JPH0143773B2

JPH0143773B2 -

Info

Publication number: JPH0143773B2
Application number: JP56110736A
Authority: JP
Inventors: Ikuo Nozue; Nagahiko Tomomitsu; Takashi Ukaji; Yoshio Matsumura; Taro Suminoe
Original assignee: Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 1981-07-17
Filing date: 1981-07-17
Publication date: 1989-09-22
Also published as: JPS5813632A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は耐熱性薄膜形成能を有する集積回路用
の絶縁保護膜（パツシヴエーシヨン膜）や層間絶
縁膜として好適なラダー状低級アルキルポリシル
セスキオキサンに関する。さらに詳しくは、本発
明は、比較的低分子量のラダー状低級アルキルポ
リシルセスキオキサンを特定量含有する、ラダー
状低級アルキルポリシルセスキオキサンに関す
る。

ケイ素原子に対する酸素原子の比が1.5である
オルガノポリシロキサンは、一般にポリシルセス
キオキサンと呼ばれており、特に、ラダー状低級
アルキルポリシルセスキオキサンは、耐熱性のす
ぐれたシリコーン樹脂である。かかる理由から、
最近、このラダー状低級アルキルポリシルセスキ
オキサンを、集積回路用の絶縁保護膜や、層間絶
縁膜として利用する技術が研究されている。これ
らの用途に使用される樹脂は、集積回路製造時に
400〜500℃の高温にさらされる場合があり、耐熱
性、高温での基板との密着性、耐湿性、耐クラツ
ク性などが要求されるが、従来知られているラダ
ー状低級アルキルオルガノポリシルセスキオキサ
ンは、耐クラツク性が悪い、即ち基板上に薄膜を
形成させ、高温で加熱した時に、クラツクが発生
するという欠点を有しており、かかる問題を解決
することが望まれていた。

本発明者らは、上記の問題を解決するために、
鋭意研究を重ねた結果、特定の分子量分布を有す
るラダー状低級アルキルポリシルセスキオキサ
ン、すなわち比較的低分子量のラダー状低級アル
キルポリシルセスキオキサンを特定量含有するラ
ダー状低級アルキルポリシルセスキオキサンが、
耐クラツク性に優れていることを見出し、本発明
に到達した。

すなわち、本発明は、式〔式中、Ｒ及びR′は同一又は異なる低級アルキ
ル基であり、ｎは平均重合度を示す。〕で表わさ
れたラダー状低級アルキルポリシルセスキオキサ
ンに於て、それの15−30％（重量）が、ゲルパー
ミエーシヨンクロマトグラフイー（以下GPCと
記す）によつて求めた標準ポリスチレン換算分子
量20000以下の部分で占められていることを特徴
とする、耐熱性薄膜形成能を有するラダー状低級
アルキルポリシルセスキオキサンを提供する。

本発明のラダー状低級アルキルポリシルセスキ
オキサンに於て、Ｒ及びR′は、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基などの如き低級アルキル基
であり、ＲとR′とは同一でも異なつていてもよ
い。好ましいラダー状低級アルキルポリシルセス
キオキサンは、Ｒ及びR′がメチル基であるラダ
ー状メチルポリシルセスキオキサンであり、この
場合は特に耐熱性にすぐれ、加熱硬化前のラダー
状メチルポリシルセスキオキサンを空気中で室温
から徐徐に700℃まで昇温して焼成したときに、
重量残留率が80−90％にも達し、また、窒素中で
450℃で２時間加熱硬化したものは、窒素中にお
いて730℃まで加熱しても、重量減少が起らず、
さらに窒素中で800℃で焼成したときの重量残留
率は、95−96％にも達する。またｎは平均重合度
を示し、GPCによつて求めた標準ポリスチレン
換算重量平均分子量として40000−500000のもの
が耐熱性及び取扱い性の面から好ましく、特に
50000−300000のものが好ましい。

なお、GPCによつて求めた標準ポリスチレン
換算分子量20000以下の部分が15％（重量）未満
のときは、高温で加熱したときにクラツクが発生
し、またGPCによつて求めた標準ポリスチレン
換算分子量20000以下の部分が30％（重量）を越
えるときも、高温で加熱したときにクラツクが発
生し、さらに保存安定性が悪く、ゲル化しやすく
なる。

