JPS6086276A - 放電による堆積膜の形成方法 - Google Patents
放電による堆積膜の形成方法Info
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- JPS6086276A JPS6086276A JP58192569A JP19256983A JPS6086276A JP S6086276 A JPS6086276 A JP S6086276A JP 58192569 A JP58192569 A JP 58192569A JP 19256983 A JP19256983 A JP 19256983A JP S6086276 A JPS6086276 A JP S6086276A
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- deposited film
- deposition chamber
- auxiliary
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）技術分野
本発明は、減圧下に於て放電によって光導電膜、半導体
膜、無機絶縁膜、有機樹脂膜等の堆積膜を形成する方法
に関する。
膜、無機絶縁膜、有機樹脂膜等の堆積膜を形成する方法
に関する。
（２）背景技術
堆積膜形成用のガス（以下、原料ガスと称する）を減圧
にし得る室（以下、堆積室と称する）内に導入し、放電
によるプラズマ現象を利用して所望の基体上に所望の特
性を有する堆積膜を形成する方法において、該方法が電
界を印加して作業を行うことが不可避である性格上、プ
ラズマ反応にある一定の指向性が生じることが避けられ
ず、そのため基体近傍の放電強度を基体近傍全域にゎた
づて均一にすることに非常な困難がともない、その結果
、基体全体にわたって均一な膜質、膜厚を持つ堆積膜を
得るのは非常に困難であった。
にし得る室（以下、堆積室と称する）内に導入し、放電
によるプラズマ現象を利用して所望の基体上に所望の特
性を有する堆積膜を形成する方法において、該方法が電
界を印加して作業を行うことが不可避である性格上、プ
ラズマ反応にある一定の指向性が生じることが避けられ
ず、そのため基体近傍の放電強度を基体近傍全域にゎた
づて均一にすることに非常な困難がともない、その結果
、基体全体にわたって均一な膜質、膜厚を持つ堆積膜を
得るのは非常に困難であった。
例えばシラン（Ｓｉｌ−１４） ガスを放電で分解し、
加熱した基体上に水素化アモルファスシリコン（ａ−８
ｉ ： Ｉ−ｒ ）膜を形成し各種の光又は電子デバイ
ス等に利用する技術が最近盛んに報じられているが、ａ
−８ｉ：Ｈのような構造敏感ないわゆる半導体的な性質
を有するものについては、このような膜質の不均一さが
電気的、光学的、物理的性質の変化と（・う形で極めて
敏感に表われやすく、このような問題は非常に重大であ
った。さらにａ−８ｉＪｌを電子写真用感光体として用
いる場合は、通常円筒状の基体にａ−８ｉ：Ｉ−１を大
面積に亘って厚＜イ」ける場合が多（・ことから、上記
の問題はさらに重大で円筒状基体の端部と中央部とでは
堆積される膜質及び膜厚がきわめて不均一となりやすく
、このため被写画像に画像欠陥、濃度ムラ等のいわゆる
画質低下現象を起こすことがたびたび生じていた。。
加熱した基体上に水素化アモルファスシリコン（ａ−８
ｉ ： Ｉ−ｒ ）膜を形成し各種の光又は電子デバイ
ス等に利用する技術が最近盛んに報じられているが、ａ
−８ｉ：Ｈのような構造敏感ないわゆる半導体的な性質
を有するものについては、このような膜質の不均一さが
電気的、光学的、物理的性質の変化と（・う形で極めて
敏感に表われやすく、このような問題は非常に重大であ
った。さらにａ−８ｉＪｌを電子写真用感光体として用
いる場合は、通常円筒状の基体にａ−８ｉ：Ｉ−１を大
面積に亘って厚＜イ」ける場合が多（・ことから、上記
の問題はさらに重大で円筒状基体の端部と中央部とでは
堆積される膜質及び膜厚がきわめて不均一となりやすく
、このため被写画像に画像欠陥、濃度ムラ等のいわゆる
画質低下現象を起こすことがたびたび生じていた。。
（３）発明の開示
本発明は斯かる点に鑑み成されたものであって、本発明
の目的は品質的に均一でかつ良好な特性を有する堆積膜
