JPS6092472A - 広帯域スパツタ圧力用タ−ゲツト電極 - Google Patents
広帯域スパツタ圧力用タ−ゲツト電極Info
- Publication number
- JPS6092472A JPS6092472A JP19763683A JP19763683A JPS6092472A JP S6092472 A JPS6092472 A JP S6092472A JP 19763683 A JP19763683 A JP 19763683A JP 19763683 A JP19763683 A JP 19763683A JP S6092472 A JPS6092472 A JP S6092472A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating
- target
- cathode body
- prevent
- earth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 13
- 239000013076 target substance Substances 0.000 claims 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000028327 secretion Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、広帯域ス・９ツタ圧力用ターゲツト電極に
関するものである。
関するものである。
スフ９ツタ装置においては、高圧電極の背面にス・臂ツ
タ放ＩＩＴ、が才わり込まないように、また不純物（タ
ーゲット以外の特に電棺材料）がス・（ツタされないよ
うにするため通常アースシールドで覆わｔｔ−’ｃいる
。イオンピンバードメンｌ−によりターゲット表面から
たたき出されるス・９ツタ原子は、イオンエネルギが大
きくなるに従って余弦法則に従うが、ターグツｌ−全体
を観察すると全面が均一にスＡ！ツタさ）’Ｌるのでは
なく、ターゲットの外周縁部で特によくス・やツタされ
、これにはアースシールドの形状が大きな影響を与えて
いることが認められている。
タ放ＩＩＴ、が才わり込まないように、また不純物（タ
ーゲット以外の特に電棺材料）がス・（ツタされないよ
うにするため通常アースシールドで覆わｔｔ−’ｃいる
。イオンピンバードメンｌ−によりターゲット表面から
たたき出されるス・９ツタ原子は、イオンエネルギが大
きくなるに従って余弦法則に従うが、ターグツｌ−全体
を観察すると全面が均一にスＡ！ツタさ）’Ｌるのでは
なく、ターゲットの外周縁部で特によくス・やツタされ
、これにはアースシールドの形状が大きな影響を与えて
いることが認められている。
、！＝コロテ、スパッタリングによる薄膜形成技術では
通常５’ Ｘ ｌｏ−３〜５ Ｘ ＩＱ Ｔｏｒｒ 程
度の圧力領域でグロー放電を発生させ、導入ガスイオン
でターゲット原子をたたき出し、基板に付着させている
。最近、＠質の改善やＶＬＳＩＫ見られる複雑な多層配
線またはスルーホールのステーグカパレージ等の理由で
、上述の圧力領域よりさらに高い圧力（５×１０〜ｌ
Ｔｏｒｒ ｇ度’）でスパッタリングする場合がある。
通常５’ Ｘ ｌｏ−３〜５ Ｘ ＩＱ Ｔｏｒｒ 程
度の圧力領域でグロー放電を発生させ、導入ガスイオン
でターゲット原子をたたき出し、基板に付着させている
。最近、＠質の改善やＶＬＳＩＫ見られる複雑な多層配
線またはスルーホールのステーグカパレージ等の理由で
、上述の圧力領域よりさらに高い圧力（５×１０〜ｌ
Ｔｏｒｒ ｇ度’）でスパッタリングする場合がある。
ところが、従来のカソードでは、ターゲット、シールド
リング、カソード本体の構造や原理−ヒ、５ Ｘ ＩＱ
−３〜ｌ Ｔｏｒｒの広範囲な圧力領域は一つのカソー
ドでは限界があった。またプラノｆｆＣｖＤや反応エツ
チング装置でもグロー放電を刹用し、上述のような圧力
のもとて操作を行なっているが、いずれもス・母ツタ装
置に要求されるよう々高い電力密度（Ｗ ／ ｃｍ７）
ではなく、また不純物がスの影響やカソードがスノタッ
タエッチングされる等の基板への汚染の心配をさほどで
はない。このようなことから、スフ９ツタ装置において
は、ス・ｆツタ操作圧力゛を広範囲に制御できる要求が
高まっている。
リング、カソード本体の構造や原理−ヒ、５ Ｘ ＩＱ
