JPS6086704A - Νb↓3Sn超電導線材の製造法 - Google Patents
Νb↓3Sn超電導線材の製造法Info
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- JPS6086704A JPS6086704A JP58193425A JP19342583A JPS6086704A JP S6086704 A JPS6086704 A JP S6086704A JP 58193425 A JP58193425 A JP 58193425A JP 19342583 A JP19342583 A JP 19342583A JP S6086704 A JPS6086704 A JP S6086704A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は■a族元素のチタン、ジルコニウムおよびハフ
ニウムから選ばれた1種または2種以上を添加して、加
工性および強磁界特性を改良したNb x8n超電導線
材の製造法に関するものである。
ニウムから選ばれた1種または2種以上を添加して、加
工性および強磁界特性を改良したNb x8n超電導線
材の製造法に関するものである。
超電導線材を用いると電力消費なしに大電流を流すこと
ができ、しかも強磁界まで超電導状態が保たれることか
ら、強磁界発生用電磁石の巻線材としての利用が進めら
れている。現在、最も広く使用されている線材は、Nb
−T i系の合金線材であるが、この合金線材の発生
磁界は9テスラ(90,000ガウス)の限度があり、
これ以上の強磁界を必要とする場合には、臨界磁界の高
い化合物系超電導体を用いる必要がある。しかし、化合
物系超電導体は可塑性に欠ける点が実用化に際しての大
きな障害になっていた。近年、表面拡散法および複合加
工法などの拡散を利用した方法が発明され、NbaSn
(臨界温度:約18に1臨界磁界:約21テスラ)お
よびV=Ga(臨界温度:約15K、臨界磁界:約22
テスラ)の化合物系超電導線材が実用化されるようにな
った。
ができ、しかも強磁界まで超電導状態が保たれることか
ら、強磁界発生用電磁石の巻線材としての利用が進めら
れている。現在、最も広く使用されている線材は、Nb
−T i系の合金線材であるが、この合金線材の発生
磁界は9テスラ(90,000ガウス)の限度があり、
これ以上の強磁界を必要とする場合には、臨界磁界の高
い化合物系超電導体を用いる必要がある。しかし、化合
物系超電導体は可塑性に欠ける点が実用化に際しての大
きな障害になっていた。近年、表面拡散法および複合加
工法などの拡散を利用した方法が発明され、NbaSn
(臨界温度:約18に1臨界磁界:約21テスラ)お
よびV=Ga(臨界温度:約15K、臨界磁界:約22
テスラ)の化合物系超電導線材が実用化されるようにな
った。
表面拡散法とは、例えばNbaSn化合物線材において
は、下地ニオブテープを溶融錫浴中を連続的に通過させ
たのち、熱処理によってニオブと錫を拡散反応させ下地
テープ面上にNb3Sn化合物層を生成させる方法であ
る。複合加工法とは、例えばNb sSn化合物におい
ては、ニオブ基体と銅−錫合金基体とを複合一体化させ
、線またはテープまたは管状に加工したのち、熱処理に
よって銅−錫合金基体中の錫とニオブ基体とを選択的に
拡散反応させてNb3Sn化合物層をニオブ基体の周囲
に生成させる方法である。この複合加工法を用いると、
銅−錫合金基体中に多数の細いニオブ芯を埋込んだ極細
多芯線の製造法が可能となり、速い磁界変化に対して安
定な超電導特性が得られる。なお、Vs(3aの極細多
芯線も同様な方法で製造し−C得られる。このような表
面拡散法および複合加工法により作製されたNb s
SnあるいはV、Ga化合物線材はすでに物性研究用な
どの小型強磁界マグネットとして利用されている。
は、下地ニオブテープを溶融錫浴中を連続的に通過させ
たのち、熱処理によってニオブと錫を拡散反応させ下地
テープ面上にNb3Sn化合物層を生成させる方法であ
る。複合加工法とは、例えばNb sSn化合物におい
ては、ニオブ基体と銅−錫合金基体とを複合一体化させ
、線またはテープまたは管状に加工したのち、熱処理に
よって銅−錫合金基体中の錫とニオブ基体とを選択的に
拡散反応させてNb3Sn化合物層をニオブ基体の周囲
に生成させる方法である。この複合加工法を用いると、
銅−錫合金基体中に多数の細いニオブ芯を埋込んだ極細
多芯線の製造法が可能となり、速い磁界変化に対して安
定な超電導特性が得られる。なお、Vs(3aの極細多
芯線も同様な方法で製造し−C得られる。このような表