の形成方法を提供することである。
の目的は品質的に均一でかつ良好な特性を有する堆積膜
の形成方法を提供することである。
斯かる目的は以下に詳述される様に堆積室内において、
基体が放電強度が不均一な部分の影響を極力受けないよ
うに堆積膜を形成することにより達成される。
基体が放電強度が不均一な部分の影響を極力受けないよ
うに堆積膜を形成することにより達成される。
すなわち斯かる目的を達成する本発明は、堆積室内に原
料ガスを導入し対向する電極間に電界を形成して前記堆
積室内に放電を生じさせ、前記原料ガスを放電エネルギ
ー又は放電エネルギー及び熱エネルギーで分解又は重合
して前記堆積室内に設置された基体上に堆積膜を形成す
る放電による堆積膜の形成方法において、前記基体に相
接する補助基体を設けることを特徴とする放電による堆
積膜の形成方法である。
料ガスを導入し対向する電極間に電界を形成して前記堆
積室内に放電を生じさせ、前記原料ガスを放電エネルギ
ー又は放電エネルギー及び熱エネルギーで分解又は重合
して前記堆積室内に設置された基体上に堆積膜を形成す
る放電による堆積膜の形成方法において、前記基体に相
接する補助基体を設けることを特徴とする放電による堆
積膜の形成方法である。
」二記の補助基体を設けることにより基体の端部で起き
ていた放電強度の不均一な部分を基体に影響が及ばない
所まで遠ざけることができ、それによって安定した放電
領域で基体上に堆積膜を形成させることができ、基体全
体にわたって均一な膜質、膜厚を得ることが可能となっ
た。
ていた放電強度の不均一な部分を基体に影響が及ばない
所まで遠ざけることができ、それによって安定した放電
領域で基体上に堆積膜を形成させることができ、基体全
体にわたって均一な膜質、膜厚を得ることが可能となっ
た。
（４）発明を実施するための最良の形態本発明における
電極は少くも一対設けられることを必須とするが他に特
に限定はなく放電による堆積膜の形成方法で通常使用さ
れているものを適宜使用することができ、例えば電極が
堆積室や基体を兼ねてもよいし、また独立に堆私室内に
設けられてもよい。形状についても円筒状２円盤状ある
いは平板状等であってもよい。また、基体の表面に平行
な仮想面を設定し、°その仮想面内に例えば棒状の数個
の電極を基体に平行に等間隔に配列したもの等でもよし
・。基体と電極の配列についても特に基体に平行である
必要はないが、放電強度や膜厚等の均一化をはかるため
に基体と平行に設置されるのが好ましい。また本発明に
おける放電としては、例えばグロー放電やアーク放電等
が好ましいものとして挙げられる。
電極は少くも一対設けられることを必須とするが他に特
に限定はなく放電による堆積膜の形成方法で通常使用さ
れているものを適宜使用することができ、例えば電極が
堆積室や基体を兼ねてもよいし、また独立に堆私室内に
設けられてもよい。形状についても円筒状２円盤状ある
いは平板状等であってもよい。また、基体の表面に平行
な仮想面を設定し、°その仮想面内に例えば棒状の数個
の電極を基体に平行に等間隔に配列したもの等でもよし
・。基体と電極の配列についても特に基体に平行である
必要はないが、放電強度や膜厚等の均一化をはかるため
に基体と平行に設置されるのが好ましい。また本発明に
おける放電としては、例えばグロー放電やアーク放電等
が好ましいものとして挙げられる。
本発明における基体には特に限定はなく、使用目的に応
じた材質や形状等を有するものであればよい。例えば形
状においては円筒状や平板状等であってよく、材質にお
いてはＮｉＣｒ、ステンレス。
じた材質や形状等を有するものであればよい。例えば形
状においては円筒状や平板状等であってよく、材質にお
いてはＮｉＣｒ、ステンレス。
Ａｌ、 Ｃｒ 、 Ｍｏ 、 Ａｕ 、 Ｎｂ 、 Ｔ
ａ 、 Ｖ 、 Ｔｉ 、 Ｐｔ 。
ａ 、 Ｖ 、 Ｔｉ 、 Ｐｔ 。
Ｐｄ 等の導電性材料、ポリエステル、ポリエチレン、
ポリカーボネ平ト、セルロースアセテート。
ポリカーボネ平ト、セルロースアセテート。
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン
、ポリスチレン２．ガラス、セラミックス。
、ポリスチレン２．ガラス、セラミックス。
紙等の絶縁性材料、またこれ等絶縁性材料に導電性材料