本発明のラダー状低級アルキルポリシルセスキ
オキサン、例えばラダー状メチルポリシルセスキ
オキサンは、特願昭55−116493号に提案されてい
る方法で製造できるが、場合によつては生成物
を、分子量分布の調整のための処理にかける必要
がある。特願昭55−116493号の方法に従えば、次
のようにしてラダー状メチルポリシルセスキオキ
サンが製造される。すなわち、CH₃SiCl₃をケト
ン又はエーテルのいずれかに溶解し、得られたケ
トン又はエーテル溶液に撹拌下に水を添加して、
CH₃SiCl₃を加水分解し、その後該加水分解物を
縮合させ、必要に応じ、得られた縮合物を分子量
分布の調整のための処理にかけることにより、目
的とするラダー状メチルポリシルセスキオキサン
が製造される。

この製造方法に於て、CH₃SiCl₃はケトン又は
エーテルのいずれか一方に溶解される。使用する
ケトン又はエーテルは特に制限されるものではな
く、ケトンとしては、例えばメチルエチルケト
ン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
などが使用でき、またエーテルとしては、エチレ
ングリコールジメチルエーテル、ジ−ノルマルプ
ロピルエーテル、ジオキサン、ジエチレングリコ
ール、ジメチルエーテルなどが使用できる。これ
らケトン及びエーテルは、相互に混合して使用し
てはならないが、ケトンを二種以上あるいはエー
テルを二種以上使用することは差支えない。な
お、ケトン及びエーテルを混合使用すると、ケト
ン又はエーテルのいずれか一方の使用の場合に比
して、得られるラダー状メチルポリシルセスキオ
キサンの平均分子量がかなり低く、GPCによつ
て求めた標準ポリスチレン換算重量平均分子量が
20000以下になる場合が多い。また、ヘプタン、
オクタンなどの如き脂肪族炭化水素；トルエン、
キシレンなどの如き芳香族炭化水素；１，２−ジ
クロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、
１，３−ジクロロプロパン、クロルベンゼンなど
の如きハロゲン化炭化水素；ｎ−プロピルアルコ
ール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコ
ールなどの如き脂肪族アルコール；エチルプロピ
オネート、エチルイソブチレート、イソブチルア
セテートなどの如き脂肪酸アルキルエステルなど
を、ケトンまたはエーテルと混合してもよい。こ
れらの溶媒をケトン又はエーテルと併用する場合
は、好ましくは、ケトンまたはエーテルが50％
（容量）以上となるような割合で使用される。

ケトン又はエーテルの使用量は、特に制限され
ないが、好ましくはCH₃SiCl₃1容量部当り５−20
容量部である。また、ケトンまたはエーテルに他
の溶媒を混合した場合にも、混合溶媒中のケトン
またはエーテル換算で同様の量が使用される。

CH₃SiCl₃の溶液に撹拌下で水を添加するとき
は反応の制御しやすさの面から、水を徐々に加え
ることが好ましい。水の使用量は好ましくは
CH₃SiCl₃1モル当り３−30モル程度である。

水を加え終つた後は、反応混合物を油浴などで
加熱する。加熱温度は130℃以下の任意の温度で
よいが、低い温度のときには長時間の加熱を必要
とする。一般的に言つて、100−120℃の温度で２
−６時間程度加熱することが好ましい。なお、加
熱操作中は、内容物を撹拌してもよいし、単に溶
媒を還流するままにしておいてもよい。

CH₃SiCl₃を加水分解し、更に縮合する際に、
アミンを共存させると、CH₃SiCl₃の濃度の高い
ところでも、スムーズに反応が進行して、高分子
量のラダー状低級アルキルポリシルセスキオキサ
ンが得られる。このアミンとしては、１級、２級
又は３級の種々のアミン、例えば、トリエチルア
ミン、トリ−ノルマルプロピルアミン、トリイソ
プロピルアミン、ジエチルアミン、エチルアミ
ン、ピリジン、エチレンジアミンなどが用いられ
る。特に、トリエチルアミン又はジエチルアミン
が好ましい。アミンは、水をCH₃SiCl₃の溶液に
加える前に、該溶液に添加され得るし、あるい
は、CH₃SiCl₃を上記ケトン又はエーテルに溶解
する前に、該溶媒に添加され得る。アミンの使用
量は、特に制限されないが、好ましくは
CH₃SiCl₃1モル当り約３モル迄であり、より好ま
しくは0.3−２モル程度である。

