JPS609039B2 - セフアロスポラン酸誘導体の製造法 - Google Patents
セフアロスポラン酸誘導体の製造法Info
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- JPS609039B2 JPS609039B2 JP2246575A JP2246575A JPS609039B2 JP S609039 B2 JPS609039 B2 JP S609039B2 JP 2246575 A JP2246575 A JP 2246575A JP 2246575 A JP2246575 A JP 2246575A JP S609039 B2 JPS609039 B2 JP S609039B2
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- penicillin
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は７ーアシルアミドー３−デスアセトキシセフア
ロスポラン酸誘導体の製造法に関する。
ロスポラン酸誘導体の製造法に関する。
セフアロスポラン酸誘導体の多くのものは、グラム陽・
性菌およびグラム陰性菌に対しすぐれた効果を有すると
ともに、他の抗生物質に対して抵抗性を有する菌にも効
果が高いなど、医薬用として価値の高いものである。ペ
ニシリンスルホキシドェステル緩からデスアセトキシセ
フア。
性菌およびグラム陰性菌に対しすぐれた効果を有すると
ともに、他の抗生物質に対して抵抗性を有する菌にも効
果が高いなど、医薬用として価値の高いものである。ペ
ニシリンスルホキシドェステル緩からデスアセトキシセ
フア。
スポラン酸誘導体を合成する方法に関しては、従来幾つ
かの方法が知られている。例えば、ペニシリンスルホキ
シドェステルを‘１｝無水酢酸、ｐ−トルェンスルホン
酸等の酸触媒の存在下加熱反応させる方法（米国特許第
３２７５６２６号）、■第３級カルボキサミド或は第３
級尿素溶媒中で無水酢酸等の酸触媒と加熱反応させる方
法（特公昭４７一２５０７２号）、湖リン酸、有機ホス
ホン酸、有機スルホン酸等の酸とｐｋｂ４以上の有機窒
素塩基との塩の存在下加熱反応させる方法（特公昭４７
一１０３９４号）、‘４ーモノー○−置換オルトリン酸
、０・０ージ（アリール置換）オルトリン酸またはこれ
らとｐｋｂ４以上の有機第３級アミンとの塩の存在下加
熱仮応させる方法（椿公昭４７‐１０３９５号）、【５
）ｐｋｂ比共下の有機舎窒素塩基と臭化水素とを触媒と
して加熱反応させる方法（特関昭４９−３６６９６号）
などである。
かの方法が知られている。例えば、ペニシリンスルホキ
シドェステルを‘１｝無水酢酸、ｐ−トルェンスルホン
酸等の酸触媒の存在下加熱反応させる方法（米国特許第
３２７５６２６号）、■第３級カルボキサミド或は第３
級尿素溶媒中で無水酢酸等の酸触媒と加熱反応させる方
法（特公昭４７一２５０７２号）、湖リン酸、有機ホス
ホン酸、有機スルホン酸等の酸とｐｋｂ４以上の有機窒
素塩基との塩の存在下加熱反応させる方法（特公昭４７
一１０３９４号）、‘４ーモノー○−置換オルトリン酸
、０・０ージ（アリール置換）オルトリン酸またはこれ
らとｐｋｂ４以上の有機第３級アミンとの塩の存在下加
熱仮応させる方法（椿公昭４７‐１０３９５号）、【５
）ｐｋｂ比共下の有機舎窒素塩基と臭化水素とを触媒と
して加熱反応させる方法（特関昭４９−３６６９６号）
などである。
しかしながら、（１｝の方法はその収率が１０％以下と
低く、またその改良法である■の方法も収率の点で満足
し得るものではない。
低く、またその改良法である■の方法も収率の点で満足
し得るものではない。
（３’および【４｝についてはかなり良い収率であるが
、ピリジンなどの悪臭を有するものを使用するので作業
上好ましくない。【５｝の方法は（２｝と同様に収率の
点で満足できるものではない。本発明老らは酸と各種化
合物との組合せ触媒について詳細な研究を重ねた結果、
ポリビニルピロリドン（以下ＰＶＰと略す。
、ピリジンなどの悪臭を有するものを使用するので作業
上好ましくない。【５｝の方法は（２｝と同様に収率の
点で満足できるものではない。本発明老らは酸と各種化
