JPS6089821A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS6089821A JPS6089821A JP19712483A JP19712483A JPS6089821A JP S6089821 A JPS6089821 A JP S6089821A JP 19712483 A JP19712483 A JP 19712483A JP 19712483 A JP19712483 A JP 19712483A JP S6089821 A JPS6089821 A JP S6089821A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film layer
- film
- protective film
- metal thin
- layer
- Prior art date
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- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は強磁性金属薄膜層を磁気記録層とする磁気記
録媒体に関し、、その目的とするところは、耐久性およ
び耐帛性に優れた前記の磁気記録媒体を提供することに
ある。
録媒体に関し、、その目的とするところは、耐久性およ
び耐帛性に優れた前記の磁気記録媒体を提供することに
ある。
強磁性金属薄膜層を磁気記録層とする磁気記録媒体は、
通雷、金属もしくはそれらの合金などを真空参看等によ
って基体フィルム上に被着してつくられ、高密度記録に
適した特性を有するが、反、面磁気ヘッドとの摩擦係弊
が大きくて摩耗や損傷を受け易く、また空気中で徐々に
酸化を受けて最大磁束密度などの磁気特性が劣化するな
どのEIt点がある。
通雷、金属もしくはそれらの合金などを真空参看等によ
って基体フィルム上に被着してつくられ、高密度記録に
適した特性を有するが、反、面磁気ヘッドとの摩擦係弊
が大きくて摩耗や損傷を受け易く、また空気中で徐々に
酸化を受けて最大磁束密度などの磁気特性が劣化するな
どのEIt点がある。
このため、従来から強磁性金属薄膜層上に種々の保護膜
層を設&Jるなどして耐久性および耐食性を改善するこ
とが行われており、被膜性のよい樹脂を溶剤に溶解して
強磁性金属薄膜層上に塗布したり、あるいは近年におい
ては、プラズマ重合やスパフタリング等の方法によって
、有機高分子化合物からなる保護膜層を強磁性金属薄膜
層上に設けることが提案されている。
層を設&Jるなどして耐久性および耐食性を改善するこ
とが行われており、被膜性のよい樹脂を溶剤に溶解して
強磁性金属薄膜層上に塗布したり、あるいは近年におい
ては、プラズマ重合やスパフタリング等の方法によって
、有機高分子化合物からなる保護膜層を強磁性金属薄膜
層上に設けることが提案されている。
ところが、これらの有機高分子化合物からなる保護膜層
は、強磁性金属薄膜層に対する接着性が良好でなく、磁
気ヘッドとの摺接によって比較的短時間で保護膜層が剥
離、破壊したり、高温多湿の条件下では保護膜層下の強
磁性金属薄膜層が比較的短時間で腐食したり保護膜層が
剥離したりする場合があり、未だ耐久性および耐食性は
充分に改善されていない。
は、強磁性金属薄膜層に対する接着性が良好でなく、磁
気ヘッドとの摺接によって比較的短時間で保護膜層が剥
離、破壊したり、高温多湿の条件下では保護膜層下の強
磁性金属薄膜層が比較的短時間で腐食したり保護膜層が
剥離したりする場合があり、未だ耐久性および耐食性は
充分に改善されていない。
この発明者は、かかる現状に鑑み種々検討を行った結果
、まず、強磁性金属薄膜層の表面に燐酸エステルもしく
はその塩を被着させ、次いでこの燐酸エステルもしくは
その塩を介してこの上に樹脂を溶剤に溶解して塗布する
か、または有機化合物のモノマーガスをプラズマ重合す
るか、あるいは耐熱性樹脂をスパフタリングするなどし
て、有機高分子化合物からなる保護膜層を形成すると、
燐酸エステルもしくはその塩が強磁性金属薄1*層の表
面に強固に結合するとともに前記の有機高分子化合物か
らなる保護膜層に対して良好な接着性を有するため、こ
の燐酸エステルもしくはその塩を介して前記の有機高分
子化合物からなる保護膜層が強磁性金属薄膜層上に強固
に被着され、耐久性および耐食性が充分に改善されるこ
とを見いだし、この発明をなすに至った。
、まず、強磁性金属薄膜層の表面に燐酸エステルもしく
はその塩を被着させ、次いでこの燐酸エステルもしくは
