JPS6085576A - 薄膜光電変換素子の製造方法 - Google Patents
薄膜光電変換素子の製造方法Info
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- JPS6085576A JPS6085576A JP58193632A JP19363283A JPS6085576A JP S6085576 A JPS6085576 A JP S6085576A JP 58193632 A JP58193632 A JP 58193632A JP 19363283 A JP19363283 A JP 19363283A JP S6085576 A JPS6085576 A JP S6085576A
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- JP
- Japan
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- electrode
- photoelectric conversion
- thin film
- conversion element
- film
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜光電変換素子の製造方法に係り、特に、
サンドイッチ型の薄膜光電変換素子の製造方法に関する
。
サンドイッチ型の薄膜光電変換素子の製造方法に関する
。
し従来技術〕
最近、太陽電池やイメージセンサ等の大面積化長尺化に
伴い、大面積にわたって堆積可能なアモルファスシリコ
ン等の光電変換薄膜を用いた薄膜光電変換素子の開発が
進められている。
伴い、大面積にわたって堆積可能なアモルファスシリコ
ン等の光電変換薄膜を用いた薄膜光電変換素子の開発が
進められている。
特に、イメージセンサの場合、原稿と同一幅をもつセン
サ部を形成することにより、１対１結像が可能となり、
原稿とセンサ部とを密着させることができると共に、縮
小光学系が不要となることにより、原稿読み取り部の小
型化が容易に可能となる。
サ部を形成することにより、１対１結像が可能となり、
原稿とセンサ部とを密着させることができると共に、縮
小光学系が不要となることにより、原稿読み取り部の小
型化が容易に可能となる。
薄膜光電変換素子は、構造的に見て、第１電極と第２電
極とによって光導電体層をはさんだサンドインチ構造と
、光導電体層上に対向電極を形成したプレーナ構造とに
大別されるが、センサ部の高密度化の観点からみて、通
常はサンドインチ構造のものを使用することが多い。
極とによって光導電体層をはさんだサンドインチ構造と
、光導電体層上に対向電極を形成したプレーナ構造とに
大別されるが、センサ部の高密度化の観点からみて、通
常はサンドインチ構造のものを使用することが多い。
ところで、サンドイッチ構造の光電変−素子は、例えば
セラミック基板上に着膜形成された複数個のクロム電極
（第１電極）と透光性の酸化インジウム錫（ＩＴＯ）電
極（第２電極）とによって光導電体層としてのアモルフ
ァスシリコン層を挟んり構造をとっている。このアモル
ファスシリコン層は、モノシランガス（ＳｉＨ４）のグ
ロー放電分解法等によってクロム電極上に堆積せしめら
れるわけであるが、堆積されるべき面積が大きくなれば
なるほど、全面にわたって均一なアモルファスシリコン
層を形成するのは難しく、ピンホールの発生をまぬがれ
得ないことがある。これは、製造装置内のダストが基板
表面ｌこ付着すること等の外因の他に、薄膜成長のメカ
ニズムと関係する内因をもつことが多いためである。
セラミック基板上に着膜形成された複数個のクロム電極
（第１電極）と透光性の酸化インジウム錫（ＩＴＯ）電
極（第２電極）とによって光導電体層としてのアモルフ
ァスシリコン層を挟んり構造をとっている。このアモル
ファスシリコン層は、モノシランガス（ＳｉＨ４）のグ
ロー放電分解法等によってクロム電極上に堆積せしめら
れるわけであるが、堆積されるべき面積が大きくなれば
なるほど、全面にわたって均一なアモルファスシリコン
層を形成するのは難しく、ピンホールの発生をまぬがれ
得ないことがある。これは、製造装置内のダストが基板
表面ｌこ付着すること等の外因の他に、薄膜成長のメカ
ニズムと関係する内因をもつことが多いためである。
ここで、サンドイッチ構造の光電変換素子において光導
