JPS6247170A - 高逆方向抵抗形ダイオ−ド装置 - Google Patents
高逆方向抵抗形ダイオ−ド装置Info
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- JPS6247170A JPS6247170A JP61195144A JP19514486A JPS6247170A JP S6247170 A JPS6247170 A JP S6247170A JP 61195144 A JP61195144 A JP 61195144A JP 19514486 A JP19514486 A JP 19514486A JP S6247170 A JPS6247170 A JP S6247170A
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- diode device
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- high reverse
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/10—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors
- H10F30/15—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors comprising amorphous semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔陀業上の利用分野〕
本発明は、ａ−ｓｉ：Ｈｔ水水素化７ルルフアスシリコ
ンから成る半導体が、２つの導電性電極の間の薄膜とし
て、電気材料から成る基板上に配設され、かつ電荷キャ
リヤの注入Ｚ阻止する膜が設けられているような、イメ
ージセンサライン用のａ−Ｓｉ：Ｈ￥ペースとする高逆
方向抵抗形ダイオード装置に関する。
ンから成る半導体が、２つの導電性電極の間の薄膜とし
て、電気材料から成る基板上に配設され、かつ電荷キャ
リヤの注入Ｚ阻止する膜が設けられているような、イメ
ージセンサライン用のａ−Ｓｉ：Ｈ￥ペースとする高逆
方向抵抗形ダイオード装置に関する。
し従来の技術〕
薄膜作成技術によって、２つの電極間にａ−Ｓｉ：Ｈが
配置されて成る価格的に好適な大面積のイメージセンサ
ン製作および構成することは、たとえば文献「プロノー
ディング・オン・ザ・エムアールニス、ニーラップＪ
（Ｐｒｏｃ、 ｏｆ ｔｈｅ ＭＲ８Ｅｕｒｏｐｅ ）
（ストラスブルク、１９８４年〕におけるポルツエン
ケンパー（Ｅ、 Ｈｏｌｚｅｎｋａｍｐｆｅｒ ） 。
配置されて成る価格的に好適な大面積のイメージセンサ
ン製作および構成することは、たとえば文献「プロノー
ディング・オン・ザ・エムアールニス、ニーラップＪ
（Ｐｒｏｃ、 ｏｆ ｔｈｅ ＭＲ８Ｅｕｒｏｐｅ ）
（ストラスブルク、１９８４年〕におけるポルツエン
ケンパー（Ｅ、 Ｈｏｌｚｅｎｋａｍｐｆｅｒ ） 。
ローサン（Ｋ、 Ｒｏｓａｎ ）およびケムブター（Ｋ
。
。
Ｋｅｍｐｔｅｒ ） の論文（第５７５頁〜第５７１
ａ）において記載されている。
ａ）において記載されている。
イメージセンサラインに課せられている要求は、高光感
度のほかに、特に、ノ低暗電流と、電流−電圧特性に関
する１つのライン内の各エレメントの高均等性と、長時
間照光に対する高安定性である。これら乞乱す原因はな
かでも接触境界面で生じる事象である。
度のほかに、特に、ノ低暗電流と、電流−電圧特性に関
する１つのライン内の各エレメントの高均等性と、長時
間照光に対する高安定性である。これら乞乱す原因はな
かでも接触境界面で生じる事象である。
従って本発明は、ａ−Ｓｉ：Ｈ上の接触部、特に導電性
酸化物、薄い金属膜あるいはケイ化物から成る透明接触
部の阻止特性を改善すること乞目的とする。
酸化物、薄い金属膜あるいはケイ化物から成る透明接触
部の阻止特性を改善すること乞目的とする。
本発明の他の目的は、簡単に製造可能であるダイオード
装置ン提供することにある。
装置ン提供することにある。
ところで、文献「ジャーナル・オン・ノン・クリスタリ