合物との組合せ触媒について詳細な研究を重ねた結果、
ポリビニルピロリドン（以下ＰＶＰと略す。
）と有機スルホン酸の組合せにより〜所望の反応が促進
されてセフアロスポラン酸誘導体の収率を増大させる特
異な効果を有することを発見しト本発明を完成するに至
った。本発明の目的は「入手容易なべニシリン類からよ
り価値の高いデスアセトキシセフアロスポラン酸類の好
収率かつ簡便な経済的に価値ある製造法を提供すること
にある。
されてセフアロスポラン酸誘導体の収率を増大させる特
異な効果を有することを発見しト本発明を完成するに至
った。本発明の目的は「入手容易なべニシリン類からよ
り価値の高いデスアセトキシセフアロスポラン酸類の好
収率かつ簡便な経済的に価値ある製造法を提供すること
にある。
すなわち、本発明は一般式（１）
（式中、Ｒ，はァシル基を「Ｒ２は置換もしくは非置換
のァルキル基、ァラル基またはァリール基を示す。
のァルキル基、ァラル基またはァリール基を示す。
）で示されるペニシリンスルホキシドェステル類を不活
性溶媒の存在下にポリビニルピロリドンと有機スルホン
酸と共に加熱反応させることを特徴とする一般式（０）
で示されるように脱水反応であるから、反応によって生
成される水を除去することにより反応を促進し、目的物
の収率を増大させることができる。
性溶媒の存在下にポリビニルピロリドンと有機スルホン
酸と共に加熱反応させることを特徴とする一般式（０）
で示されるように脱水反応であるから、反応によって生
成される水を除去することにより反応を促進し、目的物
の収率を増大させることができる。
（式中「Ｒ，およびＲ２は前述のとおりである。）で示
される７−アシルアミドー３ーデスアセトキシセフアロ
スポラン酸誘導体の製造法である。本発明者らの研究に
よれば「ＰＶＰはペニシリンスルホキシドェステル類に
とって不活性なものではなくト溶媒中で加熱すると分解
を促進するものであるが「種々の酸のなかで有機スルホ
ン酸との組合せにおいてのみ、所望の反応を促進する特
異な効果を示し他の酸、例えば、リン酸、フェニルホス
ホン酸「トリフロロ酢酸、無水酢酸などの組合せでは「
目的のデスアセトキシセフアロスポラン酸誘導体は低収
率で得られるか、または殆ど生成せずに他の創生物に変
化する。本発明を実施するには、一般式（１）で示され
るペニシリンスルホキシドヱステル、不活性有機溶媒、
ＰＶＰと有機スルホン酸との混合物を加熱反応させた後
、冷却して大部分のＰＶＰを油状物として遊離し、上燈
反応液を分取し「次いで通常の処理法を行う。
される７−アシルアミドー３ーデスアセトキシセフアロ
スポラン酸誘導体の製造法である。本発明者らの研究に
よれば「ＰＶＰはペニシリンスルホキシドェステル類に
とって不活性なものではなくト溶媒中で加熱すると分解
を促進するものであるが「種々の酸のなかで有機スルホ
ン酸との組合せにおいてのみ、所望の反応を促進する特
異な効果を示し他の酸、例えば、リン酸、フェニルホス
ホン酸「トリフロロ酢酸、無水酢酸などの組合せでは「
目的のデスアセトキシセフアロスポラン酸誘導体は低収
率で得られるか、または殆ど生成せずに他の創生物に変
化する。本発明を実施するには、一般式（１）で示され
るペニシリンスルホキシドヱステル、不活性有機溶媒、
ＰＶＰと有機スルホン酸との混合物を加熱反応させた後
、冷却して大部分のＰＶＰを油状物として遊離し、上燈
反応液を分取し「次いで通常の処理法を行う。
処理法としては、例えば反応液を冷却して大部分のＰＶ
Ｐを分離し、上燈液を減圧下に溶媒を留去しし残留物に
適当な溶媒、例えば水「メタノール「エタノール、ジオ
キサン、酢酸エチル等を加え、析出する結晶を濃取し、
分離されたＰＶＰ層は次の反応に使用することができる
。得られた粗結晶を更に精製する必要があるときは〜カ
ラムクロマトグラフィーまたは再結晶などによって高純
度のものを得ることができる。更につけ加えれば、本反
応は次式 生成する水の除去法としては、水と英沸するような溶媒
を使用して共沸蒸留する物理的方法と酸無水物などによ
る水の不活性化の化学的方法がとられる。
Ｐを分離し、上燈液を減圧下に溶媒を留去しし残留物に
適当な溶媒、例えば水「メタノール「エタノール、ジオ
キサン、酢酸エチル等を加え、析出する結晶を濃取し、