その塩を介してこの上に樹脂を溶剤に溶解して塗布する
か、または有機化合物のモノマーガスをプラズマ重合す
るか、あるいは耐熱性樹脂をスパフタリングするなどし
て、有機高分子化合物からなる保護膜層を形成すると、
燐酸エステルもしくはその塩が強磁性金属薄1*層の表
面に強固に結合するとともに前記の有機高分子化合物か
らなる保護膜層に対して良好な接着性を有するため、こ
の燐酸エステルもしくはその塩を介して前記の有機高分
子化合物からなる保護膜層が強磁性金属薄膜層上に強固
に被着され、耐久性および耐食性が充分に改善されるこ
とを見いだし、この発明をなすに至った。
この発明で使用される燐酸エステルもしくはその塩とし
ては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル燐酸もしく
はその塩、アルキル燐酸エステルもしくばその塩などが
好ましく使用され、これらの燐酸エステルもしくはその
塩は、金属との親和性がよく金属表面に強固に結合する
とともに有機高分子化合物とのなじみもよい。従って″
、この種の燐酸エステルもしくはその塩は強磁性金属か
らなる強磁性金属薄膜層」二に良好に被着されて被験が
形成され、この上に有機高分子化合物からなる保護膜層
が形成されると、これらの有機高分子化合物からなる保
護膜層ともなじみがよいため、有機高分子化合物からな
る保護膜層がこの種のリン酸エステルもしくはその塩を
介し゛ζ強磁性金属薄膜層上に良好な接着性で強固に被
着される。その結果有機高分子化合物からなる保護膜層
の強磁性金属薄膜層に対する接着性は改善され、たとえ
高温多湿の条件下にあっても保護膜N)の強磁性金属薄
膜層が腐食したり、また保護I!ii!屓が剥離したり
することもなり、耐久性および耐食性が充分に向上され
る。
ては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル燐酸もしく
はその塩、アルキル燐酸エステルもしくばその塩などが
好ましく使用され、これらの燐酸エステルもしくはその
塩は、金属との親和性がよく金属表面に強固に結合する
とともに有機高分子化合物とのなじみもよい。従って″
、この種の燐酸エステルもしくはその塩は強磁性金属か
らなる強磁性金属薄膜層」二に良好に被着されて被験が
形成され、この上に有機高分子化合物からなる保護膜層
が形成されると、これらの有機高分子化合物からなる保
護膜層ともなじみがよいため、有機高分子化合物からな
る保護膜層がこの種のリン酸エステルもしくはその塩を
介し゛ζ強磁性金属薄膜層上に良好な接着性で強固に被
着される。その結果有機高分子化合物からなる保護膜層
の強磁性金属薄膜層に対する接着性は改善され、たとえ
高温多湿の条件下にあっても保護膜N)の強磁性金属薄
膜層が腐食したり、また保護I!ii!屓が剥離したり
することもなり、耐久性および耐食性が充分に向上され
る。
このような燐酸エステルもしくはその塩は、トルエンな
どの適当な溶剤に溶解し、溶解によって得られた溶液中
に強磁性金属薄膜層を浸漬するか、あるいは上記溶液を
強磁性金属薄膜層の表面に塗布もしくは噴霧するなどの
方法で強磁性金属薄膜層上に被着される。被着量は強磁
性金属薄膜層上に2〜500人の被験が形成される範囲
内で被着させるのが好ましく、2八より膜厚が薄いと所
期の効果が得られず、500人より膜厚が厚いと接着力
が低下する。このように被着量は2〜500人の被験が
形成される範囲内で被着させるのが好ましく、5〜10
0人の被膜が形成される範囲内で被着させるのがより好
ましい。
どの適当な溶剤に溶解し、溶解によって得られた溶液中
に強磁性金属薄膜層を浸漬するか、あるいは上記溶液を
強磁性金属薄膜層の表面に塗布もしくは噴霧するなどの
方法で強磁性金属薄膜層上に被着される。被着量は強磁
性金属薄膜層上に2〜500人の被験が形成される範囲
内で被着させるのが好ましく、2八より膜厚が薄いと所
期の効果が得られず、500人より膜厚が厚いと接着力
が低下する。このように被着量は2〜500人の被験が
形成される範囲内で被着させるのが好ましく、5〜10
0人の被膜が形成される範囲内で被着させるのがより好
ましい。
このような燐酸エステルもしくはその塩が被着された強
磁性金属i膜層の表面に、さらにこれらの燐酸エステル
もしくはその塩を介して被着形成される有機高分子化合
物からなる保護I!ii層は、この保gi映層が樹脂を
溶剤に溶解し塗布して形成される場合は、塩化ビニル−
酢酸ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール樹脂、繊