ン・ソリツズＪ （Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｎｏｎ −
Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ５ｏｌｉｄｓ ） ５９／６
０ （１９８３年〕のカネコ等の論文（第１２２７１へ
第１２３０頁）によれば、透明なインジウム−スズ酸化
物電極とａ−Ｓｉ：Ｉ（から成る半導体との間に窒化シ
リコンが設けられている３にうな、センサラインに使用
するだめの冒四で述べた種類の高逆方向抵抗形ダイオー
ド装置は公知である。その場合、ａ−Ｓｉ：Ｈはｉ ａ
−Ｓｉ ：Ｈ（２，５ｐｒｎ ）とｐａ−Ｓｉ：Ｈ（２
００ｎｍ）との二重膜によって構成される。
ン・ソリツズＪ （Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｎｏｎ −
Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ５ｏｌｉｄｓ ） ５９／６
０ （１９８３年〕のカネコ等の論文（第１２２７１へ
第１２３０頁）によれば、透明なインジウム−スズ酸化
物電極とａ−Ｓｉ：Ｉ（から成る半導体との間に窒化シ
リコンが設けられている３にうな、センサラインに使用
するだめの冒四で述べた種類の高逆方向抵抗形ダイオー
ド装置は公知である。その場合、ａ−Ｓｉ：Ｈはｉ ａ
−Ｓｉ ：Ｈ（２，５ｐｒｎ ）とｐａ−Ｓｉ：Ｈ（２
００ｎｍ）との二重膜によって構成される。
窒化シリコンから成る阻止膜は１ａ−Ｓｉ：Ｈ半導体の
ガラス基板とは反対側の面上に設けられており、この面
から光入射が行われる。この公知の装置の製造は、アモ
ルファスシリコンから成るボロンドープｐ 中間膜乞沈
積させる際にドーピング延長のおそれ馨伴なう多数の膜
の分離により、多大な技術的経９を必要とする。
ガラス基板とは反対側の面上に設けられており、この面
から光入射が行われる。この公知の装置の製造は、アモ
ルファスシリコンから成るボロンドープｐ 中間膜乞沈
積させる際にドーピング延長のおそれ馨伴なう多数の膜
の分離により、多大な技術的経９を必要とする。
光伝導体としてａ−Ｓｉ：Ｈをベースとするセンサエレ
メントの阻止特性を改善した他の例は文献「エクスドレ
ンデッド・アブストラクツ・オン・フィフティーンズ・
フンフエレンス・オン・ソリッド・ステート・デバイセ
ス・アンド・マテリアルズＪ （Ｅｘｔｒｅｎｄｅｄ
Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ １ｓ ｔｈＣｏｎｆｅｒｅ
ｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ
ｓ ａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓ ）東京、１９８３年の
ヤマモト等の報告書（第２０５貞〜第２ｏｓｅ）によっ
て公知である。この場合ダイ１−ド装置は、ホトダイオ
ードのほかに、阻止膜の代りに集積形阻止ダイオード？
有している。この構造は同様に煩雑で時間のかかる多数
の製造工稈乞必要とする。というのは、ａ−Ｓｉ：Ｈ１
ｔ！Ｊのほかに、同様に別々の反応によって作らなけれ
ばならないｐ−ａ−Ｓｉ：Ｈ膜とｎ−ａ−Ｓｉ：Ｈ膜と
が使用されるからである。
メントの阻止特性を改善した他の例は文献「エクスドレ
ンデッド・アブストラクツ・オン・フィフティーンズ・
フンフエレンス・オン・ソリッド・ステート・デバイセ
ス・アンド・マテリアルズＪ （Ｅｘｔｒｅｎｄｅｄ
Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ １ｓ ｔｈＣｏｎｆｅｒｅ
ｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ
ｓ ａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓ ）東京、１９８３年の
ヤマモト等の報告書（第２０５貞〜第２ｏｓｅ）によっ
て公知である。この場合ダイ１−ド装置は、ホトダイオ
ードのほかに、阻止膜の代りに集積形阻止ダイオード？
有している。この構造は同様に煩雑で時間のかかる多数