分離されたＰＶＰ層は次の反応に使用することができる
。得られた粗結晶を更に精製する必要があるときは〜カ
ラムクロマトグラフィーまたは再結晶などによって高純
度のものを得ることができる。更につけ加えれば、本反
応は次式 生成する水の除去法としては、水と英沸するような溶媒
を使用して共沸蒸留する物理的方法と酸無水物などによ
る水の不活性化の化学的方法がとられる。
更に有利には、共鍵蒸留された含水留出物から分離され
た溶媒を脱水剤で乾燥して反応系にもどす方式をとるこ
とである。例えば無水塩化カルシウム、無水硫酸ソーダ
、ゼオラィト、シリカゲルなどがこの目的に使用される
。本発明で原料として使用される（１）式で示されるペ
ニシリンスルホキシドェステルは、対応するペニシリン
を酸化後ェステル化するか、あるいは、対応するペニシ
リンェステルを酸化することによって容易に得られる。
た溶媒を脱水剤で乾燥して反応系にもどす方式をとるこ
とである。例えば無水塩化カルシウム、無水硫酸ソーダ
、ゼオラィト、シリカゲルなどがこの目的に使用される
。本発明で原料として使用される（１）式で示されるペ
ニシリンスルホキシドェステルは、対応するペニシリン
を酸化後ェステル化するか、あるいは、対応するペニシ
リンェステルを酸化することによって容易に得られる。
（１）式のＲ，が各種のアシル基をとり得るので、数多
くのペニシリン譲導体が対象となるが、入手し易さと価
格の理由で、フヱノキシメチルベニシリン（ペニシリン
Ｖ）またはペンジルベニシリン（ペニシリンＧ）ェステ
ルのスルホキシドが好適である。またェステル基として
は各種のものがあげられるが、最終的には容易に除去さ
れるものが好ましいので、特に２・２・２−トリクロル
エチルエステル、Ｐ−ニトロベンジルエステル、または
ｐーメトキシベンジルェステル等が好適なェステルであ
る。使用されるＰＶＰとしては、その重合度には特に制
限なく、通常市販されているものがそのま）使用され、
例えば平均分子量が１万のものから約４０万のものまで
同じ様に使用することができる。その使用量は、溶媒量
１００の‘に対して５〜３０夕の割合が好ましい。有機
スルホン酸としては、例えばメタンスルホン酸、ェタン
スルホン酸などのアルキルスルホン酸、ベンゼンスルホ
ン酸、ｐ−メチルまたはｐークロルベンゼンスルホン酸
のような置換ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン
酸、または非置換または置換ペンジルスルホン酸などが
あげられる。
くのペニシリン譲導体が対象となるが、入手し易さと価
格の理由で、フヱノキシメチルベニシリン（ペニシリン
Ｖ）またはペンジルベニシリン（ペニシリンＧ）ェステ
ルのスルホキシドが好適である。またェステル基として
は各種のものがあげられるが、最終的には容易に除去さ
れるものが好ましいので、特に２・２・２−トリクロル
エチルエステル、Ｐ−ニトロベンジルエステル、または
ｐーメトキシベンジルェステル等が好適なェステルであ
る。使用されるＰＶＰとしては、その重合度には特に制
限なく、通常市販されているものがそのま）使用され、
例えば平均分子量が１万のものから約４０万のものまで
同じ様に使用することができる。その使用量は、溶媒量
１００の‘に対して５〜３０夕の割合が好ましい。有機
スルホン酸としては、例えばメタンスルホン酸、ェタン
スルホン酸などのアルキルスルホン酸、ベンゼンスルホ
ン酸、ｐ−メチルまたはｐークロルベンゼンスルホン酸
のような置換ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン
酸、または非置換または置換ペンジルスルホン酸などが
あげられる。
その使用量は、通常原料（１）の１モルに対し、０．０
３〜０．３モルが好ましい。溶媒としては不活性な溶媒
、例えば、ベンゼン、トルエソ、キシレン、クロルベン
ゼンなどの芳香族系溶媒、ケトン系、ジオキサン、エチ
レングリコールのジメチルエーテルなどのエーテル系、
酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチルなどのェステル
系などの溶媒が適当であり、また、これらを適当に混合
しても使用できる。
３〜０．３モルが好ましい。溶媒としては不活性な溶媒