を被覆したもの等が使用できる。
を被覆したもの等が使用できる。
本発明における補助基体は、上記基体に相接するように
設けることを必須とするが、着脱可能な形式となってい
ることが好まｌ〜い。補助基体の材質および形状は必ず
しも基体と一致している必要はないが、基体と同種の材
質および同様の形状をしているととが好ましく、基体お
よび補助基体に対向する電極に面する基体および補助基
体の表面は同一平面上にあるのが好ましい。例えば円筒
状の基体であれば、補助基体の直径を基体と同程度とす
ることが好ましい。基体が電極を兼ねる場合に特に問題
となる電極！ＩＩ’：！ａでの放電むらによる堆積膜の
膜厚や膜質の不均一化を防１ヒするためには、基体及び
補助基体の放電に寄与する表面の面積比をそれぞれ］、
： ０．０２〜２に設定することが好ましい。ここで
補助基体の大きさとしては、余り大きすぎると装置ＰＹ
自体が大きくなってしまうためにコスト高となり、従っ
て川岸性が悪くなってしまうので好ましくない。また逆
に小さずぎると、放′屯強度が不均一な部分の影響を基
体白身が受けてしまうため均一な膜質、膜厚の堆積膜を
形成することができないので好ましくない。以上のよう
なことを考慮すると補助、、！、ｔ；体の大きさはノ１
１一体との表面積Ｊしとして］ ： ０．０２〜２の範
囲にあるのが好ましい。
設けることを必須とするが、着脱可能な形式となってい
ることが好まｌ〜い。補助基体の材質および形状は必ず
しも基体と一致している必要はないが、基体と同種の材
質および同様の形状をしているととが好ましく、基体お
よび補助基体に対向する電極に面する基体および補助基
体の表面は同一平面上にあるのが好ましい。例えば円筒
状の基体であれば、補助基体の直径を基体と同程度とす
ることが好ましい。基体が電極を兼ねる場合に特に問題
となる電極！ＩＩ’：！ａでの放電むらによる堆積膜の
膜厚や膜質の不均一化を防１ヒするためには、基体及び
補助基体の放電に寄与する表面の面積比をそれぞれ］、
： ０．０２〜２に設定することが好ましい。ここで
補助基体の大きさとしては、余り大きすぎると装置ＰＹ
自体が大きくなってしまうためにコスト高となり、従っ
て川岸性が悪くなってしまうので好ましくない。また逆
に小さずぎると、放′屯強度が不均一な部分の影響を基
体白身が受けてしまうため均一な膜質、膜厚の堆積膜を
形成することができないので好ましくない。以上のよう
なことを考慮すると補助、、！、ｔ；体の大きさはノ１
１一体との表面積Ｊしとして］ ： ０．０２〜２の範
囲にあるのが好ましい。
また安定な放電を得るために、基体及び補助基体を合せ
た合体物の長さノを対向する電極の長さ■７よりも短く
している。基体と補助基体の合体物は外側の電極に囲ま
れた空間内の中央に、合体物の膜形成面か電極面から等
距離になるように配桁される。
た合体物の長さノを対向する電極の長さ■７よりも短く
している。基体と補助基体の合体物は外側の電極に囲ま
れた空間内の中央に、合体物の膜形成面か電極面から等
距離になるように配桁される。
基体と補助基体の接合方法は、ワイヤー、接λ°）剤、
ねじ、バンド等の接合手段を用いる方法やり１（休およ
び補助基体をねじ状にして直接接合する方法等があるが
、基体および補助基体の形状、材質。
ねじ、バンド等の接合手段を用いる方法やり１（休およ
び補助基体をねじ状にして直接接合する方法等があるが
、基体および補助基体の形状、材質。
着脱の必要性の有無、加熱の有無、または電極を兼ねる
場合等、基体および補助基体の材質や堆積膜形成条件等
に合せ適宜選択することができる。
場合等、基体および補助基体の材質や堆積膜形成条件等
に合せ適宜選択することができる。
また、補助基体の材質や接合方法によっては、補助基体
を繰り返し使用することが可能であるが、堆積膜の汚れ
等を防止・するためにはそのまま１てっ繰り返し使用は
避けることが好ましい。
を繰り返し使用することが可能であるが、堆積膜の汚れ
等を防止・するためにはそのまま１てっ繰り返し使用は
避けることが好ましい。
以下に、本発明の方法を実施例に基き図面も参照してさ
らに詳細に説明する。尚、以下の例ではａ＝Ｓｉ；１４
膜の形成方法に就て述べるが、本発明は斯かるａ −Ｓ
ｉ ： Ｉ−ＩＮの形成方法のみに限定されるものでは