維素系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂
、ABS樹脂、メチルメタアクリレート等の被膜性の良
好な樹脂を適当な有ta溶剤に溶解し、強磁性金属薄膜
層上に塗布し乾燥して形成される。このようにして形成
される樹脂からなる保護1!iti 層は被膜性が良好
で自己潤滑性を有するとともに迫瓜な硬さを有し、従っ
てこの樹脂からなる保6’A I¥層が燐酸エステルも
しくはその塩を介し゛ζζ強磁性金属薄膜層上形成され
ると、強磁性金属薄膜1iとの接着性も良好で耐IT耗
性および耐食性が向上される。このような樹脂からなる
保護膜層の膜厚は、300〜3000人の範囲内である
ことが好ましり、11!;l!厚が薄ずぎるとこの保護
膜層にょる#i(天性および耐食性の効果が充分に発揮
されず、厚ずぎるとスペーシングロスが大きく成りすぎ
て電磁変換特性に悪影響を及ばず。
磁性金属i膜層の表面に、さらにこれらの燐酸エステル
もしくはその塩を介して被着形成される有機高分子化合
物からなる保護I!ii層は、この保gi映層が樹脂を
溶剤に溶解し塗布して形成される場合は、塩化ビニル−
酢酸ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール樹脂、繊
維素系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂
、ABS樹脂、メチルメタアクリレート等の被膜性の良
好な樹脂を適当な有ta溶剤に溶解し、強磁性金属薄膜
層上に塗布し乾燥して形成される。このようにして形成
される樹脂からなる保護1!iti 層は被膜性が良好
で自己潤滑性を有するとともに迫瓜な硬さを有し、従っ
てこの樹脂からなる保6’A I¥層が燐酸エステルも
しくはその塩を介し゛ζζ強磁性金属薄膜層上形成され
ると、強磁性金属薄膜1iとの接着性も良好で耐IT耗
性および耐食性が向上される。このような樹脂からなる
保護膜層の膜厚は、300〜3000人の範囲内である
ことが好ましり、11!;l!厚が薄ずぎるとこの保護
膜層にょる#i(天性および耐食性の効果が充分に発揮
されず、厚ずぎるとスペーシングロスが大きく成りすぎ
て電磁変換特性に悪影響を及ばず。
また、有機化合物のモノマーガスのプラズマ重合によっ
てプラズマ重合保護膜層が形成される場合は、処理槽内
で、炭化水素系化合物、)・、素糸有機化合物およびケ
イ素系有機化合物等のモノマーガスを、高周波によりプ
ラズマ重合させて、前記vj酸エステルもしくはその塩
が被着された強磁性金属薄膜層上に析出することにょっ
゛ζ形成される。このプラズマ重合保護11Jを形成す
るのに使用するモノマーガスとしては、たとえは、ブ1
コバン、エチレン、プロピレンなどの炭化水素系化合物
のモノマーガス、C2F4 、C3F6等のフ・7素系
有機化合物のモノマーガスおよびテトラメチルシラン、
オクタメチルシクロテトラシロキザン、ヘキサメチルジ
シラザン等のケイ素系有機化合物のモノマーガス等が好
ましく使用され、これらの有機化合物のモノマーガスは
、高周波によりラジカルが生成され、この生成されたラ
ジカルが反応し重合して被膜となる。このラジカルはこ
れらの有機化合物が二重結合または三重結合を有してい
たり、また末端に金属元素を有する金属塩化合物である
かあるいはOH基等の官能基を有しているほど生成しや
すいため、これら不飽和結合、金属元素および官能基等
を有するものがより好ましく使用される。またこれらの
七ツマーガスをプラズマ重合する際、アルゴンガス、ヘ
リウムガスおよび酸素ガス等のキャリアガスを併存させ
るとモノマーガスを単独でプラズマ重合する場合に比べ
て3〜5倍の速度で析出されるため、これらのキャリア
ガスを併存させて行うのが好ましい。これらのキャリア
ガスと併存させる際、その組成割合はキャリアガス対前
記有機化合物の七ツマーガスの比にして1文=I l〜
20対lの範囲内で併存さ・けるのが好ましく、キャリ
アガスが少なずぎるとわ1出迎度が低下し、多ずぎると
モノマーガスが少なくなってプラズマ重合反応に支障を
きたす。なお、炭化水素系化合物の七ツマーガスを使用
するときは、酸素ガスをキャリアガスとして使用すると
酸化反応が生じるため、酸素ガスをキャリアガスとして
使用するのは好ましくない。
てプラズマ重合保護膜層が形成される場合は、処理槽内
で、炭化水素系化合物、)・、素糸有機化合物およびケ
イ素系有機化合物等のモノマーガスを、高周波によりプ
ラズマ重合させて、前記vj酸エステルもしくはその塩