−３〜ｌ Ｔｏｒｒの広範囲な圧力領域は一つのカソー
ドでは限界があった。またプラノｆｆＣｖＤや反応エツ
チング装置でもグロー放電を刹用し、上述のような圧力
のもとて操作を行なっているが、いずれもス・母ツタ装
置に要求されるよう々高い電力密度（Ｗ ／ ｃｍ７）
ではなく、また不純物がスの影響やカソードがスノタッ
タエッチングされる等の基板への汚染の心配をさほどで
はない。このようなことから、スフ９ツタ装置において
は、ス・ｆツタ操作圧力゛を広範囲に制御できる要求が
高まっている。
従来のスパッタ用のカソード電極は、例えば添附図面の
第１図に示すように、カソード本体１と、その外周部に
設けられたアースシールドリング２とグランドＷｔｆ＋
’ｌから絶縁するための絶縁体３とを有し、ターゲット
４はカソード本体１上に配置したターゲット受部材５上
に装着される。上述のようにカソード本体１とアースシ
ールドリング２は重要な役割りを果しているが、この両
者間のシールド間隙６は、捕虜使用さノ１．る圧力と印
加される一電圧の大きさで決宇される。その羨め５ Ｘ
１Ｏ−２Ｔｏｒｒ Ｄｌ上の晶い圧力領域でスノダツ
タすると、シなる。またシールド°間隙６内で放電か生
じるとごターゲット４以外の物質すなわちカソード材料
がス・母ツタされ、基板嗅中の汚染が無視できなくなる
。さらにイオ／でた之かれたカソード材料の飛散物が絶
縁物の浴面にまわり込み、＃Ｉ泌少什σ１百因となる。
第１図に示すように、カソード本体１と、その外周部に
設けられたアースシールドリング２とグランドＷｔｆ＋
’ｌから絶縁するための絶縁体３とを有し、ターゲット
４はカソード本体１上に配置したターゲット受部材５上
に装着される。上述のようにカソード本体１とアースシ
ールドリング２は重要な役割りを果しているが、この両
者間のシールド間隙６は、捕虜使用さノ１．る圧力と印
加される一電圧の大きさで決宇される。その羨め５ Ｘ
１Ｏ−２Ｔｏｒｒ Ｄｌ上の晶い圧力領域でスノダツ
タすると、シなる。またシールド°間隙６内で放電か生
じるとごターゲット４以外の物質すなわちカソード材料
がス・母ツタされ、基板嗅中の汚染が無視できなくなる
。さらにイオ／でた之かれたカソード材料の飛散物が絶
縁物の浴面にまわり込み、＃Ｉ泌少什σ１百因となる。
従ってスパッタする圧力条件に応じてシールド間隙６の
構造をその都度変更する必要があり、また圧力領域によ
っては機械的な間隙構造は不可能となり得る。
構造をその都度変更する必要があり、また圧力領域によ
っては機械的な間隙構造は不可能となり得る。
また第１図に符号７で示すようにシールドリング２の上
端はターゲット物質の堆偕が著しく、特に金属ターゲッ
トを用いた場合にはその堆積片のためカソードが短絡状
態となり、必要な放電を持続させることが不可能となる
。
端はターゲット物質の堆偕が著しく、特に金属ターゲッ
トを用いた場合にはその堆積片のためカソードが短絡状
態となり、必要な放電を持続させることが不可能となる
。
そこでこの発明の目的は、従来のターゲット電極構造に
伴なう上述の欠点を解消して広い圧力範囲で使用できる
ターゲット電極を提供することにある。
伴なう上述の欠点を解消して広い圧力範囲で使用できる
ターゲット電極を提供することにある。
この目的を達成するために、この発明のターゲラ１１は
、カソード本体の外周部とアースシールド部材との間の
間隙に放電発生防止用の絶縁体を挿置しパまたアースシ
ールド部材の上端ターゲット以外の付着防止用の＠縁カ
バーを設けたことを特徴としている。
、カソード本体の外周部とアースシールド部材との間の
間隙に放電発生防止用の絶縁体を挿置しパまたアースシ
ールド部材の上端ターゲット以外の付着防止用の＠縁カ
バーを設けたことを特徴としている。
コノ発明の別の特徴によれば、トＩＰＭ掃仕む士び絶縁
カバーを固定支持する絶縁支持部材が設けられる。
カバーを固定支持する絶縁支持部材が設けられる。
さらに別の特徴によれば、上記絶縁力・臂−の外周部に
ターゲット物質のまわり込み防止用のシールド部材が設
けられる。
ターゲット物質のまわり込み防止用のシールド部材が設
けられる。
以下、添附図面の第２図を参照してこの発明の実維例に
ついて説明する。
ついて説明する。
第２図はターゲット電析の一部を示し、第１図に相応し
た部分は同じ符号で示す。
た部分は同じ符号で示す。
図示したようにカソード本体１とアースシールド部材を