なく、堆積膜形成用の原料ガスが放電エネルギー又は放
電エネルギー及び熱エネルギーで分解又は重合し得るも
のであれば適用できるものである。
らに詳細に説明する。尚、以下の例ではａ＝Ｓｉ；１４
膜の形成方法に就て述べるが、本発明は斯かるａ −Ｓ
ｉ ： Ｉ−ＩＮの形成方法のみに限定されるものでは
なく、堆積膜形成用の原料ガスが放電エネルギー又は放
電エネルギー及び熱エネルギーで分解又は重合し得るも
のであれば適用できるものである。
〈実施例〉
第１図は、本発明の方法を行うための実施例装置の構成
を説明するための模式的説明図であるが、本発明を行う
ための装置は本例に限定されるものではなし・。
を説明するための模式的説明図であるが、本発明を行う
ための装置は本例に限定されるものではなし・。
図において、１０１は堆積室である。堆積室１０１内に
は、堆積膜を形成するためのアノード電極を兼ねる円筒
状基体１０２と該基体１０２を加熱するための基体加熱
ヒータ］、 ０３が設けてあり、堆積室１０１の下方に
はメインバルブ］０４の開放によって堆積室１０１内を
不図示の抽気装置によりＪｕｌ気して所定の真空度にす
る様に、開口１−０５が設り“である。基体１０２との
間に放電を引き起ずためのカソード電極１．０６を堆積
室１０］の内壁として設けている。
は、堆積膜を形成するためのアノード電極を兼ねる円筒
状基体１０２と該基体１０２を加熱するための基体加熱
ヒータ］、 ０３が設けてあり、堆積室１０１の下方に
はメインバルブ］０４の開放によって堆積室１０１内を
不図示の抽気装置によりＪｕｌ気して所定の真空度にす
る様に、開口１−０５が設り“である。基体１０２との
間に放電を引き起ずためのカソード電極１．０６を堆積
室１０］の内壁として設けている。
図の装置に於てば、基体１．０１はアースに接ワ１；さ
れ膜厚や膜質を均一化するため回転を行って（・る。
れ膜厚や膜質を均一化するため回転を行って（・る。
基体１０１の上下に設けである補助基体１０７および１
０８ば、カソード電接］ ０６に対向する対向面の表面
積比で基体］ｏ２を１とした場合に対し補助基体１０７
、．１０８をそれぞれｏ３に設定し、材質はアルミニ
ウムを用し・た。
０８ば、カソード電接］ ０６に対向する対向面の表面
積比で基体］ｏ２を１とした場合に対し補助基体１０７
、．１０８をそれぞれｏ３に設定し、材質はアルミニ
ウムを用し・た。
カソード電極１．０６は不図示のマツチング回路を経て
高周波電源に接続されている。堆積室１０１の上部位に
は原料ガスを導入するガス導入管１０９が連結されてお
り、必要に応じて数種類のガスが導入されるようになっ
ている。基体１．０２と補助基体１０７，１０８は基体
加熱ヒータ１０３によって、予め所定の適正温度まで加
熱しておく。例えばａ−３ｉ：Ｉ−１膜の場合は、基体
１０２の温度２００〜／１００’Ｃが適正温度となるが
、本例では２５０℃に設定した。
高周波電源に接続されている。堆積室１０１の上部位に
は原料ガスを導入するガス導入管１０９が連結されてお
り、必要に応じて数種類のガスが導入されるようになっ
ている。基体１．０２と補助基体１０７，１０８は基体
加熱ヒータ１０３によって、予め所定の適正温度まで加
熱しておく。例えばａ−３ｉ：Ｉ−１膜の場合は、基体
１０２の温度２００〜／１００’Ｃが適正温度となるが
、本例では２５０℃に設定した。
次にＳｉ ８４５〜４０ ｖｏ１％、ｌＩ２９５〜６０
ｖＯ１％の範囲で所定の混合比に設定した混合ガスを堆
積室１０１にガス圧０．１〜０．２ Ｔｏｒｒでガス量
０．１〜２１／ｍｌｎの範囲で所定の値に設定して導入
し、放電パワー１００Ｗで基体１０２および補助基体１
０７゜１０８からなる合体物上へａ−８ｉ：Ｉ−１膜を
形成した。上記操作を繰り返して数種の合体物上にａ
−Ｓｉ ： Ｉ−１膜を形成した。このように形成され
た基体１０２上のａ−８ｉ：Ｈ膜の膜厚を補助基体１０
７．１０８から取りはずした後にうず電流法で測定した
ところ、いずれも基体全域にわたり±２％の膜厚分布に
納まって（・ることか確認された。
ｖＯ１％の範囲で所定の混合比に設定した混合ガスを堆
積室１０１にガス圧０．１〜０．２ Ｔｏｒｒでガス量
０．１〜２１／ｍｌｎの範囲で所定の値に設定して導入
し、放電パワー１００Ｗで基体１０２および補助基体１