面拡散法および複合加工法により作製されたNb s
SnあるいはV、Ga化合物線材はすでに物性研究用な
どの小型強磁界マグネットとして利用されている。
一方、核融合炉用、高エネルギー加速器用、超電導発電
楓用等の大聖強磁界マグネットの開発が盛んに進められ
ており、これらに使用される超電導線材として15テス
ラ以上の強磁界領域において大きい臨界′電流をもち、
しかも、速い磁界変化に対して安定な化合物系極細多芯
線の実用化が急がれている。しかし従来のニオブ基体と
銅−錫合金基体との複合体から作製されるNb、Sn化
合物線材の臨界電流は約12テスラ以上の磁界で急速に
低下し、この線材によって12テスラ以上の強磁界を発
生し得る超電導マグネットを作製することが困難であっ
た。一方、V=Ga化合物線材はNbaSn化合物線材
に比較して強磁界特性が優しているが、材料の価格がN
baSnより高価なため、線材を大量に使用する大型設
備に関して有利とは言えない。従って、少量の合金元素
を添加して強磁界特性を改善したNb s Sn化合物
線材を用いる方が得策である。最近、l’%la族元素
であるチタン、ジルコニウムあるいは)−フニウムをニ
オブ基体あるいは銅−錫合金基体に添加することにより
強磁界での超電導特性の著しく改善されたNb3Sn化
合物線材の製造法が発明された(特願昭55−1285
51号、特願昭56−121479号)。
楓用等の大聖強磁界マグネットの開発が盛んに進められ
ており、これらに使用される超電導線材として15テス
ラ以上の強磁界領域において大きい臨界′電流をもち、
しかも、速い磁界変化に対して安定な化合物系極細多芯
線の実用化が急がれている。しかし従来のニオブ基体と
銅−錫合金基体との複合体から作製されるNb、Sn化
合物線材の臨界電流は約12テスラ以上の磁界で急速に
低下し、この線材によって12テスラ以上の強磁界を発
生し得る超電導マグネットを作製することが困難であっ
た。一方、V=Ga化合物線材はNbaSn化合物線材
に比較して強磁界特性が優しているが、材料の価格がN
baSnより高価なため、線材を大量に使用する大型設
備に関して有利とは言えない。従って、少量の合金元素
を添加して強磁界特性を改善したNb s Sn化合物
線材を用いる方が得策である。最近、l’%la族元素
であるチタン、ジルコニウムあるいは)−フニウムをニ
オブ基体あるいは銅−錫合金基体に添加することにより
強磁界での超電導特性の著しく改善されたNb3Sn化
合物線材の製造法が発明された(特願昭55−1285
51号、特願昭56−121479号)。
これらの方法では、ニオブ基体あるいは銅−錫合金基体
に添加されだ■a族元素がNb5Sn化合物の拡散生成
を促進させるとともに、その一部がNbaSn化合物層
内に固溶し、強磁界での超電導特性を高める作用を有す
る。しかし、これらの製法ではlVa族元素をニオブ基
体あるいは銅−錫合金基体に添加するため、重性加工性
が優れず、約40%の断面縮少率毎に中間焼鈍を必要と
し、実用的な長尺線を作製するのに焼鈍回数が極めて多
くなり、製造コストを著しく高める難点があった。さら
に、従来の複合加工法に用いる銅−錫合金基体では塑性
加工性の保持から錫の固溶量が限定され、そのために拡
散生成するNb s Sn化合物相が線材全所面積当た
り少なく、臨界電流容量の大きな線材の作製に難点があ
った。
に添加されだ■a族元素がNb5Sn化合物の拡散生成
を促進させるとともに、その一部がNbaSn化合物層
内に固溶し、強磁界での超電導特性を高める作用を有す
る。しかし、これらの製法ではlVa族元素をニオブ基
体あるいは銅−錫合金基体に添加するため、重性加工性
が優れず、約40%の断面縮少率毎に中間焼鈍を必要と
し、実用的な長尺線を作製するのに焼鈍回数が極めて多
くなり、製造コストを著しく高める難点があった。さら
に、従来の複合加工法に用いる銅−錫合金基体では塑性
加工性の保持から錫の固溶量が限定され、そのために拡
散生成するNb s Sn化合物相が線材全所面積当た
り少なく、臨界電流容量の大きな線材の作製に難点があ
った。
IVa族元素を純銅に添加した銅合金基体と錫基体とニ
オブ基体の三者の複合加工法によるNb、Sn化合物線
材の製造法(特願昭57−25981号)は、各基体の
量性加工性が比較的よく、また+Va族元素を含むため
優れた強磁界臨界電流特性をもつなど上記の難点をある
程度解決している。しかしながら強度の加工金製する実
用規模の極細多芯線をこの製法で作製する場合、中間焼
鈍なしに最終線径まで一様に伸線加工するには、加工性
の点で■a族元素の含有量の極めて少ない銅合金を用い
ざるを得ない。その結果生成されるNb s Sn化合
