JPS6091648A - 半導体ウエハの処理方法 - Google Patents
半導体ウエハの処理方法Info
- Publication number
- JPS6091648A JPS6091648A JP58199679A JP19967983A JPS6091648A JP S6091648 A JPS6091648 A JP S6091648A JP 58199679 A JP58199679 A JP 58199679A JP 19967983 A JP19967983 A JP 19967983A JP S6091648 A JPS6091648 A JP S6091648A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- treatment
- mechanical damage
- processing
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P36/00—Gettering within semiconductor bodies
- H10P36/03—Gettering within semiconductor bodies within silicon bodies
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体ウェハの処理方法に関するものである
。
。
バ景技術とその問題点
従来、半導体つ：Ｊｌハの製造では薬品、ガス、炉材、
雰囲気、人体等からの各種ｌす染が必ずあり、それらが
熱処理時に半導体ウェハに拡散に°ζ入り、特性を劣化
さセることが周知となっζいる。そのため、半導体ウェ
ハの裏面にそれらｒＩ５染物質を集めてしまう所謂ゲッ
タリングの方法が採られている。ごのゲッタリングの方
法の最も容易な手段に第１図にンドず如くノズル＋１１
を矢印（２）のように左右に振り研磨剤を吹き付りるサ
ンドブラスト法がある。このサンドブラスト法にはリド
磨削のまま粉末状で吹き付けるドライ方式、水に研磨剤
を混ぜＣ吹き付けるウェット方式がある。いずれも装置
とし°ζ大がかりなものでありｌＩＡ音も大きく、粉塵
の処理もやっかいである。また、かなりの流速（風速）
で吹き付けるため処理ウェハが吹き飛び割れたりするの
でその防止処理装置も設ける必要がある。さらに、この
加工処理のため別部屋を設ける必要がある。
雰囲気、人体等からの各種ｌす染が必ずあり、それらが
熱処理時に半導体ウェハに拡散に°ζ入り、特性を劣化
さセることが周知となっζいる。そのため、半導体ウェ
ハの裏面にそれらｒＩ５染物質を集めてしまう所謂ゲッ
タリングの方法が採られている。ごのゲッタリングの方
法の最も容易な手段に第１図にンドず如くノズル＋１１
を矢印（２）のように左右に振り研磨剤を吹き付りるサ
ンドブラスト法がある。このサンドブラスト法にはリド
磨削のまま粉末状で吹き付けるドライ方式、水に研磨剤
を混ぜＣ吹き付けるウェット方式がある。いずれも装置
とし°ζ大がかりなものでありｌＩＡ音も大きく、粉塵
の処理もやっかいである。また、かなりの流速（風速）
で吹き付けるため処理ウェハが吹き飛び割れたりするの
でその防止処理装置も設ける必要がある。さらに、この
加工処理のため別部屋を設ける必要がある。
発明の目的
本発明半導体ウェハの処理力法は、簡単な装置により半
導体ウェハを良好にゲッタリング処理することを目的と
するものである。
導体ウェハを良好にゲッタリング処理することを目的と
するものである。
発明の概要
本発明半導体ウェハの処理方法は半導体ウェハを機械的
損傷を与える物質を含む流体の中に浸漬し、超音波振動
を前記流体に与え゛ζ機械的損傷を与えるようにしたも
ので、簡単な装置により良好に半導体ウェハのゲッタリ
ング処理を行えるようにしたものである。
損傷を与える物質を含む流体の中に浸漬し、超音波振動
を前記流体に与え゛ζ機械的損傷を与えるようにしたも
ので、簡単な装置により良好に半導体ウェハのゲッタリ
ング処理を行えるようにしたものである。
実施例
以１・、第２図及び第３図を参照し゛ζ本発明半導体ウ
ェハの処理方法の一実施例について説明しよう。
ェハの処理方法の一実施例について説明しよう。
第２図におい°（、（４）は半導体ウェハ例えばシリコ