が被着された強磁性金属薄膜層上に析出することにょっ
゛ζ形成される。このプラズマ重合保護11Jを形成す
るのに使用するモノマーガスとしては、たとえは、ブ1
コバン、エチレン、プロピレンなどの炭化水素系化合物
のモノマーガス、C2F4 、C3F6等のフ・7素系
有機化合物のモノマーガスおよびテトラメチルシラン、
オクタメチルシクロテトラシロキザン、ヘキサメチルジ
シラザン等のケイ素系有機化合物のモノマーガス等が好
ましく使用され、これらの有機化合物のモノマーガスは
、高周波によりラジカルが生成され、この生成されたラ
ジカルが反応し重合して被膜となる。このラジカルはこ
れらの有機化合物が二重結合または三重結合を有してい
たり、また末端に金属元素を有する金属塩化合物である
かあるいはOH基等の官能基を有しているほど生成しや
すいため、これら不飽和結合、金属元素および官能基等
を有するものがより好ましく使用される。またこれらの
七ツマーガスをプラズマ重合する際、アルゴンガス、ヘ
リウムガスおよび酸素ガス等のキャリアガスを併存させ
るとモノマーガスを単独でプラズマ重合する場合に比べ
て3〜5倍の速度で析出されるため、これらのキャリア
ガスを併存させて行うのが好ましい。これらのキャリア
ガスと併存させる際、その組成割合はキャリアガス対前
記有機化合物の七ツマーガスの比にして1文=I l〜
20対lの範囲内で併存さ・けるのが好ましく、キャリ
アガスが少なずぎるとわ1出迎度が低下し、多ずぎると
モノマーガスが少なくなってプラズマ重合反応に支障を
きたす。なお、炭化水素系化合物の七ツマーガスを使用
するときは、酸素ガスをキャリアガスとして使用すると
酸化反応が生じるため、酸素ガスをキャリアガスとして
使用するのは好ましくない。
プラズマ重合を行う場合のガス圧および高周波の出力は
、ガス圧が高くなるほど析出速度が速くなる反面モノマ
ーガスが比較的低分子量でプラズマ重合されて硬い保護
膜層が得られず、またガス圧を低くして高周波出力を高
くすると析出速度が遅くなる反面高分子化された比較的
硬い保護膜層が得られるが、ガス圧を低くして高周波出
力を高くしずぎると、モノマーガスが粉末化してしまい
プラズマ重合保護膜層が形成されないため、ガス圧を0
.03〜5トールの範囲内とし、高周波出力を0.03
〜l W / cotの範囲内とするのが好ましく、ガ
ス圧を0.05〜1トールとし、11周波出力を0.0
5〜0.3W/cotの範囲内とするのがより好ましい
。このようにしてプラズマ重合によって析出形成される
有機化合物のプラズマ重合保護膜層は緻密で摩擦係数も
小さく、従ってこの有機化合物のプラズマ重合保護膜層
が燐酸エステルもしくはその塩を介して強磁性金属薄膜
層上に形成されると、強磁性金属薄膜層との接着性もよ
く耐摩耗性および耐食性が一段と向上する。このような
有機化合物のプラズマ重合保護膜j―のII!!厚は、
20〜1000人の範囲内であることが好ましく、膜厚
が薄ずぎるとこの保護膜層による耐久性および耐食性の
効果が充分に発揮されず、厚すぎるとスペーシングロス
が大きくなりすぎて電磁変換特性に悪影響を及ばず。
、ガス圧が高くなるほど析出速度が速くなる反面モノマ
ーガスが比較的低分子量でプラズマ重合されて硬い保護
膜層が得られず、またガス圧を低くして高周波出力を高
くすると析出速度が遅くなる反面高分子化された比較的
硬い保護膜層が得られるが、ガス圧を低くして高周波出
力を高くしずぎると、モノマーガスが粉末化してしまい
プラズマ重合保護膜層が形成されないため、ガス圧を0
.03〜5トールの範囲内とし、高周波出力を0.03
〜l W / cotの範囲内とするのが好ましく、ガ
ス圧を0.05〜1トールとし、11周波出力を0.0
5〜0.3W/cotの範囲内とするのがより好ましい
。このようにしてプラズマ重合によって析出形成される
有機化合物のプラズマ重合保護膜層は緻密で摩擦係数も
小さく、従ってこの有機化合物のプラズマ重合保護膜層
が燐酸エステルもしくはその塩を介して強磁性金属薄膜
層上に形成されると、強磁性金属薄膜層との接着性もよ
く耐摩耗性および耐食性が一段と向上する。このような
有機化合物のプラズマ重合保護膜j―のII!!厚は、
20〜1000人の範囲内であることが好ましく、膜厚
が薄ずぎるとこの保護膜層による耐久性および耐食性の
効果が充分に発揮されず、厚すぎるとスペーシングロス
が大きくなりすぎて電磁変換特性に悪影響を及ばず。
さらにスパッタリングによって耐熱性樹脂からなる保護
膜層が形成される場合は、処理槽内で、耐熱性の良好な