物中の■a族元素含有量も低くなり、強磁界臨界電流特
性が劣化するという好ましくない結果が得られる。
オブ基体の三者の複合加工法によるNb、Sn化合物線
材の製造法(特願昭57−25981号)は、各基体の
量性加工性が比較的よく、また+Va族元素を含むため
優れた強磁界臨界電流特性をもつなど上記の難点をある
程度解決している。しかしながら強度の加工金製する実
用規模の極細多芯線をこの製法で作製する場合、中間焼
鈍なしに最終線径まで一様に伸線加工するには、加工性
の点で■a族元素の含有量の極めて少ない銅合金を用い
ざるを得ない。その結果生成されるNb s Sn化合
物中の■a族元素含有量も低くなり、強磁界臨界電流特
性が劣化するという好ましくない結果が得られる。
本発明は’f’Ja族元素であるチタン、ジルコニウム
またはハフニウムを銅基体ではなく、加工性の極めて優
れた錫基体に添加して、加工の容易な方法で強磁界での
超電導特性が改善され、さらに、臨界電流容量の大きい
Nb3Sn超電導腺材を製造することを目的としたもの
である。
またはハフニウムを銅基体ではなく、加工性の極めて優
れた錫基体に添加して、加工の容易な方法で強磁界での
超電導特性が改善され、さらに、臨界電流容量の大きい
Nb3Sn超電導腺材を製造することを目的としたもの
である。
本発明は■a族元素であるチタン、ジルコニウムおよび
ハフニウムから選ばれた1種寸たけ2種以上を含む錫合
金基体と銅基体とニオブ基体の三者からなる複合体また
は該錫合金体とニオブ基体の三者からなる複合体を作製
し、所定の形状まで加工したのち、拡散熱処理を行いニ
オブ基体の周囲に■a族元累を含有したNb3Sn化合
物を生成させることを特徴とする。また錫合金基体とし
ては上記■a族元素のほかに少量の銅を含有してもよい
。
ハフニウムから選ばれた1種寸たけ2種以上を含む錫合
金基体と銅基体とニオブ基体の三者からなる複合体また
は該錫合金体とニオブ基体の三者からなる複合体を作製
し、所定の形状まで加工したのち、拡散熱処理を行いニ
オブ基体の周囲に■a族元累を含有したNb3Sn化合
物を生成させることを特徴とする。また錫合金基体とし
ては上記■a族元素のほかに少量の銅を含有してもよい
。
錫基体に添加するチタン、ジルコニウムまたはハフニウ
ム量は優れた超電導特性を得るために、1種または2種
以上を合計して0.1原子係以上、また、錫合金基体の
良好な加工性を保持するうえから15原子係以下の範囲
になければならない。好ましくは1〜10原子%の範囲
である。
ム量は優れた超電導特性を得るために、1種または2種
以上を合計して0.1原子係以上、また、錫合金基体の
良好な加工性を保持するうえから15原子係以下の範囲
になければならない。好ましくは1〜10原子%の範囲
である。
銅基体あるいは錫合金基体に含まれる銅は、拡散熱処理
の際、錫および■a族元素の拡散を助け、優れた超電導
特性を得るのに効果がある。
の際、錫および■a族元素の拡散を助け、優れた超電導
特性を得るのに効果がある。
錫合金基体に加える銅の量は錫の拡散速度を高めるのに
有効な2原子係以上、また、錫合金基体の良好な加工性
を保持するうえから30原子係以下の範囲になければな
らない。
有効な2原子係以上、また、錫合金基体の良好な加工性
を保持するうえから30原子係以下の範囲になければな
らない。
複合体を所定の形状に加工した後行う熱処理は、Nb、
Sn生成のために4001Z’以上、すぐれた超電導特
性を得るために950 C以下でなければならない。
Sn生成のために4001Z’以上、すぐれた超電導特
性を得るために950 C以下でなければならない。
複合体を構成する各基体は、むくの棒状のほか、他の基
体を挿入するだめの単数あるいは複数個の穴を有する管
状のものでもよい。さらに各基体はその一部もしくは全
部が粉体の形状であってもよい。
体を挿入するだめの単数あるいは複数個の穴を有する管
状のものでもよい。さらに各基体はその一部もしくは全
部が粉体の形状であってもよい。
不発明においては加工性の極めて優れた錫合金基体のほ
か加工性のよいニオブ基体(および銅基体)とから構成
される複合体を用いるため、■a族元素を銅基体に含有
せしめた製法にくらべても伸線加工が著しく容易となり
、強度の加工を要する実用規模の極細多芯線においても
中間焼鈍を省いて細線への加工が可能となり線材作製に
おけるコストが著しく軽減される。錫合金基体に添加し
た■a族元素のチタン、ジルコニウムあるいはハフニウ
ムはNb5Sn化合物の生成を促進させ、また、添加元
素の一部がNb5Sn化合物内に固溶することにより、
超電導臨界磁界を向上させ、また、15テスラ以上の強