電体層にピンホールが存在することによって生じる素子
としての機能の変化を考えてみる。
電体層にピンホールが存在することによって生じる素子
としての機能の変化を考えてみる。
まず、サンドイッチ構造の光電変換素子の最も簡単な等
価回路を考えると、第１図に示す如くになる。直列抵抗
Ｒ５は、電極の接触抵抗と外部回路の抵抗との和であり
、並列抵抗Ｒｓｈは光導電体層自体の抵抗である。ここ
で、光導電体層にピンホールが無く、第１電極と第２電
極との間でショートが発生しなければ並列抵抗Ｒｓｈは
無、成人（−５）と考えて良い。第１図中、ＩＬは入射
光の強度に比例した光電流、工ｊはダイオードに流れる
電流、Ｉｓｈはショート等によるもれ電流である。
価回路を考えると、第１図に示す如くになる。直列抵抗
Ｒ５は、電極の接触抵抗と外部回路の抵抗との和であり
、並列抵抗Ｒｓｈは光導電体層自体の抵抗である。ここ
で、光導電体層にピンホールが無く、第１電極と第２電
極との間でショートが発生しなければ並列抵抗Ｒｓｈは
無、成人（−５）と考えて良い。第１図中、ＩＬは入射
光の強度に比例した光電流、工ｊはダイオードに流れる
電流、Ｉｓｈはショート等によるもれ電流である。
ここで外部回路を流れる電流をｌとすると、Ｉ＝−ＩＬ
＋Ｉｊ＋Ｉ、１１ ・・・（υが成立する。
＋Ｉｊ＋Ｉ、１１ ・・・（υが成立する。
光導電体層にピンホールの無い理想的な九電変換素子即
ち、並列抵抗Ｒｓｈ＝Φ、Ｒ５＝Ｑの場合の電流−電圧
特性曲線（Ｉ−Ｖ曲線）を第２図に示す。ここで、１１
は光入射時の特性曲線、Ｉ２は、暗時の特性曲線である
。Ｒｓｈ＝〜であるからＩｓｈに０であり、光入射時に
は光電流−ＩＬが支配的となり、暗時においては、ダイ
オードを流れる電流Ｉｊが支配的となる。
ち、並列抵抗Ｒｓｈ＝Φ、Ｒ５＝Ｑの場合の電流−電圧
特性曲線（Ｉ−Ｖ曲線）を第２図に示す。ここで、１１
は光入射時の特性曲線、Ｉ２は、暗時の特性曲線である
。Ｒｓｈ＝〜であるからＩｓｈに０であり、光入射時に
は光電流−ＩＬが支配的となり、暗時においては、ダイ
オードを流れる電流Ｉｊが支配的となる。
ここで、光導電体層において、第１電極と第２電極とが
重なり合う部分にピンホールが発生すると、第１電極と
第２電極との間が一部短絡し、並列抵抗Ｒｓｈが大幅に
減少する。この場合の電流−電圧特性曲線を第３図に示
す。ここではＲ５＝０としておく。Ｉ３は光入射時の特
性曲線、Ｉ４は、暗時の特性曲線である。
重なり合う部分にピンホールが発生すると、第１電極と
第２電極との間が一部短絡し、並列抵抗Ｒｓｈが大幅に
減少する。この場合の電流−電圧特性曲線を第３図に示
す。ここではＲ５＝０としておく。Ｉ３は光入射時の特
性曲線、Ｉ４は、暗時の特性曲線である。
この場合、たとえばダイオード電流Ｉｊ弓Ｏのバイアス
領域では関係式（υは、 ＩニーＩＬ＋Ｉ５ｈ ■ ＝ｒ Ｌ 十Ｒ、ｈ ・−Ｇ２） となり、光照射時においても暗時においても、電流Ｉの
電圧■依存性が大きいことからもわかるように、第２図
に示された理想的な光電変換素子のもつ特性に比べて、
大幅に一特性が低下している。
領域では関係式（υは、 ＩニーＩＬ＋Ｉ５ｈ ■ ＝ｒ Ｌ 十Ｒ、ｈ ・−Ｇ２） となり、光照射時においても暗時においても、電流Ｉの
電圧■依存性が大きいことからもわかるように、第２図
に示された理想的な光電変換素子のもつ特性に比べて、
大幅に一特性が低下している。
すなわち、太陽電池においては、順バイアス領域すなわ
ちＶ＞ｏ領域が利用されるが、理想的な光電変換素子の
場合に比べ、ピンホールを有する場合は変換効率が悪い
。
ちＶ＞ｏ領域が利用されるが、理想的な光電変換素子の
場合に比べ、ピンホールを有する場合は変換効率が悪い
。
一方、イメージセンサでは、逆にバイアス領域すなわち
Ｖ＜Ｏの領域を利用するが、理想的な光電変換素子に比
べ、明暗比が大幅に低下している。
Ｖ＜Ｏの領域を利用するが、理想的な光電変換素子に比
べ、明暗比が大幅に低下している。
このように、光電変換素子の光導電体層におけるピンホ
ールの発生は、太陽電池においては、変換効率の低下お
よび開放端電圧の低下をもたらし、イメージセンサにお
いては光学像の読み取り能力の低下を招く等、致命的な
欠陥であり、素子としての製造歩留りの低下が大きな問
題となっている。
ールの発生は、太陽電池においては、変換効率の低下お
よび開放端電圧の低下をもたらし、イメージセンサにお