樹脂をアルゴンガス等の存在下で高周波によりスパッタ
リングさせて強磁性金属薄膜層上に析出することによっ
て形成される。このようなスパッタリングによって保護
膜層を形成するのに使用される樹脂は、200 ’c以
上の温度で軟化したり分解することのない耐熱性に優れ
た樹脂が好ましく使用され、200℃以下の温度で軟化
したり分解するものではスパッタリング時に分解してし
まうため好ましくない。このような耐熱性樹脂としては
、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂
、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂、ポルマリン系樹
脂、尿素系樹脂、フラン系樹脂、エポキシ系樹脂等が挙
げられ、具体例としては、カプトン、シリコーン樹脂、
テフロン、等が挙げられる。
膜層が形成される場合は、処理槽内で、耐熱性の良好な
樹脂をアルゴンガス等の存在下で高周波によりスパッタ
リングさせて強磁性金属薄膜層上に析出することによっ
て形成される。このようなスパッタリングによって保護
膜層を形成するのに使用される樹脂は、200 ’c以
上の温度で軟化したり分解することのない耐熱性に優れ
た樹脂が好ましく使用され、200℃以下の温度で軟化
したり分解するものではスパッタリング時に分解してし
まうため好ましくない。このような耐熱性樹脂としては
、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂
、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂、ポルマリン系樹
脂、尿素系樹脂、フラン系樹脂、エポキシ系樹脂等が挙
げられ、具体例としては、カプトン、シリコーン樹脂、
テフロン、等が挙げられる。
スパッタリングを行う場合のアルゴンガス等のガス圧お
よび高周波の出力は、耐熱性樹脂の分)Wなどがおこら
ないように、ガス圧を0.1−0.001トールとし、
高周波出力を0.1〜5 W / cnlの範囲内とす
るのが好ましい。このようにしてスパッタリングによっ
て析出形成される耐熱性樹脂からなる保護膜層は緻密で
摩擦係数も小さく、従ってこのll1ll熱性(ろ1脂
からなる保護膜層が燐酸エステルもしくはその塩を介し
て強磁性金属薄1薄膜層」二に形成されると、強磁性金
属薄1挨層との接着性もよく、111j摩耗性および耐
食性が一段と向」ニされる。このような耐熱性樹脂から
なる保護膜層の膜厚は20〜1000人の範囲内である
ことが好ましく、膜IIが薄ずぎると保aI膜層による
耐久性および耐食性の9)果が充分に発揮されず、厚す
ぎるとスペーシングロスが大きくなりすぎて電磁変換特
性に悪影響を及ばず。
よび高周波の出力は、耐熱性樹脂の分)Wなどがおこら
ないように、ガス圧を0.1−0.001トールとし、
高周波出力を0.1〜5 W / cnlの範囲内とす
るのが好ましい。このようにしてスパッタリングによっ
て析出形成される耐熱性樹脂からなる保護膜層は緻密で
摩擦係数も小さく、従ってこのll1ll熱性(ろ1脂
からなる保護膜層が燐酸エステルもしくはその塩を介し
て強磁性金属薄1薄膜層」二に形成されると、強磁性金
属薄1挨層との接着性もよく、111j摩耗性および耐
食性が一段と向」ニされる。このような耐熱性樹脂から
なる保護膜層の膜厚は20〜1000人の範囲内である
ことが好ましく、膜IIが薄ずぎると保aI膜層による
耐久性および耐食性の9)果が充分に発揮されず、厚す
ぎるとスペーシングロスが大きくなりすぎて電磁変換特
性に悪影響を及ばず。
強磁性金属薄膜層の形成材料としては、Co、Fe、N
i、Co−Ni合金、Co−Cr合金、Co−P合金、
Co−JJi−P合金などの強磁性材が使用され、これ
らの強磁性材からなる強磁性金属薄膜層は、真空蒸着、
イオンブレーティング、スパッタリング、メッキ等の手
段によって基体上に被着形成される。
i、Co−Ni合金、Co−Cr合金、Co−P合金、
Co−JJi−P合金などの強磁性材が使用され、これ
らの強磁性材からなる強磁性金属薄膜層は、真空蒸着、
イオンブレーティング、スパッタリング、メッキ等の手
段によって基体上に被着形成される。
また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルム、
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープ、合成樹脂フィルム、アルミニウム扱およ