磁界での臨界電流を顕著に増加させる。一方、熱処理工
程では錫の充分な量を複合体内部から拡散により供給す
ることが出来るのでNb s Sn化合物相が多量に得
られるなどの効果から臨界電流容量の大きな線材が作製
できる。その結果、各種超電導利用機器の性能向上や小
型化による製造および冷却コストの軽減が達成される。
か加工性のよいニオブ基体(および銅基体)とから構成
される複合体を用いるため、■a族元素を銅基体に含有
せしめた製法にくらべても伸線加工が著しく容易となり
、強度の加工を要する実用規模の極細多芯線においても
中間焼鈍を省いて細線への加工が可能となり線材作製に
おけるコストが著しく軽減される。錫合金基体に添加し
た■a族元素のチタン、ジルコニウムあるいはハフニウ
ムはNb5Sn化合物の生成を促進させ、また、添加元
素の一部がNb5Sn化合物内に固溶することにより、
超電導臨界磁界を向上させ、また、15テスラ以上の強
磁界での臨界電流を顕著に増加させる。一方、熱処理工
程では錫の充分な量を複合体内部から拡散により供給す
ることが出来るのでNb s Sn化合物相が多量に得
られるなどの効果から臨界電流容量の大きな線材が作製
できる。その結果、各種超電導利用機器の性能向上や小
型化による製造および冷却コストの軽減が達成される。
また、本発明で作製された線材は極細多芯線形式である
ために、速い磁界変化に対して超電導性が安定に保持さ
れ、強磁界中で用いる機器の安全性と信頼性を著しく向
上させる優れた効果を有する。
ために、速い磁界変化に対して超電導性が安定に保持さ
れ、強磁界中で用いる機器の安全性と信頼性を著しく向
上させる優れた効果を有する。
2.5餌〆の穴に錫−5原子係チタン合金、錫−5原子
係ジルコニウム合金あるいは錫−3原子係チタン−2原
子係ハフニウム合金棒を挿入し、さらにその周囲にあけ
た1■グのニオブ棒を8本挿入した第1図に示す断面構
造をもつ複合体を作製した。この複合体をスェージング
および線引により0.4Wmりの長尺線に加工した。な
お従来技術の銅−7原子%錫−1原子係チタン合金とニ
オブ芯からなる複合体では8諺ダから0.4m$まで加
工するのに約10回の中間焼鈍を必要としたのに対し、
本実施例試料の加工においては各素材の加工性が極めて
よいために中間焼鈍は全く不必要であった。
係ジルコニウム合金あるいは錫−3原子係チタン−2原
子係ハフニウム合金棒を挿入し、さらにその周囲にあけ
た1■グのニオブ棒を8本挿入した第1図に示す断面構
造をもつ複合体を作製した。この複合体をスェージング
および線引により0.4Wmりの長尺線に加工した。な
お従来技術の銅−7原子%錫−1原子係チタン合金とニ
オブ芯からなる複合体では8諺ダから0.4m$まで加
工するのに約10回の中間焼鈍を必要としたのに対し、
本実施例試料の加工においては各素材の加工性が極めて
よいために中間焼鈍は全く不必要であった。
次いでアルゴン雰囲気の石英管に封入したのち、725
CX50時間の拡散熱処理を行った。このようにして作
製した試料のNt)ssn化合物層の厚み、臨界電流(
Ic )および臨界温度(Tc )の測定結果を表1に
示す。また、表1には同様な製法で作製した錦にl’%
Ia族元素を添加しない線材(比較例1−a)および錫
のかわりに銅に■a族元素を添加した線材(比較例1−
b)の測定結果も示す。
CX50時間の拡散熱処理を行った。このようにして作
製した試料のNt)ssn化合物層の厚み、臨界電流(
Ic )および臨界温度(Tc )の測定結果を表1に
示す。また、表1には同様な製法で作製した錦にl’%
Ia族元素を添加しない線材(比較例1−a)および錫
のかわりに銅に■a族元素を添加した線材(比較例1−
b)の測定結果も示す。
表1
チタン、ジルコニウムちるいはハフニウムを錫芯に添加
すると従来法である比較例1− aの無添加試料および
銅マトリックスにチタンを添加した比較例1−bに比べ
てNb5Sn化合物の生成速度、Ic1Tc、いずれも
高めている。なお、銅にIVa族元素を添加する比較例
1−bの方法では、本実施例1と同等の超電導特性を得
るためには、例えば銅に2原子係のTiを添加せねばな
らないが、銅−2原子係チタン合金を用いた複合材は加
工性が悪く、8鰭りからの伸線加工の途中約1.5 +
rm L;lで破断してしまい、最終線径0.4tm1
21’まで加工出来なかった。
すると従来法である比較例1− aの無添加試料および
銅マトリックスにチタンを添加した比較例1−bに比べ
てNb5Sn化合物の生成速度、Ic1Tc、いずれも
高めている。なお、銅にIVa族元素を添加する比較例
1−bの方法では、本実施例1と同等の超電導特性を得
