JPS609166A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS609166A JPS609166A JP58115831A JP11583183A JPS609166A JP S609166 A JPS609166 A JP S609166A JP 58115831 A JP58115831 A JP 58115831A JP 11583183 A JP11583183 A JP 11583183A JP S609166 A JPS609166 A JP S609166A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- film
- present
- manufacture
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にゲート電極
絶縁耐圧の向上に有効な新規な半導体装造方法に関する
。
絶縁耐圧の向上に有効な新規な半導体装造方法に関する
。
一般にＳｉ集積回路、特にＭＯ８型集積回路においては
極く薄い５〜１００ ｎｍ厚の５ｉ０２ゲート絶縁膜が
用いられる。この８ ｉ ０２膜は製造プロセスが完全
でないため、特に薄い場合ＫＳｉ基板との間に絶縁耐圧
が低い部分が発生したり極端な場合には、電気的に短絡
することがあろう〔発明の目的〕 本発明の目的は、ゲート酸化膜に欠陥があって電気的絶
縁耐圧が低くなった集積回路を、後の処理によって回復
させる新規な方法を提供するととＫある。
極く薄い５〜１００ ｎｍ厚の５ｉ０２ゲート絶縁膜が
用いられる。この８ ｉ ０２膜は製造プロセスが完全
でないため、特に薄い場合ＫＳｉ基板との間に絶縁耐圧
が低い部分が発生したり極端な場合には、電気的に短絡
することがあろう〔発明の目的〕 本発明の目的は、ゲート酸化膜に欠陥があって電気的絶
縁耐圧が低くなった集積回路を、後の処理によって回復
させる新規な方法を提供するととＫある。
ｆ３ｉとＷあるいはＭＯは酸素を含む雰囲気で加熱する
とそれぞれ酸化される。特にＷやＭＯはＳｉに比べて酸
化速度が犬である。一方Ｈ２中の高説加熱処理ではこれ
らの酸化物は還元される。
とそれぞれ酸化される。特にＷやＭＯはＳｉに比べて酸
化速度が犬である。一方Ｈ２中の高説加熱処理ではこれ
らの酸化物は還元される。
従ってＨ２とＨ２Ｏを適当な割合に混合すると、Ｓｌと
ＷやＭＯが共存するとｓｉは酸化され、かつＷやＭＯは
還元される温度とＨ２とＨ２Ｏの混合比の領域が存在す
る。本発明はこの現象と利用してＷ＋ＭＯ下の８ｉ０２
膜厚を瑠太し、電気絶縁耐圧を向上するものである。
ＷやＭＯが共存するとｓｉは酸化され、かつＷやＭＯは
還元される温度とＨ２とＨ２Ｏの混合比の領域が存在す
る。本発明はこの現象と利用してＷ＋ＭＯ下の８ｉ０２
膜厚を瑠太し、電気絶縁耐圧を向上するものである。
以下本発明の実施例を第Ｔ−第２図に示す。第１図に示
すようにＳｉ基板ｌ上に部分的に厚いフィールド酸化膜
２をよく知られたＬＯＣＯ８（局所酸化法）法で形成す
る。その後５〜１１００ｎ厚のゲート酸化膜３企熱酸化
法で形成する。その後、Ｗ電極４を選択的に被着する。
すようにＳｉ基板ｌ上に部分的に厚いフィールド酸化膜
２をよく知られたＬＯＣＯ８（局所酸化法）法で形成す
る。その後５〜１１００ｎ厚のゲート酸化膜３企熱酸化
法で形成する。その後、Ｗ電極４を選択的に被着する。
この場合特にゲート酸化膜３に欠陥があシ、絶縁耐圧不
良部５が発生したとする。これはＷ電極４とＳｉ基板１
との間の電流を測定すれば判別しうる。
良部５が発生したとする。これはＷ電極４とＳｉ基板１
との間の電流を測定すれば判別しうる。
絶縁耐圧不良部５の存在がＷグー１−１極４被着後に判
明したら、集積回路を作るＳｉウェハ全体をたとえば９
５０Ｃで３０分間５％のＨ２Ｏを含んだＨ２中で熱処理
すると、第２図に示すようにたとえばゲート電極４下の
ゲート酸化膜３が厚さ１０膜ｍのときは２０膜ｍに厚く
なった。これによって絶縁耐圧不良部５も消滅して良好
な絶縁性が得られた。
明したら、集積回路を作るＳｉウェハ全体をたとえば９
５０Ｃで３０分間５％のＨ２Ｏを含んだＨ２中で熱処理
すると、第２図に示すようにたとえばゲート電極４下の
ゲート酸化膜３が厚さ１０膜ｍのときは２０膜ｍに厚く
なった。これによって絶縁耐圧不良部５も消滅して良好
な絶縁性が得られた。
従って本来不良とされて棄却されるべき集積回路が良品
に変ったので、良品歩留りの向上には著しい効果かめる
。
に変ったので、良品歩留りの向上には著しい効果かめる
。
本発明の実施例ではＷゲート電極がバターニングされた
後、Ｈ２＋Ｈ♀０熱処理を行ったが、バターニング前す
なわち全面にＷゲート′ｆｔ極が被着されている状態で
行うこともできる。
後、Ｈ２＋Ｈ♀０熱処理を行ったが、バターニング前す
なわち全面にＷゲート′ｆｔ極が被着されている状態で
行うこともできる。
また以上の本発明の実施例では８ｉ基板上にｎ＋やｐ＋
の拡散層がない場合を述べたが、これらの高濃度層を形
成した後上記Ｈ２＋ Ｈ２０熱処理を行うこともできる
。
の拡散層がない場合を述べたが、これらの高濃度層を形
成した後上記Ｈ２＋ Ｈ２０熱処理を行うこともできる
。
また本発明の以上の実施例では全面をＨ２＋Ｈ２０熱処
理にさらしたが、ゲート絶縁膜が厚くなって有害な部分
は、実質的にＨ２Ｏを通さない十分に厚イＣＶ Ｄ −
Ｓ ｉ ０２膜ヤＳ ｊｓ Ｎ４膜で覆っておくことも
できる。
理にさらしたが、ゲート絶縁膜が厚くなって有害な部分
は、実質的にＨ２Ｏを通さない十分に厚イＣＶ Ｄ −
Ｓ ｉ ０２膜ヤＳ ｊｓ Ｎ４膜で覆っておくことも