の製造工稈乞必要とする。というのは、ａ−Ｓｉ：Ｈ１
ｔ！Ｊのほかに、同様に別々の反応によって作らなけれ
ばならないｐ−ａ−Ｓｉ：Ｈ膜とｎ−ａ−Ｓｉ：Ｈ膜と
が使用されるからである。
そうしなければ、上述したカネコ氏の装置のように、こ
の装置においてもドーピング延長のおそれがある。
の装置においてもドーピング延長のおそれがある。
本発明は上述した目的を別のやり方によって達成し、従
って公知の装置に比べて著しい簡単化と改善と７因るこ
とにある。
って公知の装置に比べて著しい簡単化と改善と７因るこ
とにある。
それゆえ本発明は、冒頭で述べた種類の高逆方向抵抗形
ダイオード装置において、阻止膜かａ−Ｓｉ ： Ｈ表
面の変換によって作られた酸化シリコン（Ｓｔｙｘ）か
ら成り、これが半導体膜の基板とは反対側に位置する面
上に設けられることン特徴とする。
ダイオード装置において、阻止膜かａ−Ｓｉ ： Ｈ表
面の変換によって作られた酸化シリコン（Ｓｔｙｘ）か
ら成り、これが半導体膜の基板とは反対側に位置する面
上に設けられることン特徴とする。
本発明の枠内で、酸化シリコン阻ＩＬ膜は、酸化特に酸
素または空気中での熱処理によって作られるか、または
ａ−ｓ ｒ ：Ｈ表面上に酸素プラズマ全作用させるこ
とによって作られる。
素または空気中での熱処理によって作られるか、または
ａ−ｓ ｒ ：Ｈ表面上に酸素プラズマ全作用させるこ
とによって作られる。
本発明の他の実施態様によれば、酸化シリコン膜の厚さ
は０，５〜ｘＯｎｍの大きさにされる。
は０，５〜ｘＯｎｍの大きさにされる。
本発明のさらに他の実施態様によれば、次の構成要素、
すなわち、 ａ）電気絶縁性基板、たとえばガラス基板、ｂ）金属基
本電極、たとえば３００ｎｍの厚さのチタン膜、 Ｃ） ドーピングされているかまたは少しドーピングさ
れたａ−ｓｉ：Ｈから成る半導体、たとえば］０００ｎ
ｍの厚さのドーピングされていないａ−ｓｉ：Ｈ膜、 ｄ）Ｓｔ、、阻止膜、たとえば１ｎｍの厚さの８ＩＯ，
膜、 ｅ）Ｓ電性酸化物、金属膜または金属ケイ化物から成る
透明表面電極、たとえば１１００ｎの厚さのインジウム
−スズ酸化物膜、もしくはｌＯｎｍの厚さのパラジウム
ケイ化物膜またはパラジクム膜、 が備えられる。
すなわち、 ａ）電気絶縁性基板、たとえばガラス基板、ｂ）金属基
本電極、たとえば３００ｎｍの厚さのチタン膜、 Ｃ） ドーピングされているかまたは少しドーピングさ
れたａ−ｓｉ：Ｈから成る半導体、たとえば］０００ｎ
ｍの厚さのドーピングされていないａ−ｓｉ：Ｈ膜、 ｄ）Ｓｔ、、阻止膜、たとえば１ｎｍの厚さの８ＩＯ，
膜、 ｅ）Ｓ電性酸化物、金属膜または金属ケイ化物から成る
透明表面電極、たとえば１１００ｎの厚さのインジウム
−スズ酸化物膜、もしくはｌＯｎｍの厚さのパラジウム
ケイ化物膜またはパラジクム膜、 が備えられる。
次に本発明の実施例を区部こ基づいて詳細に説明する。
図には個別センサの膜構造の断面図が示されている。図
において、ｌはたとえばガラスから成る基板、又はたと
えばチタンから成る３００ｎｍの厚さの金属基本電極、
３は約１１０００ｎの厚さのドーピングされていないａ
−Ｓｉ ： Ｈ膜、 ４ハ１ｎｍの厚さの本発明にょる
Ｓ ｉ Ｏ，阻止膜、５はたとえば］ ００ ｎｒｌｌ
の厚さのＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）、もしくは
ｌｏｎｍの淳さのパラジウムケイ化物またはパラジウム
から成り装置の光入射側に設けられているカ明表面竜極
である。
において、ｌはたとえばガラスから成る基板、又はたと
えばチタンから成る３００ｎｍの厚さの金属基本電極、
３は約１１０００ｎの厚さのドーピングされていないａ
−Ｓｉ ： Ｈ膜、 ４ハ１ｎｍの厚さの本発明にょる
Ｓ ｉ Ｏ，阻止膜、５はたとえば］ ００ ｎｒｌｌ
の厚さのＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）、もしくは
ｌｏｎｍの淳さのパラジウムケイ化物またはパラジウム
から成り装置の光入射側に設けられているカ明表面竜極
である。
本発明による８１０．阻止膜４の形成は種々の方法で行
うことができる。
うことができる。
＋１１２００℃、１０００１００Ｏの圧力にて３０分間
酸素中で熱処理全行う。
酸素中で熱処理全行う。