アミンを加える場合には、水をCH₃SiCl₃の溶
液に滴下していくと、次第にアミンの塩酸塩の白
い沈殿が生成してくる。なおも水を滴下していく
と、その白い沈殿は溶解する。水の滴下終了後
は、アミンを加えない場合と同じように、反応混
合物を加熱する。

反応終了後はアミンを加えた場合も、加えない
場合も、溶媒層を水で洗浄し、洗浄後の水が中性
になるまで該洗浄を繰返した後、一般的には、ラ
ダー状メチルポリシルセスキオキサンのゲル化を
防止するために、溶媒層を無水硫酸ナトリウムな
どの乾燥剤で乾燥して、ラダー状メチルポリシル
セスキオキサン溶液を得、必要に応じて溶媒を除
去することにより、ラダー状メチルポリシルセス
キオキサンを得る。

上記の方法などによつて得られたラダー状低級
アルキルポリシルセスキオキサンの分子量分布が
不適当であり、GPCによつて求めた標準ポリス
チレン換算分子量20000以下の部分を15−30％
（重量）の割合で含んでいない時には、分別法、
分取ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフイー法
又はブレンド法などにより、上記の低分子量ラダ
ー状低級アルキルポリシルセスキオキサンの含量
が、15−30％（重量）となるように、分子量分布
が調整される。分別法に従えば、得られたラダー
状低級アルキルポリシルセスキオキサンの溶液
を、アセトニトリルなどの如き、ラダー状低級ア
ルキルポリシルセスキオキサンを溶解しない溶媒
と混合し、ラダー状低級アルキルポリシルセスキ
オキサンを再沈殿させて、目的とする分子量分布
のラダー状低級アルキルポリシルセスキオキサン
を得る。この場合はラダー状低級アルキルポリシ
ルセスキオキサンの溶液の濃度、ラダー状低級ア
ルキルポリシルセスキオキサンを溶解しない溶媒
の種類及びこれらの使用量などを適宜選択するこ
とが必要である。分取ゲルパーミエーシヨンクロ
マトグラフイー法に従えば、得られたラダー状低
級アルキルポリシルセスキオキサンの溶液を、
GPCにかけて、不要な分子量部分を含むフラク
シヨンを除去して目的とする分子量分布のラダー
状低級アルキルポリシルセスキオキサンの溶液を
回収し、必要に応じて溶媒を除去して、目的とす
るラダー状低級アルキルポリシルセスキオキサン
を得る。ブレンド法に従えば、２種以上の異なる
分子量分布を有するラダー状低級アルキルポリシ
ルセスキオキサンの溶液を混合し、必要に応じて
溶媒を除去して、目的とする分子量分布を有する
ラダー状低級アルキルポリシルセスキオキサンを
得る。

本発明の特定の分子量分布を有するラダー状低
級アルキルポリシルセスキオキサンは、それを適
当な溶媒に溶解し、得られた溶液を基板上に塗布
し乾燥することにより、薄膜に形成することがで
きる。塗布方法としては、例えばスプレー塗布、
スピンナー塗布などの如き、通常用いられている
方法が使用できる。かかる方法で得られた薄膜
は、加熱硬化前の溶媒が揮散して乾燥した状態で
も、加熱硬化後でも、あるいは硬化後に400−500
℃で熱処理した後でもクラツクが発生せず、耐熱
性の絶縁保護膜又は層間絶縁膜として、特に集積
回路製造などに用いる電子材料として広く利用さ
れ得る。

以下に実施例及び比較例を示して本発明を具体
的に説明する。

なお、実施例及び比較例に於けるGPCの測定
は、下記条件によつて行なつた。

GPC測定条件装置：米国ウオーターズ社製高温高速ゲル浸透ク
ロマトグラム（モデル150−Ｃ ALC／GPC）カラム：昭和電工(株)製SHODEX Ａ−8M、長さ
50cm 測定温度：40℃ 流速：１c.c.／分上記条件に於て、テトラヒドロフランを溶媒と
して使用し、ラダー状低級アルキルポリシルセス
キオキサン１ｇを100c.c.のテトラヒドロフランに
溶解して試料とした。また、標準ポリスチレン
は、米国プレツシヤーケミカル社製標準ポリスチ
レンを使用した。

