JPS6092256A - テトラメチルジフエニルスルホンの製造方法 - Google Patents
テトラメチルジフエニルスルホンの製造方法Info
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- JPS6092256A JPS6092256A JP19984083A JP19984083A JPS6092256A JP S6092256 A JPS6092256 A JP S6092256A JP 19984083 A JP19984083 A JP 19984083A JP 19984083 A JP19984083 A JP 19984083A JP S6092256 A JPS6092256 A JP S6092256A
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、テトラメチルジフェニルスルホンの製造方法
に関し、さらに詳しくは、0−キシレンと硫酸とから高
純度の3.3’、4.4’−テトラメチルジフェニルス
ルホン(以下、3.3’。
に関し、さらに詳しくは、0−キシレンと硫酸とから高
純度の3.3’、4.4’−テトラメチルジフェニルス
ルホン(以下、3.3’。
4.4’−TDSと略称する)を効率よく製造する方法
に関する。
に関する。
(1)
一般にテトラメチルジフェニルスルホンは、例えばポリ
イミドの原料であるテトラカルボン酸の中間体として有
用な化合物であり、特に3.3’。
イミドの原料であるテトラカルボン酸の中間体として有
用な化合物であり、特に3.3’。
4.4’−TDSはその対称性がよいこと、さらにテト
ラカルボン酸とした場合に2無水物を形成すること等か
ら最も重要なものとされている。
ラカルボン酸とした場合に2無水物を形成すること等か
ら最も重要なものとされている。
従来、3.3’、4.4’−TDSの製造方法としては
、キシレン−スルホニルクロライドと0−キシレンとを
、F e CI13の存在下に反応させる方法(Izr
、Vyssh、Ucheb、Zawed、、Khim、
Khim、Tekhnol。
、キシレン−スルホニルクロライドと0−キシレンとを
、F e CI13の存在下に反応させる方法(Izr
、Vyssh、Ucheb、Zawed、、Khim、
Khim、Tekhnol。
1969 12 (11)、1583−93)、。
−キシレンと硫酸とからキシレンスルホン酸を合成し、
次いでこのキシレンスルホン酸とO−キシレンとから、
p2o、等の存在下または不存在下に3.3”、4.4
’−TDSを製造する方法(米国特許第3,729,5
17号)等が知られている。
次いでこのキシレンスルホン酸とO−キシレンとから、
p2o、等の存在下または不存在下に3.3”、4.4
’−TDSを製造する方法(米国特許第3,729,5
17号)等が知られている。
しかしながら、前者の方法は反応中で腐食性の塩化水素
が発生する等の欠点があり、一方、後者(2) の方法は、安価な0−キシレンと硫酸のみからTDSが
得られ、工業的に有利な方法であると考えられているが
、本発明者らの詳細な研究によれば、この方法により得
られる生成物は目的とする3゜3’、4.4’−TDS
以外に10〜15%の異性体を含んでいることが分かっ
た。
が発生する等の欠点があり、一方、後者(2) の方法は、安価な0−キシレンと硫酸のみからTDSが
得られ、工業的に有利な方法であると考えられているが
、本発明者らの詳細な研究によれば、この方法により得
られる生成物は目的とする3゜3’、4.4’−TDS
以外に10〜15%の異性体を含んでいることが分かっ
た。
本発明の目的は、0−キシレンと硫酸とから、異性体の
含有量が5%以下であり、純度95%以上の3.3’、
4.4’−TDSを得る方法を提供することにある。
含有量が5%以下であり、純度95%以上の3.3’、
4.4’−TDSを得る方法を提供することにある。
本発明者らは、異性体の含有量の少ない、高純度の3.
