JPS6085520A - パタ−ン検査方法 - Google Patents
パタ−ン検査方法Info
- Publication number
- JPS6085520A JPS6085520A JP58192400A JP19240083A JPS6085520A JP S6085520 A JPS6085520 A JP S6085520A JP 58192400 A JP58192400 A JP 58192400A JP 19240083 A JP19240083 A JP 19240083A JP S6085520 A JPS6085520 A JP S6085520A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- speed
- inspection
- inspected
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ホトマスク、プリント基板、ＬＳＩウェハー
の外観検査機のように、パターン走査を行ってその良否
判定を行なう際に、特に検査速度を同上させるバター／
検査方法に関する。
の外観検査機のように、パターン走査を行ってその良否
判定を行なう際に、特に検査速度を同上させるバター／
検査方法に関する。
従来のホトマスク、あるいはＬＳＩウェハーの外観検査
装置は、微細パターンを検出する必要から、第１図に示
すように一匿に検査可能な領域ａは全画面Ａに比べて非
常に小さい。そこで、全面検査のためには、機械的に被
検査対象が載ったステージを走査する必要がある。とこ
ろが、被検査対象は、場所によってたとえばＩＣチップ
のスフ２イブ線上では、まったく検査する必要がない〇
′ｔたメモリ素子等では、メモリパターン部は非常に微
細パターン、の集合から成っているために、これに対応
して微細に検査する必要があるが、周辺部のボンティン
グパッドの付近ではパターン密度が粗であるために、こ
れに対応して粗に検査してもさしつかえない。ところが
従来の検査装置では、パターン密度の粗密にかかわらず
、またスクライブエリヤのように検査不用の領域までし
らみつぶしに精密に検査をしている。このために、本来
検査性能に関係ない検査時間が加算されて、全体の検査
時間の増加を招いていた。
装置は、微細パターンを検出する必要から、第１図に示
すように一匿に検査可能な領域ａは全画面Ａに比べて非
常に小さい。そこで、全面検査のためには、機械的に被
検査対象が載ったステージを走査する必要がある。とこ
ろが、被検査対象は、場所によってたとえばＩＣチップ
のスフ２イブ線上では、まったく検査する必要がない〇
′ｔたメモリ素子等では、メモリパターン部は非常に微
細パターン、の集合から成っているために、これに対応
して微細に検査する必要があるが、周辺部のボンティン
グパッドの付近ではパターン密度が粗であるために、こ
れに対応して粗に検査してもさしつかえない。ところが
従来の検査装置では、パターン密度の粗密にかかわらず
、またスクライブエリヤのように検査不用の領域までし
らみつぶしに精密に検査をしている。このために、本来
検査性能に関係ない検査時間が加算されて、全体の検査
時間の増加を招いていた。
本発明の目的は、上記した従来の検査方式の無駄を排除
し、検査時間を短縮したパターン検査方法を提供するこ
とにおる。
し、検査時間を短縮したパターン検査方法を提供するこ
とにおる。
本発明は、上記目的を達成するために、ノ（ターン検査
不用の部分は高速に走査ステージを送ることによって、
検査時間の短縮を図るようになしたことを特徴とする０ 〔発明の実施例〕 本発明の一実施例をＩＣ製造用のマスク検査機について
示す。第２図は概要図であり、ＸＹＸステージ上に塔載
した被検査マスク２を光源５で照明し、光電検出器３，
４でマスク２上のノくターンを検出しなからＸＹステー
ジ１を駆動走査し、マスク全面のパターン欠陥検査を欠
陥判定部６で実行するものである。このＸＹステージ１
の駆動方式は、ステージを（＋）Ｙ方向にＸ軸部動部９
で駆動し、その終端でＹ軸部動部８によ！Ｄ （＋）
Ｙ方向に１視野分（数十〜数百ミクロン）スツプ移動さ
せ、今度は←）Ｙ方向に折り返し再び（＋）Ｙ方向にＸ
軸駆動する動作をくり返すもので、ステージポジション
センサ１０の位置情報にもとづき、マイクロプロセッサ
７によって走査開始、終了及び折り返しを制御し、Ｙ方