実施例１還流冷却管、滴下ロート、及び撹拌棒を備えた
反応容器に、メチルイソブチルケトン（1200ml）
を加え、これにCH₃SiCl₃（140ml）及びトリエチ
ルアミン（80ml）を加える。反応容器を氷冷し、
撹拌しながら、水（200ml）をゆつくり滴下する。
しだいに塩酸トリエチルアミンの白色沈殿が生成
するが、水をなおも加えることによつて、その白
色沈殿は溶解する。水の滴下終了後、油浴上で、
油浴温度100℃で、反応混合物を５時間加熱還流
する。反応終了後、溶媒層を洗浄水が中性になる
まで洗浄し、その後、乾燥剤として無水硫酸ナト
リウムを用いて乾燥する。次に乾燥剤を除去し、
溶媒を減圧で留去して、ラダー状メチルポリシル
セスキオキサンを得る。このラダー状メチルポリ
シルセスキオキサンを40℃で一夜真空乾燥し、そ
の後、GPCにより分子量分布を測定し、添付の
図面に示したGPCチヤートのカーブａを得る。
このカーブより、標準ポリスチレン換算分子量
20000以下の低分子量の部分を27％（重量）の割
合で含んでいること及び標準ポリスチレン換算重
量平均分子量が110000であることがわかる。

このようにして得られたラダー状メチルポリシ
ルセスキオキサン2.5ｇを、トルエン10mlに溶解
し、これを1500rpm.でシリコンウエハー上にス
ピンナー塗布する。その後、塗布物を80℃で１時
間加熱して、溶媒を除き、次に350℃で１時間加
熱硬化させて、薄膜を形成させる。この薄膜を
450℃で30分間熱処理し、その後室温に放置する。
この場合にもクラツクは発生しない。薄膜の厚さ
は2μｍである。

比較例１実施例１で得た乾燥剤除去後のラダー状メチル
ポリシルセスキオキサンのメチルイソブチルケト
ン溶液を、濃度が28％（重量）になるまで濃縮
（液量300ml）し、この濃縮物を４のアセトニト
リルに注いで、ラダー状メチルポリシルセスキオ
キサンを沈殿させる。このようにして得たラダー
状メチルポリシルセスキオキサンを40℃で一夜真
空乾燥し、その後GPCにより分子量分布を測定
し、添付の図面に示したGPCチヤートのカーブ
ｂを得る。このカーブより、標準ポリスチレン換
算分子量20000以下の低分子量の部分を14％（重
量）の割合で含んでいること及び標準ポリスチレ
ン換算重量平均分子量が161000であることが分
る。即ち、低分子量部分の割合が実施例１のそれ
よりも低い。

このようにして得られたラダー状メチルポリシ
ルセスキオキサン2.5ｇを、トルエン10mlに溶解
する。得られた溶液を1500rpm.でシリコンウエ
ハー上にスピンナー塗布する。得られた塗布物を
実施例１と同様に80℃で１時間加熱し、さらに
350℃で１時間加熱硬化させ、引き続き450℃で30
分間熱処理すると、薄膜にクラツクが生じる。薄
膜の厚さは2μｍである。

実施例２実施例１の方法で得た乾燥剤除去後のラダー状
メチルポリシルセスキオキサンのメチルイソブチ
ルケトン溶液を、濃度が60％（重量）（液量150
ml）となるまで濃縮し、その濃縮物を450mlのア
セトニトリルに注ぎ、ラダー状メチルポリシルセ
スキオキサンを沈殿させる。このようにして得た
ラダー状メチルポリシルセスキオキサンを40℃で
一夜真空乾燥し、その後GPCにより分子量分布
を測定し、添付の図面に示されたGPCチヤート
のカーブＣを得る。このカーブより、標準ポリス
チレン換算分子量20000以下の低分子量の部分を
20％（重量）の割合で含んでいること及び標準ポ
リスチレン換算重量平均分子量が136000であるこ
とが分る。