びガラス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁気デ
ィスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと慴接する構造の
種々の形態を包含する。
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープ、合成樹脂フィルム、アルミニウム扱およ
びガラス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁気デ
ィスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと慴接する構造の
種々の形態を包含する。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例1
厚さlOμのポリエステルフィルムを真空蒸着装置に装
填し、lX10−5トールの真空下でコバルトを加、熱
蒸発させてポリエステルフィルム上に厚さ800人のコ
バルトからなる強磁性金属薄膜層を形成した。次に、こ
れにブライサーフA−212C(第一工業製薬社製、ポ
リオキシエチレンアルキルエーテル燐酸)の065重量
%イソプロピルアルコール溶液を塗布、乾燥して厚さ1
00へのブライサーフA−212Cからなる被膜を形成
した。次いで、第1図に示すプラズマ処理装置を使用し
、強磁性金属薄膜層を形成しかつその表面に燐酸エステ
ルを塗布、乾燥したポリエステルフィルム1を処理槽2
の内部に配設した円筒状キャン3の周側面に沿って走行
するようにセラ1〜し、処理槽2に取りつけたガス導入
管4からテトラメチルシランのモノマーガスを100s
ecmの流量で導入し、ガス圧0.5トール、電極5の
高周波出力0.3W/Cl11、ポリエステルフィルム
lの走行速度lrn/minでプラズマ重合を行い、j
yさ200人のプラズマ重合保護1liii層を形成し
た。しかる後、所定の中に裁断して第2図に示すような
ポリエステルフィルムl上に強磁性金属薄膜層8、燐酸
エステル被膜9およびプラズマ重合保護膜層10を順次
に積層形成した磁気テープAをつくった。なお、図中6
は処理槽2内を減圧するための排気系であり、7は電極
5に高周波を印加するための高周波電源である。
填し、lX10−5トールの真空下でコバルトを加、熱
蒸発させてポリエステルフィルム上に厚さ800人のコ
バルトからなる強磁性金属薄膜層を形成した。次に、こ
れにブライサーフA−212C(第一工業製薬社製、ポ
リオキシエチレンアルキルエーテル燐酸)の065重量
%イソプロピルアルコール溶液を塗布、乾燥して厚さ1
00へのブライサーフA−212Cからなる被膜を形成
した。次いで、第1図に示すプラズマ処理装置を使用し
、強磁性金属薄膜層を形成しかつその表面に燐酸エステ
ルを塗布、乾燥したポリエステルフィルム1を処理槽2
の内部に配設した円筒状キャン3の周側面に沿って走行
するようにセラ1〜し、処理槽2に取りつけたガス導入
管4からテトラメチルシランのモノマーガスを100s
ecmの流量で導入し、ガス圧0.5トール、電極5の
高周波出力0.3W/Cl11、ポリエステルフィルム
lの走行速度lrn/minでプラズマ重合を行い、j
yさ200人のプラズマ重合保護1liii層を形成し
た。しかる後、所定の中に裁断して第2図に示すような
ポリエステルフィルムl上に強磁性金属薄膜層8、燐酸
エステル被膜9およびプラズマ重合保護膜層10を順次
に積層形成した磁気テープAをつくった。なお、図中6
は処理槽2内を減圧するための排気系であり、7は電極
5に高周波を印加するための高周波電源である。
実施例2
実施例1において、ブライサーフA−212Cの0.5
重量%イソプロピルアルコール溶液に代えて、エルシン
19M(第一工業製薬社製、アルキル燐酸エステル塩)
の0.5重量%イソプロピルアルコール溶液を使用した
以外は実施例1と同様にし′ζエルン19Mからなる厚
さ200人の被11俯を形成し、磁気テープをつくった
。
重量%イソプロピルアルコール溶液に代えて、エルシン
19M(第一工業製薬社製、アルキル燐酸エステル塩)
の0.5重量%イソプロピルアルコール溶液を使用した
以外は実施例1と同様にし′ζエルン19Mからなる厚
さ200人の被11俯を形成し、磁気テープをつくった
。
実施例3
実施例■におりるプラズマ重合保護膜層の形成において
、テトラメチルシランのモノマーガスに電極5の高周波
出力0.3W/aA、ポリニスデルフィルムlの走行速
度1+n/minでプラズマ重合を行い、jvさ150