向に等速・、往復動作、Ｙ方向に歩進動作を行って、マ
スク２の全面を検査するものである。
不用の部分は高速に走査ステージを送ることによって、
検査時間の短縮を図るようになしたことを特徴とする０ 〔発明の実施例〕 本発明の一実施例をＩＣ製造用のマスク検査機について
示す。第２図は概要図であり、ＸＹＸステージ上に塔載
した被検査マスク２を光源５で照明し、光電検出器３，
４でマスク２上のノくターンを検出しなからＸＹステー
ジ１を駆動走査し、マスク全面のパターン欠陥検査を欠
陥判定部６で実行するものである。このＸＹステージ１
の駆動方式は、ステージを（＋）Ｙ方向にＸ軸部動部９
で駆動し、その終端でＹ軸部動部８によ！Ｄ （＋）
Ｙ方向に１視野分（数十〜数百ミクロン）スツプ移動さ
せ、今度は←）Ｙ方向に折り返し再び（＋）Ｙ方向にＸ
軸駆動する動作をくり返すもので、ステージポジション
センサ１０の位置情報にもとづき、マイクロプロセッサ
７によって走査開始、終了及び折り返しを制御し、Ｙ方
向に等速・、往復動作、Ｙ方向に歩進動作を行って、マ
スク２の全面を検査するものである。
マスクパターンは第６図に示すように、１個のます目が
１個の集積回路となる規則的パターン１１゜１２．１３
°°・のくシ返しから成シ、これがｘｙＹ方向基盤状に
配列されている。第３図を拡大したものを第４図に示す
。光電検出器の視野１４は、たとえは０．１６μｍｘ１
２Ｂμｍといったもので、全体のマスク寸法に比べて非
常に小さいために、第４図の矢印で示すような走査がＸ
Ｙステージ１を駆動して行わ扛る。この時実際に集積回
路として使われるパターンは１１及び１２の部分であり
、１５の部分は集積回路製作時の切断のためのダイシン
グエリヤで、検査する必要がない。検査の速度は、第２
図の照明光源５とその光学系、光電検出器３，４、欠陥
判定部６等の性能で決ま５、ｘＹステージ１の駆動速度
で制限を受けている訳ではないために、検査不用なエリ
ヤすなわち第４図に示す１５で示した部分では、ステー
ジ速度を可能な限り上げて検査時間の短縮をはかるよう
にしている。
１個の集積回路となる規則的パターン１１゜１２．１３
°°・のくシ返しから成シ、これがｘｙＹ方向基盤状に
配列されている。第３図を拡大したものを第４図に示す
。光電検出器の視野１４は、たとえは０．１６μｍｘ１
２Ｂμｍといったもので、全体のマスク寸法に比べて非
常に小さいために、第４図の矢印で示すような走査がＸ
Ｙステージ１を駆動して行わ扛る。この時実際に集積回
路として使われるパターンは１１及び１２の部分であり
、１５の部分は集積回路製作時の切断のためのダイシン
グエリヤで、検査する必要がない。検査の速度は、第２
図の照明光源５とその光学系、光電検出器３，４、欠陥
判定部６等の性能で決ま５、ｘＹステージ１の駆動速度
で制限を受けている訳ではないために、検査不用なエリ
ヤすなわち第４図に示す１５で示した部分では、ステー
ジ速度を可能な限り上げて検査時間の短縮をはかるよう
にしている。
第５図は、本発明によるＸＹステージ１のＸ軸の速度一
時間のダイヤグラムを表わしたもので、集積回路パター
ン１１を検査中の速度が区間１６で、ダイシングエリヤ
１５を移動中の速度が区間１７で、集積回路パターン１
２を検査中の速度が区間１８で示されている。すなわち
、有効バタン検査中は速度Ｖ、で、検査に関係ないとこ
ろではｖ２でＸステージを駆動している。同様にＹステ
ージでも、光電検出器３，４がパターン有効部分以外の
ところにかかった時は速度を上げて検査時間の短縮をは
かることができる。パターンの有効部分がどこにあるか
の情報は、チップ間隔、ダイシングエリヤ寸法等の情報
を、第２図においてステージ制御を行うマイクロプロセ
ッサ７にあらかじめ記憶させておき、実際の位置テーク
をステージポジションセンサ１０で読みと９比較するこ
とにより、容易に判別ができる。
時間のダイヤグラムを表わしたもので、集積回路パター
ン１１を検査中の速度が区間１６で、ダイシングエリヤ
１５を移動中の速度が区間１７で、集積回路パターン１
２を検査中の速度が区間１８で示されている。すなわち
、有効バタン検査中は速度Ｖ、で、検査に関係ないとこ
ろではｖ２でＸステージを駆動している。同様にＹステ
ージでも、光電検出器３，４がパターン有効部分以外の
ところにかかった時は速度を上げて検査時間の短縮をは