3’、4.4’−TDSを得る方法について鋭意研究を
重ねた結果、硫酸に対して過剰の0−キシレンを用いて
縮合反応を行い、得られる反応液を50℃以下に冷却し
た後、水を添加して、反応液の温度を25℃以下にする
ことにより、高純度の3.3’、4.4’−TDSを析
出させて回収することができることを見い出し、本発明
に到達した。
3’、4.4’−TDSを得る方法について鋭意研究を
重ねた結果、硫酸に対して過剰の0−キシレンを用いて
縮合反応を行い、得られる反応液を50℃以下に冷却し
た後、水を添加して、反応液の温度を25℃以下にする
ことにより、高純度の3.3’、4.4’−TDSを析
出させて回収することができることを見い出し、本発明
に到達した。
本発明は0−キシレンと硫酸とからテトラメチ(3)
ルジフェニルスルホンを製造するに際し、硫酸に対して
2〜8倍モルの0−キシレンを用い、生成する水を除去
しながら、130〜180℃で反応を行い、得られる反
応液を50℃以下に冷却した後、水を添加して25℃以
下とし、高純度の3゜3’、4.4’−テトラメチルジ
フェニルスルホンを析出させて回収することを特徴とす
る。
2〜8倍モルの0−キシレンを用い、生成する水を除去
しながら、130〜180℃で反応を行い、得られる反
応液を50℃以下に冷却した後、水を添加して25℃以
下とし、高純度の3゜3’、4.4’−テトラメチルジ
フェニルスルホンを析出させて回収することを特徴とす
る。
本発明の原料である0−キシレンは通常98%以」二の
高純度品が好ましく、硫酸は90%以上の高濃度のもの
が好ましい。
高純度品が好ましく、硫酸は90%以上の高濃度のもの
が好ましい。
本発明方法を実施するには、0−キシレンの全部または
一部と硫酸を反応器に仕込み、130〜180℃の温度
で、生成する水を除去しながら反応を行なう。反応当初
0−キシレンの一部を添加する場合には、反応中にO−
キシレンの残部を滴下していく方法も有効である。
一部と硫酸を反応器に仕込み、130〜180℃の温度
で、生成する水を除去しながら反応を行なう。反応当初
0−キシレンの一部を添加する場合には、反応中にO−
キシレンの残部を滴下していく方法も有効である。
0−キシレンの使用量は硫酸に対して過剰の量が好まし
く、3Jff’:’に、硫酸に対して2〜8倍モル量が
好適である。0−キシレンが2倍モル未満の場合には、
T、D Sの収率が低く、8倍モルを越える(4) 場合には、反応速度が遅く不経済である。反応温度が、
130℃に達しない場合には、反応速度が遅く、180
℃を越える場合には、重合物等の副生物が生成して不都
合である。なお反応温度がO−キシレンの沸点(144
℃)を越える場合には通常加圧系で反応を行う。反応時
間は反応温度によっても異なるが、通常2〜50時間で
ある。
く、3Jff’:’に、硫酸に対して2〜8倍モル量が
好適である。0−キシレンが2倍モル未満の場合には、
T、D Sの収率が低く、8倍モルを越える(4) 場合には、反応速度が遅く不経済である。反応温度が、
130℃に達しない場合には、反応速度が遅く、180
℃を越える場合には、重合物等の副生物が生成して不都
合である。なお反応温度がO−キシレンの沸点(144
℃)を越える場合には通常加圧系で反応を行う。反応時
間は反応温度によっても異なるが、通常2〜50時間で
ある。
また反応で生成する水を除去するには、O−キシレンと
の共沸によって水を留出させ、この留出液を冷却した後
、相分離を行って水を除去し、一方、0−キシレン相は
反応器に戻す方法が好ましく用いられる。
の共沸によって水を留出させ、この留出液を冷却した後
、相分離を行って水を除去し、一方、0−キシレン相は
反応器に戻す方法が好ましく用いられる。
なお、本反応では特に触媒を必要としないが、反応速度
を少しでも早めるために五酸化リン等の触媒を添加して
もよい。
を少しでも早めるために五酸化リン等の触媒を添加して
もよい。
このようにして得られた反応液は、未反応の0−キシレ
ン、微量の硫酸、反応の中間体であるキシレンスルホン
酸および生成物であるTDSから成り、そのTDSの中
には目的とする3、3’。
ン、微量の硫酸、反応の中間体であるキシレンスルホン
酸および生成物であるTDSから成り、そのTDSの中
には目的とする3、3’。
4.4’−TDS以外に通常10〜15%の異性(5)
体が含まれている。この異性体の大部分は2.3′、3
.4 ’−TDSである。このような異性体を除去する
には、前記の反応液を50℃以下、好ましくは30℃以
下まで冷却した後、さらに水を添加して反応液の温度を
25℃以下、好ましくは20〜5°Cにし、よく撹拌し