（２）室温、１０００１００Ｏの圧力にて約１４日間空
気で徐々に酸化を行う。
気で徐々に酸化を行う。
＋８１３５℃の基板温度、０．４ ｍｂａｒの圧力にて
１０分酸素中でプラズマエツチング７行う（流量１００
５ｃｃｒｎ、 電力０．５ Ｗ７ｃＪ ｌ。
１０分酸素中でプラズマエツチング７行う（流量１００
５ｃｃｒｎ、 電力０．５ Ｗ７ｃＪ ｌ。
＋４１３５℃の基板温度、 ０．５ ｍｂａｒの圧力
にて１０分間酸素プラズマ中で、電極のパターン化の際
に使用されるホトレジスト乞灰化する（流量１００ ｓ
ｅｃｍ、 電力０．７ ｖｔ７ｃｌ ）。
にて１０分間酸素プラズマ中で、電極のパターン化の際
に使用されるホトレジスト乞灰化する（流量１００ ｓ
ｅｃｍ、 電力０．７ ｖｔ７ｃｌ ）。
本発明によれば次の結果が得られる。
■、絶縁耐力
ａ）Ｓｉｎ、阻止膜がない場合＝５０ボルトのとき丁べ
てのセルが破損しに。
てのセルが破損しに。
ｂ） Ｓｉ０２阻止膜がある場合：５０ボルトのとき
セルの−が正常動作可能である。
セルの−が正常動作可能である。
Ｌ（１）ＩＴＯ９極による逆方向電流（４Ｖのとき）ａ
）ＳｉＯ，阻止膜がない場合： ３Ｘ１０−’Ａ／ＣＩ
＋’ｂｅｓｔｏｗ阻止膜がある場合： ５Ｘ ｌ ＯＡ
ＡＩｍ２（２）バラジクム電極による逆方向電流ｔ４Ｖ
のとき）ａ）Ｓｉ０．阻止膜がない場合：２Ｘ１０Ａ／
ｃ！ｂ１Ｓｉｏ、阻止膜がある場合： ４ Ｘ １０−
１０Ａ／ｃＪ従って本発明によれば極めて簡単なやり方
で、絶縁耐力および逆方向電流の如き電気特性に関して
今日の要求を充分に満たす大面積のセンナライン乞製作
することができる。さらに、上述のようにして作られた
酸化シリコン膜は、ａ−Ｓｉと透明電極の導電性酸化物
との間の境界面の化学的安定性を改善する。このことＬ
：より、センサラインの再現可能な製作が可能になる。
）ＳｉＯ，阻止膜がない場合： ３Ｘ１０−’Ａ／ＣＩ
＋’ｂｅｓｔｏｗ阻止膜がある場合： ５Ｘ ｌ ＯＡ
ＡＩｍ２（２）バラジクム電極による逆方向電流ｔ４Ｖ
のとき）ａ）Ｓｉ０．阻止膜がない場合：２Ｘ１０Ａ／
ｃ！ｂ１Ｓｉｏ、阻止膜がある場合： ４ Ｘ １０−
１０Ａ／ｃＪ従って本発明によれば極めて簡単なやり方
で、絶縁耐力および逆方向電流の如き電気特性に関して
今日の要求を充分に満たす大面積のセンナライン乞製作
することができる。さらに、上述のようにして作られた
酸化シリコン膜は、ａ−Ｓｉと透明電極の導電性酸化物
との間の境界面の化学的安定性を改善する。このことＬ
：より、センサラインの再現可能な製作が可能になる。
図は本発明の一実施例の要部の断面図である。
１・・・基板、 ２・・・企属基本電極、 ３・・・
ａ−Ｓｉ：Ｈ膜、 ４−・Ｓｉ０１阻止膜、 ５・・・
透明表面電極。
ａ−Ｓｉ：Ｈ膜、 ４−・Ｓｉ０１阻止膜、 ５・・・
透明表面電極。
Claims (6)
- （１）ａ−Ｓｉ：Ｈ（水素化アモルフアスシリコン）か
ら成る半導体が２つの導電性電極の間の薄膜として電気
絶縁材料から成る基板上に配設され、かつ電荷キヤリヤ
の注入を阻止する膜が設けられているような、イメージ
センサライン用のａ−Ｓｉ：Ｈをベースとする高逆方向
抵抗形ダイオード装置において、阻止膜（４）はａ−Ｓ
ｉ：Ｈ表面（３）の変換によつて作られた酸化シリコン
（ＳｉＯ＿Ｘ）から成り、これが半導体膜（３）の基板
（１）とは反対側に位置する面上に設けられていること
を特徴とする高逆方向抵抗形ダイオード装置。 - （２）酸化シリコン阻止膜（４）は酸化、特に酸素また
は空気中での熱処理によつて作られることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の高逆方向抵抗形ダイオード
装置。 - （３）酸化シリコン阻止膜（４）はａ−Ｓｉ：Ｈ表面（
３）に酸素プラズマを作用させることにより作られるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高逆方向抵
抗形ダイオード装置。 - （４）酸化シリコン阻止膜（４）の厚さは０．５〜１０
ｎｍの大きさであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項ないし第３項のいずれか１項に記載の高逆方向抵抗