人のプラズマ重合保護1模1iを形成した以外ば実施例
1と同様にして磁気テープをつくった。
、テトラメチルシランのモノマーガスに電極5の高周波
出力0.3W/aA、ポリニスデルフィルムlの走行速
度1+n/minでプラズマ重合を行い、jvさ150
人のプラズマ重合保護1模1iを形成した以外ば実施例
1と同様にして磁気テープをつくった。
実施例4
実施例1におりるプラズマ重合保護1挨層の形成におい
て、テトラメチルシランのモノマーガスに代え“ζ、ゾ
ロパンのモノマーガスを100secmの流量で処理槽
2内に導入し、ガス圧0.51〜−ル、電極5の高周波
出力0 、3 W / a艷、ポリエステルフィルムl
の走行速度1m/minでプラズマ重合を行い、厚さ1
80人のプラズマ重合保i1 M 5を形成した以外は
実施例1と同様にして磁気テープをつくっノこ。
て、テトラメチルシランのモノマーガスに代え“ζ、ゾ
ロパンのモノマーガスを100secmの流量で処理槽
2内に導入し、ガス圧0.51〜−ル、電極5の高周波
出力0 、3 W / a艷、ポリエステルフィルムl
の走行速度1m/minでプラズマ重合を行い、厚さ1
80人のプラズマ重合保i1 M 5を形成した以外は
実施例1と同様にして磁気テープをつくっノこ。
実施例5
実施例1におりるプラズマ重合保護lI!層の形成に代
えζ、処理槽2内の電極5上にカプトンをターゲットと
してセソトシ、アルゴンガスのガス圧3×■0弓1・−
ルで電極5の高周波出力をIW/ailとしてスパッタ
リングを行・い、厚さ150人のカプトンからなる保護
膜層を形成した以外は実施例1と同様にして磁気テープ
をつくった。
えζ、処理槽2内の電極5上にカプトンをターゲットと
してセソトシ、アルゴンガスのガス圧3×■0弓1・−
ルで電極5の高周波出力をIW/ailとしてスパッタ
リングを行・い、厚さ150人のカプトンからなる保護
膜層を形成した以外は実施例1と同様にして磁気テープ
をつくった。
実施例6
実施例1にお&Jるプラズマ重合保護膜層の形成に代え
て、V A G H(U、C,C社製塩化ビニル−酢酸
ビニル−ビニルアルコール共重合体)の5ffiit%
メチルイソブチルケトン−トルエン 塗布、乾燥して厚さ800人のV A G Hからなる
保護膜層を形成した以外は実施例1と同様にして磁気テ
ープをつくった。
て、V A G H(U、C,C社製塩化ビニル−酢酸
ビニル−ビニルアルコール共重合体)の5ffiit%
メチルイソブチルケトン−トルエン 塗布、乾燥して厚さ800人のV A G Hからなる
保護膜層を形成した以外は実施例1と同様にして磁気テ
ープをつくった。
比較例1
実施例1において、プライサーフA−212Cの0 、
5fJi 量%イソプロピルアルコールを省いた以外
は実施例1と同様にして磁気テープをつくった。
5fJi 量%イソプロピルアルコールを省いた以外
は実施例1と同様にして磁気テープをつくった。
比較例2
実施例2において、ニレノン19MのOt5ffi量%
イソプロピルアルコール溶液の塗布を省いた以外は、実
施例2と同様にして磁気テープをつくった。
イソプロピルアルコール溶液の塗布を省いた以外は、実
施例2と同様にして磁気テープをつくった。
比較例3
実施例3において、プライサーフA−212C(7)
0.5重量%イソプロピルアルコール溶液の塗布を省い
た以外は実施例3と同様にして磁気テープをつくった。
0.5重量%イソプロピルアルコール溶液の塗布を省い
た以外は実施例3と同様にして磁気テープをつくった。
比較例4
実施例4において、プライサーフA−212Cの0.5
重量%イソプロピルアルコール溶液の塗布を省いた以外
は実施例4と同様にして磁気テープをつくった。
重量%イソプロピルアルコール溶液の塗布を省いた以外
は実施例4と同様にして磁気テープをつくった。
比較例5
実施例5において、プライサーフA−2 1 2Cノ0
.5ffiit%イソプロピルアルコール溶液の塗布を
省いた以外は実施例5と同様にして磁気テープをつくっ
た。
.5ffiit%イソプロピルアルコール溶液の塗布を
省いた以外は実施例5と同様にして磁気テープをつくっ
た。
比較例6
実施例6において、プライサーフA−212Cの0.5
重量%イソプロピルアルコール溶液の塗布を省いた以外
は実施例6と同様にし゛ζ磁気テープをつ(った。
重量%イソプロピルアルコール溶液の塗布を省いた以外
は実施例6と同様にし゛ζ磁気テープをつ(った。
各実施例および各比較例で得られた磁気テープについて
、接着強度を測定し、耐久性および耐食性を試験した。