、析出する粉末を濾過する。なお、水を添加して反応液
の温度を25℃以下にする方法として、25℃以下の水
あるいは氷を添加して、反応液の温度を25℃以下にす
る方法や、25℃をこえた水を添加して、外部から冷却
することによって反応液の温度を25℃以下にする方法
等がある。水を添加後の反応液の温度が20℃を越える
と、析出、回収させる3、3’。
.4 ’−TDSである。このような異性体を除去する
には、前記の反応液を50℃以下、好ましくは30℃以
下まで冷却した後、さらに水を添加して反応液の温度を
25℃以下、好ましくは20〜5°Cにし、よく撹拌し
、析出する粉末を濾過する。なお、水を添加して反応液
の温度を25℃以下にする方法として、25℃以下の水
あるいは氷を添加して、反応液の温度を25℃以下にす
る方法や、25℃をこえた水を添加して、外部から冷却
することによって反応液の温度を25℃以下にする方法
等がある。水を添加後の反応液の温度が20℃を越える
と、析出、回収させる3、3’。
4.4’−TDSの量が少なくなる。さらに必要に応じ
て再度、この濾過粉末を水洗、濾過した後、乾燥するこ
とにより高純度の3.3’、4.4’−TDSの粉末を
回収することができる。水洗、濾過した濾液は、有機相
と水相とに分かれ、有機相から0−キシレンを留去する
ことにより、異性体を多く含むTDSが回収される。一
方、水相が(6) ら水を留去することにより、キシレンスルホン酸が回収
されるが、このキシレンスルホン酸ば反応に再使用して
TDSに転化することができる。
て再度、この濾過粉末を水洗、濾過した後、乾燥するこ
とにより高純度の3.3’、4.4’−TDSの粉末を
回収することができる。水洗、濾過した濾液は、有機相
と水相とに分かれ、有機相から0−キシレンを留去する
ことにより、異性体を多く含むTDSが回収される。一
方、水相が(6) ら水を留去することにより、キシレンスルホン酸が回収
されるが、このキシレンスルホン酸ば反応に再使用して
TDSに転化することができる。
以上、本発明方法によれば、0−キシレンと硫酸とから
極めて高収率で高純度の3.3’、4゜4 ’ −TD
Sを製造することができる。
極めて高収率で高純度の3.3’、4゜4 ’ −TD
Sを製造することができる。
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発
明は下記実施例に制約されるものではない。
明は下記実施例に制約されるものではない。
実施例
反応器に0−キシレン130g(1,2モル)および9
8%硫酸100g(1,0モル)を仕込み、撹拌しなが
ら反応温度を還流温度まで上昇させ、生成する水を留去
しながら水を0−キシレンと共に共沸させ、冷却後相分
離させ、0−キシレンのみ反応器に戻しながら、4時間
反応を行った。その間反応温度は徐々に上昇し、133
℃から154℃となった。
8%硫酸100g(1,0モル)を仕込み、撹拌しなが
ら反応温度を還流温度まで上昇させ、生成する水を留去
しながら水を0−キシレンと共に共沸させ、冷却後相分
離させ、0−キシレンのみ反応器に戻しながら、4時間
反応を行った。その間反応温度は徐々に上昇し、133
℃から154℃となった。
さらに0−キシレン330g(3,1モル)を反応器に
加えると共に、反応器に窒素を導入して反(7) 5系を1 kg/cl−Gに昇圧し、反応温度を165
°Cに上昇させて、生成する水を留去しながら12時間
反応を行った。
加えると共に、反応器に窒素を導入して反(7) 5系を1 kg/cl−Gに昇圧し、反応温度を165
°Cに上昇させて、生成する水を留去しながら12時間
反応を行った。
この反応液中の生成TDSの3.3’、4.4’−丁D
Sと他の異性体との割合はガスクロマトグラフ分析を行
った結果、89:11であった。
Sと他の異性体との割合はガスクロマトグラフ分析を行
った結果、89:11であった。
次いでこの反応液を25℃まで冷却し、10℃の水50
0gを加えて反応液の温度を約16°Cにし、反応液を
充分に撹拌したのち、析出物を濾過し、さらに水洗を行
った後乾燥してTDSの粉末66gを得た。この粉末を
テトラヒドロフランに溶解してガスクロマトグラフ分析
を行った結果3゜3’、4.4’−TDSと他の異性体
との割合は、96.5=3.5となり、高純度の3.3
’、4.4’−TDSが得られた。
0gを加えて反応液の温度を約16°Cにし、反応液を
充分に撹拌したのち、析出物を濾過し、さらに水洗を行
った後乾燥してTDSの粉末66gを得た。この粉末を
テトラヒドロフランに溶解してガスクロマトグラフ分析