形ダイオード装置。 - （５）次の構成要素 （ａ）電気絶縁性基板（１） （ｂ）金属基本電極（２） （ｃ）ドーピングされていないかまたは少しドーピング
されたａ−Ｓｉ：Ｈから成る半導体（３） （ｄ）ＳｉＯ＿２阻止膜（４） （ｅ）導電性酸化物、金属膜または金属ケイ化物から成
る透明表面電極（５） を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第４項のいずれか１項に記載の高逆方向抵抗形ダイオー
ド装置。 - （６）ガラス基板（１） 基本電極としての３００ｎｍの厚さのチタン膜（２）、 半導体膜としての１０００ｎｍの厚さのドーピングされ
ていないａ−Ｓｉ：Ｈ膜（３）阻止膜としての１ｎｍの
厚さのＳｉＯ＿２膜（４）透明電極としての１００ｎｍ
の厚さのインジウム−スズ酸化物膜、もしくは１０ｎｍ
の厚さのパラジウムケイ化物膜またはパラジウム膜（５
） を有することを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の
高逆方向抵抗形ダイオード装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3530235.6 | 1985-08-23 | ||
| DE3530235 | 1985-08-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6247170A true JPS6247170A (ja) | 1987-02-28 |
Family
ID=6279238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61195144A Pending JPS6247170A (ja) | 1985-08-23 | 1986-08-20 | 高逆方向抵抗形ダイオ−ド装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4882296A (ja) |
| EP (1) | EP0215289B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6247170A (ja) |
| DE (1) | DE3681862D1 (ja) |
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| JPH02288369A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池 |
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- 1986-08-11 DE DE8686111086T patent/DE3681862D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-08-11 EP EP86111086A patent/EP0215289B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-08-20 JP JP61195144A patent/JPS6247170A/ja active Pending
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- 1988-06-08 US US07/204,962 patent/US4882296A/en not_active Expired - Lifetime
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| JP2010165751A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| EP0215289B1 (de) | 1991-10-09 |
| DE3681862D1 (de) | 1991-11-14 |
| EP0215289A1 (de) | 1987-03-25 |
| US4882296A (en) | 1989-11-21 |
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