いては光学像の読み取り能力の低下を招く等、致命的な
欠陥であり、素子としての製造歩留りの低下が大きな問
題となっている。
し発明の目的〕
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、万一、光
導電体層にピンホールが発生した場合にも、素子特性に
大きな影響を及ぼすことのないようにし、光電変換素子
の製造歩留りの低下を防ぐことを目的とする。
導電体層にピンホールが発生した場合にも、素子特性に
大きな影響を及ぼすことのないようにし、光電変換素子
の製造歩留りの低下を防ぐことを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の薄膜光電変換素子の
製造方法は、基板上に形成された第１電極上に、光導電
体層すなわち、光電変換膜を着膜した後に下地の第１電
極を陽極酸化する工程を含むことを特徴とするもので、
これにより、光電変換膜中にピンホールが発生した場合
でも、ピンホールによって膜中に露呈する下地の第１電
極は絶縁化され、光電変換膜上に形成される第２電極と
第１電極との短絡を防ぐことができる。
製造方法は、基板上に形成された第１電極上に、光導電
体層すなわち、光電変換膜を着膜した後に下地の第１電
極を陽極酸化する工程を含むことを特徴とするもので、
これにより、光電変換膜中にピンホールが発生した場合
でも、ピンホールによって膜中に露呈する下地の第１電
極は絶縁化され、光電変換膜上に形成される第２電極と
第１電極との短絡を防ぐことができる。
し実施例〕
以下、本発明実施例のイメージセンサ用薄膜光電変換素
子の製造方法について、図面を参照しつつ説明する。
子の製造方法について、図面を参照しつつ説明する。
まず、商品名コーニング７０５９ で市販されている絶
縁性のガラス基板１上に、蒸着法により、タンタルＴａ
膜を約１０００Ｘの膜厚で着膜した後、フォトリソグラ
フィー法により、第４図に示す如く下地の第１電極とし
てタンタル電極２をパターニングする。
縁性のガラス基板１上に、蒸着法により、タンタルＴａ
膜を約１０００Ｘの膜厚で着膜した後、フォトリソグラ
フィー法により、第４図に示す如く下地の第１電極とし
てタンタル電極２をパターニングする。
次いで、モノシラン・ガス（ＳｉＨ４）のグロー放電分
解法により、第５図に示す如く光電変換膜としてのアモ
ルファス水素化シリコン層３を膜厚約１μｍとなるよう
に堆積する。
解法により、第５図に示す如く光電変換膜としてのアモ
ルファス水素化シリコン層３を膜厚約１μｍとなるよう
に堆積する。
この後、前記タンタル電極を陽極として、第８図に示す
如き、陽極酸化装置を使用して暗中で陽極酸化を行う。
如き、陽極酸化装置を使用して暗中で陽極酸化を行う。
この陽極酸化装置は、電解液槽３１内に浸漬されたプラ
チナｐｔ板よりなる陰極３２と、陽極３３とよりなるも
ので、電解液としては５チの酒石酸アンモニウム水溶液
を使用している。第８図に示す如く、この陽極酸化装置
の電解液槽３１内に、前記アモルファス水素化シリコン
層形成後のガラス基板１を浸漬し、タンタル電極２を陽
極３３に接続し、酸化がタンタル電極２の厚さ全体に及
ぶまで５０Ｖの化成電圧を印加する。このとき、アモル
ファスシリコン層から露出するように設計されている部
分のタンタル電極は液面上になるように留意する。
チナｐｔ板よりなる陰極３２と、陽極３３とよりなるも
ので、電解液としては５チの酒石酸アンモニウム水溶液
を使用している。第８図に示す如く、この陽極酸化装置
の電解液槽３１内に、前記アモルファス水素化シリコン
層形成後のガラス基板１を浸漬し、タンタル電極２を陽
極３３に接続し、酸化がタンタル電極２の厚さ全体に及
ぶまで５０Ｖの化成電圧を印加する。このとき、アモル
ファスシリコン層から露出するように設計されている部
分のタンタル電極は液面上になるように留意する。
これにより、アモルファ、ス水素化シリコン層の堆積工
程中に発生したピンホール４によるタンタル電極２の露
呈部およびその周辺は酸化され、第６図に示す如く、電
気絶縁性の酸化タンタルＴａ２０Ｂ被膜５が形成される
。
程中に発生したピンホール４によるタンタル電極２の露
呈部およびその周辺は酸化され、第６図に示す如く、電
気絶縁性の酸化タンタルＴａ２０Ｂ被膜５が形成される
。
更に、充分洗浄を行った後、アルゴンＡｒガスと酸素０
２の混合ガスを用いた反応性スパッタリング法により、
