JPS6090222A - 高分子物質の放射線処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の背景と目的〕 本発明は、ポリオレフィンやナイロンなどの高分子物質
に電離性の放射線を照射して橋かけ処理する高分子物質
の放射線処理方法の改良に関するものである。

電子線などの放射線照射による橋かけ処理は、高分子物
質の耐熱性の向上や化学薬品等に対して不溶化するなど
すぐれた特性の付与に効果があることが知られている。

しかし、限られた照射エネルギーにおいては、橋かけ処
理ができる高分子物質の厚さに限度がある。放射線の吸
収線ｔは、横軸に照射面からの距離をとり縦軸に橋かけ
密度をとって示した図の曲線ＡＫ示すように、照射され
た物質の照射面付近に最大値を持ち、この照射面からの
距離が増すに従い吸収線量は減少しでゆく。

橋か妙密度は吸収線量に依存するので曲線Ａと同僚の傾
向を示す。また、照射エネルギーを増すと曲線Ｂのよう
に吸収Ｉｌｌの最大値は照射面からより離されたところ
に移動し、より厚い高分子物質の橋かけ処理が可能とな
るが、このための照射設備は著しく高価なものとなる。

そして、照射装置の持つ照射エネルギーに対し、厚さの
厚い高分子物質を照射する場合、特に照射面付近の橋か
け密夏に対して照射面より離れた部分の橋かけｍ［の低
いことが特性上の問題となっている。尚、゛放射線の照
射線量を増すことや照射する高分子物質に多官能モノマ
を添加することによっては、高分子物質の全体としての
橋かけ度を向上することは可能であるが、照射方向に対
する橋かけ密度の不均一性は解消できない。しかも１、
このような処理を施こすことにより照射面から離れた部
分に十分橋かけ処理をすると、照射面に近い部分の橋か
け密度が必要以上に増し、高分子物質の有する可撓性な
どを阻害することになる。

本発明は上記の状況に鑑みなされたものでちり、放射線
の照射方向における高分子物質の橋かけ密度の不均一性
を解消できると共に、限られた放射エネルギーを介しよ
り厚い高分子物質に均一な橋かけ処理ができる高分子物
質の放射線処理方法を提供−することを目的としたもの
である。

〔発明の概要〕

本発明の高分子物質の放射線処理方法は、ポリオレフィ
ンやナイロンなどの高分子物質に電離性放射線を照射し
橋かけ処理をする場合に、上記高分子物質の上記放射線
を照射する面と反対側面に橋かけ促進剤の多官能単量体
が含浸されている状態で、上記放射線を照射し橋かけ処
理する方法である。

本発明の高分子物質の放射線処理方法で用いられる放射
線照射により橋かけ可能な熱可塑性品分１も１１ｈ ＝〕を有する熱可逆性高分子物質である。ここで、Ｒ１
，）Ｌ２は水素、ハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ
素）セドロキシ基及び炭素数に以下の有機残基（例えば
アルキル基、アラルキル基、アリール基、アリル基、ア
ルコキシ基、カルボキシレート基、アシルオキシ基、シ
アノ基、アミド基など）で表わされる基であるが、要す
るに主鎖の反復構成単位中に（−ＣＨ−ＣＨ−）を有す
るものであればよい。ポリオキシメチレン、ポリメチル
メタクリレートなど主鎖の構成反復単位中に（−ＣＨ−
ＣＨ−）を含まない高分子物質は橋かけ促進剤を用いて
放射線照射を行なっても分解反応の方が大きく、実質的
な橋かけは起らない。

かかる高分子物質としては例えば、高密度ポリ”　ｆ　
”　”　、低９ｔｌＦ　Ｗ　；ｆ’　リエチレン、エチ
レン−酢酸ビニル共重合体、ポリプロピレン、エチレン
−プロピレン共重合体、ポリ−４−メチル−ペンテン＝
１、ポリブタジェン、ポリイノプレン、エチレン−ブタ
ジェン共重合体、エチレン−１・４−へキサジエン共重
合体、などのポリオレフィン類、ナイロン６、ナイロン
６６、ナイロン６−１Ｏ、ナイロン１１、ナイロン１２
及びこれらの共重合体からなるポリアミド類、ポリ塩化
ビニル、ポリ酢酸ビニル、スチレン−ブタジェン共重合
体、ＡＨＳ樹脂などを意味するが、これらの高分子物質
の中には６樵の安定剤、可塑剤、耐炎剤、発泡剤などが
加えられてもよい。