るためには、例えば銅に2原子係のTiを添加せねばな
らないが、銅−2原子係チタン合金を用いた複合材は加
工性が悪く、8鰭りからの伸線加工の途中約1.5 +
rm L;lで破断してしまい、最終線径0.4tm1
21’まで加工出来なかった。
このように本発明は従来法とくらべ線材化の極めて容易
なNb5Sn超電導線材の製法である。
なNb5Sn超電導線材の製法である。
錫−5原子係チタン、錫−3原子%チタン→12□、・
原−子係ハフニウムあるいは錫−5原子係チタン−10
原子係銅合金棒を7本挿入した図2に示す断面構造をも
つ複合体を作製した。この複合体を実施例(1)と同様
に伸線加工し、中間焼鈍なしでQ、 4 ttrm p
の長尺線とした。次いでアルゴン雰囲気の石英管に封入
したのち750CX50時間の拡散熱処理を行い、表1
に示すような測定結果を得た。また、表1には同様な製
法で作製した錫に■a族元素を含まない線材(比較例2
−a)および■a族元素を含まない錫−銅合金を用いた
線材(比較例2−b)の測定結果も示す。測定結果から
従来法である比較例2− aおよび比較例2−bに比べ
本実施例の線材のNb z Sn層厚および超電導特性
のIcおよびTcの向上が顕著である。
原−子係ハフニウムあるいは錫−5原子係チタン−10
原子係銅合金棒を7本挿入した図2に示す断面構造をも
つ複合体を作製した。この複合体を実施例(1)と同様
に伸線加工し、中間焼鈍なしでQ、 4 ttrm p
の長尺線とした。次いでアルゴン雰囲気の石英管に封入
したのち750CX50時間の拡散熱処理を行い、表1
に示すような測定結果を得た。また、表1には同様な製
法で作製した錫に■a族元素を含まない線材(比較例2
−a)および■a族元素を含まない錫−銅合金を用いた
線材(比較例2−b)の測定結果も示す。測定結果から
従来法である比較例2− aおよび比較例2−bに比べ
本実施例の線材のNb z Sn層厚および超電導特性
のIcおよびTcの向上が顕著である。
実施例 (3)
外径8■内径6mのニオブ管に銅粉末、ニオブ粉末およ
び錫−5原子係チタン粉末あるいは錫−5原子係ハフニ
ウム粉末を5:3:1の割合でつめた図3に示す断面構
造をもつ複合体を作製した。
び錫−5原子係チタン粉末あるいは錫−5原子係ハフニ
ウム粉末を5:3:1の割合でつめた図3に示す断面構
造をもつ複合体を作製した。
用いた粉末はそれぞれ約100μmの大きさであった。
この複合体を実施例(1)および(2)と同様に中間焼
鈍なしで0.4mflの長尺線に加工した。次いでアル
ゴン雰囲気の石英管に封入したのち、650 U X
50時間の拡散熱処理を行った。このように作製した試
料の超電導特性の臨界電流(Ic)および臨界温度(T
c)の測定結果を表2に示す。また表2には同様な方法
で作製した錫に1’%l’a族元素を添加しない線材(
比較例3)の測定結果も示す。測定結果から比較例3に
比べ本実施例の線材は超電導特性のIcおよびTcの向
上が顕著である。
鈍なしで0.4mflの長尺線に加工した。次いでアル
ゴン雰囲気の石英管に封入したのち、650 U X
50時間の拡散熱処理を行った。このように作製した試
料の超電導特性の臨界電流(Ic)および臨界温度(T
c)の測定結果を表2に示す。また表2には同様な方法
で作製した錫に1’%l’a族元素を添加しない線材(
比較例3)の測定結果も示す。測定結果から比較例3に
比べ本実施例の線材は超電導特性のIcおよびTcの向
上が顕著である。
表2
図1、図2および図3はそれぞれ実施例1.2および3
にて実施した不発明の複合体断面形状。図中1はIVa
族元素を含有した錫合金または、■a族元素および銅を
含有した錫合金基体、2はニオブ基体、3は銅基体を示
す。
にて実施した不発明の複合体断面形状。図中1はIVa
族元素を含有した錫合金または、■a族元素および銅を
含有した錫合金基体、2はニオブ基体、3は銅基体を示
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 錫合金基体およびニオブ基体の三者より成る複合体を作
製し、これを線、テープあるいは管に加工したのち、4
00〜950Cでの拡散熱処理によりニオブ基体の周囲
にチタン、ジルコニウムあるいはノ・フニウムを含有し
たNb5Sn化合物相を生成させることを特徴とするN
b l Sn超電導線材の製造法。 (2)錫合金基体としてチタン、ジルコニウムおよびハ
フニウムのうちから選ばれた1種または2種以上を合計
して0.1〜15原子係含み、さらに銅を2〜30原子