、例えば、ベンゼン、トルエソ、キシレン、クロルベン
ゼンなどの芳香族系溶媒、ケトン系、ジオキサン、エチ
レングリコールのジメチルエーテルなどのエーテル系、
酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチルなどのェステル
系などの溶媒が適当であり、また、これらを適当に混合
しても使用できる。
その使用量については、特に制限はないが、通常原料（
１）の３〜３の音（重量比）が使用される。反応温度は
８０〜１５０つ０の範囲が好ましく、特に好ましくは９
ぴ０〜１３０ｑｏである。
１）の３〜３の音（重量比）が使用される。反応温度は
８０〜１５０つ０の範囲が好ましく、特に好ましくは９
ぴ０〜１３０ｑｏである。
反応時間は、反応条件例えば、反応温度、触媒の使用量
、溶媒の種類及びその量、原料（１）の種類及び脱水剤
または脱水操作の有無などの条件によって変り得るが、
通常１〜１幼時間の範囲内で終了させることができ、温
度が高いときは短時間、低温のときは長時間反応を続け
る様配慮する。
、溶媒の種類及びその量、原料（１）の種類及び脱水剤
または脱水操作の有無などの条件によって変り得るが、
通常１〜１幼時間の範囲内で終了させることができ、温
度が高いときは短時間、低温のときは長時間反応を続け
る様配慮する。
本発明によれば、反応終了液を冷却することにより、大
部分のＰＶＰは粘鋼な油状物として遊離し、上澄反応液
より簡単な操作で純度の高い３−デスアセトキシセフア
ロスポラン酸誘導体が収率よく取得できる。
部分のＰＶＰは粘鋼な油状物として遊離し、上澄反応液
より簡単な操作で純度の高い３−デスアセトキシセフア
ロスポラン酸誘導体が収率よく取得できる。
次に実施例によって本発明を具体的に説明する。
実施例 １
ペニシリンＶスルホキシドの２・２・２ートリクロルエ
チルエステル（１０．０夕〜２０ミリモル）をジオキサ
ンートルェン（１：１）１００舷に溶解した。
チルエステル（１０．０夕〜２０ミリモル）をジオキサ
ンートルェン（１：１）１００舷に溶解した。
パラトルェンスルホン酸１水塩（以下実施例中ｐ−ＴＳ
Ａと略す）の１０％ジオキサン溶液３．８の‘（２ミリ
モル）及びＰＶＰ平均分子４００００、２０夕を添加し
、５時間還流した。冷却後二層に別れたもののうち溶媒
層を分取した。ＰＶＰ層には酢酸エチル５０の‘を加え
て洗浄し、さらにこの酢酸エチルによる洗浄を行い、こ
れらの酢酸エチル液を先の反応溶媒と合せ、ついで、溶
媒を留去することにより淡黄色の多泡質固体を得た。こ
のものに小量のメタノールを加えて縄拝した後、これを
濃別、乾燥して白色の結晶（６．５９、収率６７．７％
、ｍｐ８９一９２℃）を得た。これはシリカゲルＴＬＣ
（酢酸エチル−へキサン３：７）にて単一スポットを与
え、液体クロマトグラフィー、充填剤コラジルーＣＩ＆
（展開液メタノール−水５５：４５）にても単一のピー
クを与え、ＩＲ、ＰＭＲ、旋光度から、２・２・２ート
リクロロエチルー３−メチル一７８ーフエノキシアセト
アミドー３ーセフエムー４ーカルボキシレート（以下実
施例中目的物という）であることを確認した。実施例
２ 平均分子量３６００００のＰＶＰを用いて実施例１と同
様に反応、処理を行って、目的物（６．６夕、収率６８
．８％、ｍｐ８８−９２０）を得た。
Ａと略す）の１０％ジオキサン溶液３．８の‘（２ミリ
モル）及びＰＶＰ平均分子４００００、２０夕を添加し
、５時間還流した。冷却後二層に別れたもののうち溶媒
層を分取した。ＰＶＰ層には酢酸エチル５０の‘を加え
て洗浄し、さらにこの酢酸エチルによる洗浄を行い、こ
れらの酢酸エチル液を先の反応溶媒と合せ、ついで、溶
媒を留去することにより淡黄色の多泡質固体を得た。こ
のものに小量のメタノールを加えて縄拝した後、これを
濃別、乾燥して白色の結晶（６．５９、収率６７．７％
、ｍｐ８９一９２℃）を得た。これはシリカゲルＴＬＣ
（酢酸エチル−へキサン３：７）にて単一スポットを与
え、液体クロマトグラフィー、充填剤コラジルーＣＩ＆
（展開液メタノール−水５５：４５）にても単一のピー
クを与え、ＩＲ、ＰＭＲ、旋光度から、２・２・２ート
リクロロエチルー３−メチル一７８ーフエノキシアセト
アミドー３ーセフエムー４ーカルボキシレート（以下実