このようにして得られたラダー状メチルポリシ
ルセスキオキサン2.5ｇを10mlのトルエンに溶解
し、得られた溶液をシリコーンウエハーの上に、
2000rpm.でスピンナー塗布する。得られた塗布
物を実施例１と同様に80℃で１時間加熱し、さら
に350℃で１時間加熱硬化させ、次いで450℃で30
分間熱処理してもクラツクは発生しない。薄膜の
厚さは1.8μｍである。

比較例２実施例１で得られたラダー状メチルポリシルセ
スキオキサン８ｇを、トルエン33mlに溶解させ、
得られた溶液を25℃に保ちながら、それにアセト
ニトリル56mlを加え、よく撹拌する。沈殿が生じ
たら、沈殿と上澄液とを、15000rpm.で40分間遠
心分離機にかけて分離する。更に、得られた上澄
液を25℃に保ちながら、それにアセトニトリル８
mlを加え、よく撹拌し、沈殿が生じたら、
15000rpm.で40分間、再度遠心分離機にかける。
次いで上澄液の溶媒を減圧下で留去したのち、残
留物を40℃で一夜真空乾燥する。このようにして
得られたラダー状メチルポリシルセスキオキサン
の分子量分布をGPCにより測定し添付の図面に
示したGPCチヤートのカーブｄを得た。このカ
ーブより標準ポリスチレン換算分子量20000以下
の低分子量の部分を39％（重量）の割合で含んで
いること及び標準ポリスチレン換算重量平均分子
量が33000であることが分る。即ち低分子量部分
の割合が実施例１のそれよりも多い。

このラダー状メチルポリシルセスキオキサン
2.5ｇをトルエン10mlに溶解し、得られた溶液を
2000rpm.でシリコンウエハー上にスピンナー塗
布する。塗布物を実施例１と同様に80℃で１時間
加熱し、さらに350℃で１時間加熱硬化させ、次
いで450℃で30分間熱処理すると、薄膜にクラツ
クが生じる。薄膜の厚さは1.7μｍである。

比較例３特開昭53−88099号公報実施例１に記載の方法
に準じて、還流冷却管、滴下ロート、かくはん棒
を備えた反応器にメチルイソブチルケトン（260
ml）およびテトラヒドロフラン（90ml）を入れ、
これにメチルトリクロロシラン（47ml、0.4モル）
およびトリエチルアミン（56ml、0.4モル）を加
えた。

反応容器を氷冷、かくはんしながら水をゆつく
りと滴下した。しだいに塩酸トリエチルアミンの
白色沈澱を生成するが水をなおも加えることによ
つてその白色沈澱は再び溶解した。加えた水の量
は約50〜100ml程度であつた。

つぎに油浴を用いて油浴温度100゜〜110℃で４
時間加熱還流させた。

反応終了後、有機層を分離し、洗浄水が中性に
なるまで水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。その後乾燥剤を除去し、ポリマーが析出する
近くまで濃縮し、メタノールに注ぎポリマーを沈
澱させた。

得られた沈澱はメタノールでよく洗い真空乾燥
した。このようにして得られたラダー状メチルポ
リシルセスキオキサンの標準ポリスチレン換算重
量平均分子量は、63800であつた。

また標準ポリスチレン換算分子量20000以下の
低分子量部分の割合が45wt％であつた。

このラダー状メチルポリシルセスキオキサンの
22重量％トルエン溶液をシリコンウエハー上にス
ピンナー塗布した。得られた塗布物を実施例１と
同様に80℃で１時間加熱し、さらに350℃で１時
間加熱硬化させ、引き続き450℃で30分間熱処理
すると、薄膜にクラツクが生じた。薄膜の厚さは
2μｍであつた。

比較例４特開昭53−88099号公報実施例２に記載の方法
に準じて、メチルトリクロロシラン（11.7ml、
0.1モル）およびトリエチルアミン（14ml、0.1モ
ル）をメチルイソブチルケトン（45ml）とテトラ
ヒドロフラン（45ml）との混合溶媒に溶解させ、
比較例３と同様な方法で加水分解した。

得られた沈澱はメタノールでよく洗い真空乾燥
した。このようにして得られたラダー状メチルポ
リシルセスキオキサンの標準ポリスチレン換算重
量平均分子量は619300であつた。

