、本発明のいわゆるスルー法で成長した
活性層の組成、厚みは、ボートのスライド速度ｖ ｔ：
（３０−１００ｎｕ４Ｊ’ニ） ’ＪｅフコトＬｃ、
ｋ ！Ｊ、きわめてばらつきを小さく、ｒｌｊ Ｊｌｌ
！性良くできることからも明瞭である。
、ＧａＡｓが４００ｍｇそしてＴｅが０．５ｍｇ（Ｓｎ
の場合は３００−１０００ｍｇ）溶融されて後にクラッ
ド層５２を構成する。また、」二記溜め２５にはＧａが
６ｇ、ＧａＡｓが４００ ｍ ｇそしてＡＱが２ 、０
ｍ ｇ溶融されて後に活性層５３を構成する。また、
上記溜め２６にはＧａが６ｇ、ＧａＡｓが４００ｍｇそ
してＺ ｎが３０ｍｇ溶融されて後にクラッド層５４を
構成する。この成長方法は、マイクロコンピュータ（−
１高精度フィードバック制御機構により、所望のスライ
ド速度ｖ （＜１００ｍｎ／５ｅｅ）（第３図の矢印が
スライド方向を示している。）に０．１秒以内で加減速
できる成長装置を使用することにより、第３図（ｂ）の
点線２２に示したように、成長基板を活性層溶液中を一
定のスライド速度で通過させることで成長を行うもので
ある。この場合、ノ、（板の溶液中の移動に伴って、溶
液は成長の間常に回転し６、かくはんされているので、
溶液と基板接触面での溶液は組成およびドープ剤の濃度
が安定して均一な状態になっている。このため、成長の
ようすは従来の方法と全く異なる。このことは、第４図
に示したように、本発明のいわゆるスルー法で成長した
活性層の組成、厚みは、ボートのスライド速度ｖ ｔ：
（３０−１００ｎｕ４Ｊ’ニ） ’ＪｅフコトＬｃ、
ｋ ！Ｊ、きわめてばらつきを小さく、ｒｌｊ Ｊｌｌ
！性良くできることからも明瞭である。
まず、第４図に示したように、スライド速度を〜、３０
ｎｎ／ｓｅｃ以、１−にすＪしば、発振波長のばらつき
でみた活性層組成のウェハ内変化は、曲線４１および４
２で囲まれた範囲に収まり、実用性のある７８０±５
ｎ ｍにできた。また、第５図１；示したように、特性
曲線６１（混晶化Ｘ＝０．０５）と６２（Ｘ＝Ｏ，］
５）（１）組成（１） Ｇ ａ 、−ｘ Ａ ｎ、Ａｓ
活性層をＶを変えて成長した所、共にスライド速度３０
ｎｎｎ ７秒以上で、活性層の厚さをｄ＝０．０５μ
ｍの膜厚の安定したきわめてうすい活性層を容易に成長
できることがわかった。
ｎｎ／ｓｅｃ以、１−にすＪしば、発振波長のばらつき
でみた活性層組成のウェハ内変化は、曲線４１および４
２で囲まれた範囲に収まり、実用性のある７８０±５
ｎ ｍにできた。また、第５図１；示したように、特性
曲線６１（混晶化Ｘ＝０．０５）と６２（Ｘ＝Ｏ，］
５）（１）組成（１） Ｇ ａ 、−ｘ Ａ ｎ、Ａｓ
活性層をＶを変えて成長した所、共にスライド速度３０
ｎｎｎ ７秒以上で、活性層の厚さをｄ＝０．０５μ
ｍの膜厚の安定したきわめてうすい活性層を容易に成長
できることがわかった。
結局、深さ１．５μｒｎ、幅４μｍの溝の上に、成長温
度７６０℃（普通７００〜１０００℃）、降温速度０．
４℃、過冷却度５ ｄｅｇ、活性層スライド速度３０〜
１００ｍｍ／ｓｅｃ （普通６０ｍ／５ｅｃ）で成長を
行い、第２図のように、溝の中央での活性層の厚さがｄ
＝０．０７７ｚｍで、周辺部のｌゾみがｄ＝ｏときわめ
てうすい理想的なり Ｈレーザを再現性よく作成できた
。
度７６０℃（普通７００〜１０００℃）、降温速度０．
４℃、過冷却度５ ｄｅｇ、活性層スライド速度３０〜
１００ｍｍ／ｓｅｃ （普通６０ｍ／５ｅｃ）で成長を
行い、第２図のように、溝の中央での活性層の厚さがｄ
＝０．０７７ｚｍで、周辺部のｌゾみがｄ＝ｏときわめ
てうすい理想的なり Ｈレーザを再現性よく作成できた
。
次に本発明を明確にするため、従来例との比較について
述べる。
述べる。
従来は、第３（ｂ）図の実線２１に示したように、成長
基板２３を初期位置Δから、Ｂ、Ｃ，Ｄの順に各溶液だ
め（２４，２５および２６）の位置にスライドしである
一定時間接触させて次の位置へ移る方法（一般に停止法
）を用いていた。この方法では、基板が溶液に浸ってい
る間に、基板と溶液との間にはＣ度勾配をもった遷移層
が出来、この層内での溶質の拡散律速により成長がおこ
なわれる。し１かし、特性面から要求さオしる０、０７
μＨ１以下のうすい活性層をこの従来方法で成長しよう
とすると、溶液溜め相互間のスライダーの移動が急激に
行われるため他の溶液溜めの溶液が混入してきたり、移
動の時にＨ転等でかくはんされた溶液の不安定性が完全
にはおさまっておらず、成長厚さはウェハ面内あるいＩ
Ｊ成長の度毎に大きくばらついてしまい使用できるレー
ザ装置が得ら４しない。
基板２３を初期位置Δから、Ｂ、Ｃ，Ｄの順に各溶液だ
め（２４，２５および２６）の位置にスライドしである
一定時間接触させて次の位置へ移る方法（一般に停止法
）を用いていた。この方法では、基板が溶液に浸ってい
る間に、基板と溶液との間にはＣ度勾配をもった遷移層