放射線を照射する面と反対側の面に塗布する多官能単量
体とはその分子中に複数の官能基を有するもので、例え
ば、エチレングリコールジメタクリレート、トリメチロ
ールプロパントリメタクリレートなどのようなメタクリ
レートを含むもの、ネオペンチルグリコールジアクリレ
ート、トリメチロールプロパントリアクリレート、テト
ラメチロールメタンテトラアクリレートなどのようにア
クリレートを含むもの、トリアリルイソシアタレートの
よりなアリル化合物が代表例として挙けられる。

〔実施例〕

以下本発明の高分子物質の放射線処理方法の実Ｍａ例を
比較例と共に＠１表により説明する。試料は、橋かけ処
理する高分子物質を厚さ３＋ｎシート状にしたエチレン
−酢酸ビニル共重合体（ＶＡ量２８％）を用い、照射電
子エネルギー１．０　Ｍ　ｅ　Ｖで試験を行った。そし
て、実施例と比較例との緒特性について第２表により説
明する。

第　１　表 第２表中のゲル分率（チ）は、キシレン中で、１１０℃
−２４時間抽出後取り出し乾燥してめた。また、加熱変
形率（チ）は、ＪＩ８に一６７２３法、ａＸ３５Ｘ３５
ｍシート、温７！［１２０℃、荷重１ｘ９．時間＃″１
１１１時間。

第　２　表 第２表において、実施例は橋かけ処理する高分子物質の
放射線を照射する面に対する反体側面に、多官能単量体
を途布含浸させたものであり、照射面と反照射面とでは
、ゲル分率値が近接しほぼ同様に架橋されており、加熱
変形率及び伸びともすぐれた特性を有しでいる。これに
対し、比較例１は多官能単量体の塗布が熾（、実施例と
同じ量の電子線を照射したものであるが、反照射面のゲ
ル分率は非常に低く、即ち、架橋が不充分のため、加熱
変形率が著しく劣る。また、比較例２は多官能単量体の
塗布がな〈実施例の２倍の量の電子線を照射したもので
あるが、照射面で分子崩壊を生じ、伸び特性が者しく劣
る。

このように本実施例の高分子物質の放射線処理方法にお
いては、高分子物質の放射線を照射する面と反対側向に
、橋かけ促進剤としての多官能単量体を塗布し含浸させ
た後、放射線を照射し橋かけ処理をするので、橋かけ高
分子物質の良好な特性を損うことなく限られた照射設備
能力において放射線の照射方向における高分子物質の橋
かけ密度の不均一性を解消しより厚い高分子物質も均一
に架橋することができる。

また、電線、ケーブルの絶縁体やシース材料に橋かけ処
理を施こすことは、耐熱性などの特性を付与するために
よく行われている。この場合に、この絶縁体やシースの
照射向と反対側の面、即ち内側に直接多官能単量体を塗
布することは、その構造上から困難でるる。このため、
照射処理する絶縁体やシースを導体またはコア上に被覆
する前にこの導体またはコア上に多官能単量体を塗布す
れば、導体またはコア上の多官能単量体が絶縁体やシー
スに含浸され、上記実施例と同様の作用効果が得られる
。

〔発明の効果〕

以上記述した如く本発明の高分子物質の放射線処理方法
によれば、放射線の照射方向における高分子物質の橋か
け密度の不均一性を解消できると共に、限られた放射エ
ネルギーを介しより厚い高分子物質に均一な橋かけ処理
ができる効果分有するものである。

【図面の簡単な説明】

図は高分子物質に放射線照射の場合の照射面からの距離
と橋かけ密度との関係説明図である。 手続補正書（航〕 ５９．２．０６ 昭和　年　月　日 り事件の表示 昭和　ｓｒ　年　ｇ、　ｊ′ｆ願ｆｇ　Ｉ’ｌｌ”ｌ　
ｔ　Ｏ号ａ　補正をする者 屯　代　理　人〒１００ ６、穎−、ｒＪも　明徊壜 ？、　琲正内ｙ１２　ｇすｉ１虚す ｙ、　ｓ＆、ｔ：ｔｆｒ　Ｖｒａ ｃ、）ｊ丁工ｓ％　ｔ、ｏ　ｆ−、。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、　ポリオレフィンやナイロンなどの高分子物質に電
   離性放射線を照射し橋かけ処理をする方法において、上
   記高分子物質の上記放射線を照射する面と反対側面に、
   橋かけ促進剤の多官能単量体が含浸されている状態で、
   上記放射線を照射し橋かけ処理することを特徴とする高
   分子物質の放射線処理方法。