第７図に示す如く、第２電極としての酸化インジウム錫
（ＩＴＯ）電極６を、膜厚７００Ａとなるように堆積す
る。
２の混合ガスを用いた反応性スパッタリング法により、
第７図に示す如く、第２電極としての酸化インジウム錫
（ＩＴＯ）電極６を、膜厚７００Ａとなるように堆積す
る。
このようにして、光電変換膜内のピンホール発生部位お
よびその周辺の第１電極は、絶縁膜と化すため、第２電
極がピンホール内に入り込み第１電極面に達しても、第
１電極と第２電極の間でショートが発生することはなく
、信頼性の高いイメージセンサを形成することができる
。
よびその周辺の第１電極は、絶縁膜と化すため、第２電
極がピンホール内に入り込み第１電極面に達しても、第
１電極と第２電極の間でショートが発生することはなく
、信頼性の高いイメージセンサを形成することができる
。
なお、陽極酸化工程においては、光電変換膜から露呈し
ている第１電極すなわち、第１電極のリード部には、電
解液が接触しないようにすることが必要であり、実施例
の如く、液面上に出す方法の他、この部分をレジスト被
覆した後に、陽極酸化を行う等の方法をとることが大切
である。
ている第１電極すなわち、第１電極のリード部には、電
解液が接触しないようにすることが必要であり、実施例
の如く、液面上に出す方法の他、この部分をレジスト被
覆した後に、陽極酸化を行う等の方法をとることが大切
である。
また、陽極酸化に使用する電解液としては、実施例で使
用した酒石酸アンモニウム水溶液の他、硼酸アンモニウ
ム水溶液等のように、生成被膜を溶解しないものを使用
しなければならない。
用した酒石酸アンモニウム水溶液の他、硼酸アンモニウ
ム水溶液等のように、生成被膜を溶解しないものを使用
しなければならない。
更に、実施例においては、第１電極の膜厚全体にわたっ
て陽極酸化を行ったが、必ずしも、すべて酸化膜とする
必要はなく、表面近傍のみを酸化膜としてもよい。いず
れにしても、ピンホール部と接する第１電極が金属酸化
物と化し、絶縁体となることにより、その上に第２電極
が堆積されても短絡を起さない程度であればよい。
て陽極酸化を行ったが、必ずしも、すべて酸化膜とする
必要はなく、表面近傍のみを酸化膜としてもよい。いず
れにしても、ピンホール部と接する第１電極が金属酸化
物と化し、絶縁体となることにより、その上に第２電極
が堆積されても短絡を起さない程度であればよい。
更に才た、下地の第１電極の材料としては、実施例で使
用したタンタルの他、アルミニウムＡＩ！、チタンＴｉ
１ジルコニウムＺｒ、二；ｈ−ｉＮｂ、ハフニウムＨｆ
等、陽極酸化によって、酸化膜を容易に形成することの
できるものであれば良い。
用したタンタルの他、アルミニウムＡＩ！、チタンＴｉ
１ジルコニウムＺｒ、二；ｈ−ｉＮｂ、ハフニウムＨｆ
等、陽極酸化によって、酸化膜を容易に形成することの
できるものであれば良い。
加えて、絶縁性光電変換膜としては、実施例で用いたア
モルファス水素化シリコンに限定されることなくアモル
ファス水素化シリコンゲルマニウム、セレンＳｅ−テル
ルＴｅなどのカルコゲナイドガラス、硫化カドミウムＣ
ｄ５−テルル化カドミウムＣｄＴｅ等でもよいことは言
うまでもない。
モルファス水素化シリコンに限定されることなくアモル
ファス水素化シリコンゲルマニウム、セレンＳｅ−テル
ルＴｅなどのカルコゲナイドガラス、硫化カドミウムＣ
ｄ５−テルル化カドミウムＣｄＴｅ等でもよいことは言
うまでもない。
ぢなみに、これらの膜は、光照射時には導電性を呈する
ため、陽極酸化工程は、いずれの場合も暗中で実施する
ことが重要である。
ため、陽極酸化工程は、いずれの場合も暗中で実施する
ことが重要である。
し発明の効果〕
以上、説明してきたように、本発明の薄膜光電変換素子
の製造方法によれば、基板上に形成された第１電極上に
、絶縁性の光電変換薄膜を堆積した後に、第４の電極に
陽極酸化を施し、光電変換薄膜のピンホールに起因する
第１の電極の露呈部を絶縁性の酸化膜と化すことにより
、この後、光電変換膜上に着膜される第２電極がピンホ
ール内に入り込み第１電極面に達した場合にも、第１電
極と第２電極との間で短絡が起ることはなく、信頼性の
高い薄膜光電変換素子を形成することが可能きなる。
の製造方法によれば、基板上に形成された第１電極上に
、絶縁性の光電変換薄膜を堆積した後に、第４の電極に
陽極酸化を施し、光電変換薄膜のピンホールに起因する