ンポリシュドウェハを示し、この半導体ウェハ（４）は
例えば磁場応用のｃｚ法であるＭＣＺ法により結晶方位
（１００）面としたものである。また、（５）は純水１
０００ｃｃに機械的１１傷を与える研磨剤例えば平均粒
径０．３μのアルミナＡｌ２Ｏ３を１００ｃｃの容積比
で入れた研磨液をボし、この研磨液（５）をガラス製ビ
ーカー（６）に入れ半導体ウェハ（４）を入れるように
する。また、（７）は超音波発振器をボし、超音波発振
器（７）により超音波を照射し、半導体ウェハ（４）に
向け°ζ照射しゲッタリング用の積層欠陥を入れるよう
にする。また、（８）は水、（９）はビーカーである。
ンポリシュドウェハを示し、この半導体ウェハ（４）は
例えば磁場応用のｃｚ法であるＭＣＺ法により結晶方位
（１００）面としたものである。また、（５）は純水１
０００ｃｃに機械的１１傷を与える研磨剤例えば平均粒
径０．３μのアルミナＡｌ２Ｏ３を１００ｃｃの容積比
で入れた研磨液をボし、この研磨液（５）をガラス製ビ
ーカー（６）に入れ半導体ウェハ（４）を入れるように
する。また、（７）は超音波発振器をボし、超音波発振
器（７）により超音波を照射し、半導体ウェハ（４）に
向け°ζ照射しゲッタリング用の積層欠陥を入れるよう
にする。また、（８）は水、（９）はビーカーである。
このような処理装置において、半導体ウェハ（４）の鏡
面研磨面（４ａ）を下向きにして水平状態を保持するた
めの治具（図ボせず）を使用し、超音波振動のり、えら
れた水中に浸しながらエネルギーの商い定在波の生ずる
曲さを通過させるために、６秒車位で１０回上昇下降を
くり返ず。そしζ、合計６０秒間超音波（２９ＸＩＩｚ
、１５０Ｗ ）を照射し、半導体ウェハ（４）に機械
的損傷を与えるようにする。その後、半導体ウェハ（４
）を取り出し３０秒間流水中で研磨剤を洗い流した後、
Ｎｌ１４０１１ ＋ Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２０で６分間洗浄し
、純水槽中での流水洗浄を６分間行い、乾燥し゛Ｃ本例
の処理を終了する。
面研磨面（４ａ）を下向きにして水平状態を保持するた
めの治具（図ボせず）を使用し、超音波振動のり、えら
れた水中に浸しながらエネルギーの商い定在波の生ずる
曲さを通過させるために、６秒車位で１０回上昇下降を
くり返ず。そしζ、合計６０秒間超音波（２９ＸＩＩｚ
、１５０Ｗ ）を照射し、半導体ウェハ（４）に機械
的損傷を与えるようにする。その後、半導体ウェハ（４
）を取り出し３０秒間流水中で研磨剤を洗い流した後、
Ｎｌ１４０１１ ＋ Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２０で６分間洗浄し
、純水槽中での流水洗浄を６分間行い、乾燥し゛Ｃ本例
の処理を終了する。
この処理による半導体ウェハ（４）の機械的損傷である
積層欠陥の評価を行うため、半導体ウェハ（４）を１１
００℃で２時間酸素ガス中で酸化した上で表向を薄くエ
ツチング除去し、金属顕微鏡に“ζ観察した。すると、
第３図のような積層欠陥が７ Ｘ １０５ｈ／−の密度
で発生しており、この値は従来の方法で得られるものは
とんとど同じであった。この処理を施さない半導体ウェ
ハ（４）の積層欠陥密度はほとんど０ケ／ｃｄであり、
本処理より明らかに半導体ウェハ（４）に損傷を与えら
れることがわかった。
積層欠陥の評価を行うため、半導体ウェハ（４）を１１
００℃で２時間酸素ガス中で酸化した上で表向を薄くエ
ツチング除去し、金属顕微鏡に“ζ観察した。すると、
第３図のような積層欠陥が７ Ｘ １０５ｈ／−の密度
で発生しており、この値は従来の方法で得られるものは
とんとど同じであった。この処理を施さない半導体ウェ
ハ（４）の積層欠陥密度はほとんど０ケ／ｃｄであり、
本処理より明らかに半導体ウェハ（４）に損傷を与えら
れることがわかった。
また、この実ｈ’＝例において、半導体ウェハ（４）の
表向に機械的損傷を与える研磨剤の種類または粒径を変
え゛Ｃ同一の処理をしたところ次のような結果となった
。
表向に機械的損傷を与える研磨剤の種類または粒径を変
え゛Ｃ同一の処理をしたところ次のような結果となった
。
粒径０．０５／Ｊ ＩＩの＾１２０３ ％粒ＰＩ！ｌｕ
＋ｗのＳｉＣ、粒径１μ−のＳｉＣ、粒径８μｍのＳｉ
Ｃ、粒径１３．ｃ＋ ｍのＡｈＯｉ 、粒径ｌμ編のＳ