施例中目的物という）であることを確認した。実施例
２ 平均分子量３６００００のＰＶＰを用いて実施例１と同
様に反応、処理を行って、目的物（６．６夕、収率６８
．８％、ｍｐ８８−９２０）を得た。
実施例 ３
ペニシリンＶスルホキシドの２・２０２ートリクロロエ
チルヱステル（５．０夕、１０ミリモル）をジオキサン
５０Ｍに溶解した。
チルヱステル（５．０夕、１０ミリモル）をジオキサン
５０Ｍに溶解した。
８−ナフタレンスルホン酸１水塩の１０％ジオキサン溶
液２．３のと（１ミリモル）及び平均分子量４００００
のＰＶＰＩＯ夕を添加し「 ７時間還流した。
液２．３のと（１ミリモル）及び平均分子量４００００
のＰＶＰＩＯ夕を添加し「 ７時間還流した。
実施例１と同様に処理して目的物（３１夕、収率６４．
６％、聡−９２００）を得た。実施例 ４ ペニシリンＶスルホキサイドの２０２０２−トリクロロ
エチルエステル（５．０夕、１０ミリモル）をジオキサ
ンートルェン（１：１）５０地に熔解した。
６％、聡−９２００）を得た。実施例 ４ ペニシリンＶスルホキサイドの２０２０２−トリクロロ
エチルエステル（５．０夕、１０ミリモル）をジオキサ
ンートルェン（１：１）５０地に熔解した。
ｐ−ＴＳＡの１０％ジオキサン溶液１．９の【（１ミリ
モル）及び平均分子量４００００のＰＶＰＩＯ夕を添加
し、還流した溶媒が塩化カルシウム管を通って反応系に
もどる装置を付属させて５時間還流を行ない、実施例１
と同様に処理して目的物（３．６夕、収率７５．０％、
ｍｐ８９−９〆０）を得た。実施例 ５ペニシリンＧス
ルホキサイドの２８２０２−トリクロロエチルヱステル
（４．８夕、１０ミリモル）をジオキサンートルェン（
１；１）５０枕‘に溶解した。
モル）及び平均分子量４００００のＰＶＰＩＯ夕を添加
し、還流した溶媒が塩化カルシウム管を通って反応系に
もどる装置を付属させて５時間還流を行ない、実施例１
と同様に処理して目的物（３．６夕、収率７５．０％、
ｍｐ８９−９〆０）を得た。実施例 ５ペニシリンＧス
ルホキサイドの２８２０２−トリクロロエチルヱステル
（４．８夕、１０ミリモル）をジオキサンートルェン（
１；１）５０枕‘に溶解した。
ｐ−ＴＳＡのｉｏ％ジオキサン溶液１．０の‘（０．５
ミリモル）及び平均分子量４００００のＰＶＰ５夕を添
加し、７時間還流した。反応後実施例１と同様に処理し
て白色の結晶（３．２夕〜６９．６％、ｍｐ１５９−１
６２℃）を得た。ＴＬＣ、液体クロマトグラフィーにて
単一であり〜ＩＲ、ＰＭＲ、旋光度より２０２Ｇ２−ト
リクロロエチル−３−メチル−７８−フエニルアセトア
ミド−３−セフエム−４−力ルボキシレートであること
を確認した。実施例 ６ ペニシリンＶスルホキサイドのｐ−ニトロベンジルエス
テル（５・０夕、１０ミリモル）をイソプロピルアセト
ンーキシレン（１：１）５０の‘に溶解した。
ミリモル）及び平均分子量４００００のＰＶＰ５夕を添
加し、７時間還流した。反応後実施例１と同様に処理し
て白色の結晶（３．２夕〜６９．６％、ｍｐ１５９−１
６２℃）を得た。ＴＬＣ、液体クロマトグラフィーにて
単一であり〜ＩＲ、ＰＭＲ、旋光度より２０２Ｇ２−ト
リクロロエチル−３−メチル−７８−フエニルアセトア
ミド−３−セフエム−４−力ルボキシレートであること
を確認した。実施例 ６ ペニシリンＶスルホキサイドのｐ−ニトロベンジルエス
テル（５・０夕、１０ミリモル）をイソプロピルアセト
ンーキシレン（１：１）５０の‘に溶解した。
ｐ−ＴＳＡの１０％ジオキサン溶液１．９の乙（１．０
ミリモル）及び平均分子量４００００のＰＶＰＩＯ夕を
添加し、３時間還流した。反応後実施例１と同様に処理
して淡黄色の結晶（３．３夕、６８．８％、ｍｐ１８４
−１８７０）を得た。これはＴＬＣ、液体クロマトグラ
フィーにて単一であり、ＩＲ、ＰＭＲなどより、ｐ−ニ
トロベンジルー３−メチル−７８ーフエノキシアセトア
ミド−３−セフエム−４−力ルボキシレートであること
を確認した。実施例 ７ ペニシリンＶスルホキサイドの２・２４２−トリクロロ
エチルエステル（５．０夕、１０ミリモル）をジオキサ
ンートルェン（１；１）５０の‘に溶解した。
ミリモル）及び平均分子量４００００のＰＶＰＩＯ夕を
添加し、３時間還流した。反応後実施例１と同様に処理