第１の電極の露呈部を絶縁性の酸化膜と化すことにより
、この後、光電変換膜上に着膜される第２電極がピンホ
ール内に入り込み第１電極面に達した場合にも、第１電
極と第２電極との間で短絡が起ることはなく、信頼性の
高い薄膜光電変換素子を形成することが可能きなる。
第１図は通常のサンドイッチ型光電変換素子の等価回路
を示す図、 ° 第２図は、理想的な光電変換素子の電流−電圧特性
曲線を示す図、 第３図は、光電変換層において、第１電極と第２電極と
が重なり合う部分にピンホールが発生した場合の光電変
換素子の電流−電圧特性曲線を示す図、 第４図乃至第７図は、本発明実施例の光電変換素子の製
造工程を示す図、第８図は、本発明実施例の光電変換素
子の製造工程で用いられる陽極酸化処理装置を示す図で
ある。 １・・・ガラス基板、２・・・タンクル電極、３・・ア
モルファス水素化シリコン層、４・・ピンホール、５・
・・酸化タンタル被膜、６・酸化インジウム錫電極、３
１・・電解液槽、３２・・陰極、３３・・・陽極、工ｌ
。 Ｉ３ ・光照射時のＩ−Ｖ特性曲線、Ｉ２ 、Ｉ４ ・
・・暗時のＩ−Ｖ特性曲線。 第１図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
を示す図、 ° 第２図は、理想的な光電変換素子の電流−電圧特性
曲線を示す図、 第３図は、光電変換層において、第１電極と第２電極と
が重なり合う部分にピンホールが発生した場合の光電変
換素子の電流−電圧特性曲線を示す図、 第４図乃至第７図は、本発明実施例の光電変換素子の製
造工程を示す図、第８図は、本発明実施例の光電変換素
子の製造工程で用いられる陽極酸化処理装置を示す図で
ある。 １・・・ガラス基板、２・・・タンクル電極、３・・ア
モルファス水素化シリコン層、４・・ピンホール、５・
・・酸化タンタル被膜、６・酸化インジウム錫電極、３
１・・電解液槽、３２・・陰極、３３・・・陽極、工ｌ
。 Ｉ３ ・光照射時のＩ−Ｖ特性曲線、Ｉ２ 、Ｉ４ ・
・・暗時のＩ−Ｖ特性曲線。 第１図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
Claims (1)
- 絶縁性の光電変換薄膜を第１および第２の電極によって
挟持したサンドインチ構造の薄膜光電変換素子を製造す
るにあたり、基板上に形成された第１の電極上に、光電
変換薄膜を着膜した後、該第１の電極を陽極酸化するこ
と？こより、光電変換薄膜中のピンホールに起因する第
１の電極の露呈部を絶縁化する工程を含むことを特徴と
する薄膜光電変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58193632A JPS6085576A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 薄膜光電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58193632A JPS6085576A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 薄膜光電変換素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6085576A true JPS6085576A (ja) | 1985-05-15 |
| JPH0221662B2 JPH0221662B2 (ja) | 1990-05-15 |
Family
ID=16311168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58193632A Granted JPS6085576A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 薄膜光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6085576A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4729970A (en) * | 1986-09-15 | 1988-03-08 | Energy Conversion Devices, Inc. | Conversion process for passivating short circuit current paths in semiconductor devices |