を行った結果3゜3’、4.4’−TDSと他の異性体
との割合は、96.5=3.5となり、高純度の3.3
’、4.4’−TDSが得られた。
一方反応液を水洗し、析出物を濾過した濾液の有機相か
ら、0−キシレンを留去して回収された粉末(16g)
について、ガスクロマトグラフ分析を行った結果、3.
3’、4.4’−TDSと他の異性体との割合は、60
: 40であった。さく8) らに濾液の水相から水を留去すると、キシレンスルホン
酸130gが回収された。
ら、0−キシレンを留去して回収された粉末(16g)
について、ガスクロマトグラフ分析を行った結果、3.
3’、4.4’−TDSと他の異性体との割合は、60
: 40であった。さく8) らに濾液の水相から水を留去すると、キシレンスルホン
酸130gが回収された。
代理人 弁理士 川 北 武 長
(9)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)0−キシレンと硫酸とからテトラメチルジフェニ
ルスルホンを製造するに際し、硫酸に対して2〜8倍モ
ルのO−キシレンを用い、生成する水を除去しながら、
130〜180℃で反応を行い、得られる反応液を50
℃以下に冷却した後、水を添加して25℃以下とし、高
純度の3.3’。 4.4′−テトラメチルジフェニルスルホンを析出させ
て回収することを特徴とするテトラメチルジフェニルス
ルホンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19984083A JPS6092256A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | テトラメチルジフエニルスルホンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19984083A JPS6092256A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | テトラメチルジフエニルスルホンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6092256A true JPS6092256A (ja) | 1985-05-23 |
| JPH0421658B2 JPH0421658B2 (ja) | 1992-04-13 |
Family
ID=16414516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19984083A Granted JPS6092256A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | テトラメチルジフエニルスルホンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6092256A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3729517A (en) * | 1970-11-09 | 1973-04-24 | Cosden Oil & Chem Co | Synthesis of dialkaryl sulfone |
| JPS5214744A (en) * | 1975-07-22 | 1977-02-03 | Teijin Ltd | Process for preparation of dinitrodichlo rodiphenylsulfone |
-
1983
- 1983-10-25 JP JP19984083A patent/JPS6092256A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3729517A (en) * | 1970-11-09 | 1973-04-24 | Cosden Oil & Chem Co | Synthesis of dialkaryl sulfone |
| JPS5214744A (en) * | 1975-07-22 | 1977-02-03 | Teijin Ltd | Process for preparation of dinitrodichlo rodiphenylsulfone |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0421658B2 (ja) | 1992-04-13 |
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