して淡黄色の結晶（３．３夕、６８．８％、ｍｐ１８４
−１８７０）を得た。これはＴＬＣ、液体クロマトグラ
フィーにて単一であり、ＩＲ、ＰＭＲなどより、ｐ−ニ
トロベンジルー３−メチル−７８ーフエノキシアセトア
ミド−３−セフエム−４−力ルボキシレートであること
を確認した。実施例 ７ ペニシリンＶスルホキサイドの２・２４２−トリクロロ
エチルエステル（５．０夕、１０ミリモル）をジオキサ
ンートルェン（１；１）５０の‘に溶解した。
ベンゼンスルホン酸１水塩の１０％ジオキサン溶液０．
９の‘（０．５ミリモル）及び平均分子量４００００の
ＰＶＰ５夕を添加し、７時間還流した。反応後実施例１
と同様に処理して白色の結晶（３．３夕、６８。８％「
ｍｐ８９一９２００）を得た。
９の‘（０．５ミリモル）及び平均分子量４００００の
ＰＶＰ５夕を添加し、７時間還流した。反応後実施例１
と同様に処理して白色の結晶（３．３夕、６８。８％「
ｍｐ８９一９２００）を得た。
実施例 ８ペニシリンＶスルホキサイドの２０２０２ー
トリクロロエチルエステル（５．０夕、１０ミリモル）
をジオキサンートルェン（１：１）１００Ｍに溶解した
。
トリクロロエチルエステル（５．０夕、１０ミリモル）
をジオキサンートルェン（１：１）１００Ｍに溶解した
。
パラクロロベンゼンスルホン酸１水塩の１０％ジオキサ
ン溶液２．１私（１ミリモル）及び平均分子量４０００
０のＰＶＰＩＯ夕を添加し、５時間還流した。反応後実
施例１と同様に処理して白色の結晶（３。４夕「 ７０
．８％、ｍｐ８９一９〆○）を得た。
ン溶液２．１私（１ミリモル）及び平均分子量４０００
０のＰＶＰＩＯ夕を添加し、５時間還流した。反応後実
施例１と同様に処理して白色の結晶（３。４夕「 ７０
．８％、ｍｐ８９一９〆○）を得た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式（I） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１はアシル基を、Ｒ＿２は置換もしくは非
置換のアルキル基、アラル基またはアリール基を示す。 ）で示されるペニシリンスルホキシドエステル類を不活
性溶媒の存在下にポリビニルピロリドンと有機スルホン
酸と共に加熱反応させることを特徴とする一般式（II）
▲数式、化学式、表等があります▼（式中、Ｒ＿１およ
びＲ＿２は前述のとおりである。 ）で示される７−アシルアミド−３−デスアセトキシセ
フアロスポラン酸誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2246575A JPS609039B2 (ja) | 1975-02-25 | 1975-02-25 | セフアロスポラン酸誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2246575A JPS609039B2 (ja) | 1975-02-25 | 1975-02-25 | セフアロスポラン酸誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5198295A JPS5198295A (ja) | 1976-08-30 |
| JPS609039B2 true JPS609039B2 (ja) | 1985-03-07 |
Family
ID=12083440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2246575A Expired JPS609039B2 (ja) | 1975-02-25 | 1975-02-25 | セフアロスポラン酸誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609039B2 (ja) |
-
1975
- 1975-02-25 JP JP2246575A patent/JPS609039B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5198295A (ja) | 1976-08-30 |
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