ｉ（ｈ、粒径４８μｍのＳｉＣを６１Ｍ剤としζ用い
ての機械的損傷を与える処理後の半導体ウェハ（４）の
積層欠陥密度（ケ／−）は、第４図に示すように、それ
ぞれ３ Ｘ １０５ ケ／−１５ｘｔｏ’ ケ／ｃｄ、
Ｉ ＸＩＯ３ケ／ｃｄ、 ７ ＸＩＯ’ ケ／ｃｊ 、
ｌ Ｘ ＩＱ’ ケ／ｃｄ１３Ｘ１０’ ケ／ａＪ、４
ＸＩＱ５／ｄであった。また、特に実施例におい°ζ、
粒径０．３１１ ｖａのＡｌ２Ｏ３及び粒径４８μ−の
ＳｉＣをＶｒ磨磨削し゛（用いたとき欠陥の均一性が良
好だった。なお、研磨剤を入れずに水のみで超音波を照
射すると、５ Ｘ １０Ｊ ケ／ｃｄの積層欠陥密度と
なった。
＋ｗのＳｉＣ、粒径１μ−のＳｉＣ、粒径８μｍのＳｉ
Ｃ、粒径１３．ｃ＋ ｍのＡｈＯｉ 、粒径ｌμ編のＳ
ｉ（ｈ、粒径４８μｍのＳｉＣを６１Ｍ剤としζ用い
ての機械的損傷を与える処理後の半導体ウェハ（４）の
積層欠陥密度（ケ／−）は、第４図に示すように、それ
ぞれ３ Ｘ １０５ ケ／−１５ｘｔｏ’ ケ／ｃｄ、
Ｉ ＸＩＯ３ケ／ｃｄ、 ７ ＸＩＯ’ ケ／ｃｊ 、
ｌ Ｘ ＩＱ’ ケ／ｃｄ１３Ｘ１０’ ケ／ａＪ、４
ＸＩＱ５／ｄであった。また、特に実施例におい°ζ、
粒径０．３１１ ｖａのＡｌ２Ｏ３及び粒径４８μ−の
ＳｉＣをＶｒ磨磨削し゛（用いたとき欠陥の均一性が良
好だった。なお、研磨剤を入れずに水のみで超音波を照
射すると、５ Ｘ １０Ｊ ケ／ｃｄの積層欠陥密度と
なった。
次にこれらの諸結果を基にした考察を記す。
＋ｌｌ 超音波照射は各ウェハ共６０秒で行ったが、積
層欠陥はこの時間に比例し”ζ増加する。
層欠陥はこの時間に比例し”ζ増加する。
（２） 超音波のエネルギーは強い方が機械的損傷も多
く積層欠陥の増加につながる。
く積層欠陥の増加につながる。
（３） 超音波の周波数は、研磨剤の粒子が出来るだけ
多く表面をたたくようにするため、より晶い方がを効で
ある。
多く表面をたたくようにするため、より晶い方がを効で
ある。
ただし、粒子の径及び比重（材質）との相関から最も効
率の良い周波数がある。
率の良い周波数がある。
（４） 研磨剤の材質は強い機械的損傷を与えるには硬
度の高いものが良い。ただし、積層欠陥を作るには、Ａ
ｌ２Ｏ３＋ ５ｉ（ｈ等も充分使用出来そうである。
度の高いものが良い。ただし、積層欠陥を作るには、Ａ
ｌ２Ｏ３＋ ５ｉ（ｈ等も充分使用出来そうである。
参考までにヌープ硬度は、５ｉＣ−２４８０，＾１２０
３２１００、５ｉ０２８２０である。
３２１００、５ｉ０２８２０である。
以上述べたように、本発明の実ｈｉ！！例に依れば、超
音波振動を与えることにより半導体ウェハに機械的損傷
を与えるようにしたので、簡単な装置により半導体ウェ
ハを良好にゲッタリング処理できる利益がある。また、
騒音が少なくてすむと共に、粉塵処理が簡単にできる利
益がある。また、半導体ウェハ（４）が割れたり飛んだ
すせず、加工専用の部屋が不要で、使用する装置が小型
化Ｃき装置のｍｌストダウンが図れる利益がある。また
、旬１磨剤の棟１ｆｊ、粒径等を簡単に変えることがで
きるので半導体ウェハ（４）の機械的１ｊｌ傷の程度を
容易に制御（きる利益がある。また、他の物質による１
’５染の機会が少なく装置のメンテナンスが容易で、処
理工程を自動化できる利益がある。
音波振動を与えることにより半導体ウェハに機械的損傷
を与えるようにしたので、簡単な装置により半導体ウェ
ハを良好にゲッタリング処理できる利益がある。また、
騒音が少なくてすむと共に、粉塵処理が簡単にできる利
益がある。また、半導体ウェハ（４）が割れたり飛んだ
すせず、加工専用の部屋が不要で、使用する装置が小型
化Ｃき装置のｍｌストダウンが図れる利益がある。また
、旬１磨剤の棟１ｆｊ、粒径等を簡単に変えることがで
きるので半導体ウェハ（４）の機械的１ｊｌ傷の程度を
容易に制御（きる利益がある。また、他の物質による１
’５染の機会が少なく装置のメンテナンスが容易で、処
理工程を自動化できる利益がある。
なお、本発明はＬ述実施例に限らず本発明の要旨を逸脱
することなくその他種々の構成が取り得ることは勿論で
ある。
することなくその他種々の構成が取り得ることは勿論で
ある。
発明の効果
本発明に依れは、超音波振動により、半導体ウェハに機
械的損傷を５えるようにし５たので、簡単な装；６′に
より半導体ウコ、へを良好にゲッタリング処理できる利
