JPS6088559U - 高周波半導体素子 - Google Patents

高周波半導体素子

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JPS6088559U
JPS6088559U JP18232783U JP18232783U JPS6088559U JP S6088559 U JPS6088559 U JP S6088559U JP 18232783 U JP18232783 U JP 18232783U JP 18232783 U JP18232783 U JP 18232783U JP S6088559 U JPS6088559 U JP S6088559U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency semiconductor
high frequency
semiconductor device
thermal resistance
semiconductor element
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Pending
Application number
JP18232783U
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English (en)
Inventor
大橋　光雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS6088559U publication Critical patent/JPS6088559U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の高周波半導体素子を実装した装置の断面
図、第２図は第１図の半導体チップ発熱部から冷却装置
の冷却面までの放熱等価回路図、第３図はこの考案の一
実施例による冷却装置を内蔵した高周波半導体素子実装
装置の断面図、第４図は第３図の半導体チップ発熱部か
ら冷却装置の冷却面までの放熱等価回路図である。 図において、Ｈｉ半導体チップ、２は半田、３は半導体
金属ベース、４は半導体チップを覆うカバー、５は高周
波半導体素子、６はシャーシ、７は冷却装置、８は放熱
器、９は装置カバー、２１は半導体チップの動作層の発
熱部、２２は半導体チップの熱抵抗、２３は半田の熱抵
抗、２４は半導体金属ベースの熱抵抗、２５は半導体金
属ベーストシャーシ間の接触熱抵抗、２６はシャーシの
熱抵抗、２７はシャーシと冷却装置間の接触熱抵抗、２
８は冷却装置の冷却面温度、３１は冷却装置、３２は冷
却装置付高周波半導体素子。各図中の同一符号は同一゛
または相当部分を示す。 補正　昭５９−４２５ 実用新案登録請求の範囲を次のように補正する。 Ｏ実用新案登録請求の範囲 一為、熱抵抗の低減を目的とした構造を持ち、さらにペ
ルチェ冷却効果の利用による装置を内蔵した一高周波半
導体素子。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. パッケージ内に冷却効果を高める為、熱抵抗の低減を目
    的とした構造を持ち、さらに半導体素子をペルチェ冷却
    効果の利用による装置を内蔵する高周波半導体素子。
JP18232783U 1983-11-24 1983-11-24 高周波半導体素子 Pending JPS6088559U (ja)

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