が出来、この層内での溶質の拡散律速により成長がおこ
なわれる。し１かし、特性面から要求さオしる０、０７
μＨ１以下のうすい活性層をこの従来方法で成長しよう
とすると、溶液溜め相互間のスライダーの移動が急激に
行われるため他の溶液溜めの溶液が混入してきたり、移
動の時にＨ転等でかくはんされた溶液の不安定性が完全
にはおさまっておらず、成長厚さはウェハ面内あるいＩ
Ｊ成長の度毎に大きくばらついてしまい使用できるレー
ザ装置が得ら４しない。
上述の実施例ではＣａΔＳΔα系の化合物半導体材料に
つき述べたが、Ｉ ｎ Ｇ ａΔｓ Ｉ”など広く液相
成長を行う他の化合物半導体にも同様に適用できた。
つき述べたが、Ｉ ｎ Ｇ ａΔｓ Ｉ”など広く液相
成長を行う他の化合物半導体にも同様に適用できた。
以上詳述した様に、本発明は成長用溶液に対し、成長用
基板を連続的、且つ、滑らかに移動させながら活性層を
形成することにより、ばらつきのない歩留りの高い半導
体レーザ装置Ｍｊを提供し得るものである。
基板を連続的、且つ、滑らかに移動させながら活性層を
形成することにより、ばらつきのない歩留りの高い半導
体レーザ装置Ｍｊを提供し得るものである。
本発明は半導体レーザ装置に伺き述べたが、広く、半導
体層内に他の層から孤立させて所望の半導体領域を形成
する場合にも本発明が適用できることは、勿論、安定し
たばらつきのない薄い層を形成する場合にも適用できる
ことは当業者であれば容易に推測できるであろう。
体層内に他の層から孤立させて所望の半導体領域を形成
する場合にも本発明が適用できることは、勿論、安定し
たばらつきのない薄い層を形成する場合にも適用できる
ことは当業者であれば容易に推測できるであろう。
第１図は従来の半導体レーザ装置の概略断面図。
第２図は本発明の一実施例としての半導体レーザ装置の
概略断面図、第３図は本発明の半導体レーザ装置の製法
を示すための説明図、第４図および第５図は本発明の半
導体レーザ装置を説明するための特性図である。 ５１・・・基板、５１１・・・溝部、５２・・・クラッ
ド層、５３・・・活性層、５４・・・クラッド層、５５
・・・ストライプ電極。
概略断面図、第３図は本発明の半導体レーザ装置の製法
を示すための説明図、第４図および第５図は本発明の半
導体レーザ装置を説明するための特性図である。 ５１・・・基板、５１１・・・溝部、５２・・・クラッ
ド層、５３・・・活性層、５４・・・クラッド層、５５
・・・ストライプ電極。
Claims (1)
- 四部を有する半導体基板と、該基板上に設けられた第１
のクラッド層と、上記四部に対応させて上記クラッド層
上に設けられた活性層と、上記クラッド層および活性層
上に設けられた第２のクラッド層とを有する半導体レー
ザ装置において、上記活性層は該層形成の際その成長用
溶液と成長用基板を連続的に相対的移動させながら形成
することを特徴とする半導体レーザ装置の１１２造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19250184A JPS6084894A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19250184A JPS6084894A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6084894A true JPS6084894A (ja) | 1985-05-14 |
| JPS6348198B2 JPS6348198B2 (ja) | 1988-09-28 |
Family
ID=16292353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19250184A Granted JPS6084894A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6084894A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS502504U (ja) * | 1973-05-09 | 1975-01-11 |
-
1984
- 1984-09-17 JP JP19250184A patent/JPS6084894A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS502504U (ja) * | 1973-05-09 | 1975-01-11 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6348198B2 (ja) | 1988-09-28 |
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