できる。
以上述べたように本発明によれば、電気的絶縁不良が発
見されたら、ゲート電極形成後にゲート酸化膜を厚くし
て絶縁不良を回復して良品にできるので歩留り向上に著
しい効果がある。
見されたら、ゲート電極形成後にゲート酸化膜を厚くし
て絶縁不良を回復して良品にできるので歩留り向上に著
しい効果がある。
第１図、第２図は本発明の一実施例を説明するための断
面図である。 １・・・ｓｔ基板、２・・・フィールド酸化膜、３・・
・ケ−） ノ ＶＪ＋ （２） 江 第 ２ （２）
面図である。 １・・・ｓｔ基板、２・・・フィールド酸化膜、３・・
・ケ−） ノ ＶＪ＋ （２） 江 第 ２ （２）
Claims (1)
- １、Ｓｉ基板上に５ｊＯ２膜を介して被着した難溶金属
あるいはそのシリサイドからなる電極を有する半導体装
置において、５００〜１２００ｔＺ’の温度範囲で、Ｈ
２Ｏを１０Ｐ−１０チ含むＨ２キャリヤガス中で熱処理
することにより、上記電極とＳｉ基板との間の５ｉ０２
膜の膜厚を増大させる半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115831A JPS609166A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115831A JPS609166A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS609166A true JPS609166A (ja) | 1985-01-18 |
Family
ID=14672195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58115831A Pending JPS609166A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609166A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04217733A (ja) * | 1990-12-17 | 1992-08-07 | Matsushita Refrig Co Ltd | 空気調和機 |
| US5907188A (en) * | 1995-08-25 | 1999-05-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with conductive oxidation preventing film and method for manufacturing the same |
| EP0910119A3 (en) * | 1997-10-14 | 2001-02-07 | Texas Instruments Incorporated | Method for oxidizing a structure during the fabrication of a semiconductor device |
| US6228752B1 (en) * | 1997-07-11 | 2001-05-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| CN100428426C (zh) * | 2004-03-11 | 2008-10-22 | 茂德科技股份有限公司 | 金属氧化物半导体晶体管的形成方法 |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP58115831A patent/JPS609166A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04217733A (ja) * | 1990-12-17 | 1992-08-07 | Matsushita Refrig Co Ltd | 空気調和機 |
| US5907188A (en) * | 1995-08-25 | 1999-05-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with conductive oxidation preventing film and method for manufacturing the same |
| US6133150A (en) * | 1995-08-25 | 2000-10-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US6228752B1 (en) * | 1997-07-11 | 2001-05-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US6417551B2 (en) | 1997-07-11 | 2002-07-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| EP0910119A3 (en) * | 1997-10-14 | 2001-02-07 | Texas Instruments Incorporated | Method for oxidizing a structure during the fabrication of a semiconductor device |
| CN100428426C (zh) * | 2004-03-11 | 2008-10-22 | 茂德科技股份有限公司 | 金属氧化物半导体晶体管的形成方法 |
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