、接着強度を測定し、耐久性および耐食性を試験した。
接着強度は剥離試験機を用いて剥離試験を行って測定し
、耐久性試験はVHS型ビデオテープレコーダを使用し
て得られた磁気テープのスチルライフを測定して行った
。また耐食性、試験は得られた磁気テープを60℃、9
0%RHの条件下に7日間放置して最大磁束密度を測定
し、放置前の磁気テープの最大磁束密度を100%とし
、これと比較した値でその劣化率を調べて行った。
、耐久性試験はVHS型ビデオテープレコーダを使用し
て得られた磁気テープのスチルライフを測定して行った
。また耐食性、試験は得られた磁気テープを60℃、9
0%RHの条件下に7日間放置して最大磁束密度を測定
し、放置前の磁気テープの最大磁束密度を100%とし
、これと比較した値でその劣化率を調べて行った。
下表はその結果である。
上表から明らかなように、この発明で得られた(dステ
ープ(実施例工ないし6)は、いずれも比較例1ないし
6で得られた磁気テープに比し、接着強度が強く、スチ
ルライフか長くて劣化率が小さく、このことからこの発
明によって得られる磁気記録媒体は、有機高分子化合物
からなる保護1模層の強磁性金属薄膜層に対する接着性
が良好で、その結果、耐久性および耐食性が一段と改善
されていることがわかる。
ープ(実施例工ないし6)は、いずれも比較例1ないし
6で得られた磁気テープに比し、接着強度が強く、スチ
ルライフか長くて劣化率が小さく、このことからこの発
明によって得られる磁気記録媒体は、有機高分子化合物
からなる保護1模層の強磁性金属薄膜層に対する接着性
が良好で、その結果、耐久性および耐食性が一段と改善
されていることがわかる。
第1図はプラズマ重合保護膜層を形成する際に使用する
プラズマ処理装置の1例を示す概略断面図、第2図はこ
の発明によっζ得られた磁気テープの部分拡大断面図で
ある。 ■・・・ポリエステルフィルム(基体)、8・・・強磁
性金属薄膜j督、9・・・燐酸エステル被膜、IO・・
・プラズマ重合保護膜層(有機高分子化合物保護膜層)
、A・・・磁気テープ(磁気記録媒体)特許出願人 日
立マクセル株式会社 代理人 高岡−春 第1図 A 第2図
プラズマ処理装置の1例を示す概略断面図、第2図はこ
の発明によっζ得られた磁気テープの部分拡大断面図で
ある。 ■・・・ポリエステルフィルム(基体)、8・・・強磁
性金属薄膜j督、9・・・燐酸エステル被膜、IO・・
・プラズマ重合保護膜層(有機高分子化合物保護膜層)
、A・・・磁気テープ(磁気記録媒体)特許出願人 日
立マクセル株式会社 代理人 高岡−春 第1図 A 第2図
Claims (1)
- 1、基体上に金属もしくはそれらの合金からなる強磁性
金属薄膜層牽形成し、この強磁性金属薄り層の表面に燐
酸エステルもしくはその塩を被着し、さらにこの上に有
機高分子化合物からなる保護膜層、を設、けたこ、とを
特徴とする磁気記録媒体
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19712483A JPS6089821A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19712483A JPS6089821A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6089821A true JPS6089821A (ja) | 1985-05-20 |
Family
ID=16369133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19712483A Pending JPS6089821A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6089821A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62236128A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1983
- 1983-10-20 JP JP19712483A patent/JPS6089821A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62236128A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
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