また標準ポリスチレン換算分子量が20000以下
の低分子量部分の割合は77wt％であつた。

このようにして得られたラダー状メチルポリシ
ルセスキオキサンの22重量％トルエン溶液をシリ
コンウエハー上にスピンナー塗布した。得られた
塗布物を実施例１と同様に80℃で１時間加熱し、
さらに350℃で１時間加熱硬化させ、引き続き450
℃で30分間熱処理すると、薄膜にクラツクが生じ
た。薄膜の厚さは2μｍであつた。

比較例５特開昭53−88099号公報実施例３に記載の方法
に準じて比較例１で得たラダー状メチルポリシル
セスキオキサン３ｇをジエチレングリコールジメ
チルエーテル20mlに溶解し、それに塩酸トリメチ
ルアミン3.8ｇを含む水５mlを加えて130℃で４時
間しんとうした。

反応終了後、反応物をメタノールに注ぎ白色沈
澱物を得た。これをメタノールでよく洗つたのち
真空乾燥した。

このようにして得られたラダー状ポリメチルシ
ルセスキオキサンの標準ポリスチレン換算重量平
均分子量は147200であつた。

また標準ポリスチレン換算分子量が20000以下
の低分子量部分の割合が48wt％であつた。

比較例６特開昭53−88099号公報実施例４の記載の方法
に準じてメチルイソブチルケトン（15ml）とテト
ラヒドロフラン（６ml）との混合溶媒に比較例３
で得たラダー状メチルポリシルセスキオキサン３
ｇを溶かし、これに塩酸トリエチルアミン0.1ｇ
を含むメタノール（５ml）を加え90℃で４時間か
くはんした。

反応終了後、反応液をメタノールに注ぎ白色沈
澱物を得た。これをメタノールでよく洗い真空乾
燥した。

このように得られたラダー状メチルポリシルセ
スキオキサンの標準ポリスチレン換算重量平均分
子量は78100であつた。また標準ポリスチレン換
算分子量が20000以下の低分子量部の割合は33wt
％であつた。

このラダー状メチルポリシルセスオキサンの22
重量％トルエン溶液をシリコンウエハー上にスピ
ンナー塗布した。得られた塗布物を実施例１と同
様に80℃で１時間加熱し、さらに350℃で１時間
加熱硬化させ、引き続き450℃で30分間熱処理す
ると、薄膜にクラツクが生じた。薄膜の厚さは
2μｍであつた。

比較例７特開昭53−88099号公報実施例５に記載の方法
に準じてジエチレングリコールジメチルエーテル
に比較例３で得た分子量9000のポリシロキサン３
ｇを溶かし、これに塩酸トリエチルアミン5.5ｇ
を含む水（７ml）を加え、90℃で４時間かくはん
した。

反応液をメタノールに注ぎ白色沈澱物を得た。
これをメタノールで洗い、真空乾燥した。

このようにして得られたラダー状メチルポリシ
ルセスキオキサンの標準ポリスチレン換算重量平
均分子量は136600であつた。

また標準ポリスチレン換算分子量が20000以下
の低分子量部分の割合は33wt％であつた。

このラダー状メチルポリシルセスキオキサンの
22wt％トルエン溶液をシリコンウエハー上にス
ピンナー塗布した。得られた塗布物を実施例１と
同様に80℃で１時間加熱し、さらに350℃で１時
間加熱硬化させ、引き続き450℃で30分間熱処理
すると、薄膜にクラツクが生じた。薄膜の厚さは
2μｍであつた。

【図面の簡単な説明】

図面はGPCチヤートを示し、縦軸はGPCによ
り分離されたラダー状メチルポリシルセスキオキ
サン溶液の濃度を示し、横軸は標準ポリスチレン
換算の分子量を示す。

Claims

【特許請求の範囲】１式〔式中、Ｒ及びR′は同一又は異なる低級アルキ
ル基であり、ｎは平均重合度を示す。〕で表わさ
れたラダー状低級アルキルポリシルセスキオキサ
ンに於て、それの15−30％（重量）が、ゲルパー
ミエーシヨンクロマトグラフイーによつて求めた
標準ポリスチレン換算分子量20000以下の部分で
占められていることを特徴とする、耐熱性薄膜形
成能を有するラダー状低級アルキルポリシルセス
キオキサン。