０７゜１０８からなる合体物上へａ−８ｉ：Ｉ−１膜を
形成した。上記操作を繰り返して数種の合体物上にａ
−Ｓｉ ： Ｉ−１膜を形成した。このように形成され
た基体１０２上のａ−８ｉ：Ｈ膜の膜厚を補助基体１０
７．１０８から取りはずした後にうず電流法で測定した
ところ、いずれも基体全域にわたり±２％の膜厚分布に
納まって（・ることか確認された。
ａ−８ｉ：ＩＩ膜を形成された基体１０２すなわちＢ
−３ｉ ； Ｈドラムはいずれも複写装置にセットし、
画像評価に供したがドラム全域にわたって濃度ムラや画
像欠陥のない良好な画質を得ることが確認された。
−３ｉ ； Ｈドラムはいずれも複写装置にセットし、
画像評価に供したがドラム全域にわたって濃度ムラや画
像欠陥のない良好な画質を得ることが確認された。
上記例では円筒状基体を使用しているが、平板状基体等
においても同様の事がいえる。また」−記ａ−８ｉＨＩ
Ｉ膜以外に、同様の方法で、例えばａ ’−Ｓｉ Ｎｘ
Ｉ−ｈ −ｘ （０＜Ｘ≦１ ） 、 ａ −Ｓｉ
Ｏｘ Ｉ（ｔ−ｘ（０＜ ｘ≦１）。
においても同様の事がいえる。また」−記ａ−８ｉＨＩ
Ｉ膜以外に、同様の方法で、例えばａ ’−Ｓｉ Ｎｘ
Ｉ−ｈ −ｘ （０＜Ｘ≦１ ） 、 ａ −Ｓｉ
Ｏｘ Ｉ（ｔ−ｘ（０＜ ｘ≦１）。
ａ −８ｉ Ｃｘ１−１１−ｘ （０＜ｘ≦１） 、ａ
−８ｉＮ、ａ−８１０゜ａ−３ｉＣ等の堆積膜を形成す
ることが可能である４）また重合によって堆積膜を形成
する場合には、原料ガスをスチレンモノマーガスやスチ
レンダイマーガス等とすればよい。
−８ｉＮ、ａ−８１０゜ａ−３ｉＣ等の堆積膜を形成す
ることが可能である４）また重合によって堆積膜を形成
する場合には、原料ガスをスチレンモノマーガスやスチ
レンダイマーガス等とすればよい。
次に本発明の効果を比較例によって説明する。
〈比較例〉
前記実施例において、上下の補助基体１０７゜１０８を
取り除いた以外はまったく同様の条件でａ −Ｓｉ ：
Ｉ−１膜を作り同様の評価を行ったが、膜厚分布におい
て±１０％程度の差が生じ、画質も上下部分と中央部分
とで濃度ムラを生じた。該濃度ムラは複写装置の画出し
条件を種々に変化させ、最適化を行ったにもかかわらず
解消できなかった。
取り除いた以外はまったく同様の条件でａ −Ｓｉ ：
Ｉ−１膜を作り同様の評価を行ったが、膜厚分布におい
て±１０％程度の差が生じ、画質も上下部分と中央部分
とで濃度ムラを生じた。該濃度ムラは複写装置の画出し
条件を種々に変化させ、最適化を行ったにもかかわらず
解消できなかった。
以上説明したように、基体に補助基体を設けることで基
体端部で起きていた放電強度の不均一な部分を基体に影
響が及ばない所まで遠ざけることが可能となり、膜厚や
膜質の均一な堆積膜を得ることが可能となった。
体端部で起きていた放電強度の不均一な部分を基体に影
響が及ばない所まで遠ざけることが可能となり、膜厚や
膜質の均一な堆積膜を得ることが可能となった。
第１図は本発明の方法を行うための実施例装置の構成を
説明するための模式的説明図であり、装置縦断面が示さ
れている。 １０１・・・堆積室 １０２・・・アノード電極を兼ねる基体１０３・・・基
体加熱ヒーター １０４・・・メインパルプ １０５・・・開口部 １０６・・・カソード電極 １０７・・・補助基体 １０８・・・補助基体 １０９・・・ガス導入管 １１０・・・真空及び電気シール 第 １ 図
説明するための模式的説明図であり、装置縦断面が示さ
れている。 １０１・・・堆積室 １０２・・・アノード電極を兼ねる基体１０３・・・基
体加熱ヒーター １０４・・・メインパルプ １０５・・・開口部 １０６・・・カソード電極 １０７・・・補助基体 １０８・・・補助基体 １０９・・・ガス導入管 １１０・・・真空及び電気シール 第 １ 図
Claims (5)
- （１） 減圧にし得る堆積室内に原料ガスを導入し、対
向する電極間に電界を゛形成して前記堆積室内に放電を
生じさせ、前記原料ガスを放電エネルギー又は放電エネ
ルギー及び熱エネルギーで分解又は重合して前記堆積室
内に設置された基イ４上に堆積膜を形成させる放電によ
る堆積膜の形成方法において、前記基体に相接する補助
基体を設けることを特徴とする放電による堆積膜の形成
方法。 - （２） 前記基体と補助基体の放電に寄与する表面の面