係含む錫合金を用いることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58193425A JPS6086704A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | Νb↓3Sn超電導線材の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58193425A JPS6086704A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | Νb↓3Sn超電導線材の製造法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1070556A Division JPH0272511A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | Nb↓3Sn超電導線材の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086704A true JPS6086704A (ja) | 1985-05-16 |
| JPH0349163B2 JPH0349163B2 (ja) | 1991-07-26 |
Family
ID=16307753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58193425A Granted JPS6086704A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | Νb↓3Sn超電導線材の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086704A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS643918A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Furukawa Electric Co Ltd | Manufacture of superconductive wire |
| JP2015185211A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | Nb3Sn超伝導線材の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59108202A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-22 | 住友電気工業株式会社 | Nb↓3Sn化合物超電導線の製造方法 |
| JPS59209210A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | 住友電気工業株式会社 | Nb↓3Sn化合物超伝導線およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-10-18 JP JP58193425A patent/JPS6086704A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59108202A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-22 | 住友電気工業株式会社 | Nb↓3Sn化合物超電導線の製造方法 |
| JPS59209210A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | 住友電気工業株式会社 | Nb↓3Sn化合物超伝導線およびその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS643918A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Furukawa Electric Co Ltd | Manufacture of superconductive wire |
| JP2015185211A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | Nb3Sn超伝導線材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0349163B2 (ja) | 1991-07-26 |
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