益がある。またこの処理力法ごは騒音が少なく“（ずむ
と共に粉塵処理が簡単にできる利益がある。また、半導
体ウェハが割れたり飛んだすせずに、加工専用の部屋が
不要となり使用する装置が小型化でき、装置のコストダ
ウンが図れる利益がある。また、ｗＦＨ’ｌ剤の種類、
粒径等を簡単に変えることができるので、半導体ウェハ
の機械的損傷の程度を容易に制御できる利益もある。
械的損傷を５えるようにし５たので、簡単な装；６′に
より半導体ウコ、へを良好にゲッタリング処理できる利
益がある。またこの処理力法ごは騒音が少なく“（ずむ
と共に粉塵処理が簡単にできる利益がある。また、半導
体ウェハが割れたり飛んだすせずに、加工専用の部屋が
不要となり使用する装置が小型化でき、装置のコストダ
ウンが図れる利益がある。また、ｗＦＨ’ｌ剤の種類、
粒径等を簡単に変えることができるので、半導体ウェハ
の機械的損傷の程度を容易に制御できる利益もある。
また、他の物質による汚染の機会が少なく装置のメンテ
ナンスが容易で処理工程を自動化できる利益もある。
ナンスが容易で処理工程を自動化できる利益もある。
第１図は半導体ウェハの処理方法の従来例をネオ線図、
第２図は本発明半導体ウェハの処理方法の一実施例をボ
ず断面図、第３図は第２図例の半導体ウェハの種口１引
の例の拡大図、第４図は第２図例の説明に供する線図で
ある。 （４）は半導体ウェハ、（５）は研磨液、（７）は超音
波光（辰器である。 第１図 第２図 第３図 ヱ 第４図 手続補正書 １．事件の表示 昭和５８年特許願第 １９９６７９号 ２、発明の名称 半導体ウェハの処理方法３、補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 住所 東５＋Ｃ部品川区北＋ｒ：＋ｌ１１５丁目７番３
５号名称（２１８＋ ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ６、補正により増加する発明の数 ７、補 正 の ス・１ 象 明細書の発明の詳細な説
明の亀（１） 明細書中、第３頁第６行から第７行にか
けて、「シリコンポリシュドウェハ」とあるを「シリコ
ンウェハ」に訂正する。 （２）同、第３頁第７行から第９行にかけて、「この半
導体ウェハ・・・・・ＭＣＺ法により」とあるを削除す
る。 （３） 同、第３頁第８行において、［結晶方位［１０
０］面」とあるな「結晶方位Ｖ ［１００〕面」に訂正
する。 （４）同、第３頁第１９行から第２０行において、「半
導体ウェハ（４）の鏡面研磨面（４ａ）を下向き忙して
水平状態を」とあるを「半導体ウェハ（４）を水平状態
に」に訂正する。 （５）同、第６頁第１０行から第１１行にかけて、「Ａ
ｌ２Ｏ３，５ｉ０２等も充分使用出来そうである。」と
あるな「Ａｌ２Ｏ３，５ｉ０３でもよい。」に訂正する
。 以 上
第２図は本発明半導体ウェハの処理方法の一実施例をボ
ず断面図、第３図は第２図例の半導体ウェハの種口１引
の例の拡大図、第４図は第２図例の説明に供する線図で
ある。 （４）は半導体ウェハ、（５）は研磨液、（７）は超音
波光（辰器である。 第１図 第２図 第３図 ヱ 第４図 手続補正書 １．事件の表示 昭和５８年特許願第 １９９６７９号 ２、発明の名称 半導体ウェハの処理方法３、補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 住所 東５＋Ｃ部品川区北＋ｒ：＋ｌ１１５丁目７番３
５号名称（２１８＋ ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ６、補正により増加する発明の数 ７、補 正 の ス・１ 象 明細書の発明の詳細な説
明の亀（１） 明細書中、第３頁第６行から第７行にか
けて、「シリコンポリシュドウェハ」とあるを「シリコ
ンウェハ」に訂正する。 （２）同、第３頁第７行から第９行にかけて、「この半
導体ウェハ・・・・・ＭＣＺ法により」とあるを削除す
る。 （３） 同、第３頁第８行において、［結晶方位［１０
０］面」とあるな「結晶方位Ｖ ［１００〕面」に訂正
する。 （４）同、第３頁第１９行から第２０行において、「半
導体ウェハ（４）の鏡面研磨面（４ａ）を下向き忙して
水平状態を」とあるを「半導体ウェハ（４）を水平状態
に」に訂正する。 （５）同、第６頁第１０行から第１１行にかけて、「Ａ