成すアースシールドリング２との間のシールド間隙６内
には例えばＳｉＯ２から成り得る絶縁体８が埋め込まれ
、このシールド間隙６内における放電の発（Ｆを阻止し
７ている。アースシールドリング２の上端を覆うように
設けられたアルミナ磁器製リングから成り得る絶縁カバ
ー９は、アースシールドリング上端にターゲット物質が
付着するのを防止するように配置され、これにより、カ
ソードの短絡や絶ｌＲ，異常の発生を起さないようにし
、ている。
成すアースシールドリング２との間のシールド間隙６内
には例えばＳｉＯ２から成り得る絶縁体８が埋め込まれ
、このシールド間隙６内における放電の発（Ｆを阻止し
７ている。アースシールドリング２の上端を覆うように
設けられたアルミナ磁器製リングから成り得る絶縁カバ
ー９は、アースシールドリング上端にターゲット物質が
付着するのを防止するように配置され、これにより、カ
ソードの短絡や絶ｌＲ，異常の発生を起さないようにし
、ている。
またカソードの取付上の制約を受けないようにす＾ため
、絶縁体８および絶縁カバー９を固定するｖＡｊえばア
ルミナ磁器から成る絶縁支持部＠１０が絶縁材料から成
るビス１１によって絶縁カバー９の外周面の四部９ａに
係合［７た状態で固定されている。これによりカソード
を上下いずれの向きで取付けても絶縁カバー９および従
って絶縁体８は所定位置に保持され得る。
、絶縁体８および絶縁カバー９を固定するｖＡｊえばア
ルミナ磁器から成る絶縁支持部＠１０が絶縁材料から成
るビス１１によって絶縁カバー９の外周面の四部９ａに
係合［７た状態で固定されている。これによりカソード
を上下いずれの向きで取付けても絶縁カバー９および従
って絶縁体８は所定位置に保持され得る。
この装置を高い圧力領域で使用する場合に、絶縁カバー
９および絶縁支持部材１０の沿面にタルゲット物質が付
着し、これら要素の絶縁劣化や短絡状態の発生を防ぐた
め、絶縁カバー９および絶縁支持部材１０の外側にター
ゲット物質のまわり込み防止用のシールドリング１２が
Ｍ］ＦＪすれる。
９および絶縁支持部材１０の沿面にタルゲット物質が付
着し、これら要素の絶縁劣化や短絡状態の発生を防ぐた
め、絶縁カバー９および絶縁支持部材１０の外側にター
ゲット物質のまわり込み防止用のシールドリング１２が
Ｍ］ＦＪすれる。
図示実鰺例において、絶縁カバー９、絶縁支持部材１０
およびシールドリング１２の材質、形状および寸法は、
カソード本体１およびアースシールドリング２の形状お
よび寸法等に合わせて最適に選宇され得る。
およびシールドリング１２の材質、形状および寸法は、
カソード本体１およびアースシールドリング２の形状お
よび寸法等に合わせて最適に選宇され得る。
以上説明してきたように、カソード本体１とアースシー
ルドリング２との間のシールド間隙６に絶縁体８を設け
ているので、５×１０〜ｌ Ｔｏｒｒ程度の高いス・母
ツタ圧力領域でもシールド間隙６に放電＆ｉ生ぜず、１
そ時間、安定して動作し、また高い電力密１ψ（１０〜
１５ Ｗ ／ ｔＭ２）でも上述のような従来技術の欠
点を避けることができる。
ルドリング２との間のシールド間隙６に絶縁体８を設け
ているので、５×１０〜ｌ Ｔｏｒｒ程度の高いス・母
ツタ圧力領域でもシールド間隙６に放電＆ｉ生ぜず、１
そ時間、安定して動作し、また高い電力密１ψ（１０〜
１５ Ｗ ／ ｔＭ２）でも上述のような従来技術の欠
点を避けることができる。
また絶ｌ−にカバー９および絶縁支持部Ｉ４１０を設け
ることにより、活部距離を十分に穆ることかで傘、さら
にｔｉｔまわり込み防ＩＦ用のシールｒ ＩＪング１２
を設けることにより、絶縁劣化が押えられ、絶縁物の寿
命を高めることができる。
ることにより、活部距離を十分に穆ることかで傘、さら
にｔｉｔまわり込み防ＩＦ用のシールｒ ＩＪング１２
を設けることにより、絶縁劣化が押えられ、絶縁物の寿
命を高めることができる。
さらにこの発明０１ターゲツトｔｉＷｌは通常のス・臂
ツタカッー１゛全般に応用できる。
ツタカッー１゛全般に応用できる。
第１図Ｖよ従来型のターゲラ１゛電極を示す概略部分断
Ｌ？＋ｉ図、第２図１．Ｌ ＣＩ／、）発明による広帯
域スフ９ツタ圧力用ターゲットＩＴ ｗｉを示す第１図
と同様な図である。 図中、１．カソード本（Ｌ２：アースシールド部Ｈ１６
：絶縁部材、 ｓ：Ｗ！３縁体、 ９８ 縁カバー、１
ｏ：絶縁支持部材、１２．シールド部利。