かることができる。パターンの有効部分がどこにあるか
の情報は、チップ間隔、ダイシングエリヤ寸法等の情報
を、第２図においてステージ制御を行うマイクロプロセ
ッサ７にあらかじめ記憶させておき、実際の位置テーク
をステージポジションセンサ１０で読みと９比較するこ
とにより、容易に判別ができる。
以上はダイシングエリヤ１５を検査不用部として高速移
動スキラグするものであるが、パターンの密度が粗で、
精密検査不用な部分では、Ｙ方向のステップ送ｐ量を増
して検査精度を相＜シて、検査時間の短縮をはかること
も可能である。この密度情報も上記マイクロプロセッサ
７にあらかじめ記憶さｎておけばよい。
動スキラグするものであるが、パターンの密度が粗で、
精密検査不用な部分では、Ｙ方向のステップ送ｐ量を増
して検査精度を相＜シて、検査時間の短縮をはかること
も可能である。この密度情報も上記マイクロプロセッサ
７にあらかじめ記憶さｎておけばよい。
本発明によれば、たとえばステージ移動速度２．５ｍｍ
／秒で検査するマスク検査装置において、１回スキャン
するには１０１００ｍｍＸ１００ の、マスクで約４０
秒必要とするが、ダイシングエリヤ１５で速度を上げる
ことにより、これを２秒短縮できるとする０１回のスキ
ャンで１２８μｍＹ方向に進むとして、全体のスキャン
領域を１００ ｍｍＯとした時、全体での短縮時間は 井２６分 従って２６分の時間短縮がはかれる。
／秒で検査するマスク検査装置において、１回スキャン
するには１０１００ｍｍＸ１００ の、マスクで約４０
秒必要とするが、ダイシングエリヤ１５で速度を上げる
ことにより、これを２秒短縮できるとする０１回のスキ
ャンで１２８μｍＹ方向に進むとして、全体のスキャン
領域を１００ ｍｍＯとした時、全体での短縮時間は 井２６分 従って２６分の時間短縮がはかれる。
第１図はマスクの検査のステージ走査を表わす平面図、
第２図はマスク検査機の概念図、第３図はマスクのバタ
ン配列を示す平面図、第４図はマスクのパターンとＸＹ
ステージ、光電検出器の走査状態を表わす第６図の一部
拡大図、第５図は本発明のＸＹステージの速度ダイヤグ
ラムである。 １ ・・・ＸＹステージ、 ２・・・マスク、 ６．４・・・光電検出器、 ７ ・・・マイクロプロセッサ、 ８ ・・・Ｙ軸駆動部、 ９・・・ Ｘ軸駆動部、 １０・・・ステージポジションセンサ、１１．１２．１
３・・・集積回路パターン、１４・・・光電検出器の視
野、 １５・・・ダイシングエリヤ。 才１０ 第３図 ｌ
第２図はマスク検査機の概念図、第３図はマスクのバタ
ン配列を示す平面図、第４図はマスクのパターンとＸＹ
ステージ、光電検出器の走査状態を表わす第６図の一部
拡大図、第５図は本発明のＸＹステージの速度ダイヤグ
ラムである。 １ ・・・ＸＹステージ、 ２・・・マスク、 ６．４・・・光電検出器、 ７ ・・・マイクロプロセッサ、 ８ ・・・Ｙ軸駆動部、 ９・・・ Ｘ軸駆動部、 １０・・・ステージポジションセンサ、１１．１２．１
３・・・集積回路パターン、１４・・・光電検出器の視
野、 １５・・・ダイシングエリヤ。 才１０ 第３図 ｌ
Claims (1)
- ｘｙステージ上に塔載した被検査対象を走査して検査す
るパターン検査装置において、上記ＸＹステージを、被
検査対象が検査部分におる時に第１の速度で移動せしめ
、被検査対象が検査不用部分にある時に上記第１の速度
よシ早い第２の速度で移動せしめるように構成したこと
を特徴とするパターン検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58192400A JPS6085520A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | パタ−ン検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58192400A JPS6085520A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | パタ−ン検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6085520A true JPS6085520A (ja) | 1985-05-15 |
Family