ｌ２Ｏ３，５ｉ０２等も充分使用出来そうである。」と
あるな「Ａｌ２Ｏ３，５ｉ０３でもよい。」に訂正する
。 以 上
Claims (1)
- 半導体ウェハを機械的損傷を与える物質を含む流体の中
に浸消し、超音波振動を前記流体に与えるごとにより、
機械的損傷を与えるようにしたことを特徴とする半導体
ウェハの処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58199679A JPS6091648A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 半導体ウエハの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58199679A JPS6091648A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 半導体ウエハの処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6091648A true JPS6091648A (ja) | 1985-05-23 |
Family
ID=16411809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58199679A Pending JPS6091648A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 半導体ウエハの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6091648A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63301529A (ja) * | 1987-05-31 | 1988-12-08 | Kyushu Denshi Kinzoku Kk | 半導体基板のバックサイドダメ−ジ加工法 |
| JPH01143223A (ja) * | 1987-11-28 | 1989-06-05 | Toshiba Corp | 半導体基板の表面処理方法 |
| JPH01143224A (ja) * | 1987-11-28 | 1989-06-05 | Toshiba Corp | 半導体基板の表面処理方法 |
| JPH01295426A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-11-29 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの表面処理方法 |
-
1983
- 1983-10-25 JP JP58199679A patent/JPS6091648A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63301529A (ja) * | 1987-05-31 | 1988-12-08 | Kyushu Denshi Kinzoku Kk | 半導体基板のバックサイドダメ−ジ加工法 |
| JPH01143223A (ja) * | 1987-11-28 | 1989-06-05 | Toshiba Corp | 半導体基板の表面処理方法 |
| JPH01143224A (ja) * | 1987-11-28 | 1989-06-05 | Toshiba Corp | 半導体基板の表面処理方法 |
| US4971920A (en) * | 1987-11-28 | 1990-11-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gettering method for semiconductor wafers |
| JPH01295426A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-11-29 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの表面処理方法 |
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