Ｌ？＋ｉ図、第２図１．Ｌ ＣＩ／、）発明による広帯
域スフ９ツタ圧力用ターゲットＩＴ ｗｉを示す第１図
と同様な図である。 図中、１．カソード本（Ｌ２：アースシールド部Ｈ１６
：絶縁部材、 ｓ：Ｗ！３縁体、 ９８ 縁カバー、１
ｏ：絶縁支持部材、１２．シールド部利。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、カソード本体と、その外局部に配置されるアースシ
ールド部材と、アース電位から絶縁するための絶縁部材
とから成るス／９ツタ用ターゲット電罹において、カソ
ード本体の外周部とアースシールド部材との間の間隙に
放電発生防止用の絶縁体を挿置し、またアースシールド
部材の上端にターゲット物質の付着防止用の絶縁カバー
を設けたことを特徴とする広帯域ス／母ツタ圧力用ター
ゲット１１Ｌ極。 ２、カソード本体と、その外周部に配置されるアースシ
ールド°部材と、アース電位から絶縁するための絶縁部
材とから成るスノ譬ツタ用ターゲット電極において、カ
ソード本体の外周部とアースシールド部材との間の間隙
に放電発生防止用の絶縁体を挿置し、またアースシール
ド部材の上端にターゲット物質の付着防止用の絶縁カバ
ーを設け、さらに上記絶縁体および絶縁カバーを固定支
持する絶縁支持部材を設けたことを特徴とするム帯域ス
パッタ圧力用ターゲット電伊。 ｂ・ カソード本体と、その外周部に配置されるアース
シールド部材と、アース電位から絶縁するための絶縁部
材とから成るス・譬ツタ用ターゲット電極において、カ
ソード本体の外局部とアースシールド部材との間の間隙
に放電発生防止用の絶縁体を挿置し、またアースシール
ド部材の上端にターゲット物質の付着防止用の絶縁カバ
ーを設け、さらに上記絶縁カバーの外周部にターゲット
物質のまわり込み防止用のシールド部材を設けたことを
特徴とする広帯域スノぐツタ圧力用ターゲット電極ａ ４、カソード本体と、その外周部に配置されるアースシ
ールド部材と、アース電位から絶縁するための絶縁部材
とから成るスフ４ツタ用ターゲット電極において、カソ
ード本体の外聞部とアースシールド部材との間の間隙に
放電発生防止用の絶縁体を挿置し、またアースシールド
部材の上端ターゲット物質の付着防止用の絶縁カバーを
設け・上記絶縁体および絶縁カバーを固定支持する絶縁
支持部材を設け、さらに上記絶縁カバーおよび絶縁支持
部材に対してその外周部にターゲット物質のまわり込み
防止用のシールド部材を設けたことを特徴とする広帯域
スパッタ圧力用ターゲット１！極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19763683A JPS6092472A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 広帯域スパツタ圧力用タ−ゲツト電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19763683A JPS6092472A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 広帯域スパツタ圧力用タ−ゲツト電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6092472A true JPS6092472A (ja) | 1985-05-24 |
Family
ID=16377776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19763683A Pending JPS6092472A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 広帯域スパツタ圧力用タ−ゲツト電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6092472A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62260057A (ja) * | 1986-05-01 | 1987-11-12 | ウエスチングハウス エレクトリック コ−ポレ−ション | スパツタ被覆装置のタ−ゲツト構造 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4942662U (ja) * | 1972-07-18 | 1974-04-15 | ||