ID=16290677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58192400A Pending JPS6085520A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | パタ−ン検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6085520A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01166780A (ja) * | 1987-12-23 | 1989-06-30 | Bridgestone Corp | ラケットフレーム |
| JP2009009771A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Jeol Ltd | 透過電子顕微鏡の試料移動方法。 |
| JP2015036719A (ja) * | 2013-08-12 | 2015-02-23 | 株式会社ホロン | 超高速レビュー装置および超高速レビュー方法 |
| JP2026006458A (ja) * | 2024-06-28 | 2026-01-16 | 株式会社 東京ウエルズ | ステージユニット及び処理システム |
| JP2026006466A (ja) * | 2024-06-28 | 2026-01-16 | 株式会社 東京ウエルズ | ステージユニット及び処理システム |
| JP2026006448A (ja) * | 2024-06-28 | 2026-01-16 | 株式会社 東京ウエルズ | ステージユニット及び処理システム |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5327479A (en) * | 1976-08-26 | 1978-03-14 | Nec Corp | Xxray t ester for bonded surface |
| JPS5698835A (en) * | 1980-01-11 | 1981-08-08 | Hitachi Ltd | Method of recognition of semiconductor pellet |
-
1983
- 1983-10-17 JP JP58192400A patent/JPS6085520A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5327479A (en) * | 1976-08-26 | 1978-03-14 | Nec Corp | Xxray t ester for bonded surface |
| JPS5698835A (en) * | 1980-01-11 | 1981-08-08 | Hitachi Ltd | Method of recognition of semiconductor pellet |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01166780A (ja) * | 1987-12-23 | 1989-06-30 | Bridgestone Corp | ラケットフレーム |
| JP2009009771A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Jeol Ltd | 透過電子顕微鏡の試料移動方法。 |
| JP2015036719A (ja) * | 2013-08-12 | 2015-02-23 | 株式会社ホロン | 超高速レビュー装置および超高速レビュー方法 |
| JP2026006458A (ja) * | 2024-06-28 | 2026-01-16 | 株式会社 東京ウエルズ | ステージユニット及び処理システム |
| JP2026006466A (ja) * | 2024-06-28 | 2026-01-16 | 株式会社 東京ウエルズ | ステージユニット及び処理システム |
| JP2026006448A (ja) * | 2024-06-28 | 2026-01-16 | 株式会社 東京ウエルズ | ステージユニット及び処理システム |
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