積比をそれぞれ１：０．０２〜２に設定する特許請求の
範囲第１項に記載の放電による堆積膜の形成方法。 - （３） 前記基体と補助基体の２合体物が前記対向する
電極の一方を兼用している特許請求の範囲第１項及び同
第２項に記載の放電による堆積膜の形成方法。 - （４） 前記対向する電極の一方が堆積室の外側にある
特許請求の範囲の第１項及び同第２項及び同第３項に記
載の放電による堆積膜の形成方法。 - （５） 前記対向する電極のいずれもが堆積室の内側に
ある特許請求の範囲第１項及び同第２項及び同第３項に
記載の放電による堆積膜の形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58192569A JPS6086276A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 放電による堆積膜の形成方法 |
| US06/936,962 US4699799A (en) | 1983-10-17 | 1986-12-01 | Method for forming a deposition film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58192569A JPS6086276A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 放電による堆積膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086276A true JPS6086276A (ja) | 1985-05-15 |
| JPS6153432B2 JPS6153432B2 (ja) | 1986-11-18 |
Family
ID=16293459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58192569A Granted JPS6086276A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 放電による堆積膜の形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4699799A (ja) |
| JP (1) | JPS6086276A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62136572A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-19 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマｃｖｄ法による薄膜形成法 |
| US6335281B1 (en) | 1998-06-18 | 2002-01-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Deposited film forming process |
| US6391394B1 (en) | 1993-12-22 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing electrophotographic photosensitive member and jig used therein |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6335281B1 (en) | 1998-06-18 | 2002-01-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Deposited film forming process |
Also Published As
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|---|---|
| US4699799A (en) | 1987-10-13 |
| JPS6153432B2 (ja) | 1986-11-18 |
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