| JPS5429324U (ja) * | 1977-07-29 | 1979-02-26 |
-
1983
- 1983-10-24 JP JP19763683A patent/JPS6092472A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4942662U (ja) * | 1972-07-18 | 1974-04-15 | ||
| JPS5429324U (ja) * | 1977-07-29 | 1979-02-26 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62260057A (ja) * | 1986-05-01 | 1987-11-12 | ウエスチングハウス エレクトリック コ−ポレ−ション | スパツタ被覆装置のタ−ゲツト構造 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4410407A (en) | Sputtering apparatus and methods | |
| US5334298A (en) | Sputtering cathode | |
| US5082546A (en) | Apparatus for the reactive coating of a substrate | |
| JPH0359138B2 (ja) | ||
| JPS6092472A (ja) | 広帯域スパツタ圧力用タ−ゲツト電極 | |
| BRPI0715850B1 (pt) | bucha de alta tensão e dispositivo de alta tensão | |
| TW201135792A (en) | High voltage shielding arrangement | |
| JPS57194254A (en) | Cathode for insulator target in rf sputtering | |
| JPS60197873A (ja) | スパツタリング装置における絶縁物タ−ゲツト用ア−スシ−ルド装置 | |
| JPH11251416A (ja) | 静電チャック | |
| CA1080372A (en) | Cadmium telluride nuclear detector | |
| JPH0342035Y2 (ja) | ||
| JPS6484407A (en) | Manufacture of thin film magnetic head | |
| EP0103521A3 (fr) | Perfectionnements aux substrats revêtus d'une couche mince d'oxyde de platine, aux dispositifs d'obtention des substrats ainsi revêtus, et aux produits obtenus à partir de tels substrats revêtus | |
| JPH0342608Y2 (ja) | ||
| JP2660716B2 (ja) | マグネトロン型スパッタ装置 | |
| JPS62136238A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPS63149373A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JP2901984B2 (ja) | 導電性薄膜製造装置 | |
| JPS6333960Y2 (ja) | ||
| EP0548032A3 (en) | Electric arc evaporator | |
| Smith et al. | The electrical insulation of the DIII-D advanced divertor electrode | |
| JP2005139488A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH01208459A (ja) | スパツタリング装置のターゲツト電極装置 | |
| JPH0721669B2 (ja) | 除・帯電方法 |