| US7098058B1 (en) | 2004-01-15 | 2006-08-29 | University Of Toledo | Photovoltaic healing of non-uniformities in semiconductor devices |
| WO2011032854A3 (en) * | 2009-09-18 | 2012-05-18 | Oerlikon Solar Ag, Truebbach | Method for manufacturing a thin film photovoltaic device |
| US8574944B2 (en) | 2008-03-28 | 2013-11-05 | The University Of Toledo | System for selectively filling pin holes, weak shunts and/or scribe lines in photovoltaic devices and photovoltaic cells made thereby |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS538088A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-25 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor device |
-
1983
- 1983-10-17 JP JP58193632A patent/JPS6085576A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS538088A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-25 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor device |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4729970A (en) * | 1986-09-15 | 1988-03-08 | Energy Conversion Devices, Inc. | Conversion process for passivating short circuit current paths in semiconductor devices |
| JPS6376442A (ja) * | 1986-09-15 | 1988-04-06 | エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド | 半導体装置の短絡欠陥を不動態化する方法 |
| US7098058B1 (en) | 2004-01-15 | 2006-08-29 | University Of Toledo | Photovoltaic healing of non-uniformities in semiconductor devices |
| US8574944B2 (en) | 2008-03-28 | 2013-11-05 | The University Of Toledo | System for selectively filling pin holes, weak shunts and/or scribe lines in photovoltaic devices and photovoltaic cells made thereby |
| WO2011032854A3 (en) * | 2009-09-18 | 2012-05-18 | Oerlikon Solar Ag, Truebbach | Method for manufacturing a thin film photovoltaic device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0221662B2 (ja) | 1990-05-15 |
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