JPS6092497A - メツキ装置 - Google Patents
メツキ装置Info
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- JPS6092497A JPS6092497A JP20139283A JP20139283A JPS6092497A JP S6092497 A JPS6092497 A JP S6092497A JP 20139283 A JP20139283 A JP 20139283A JP 20139283 A JP20139283 A JP 20139283A JP S6092497 A JPS6092497 A JP S6092497A
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- Japan
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- plate
- jig
- plated
- base plate
- plating
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- Pending
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体若しく祉導体基板用メッキ装置に関する
もので、特に上記基板の一方の表面全体に均一にメッキ
を施す装置に関する。
もので、特に上記基板の一方の表面全体に均一にメッキ
を施す装置に関する。
従来よりレジスト等で形成されたパターンをマスクにし
て半導体装置の配線あるいはＸ線露光マスクのＸＩ！吸
収体パターンを選択的にメッキする事が一般に行なわれ
ている。ところで、１μ常前後若しく社それ以下の線幅
を有する微細パターンを高精度で転写するためのＸ線露
光マスクを製造する場合に、メッキ用マスクのパターン
を必要以上に厚くすると微細パターンの形成が困難にな
る。
て半導体装置の配線あるいはＸ線露光マスクのＸＩ！吸
収体パターンを選択的にメッキする事が一般に行なわれ
ている。ところで、１μ常前後若しく社それ以下の線幅
を有する微細パターンを高精度で転写するためのＸ線露
光マスクを製造する場合に、メッキ用マスクのパターン
を必要以上に厚くすると微細パターンの形成が困難にな
る。
したがって、上記メッキ用マスクパター７社できる限シ
薄くするのが望ましい。
薄くするのが望ましい。
このような理山から一般には、メッキ膜厚と同等ないし
社メッキ膜厚＋１０ｓ程度の膜厚のマスクパターンが用
いられており、パターンの精度を上げるにはメッキ膜厚
の面内ばらつきを少なくとも所望の膜厚±５−以下程度
に制御する必要がある。
社メッキ膜厚＋１０ｓ程度の膜厚のマスクパターンが用
いられており、パターンの精度を上げるにはメッキ膜厚
の面内ばらつきを少なくとも所望の膜厚±５−以下程度
に制御する必要がある。
一方、従来のメッキ工程社、第１図の模式断面図に示す
ように、被メッキ物である基板１１の一端を導電性材料
で形成した治具１２で把持した状態で基板１１を檜１０
内に充填された所定のメッキ液１３の中に浸漬すると共
に、該基板Ｈの被メッキ面と対向するように所定のメッ
キ用電極１４をメッキ液１３中に配置し、この電極１４
をメッキ用電源Ｅの陽極Ｋ、前記治具１２を陰極にそれ
ぞれ接続し、両電極間に直流又社パルス電流を流して所
望の金属メッキを前記基板１１の表面に形成させること
によって行われている。ところが、上記のごとき従来の
メッキ装置によれば被メッキ物である基板１１がメッキ
用電源Ｅに一点で接続されることとなるため、被メツキ
面内の電位勾配が大きくなり、被メツキ面内のメッキ速
度にばらつきが生じ、直径５０１Ｋの基板内のメツー＋
膜厚に±１０％以上の不均一が生ずるという問題がある
。更に、被メツキ基板１１を把持する治具１２をメッキ
液中に浸漬できないので、治具１２で抑えられた基板１
１の被把持部およびその近傍をメッキすることができず
、これが基板の有効利用面積の低下や、メッキ面積の変
動の原因となっていた。
ように、被メッキ物である基板１１の一端を導電性材料
で形成した治具１２で把持した状態で基板１１を檜１０
内に充填された所定のメッキ液１３の中に浸漬すると共
に、該基板Ｈの被メッキ面と対向するように所定のメッ
キ用電極１４をメッキ液１３中に配置し、この電極１４
をメッキ用電源Ｅの陽極Ｋ、前記治具１２を陰極にそれ
ぞれ接続し、両電極間に直流又社パルス電流を流して所
望の金属メッキを前記基板１１の表面に形成させること
によって行われている。ところが、上記のごとき従来の
メッキ装置によれば被メッキ物である基板１１がメッキ
用電源Ｅに一点で接続されることとなるため、被メツキ
面内の電位勾配が大きくなり、被メツキ面内のメッキ速
度にばらつきが生じ、直径５０１Ｋの基板内のメツー＋
膜厚に±１０％以上の不均一が生ずるという問題がある
。更に、被メツキ基板１１を把持する治具１２をメッキ
液中に浸漬できないので、治具１２で抑えられた基板１
１の被把持部およびその近傍をメッキすることができず
、これが基板の有効利用面積の低下や、メッキ面積の変
動の原因となっていた。
本発明は、上記のような従来のメッキ装置の欠点を改善
し、基板の一方の表面全体に均一にメッキを行うことを
可能としたメッキ装置に関するものである。以下本発明
の詳細について、一実施例を示す図を参照しながら具体
的に説明する。
し、基板の一方の表面全体に均一にメッキを行うことを
可能としたメッキ装置に関するものである。以下本発明
の詳細について、一実施例を示す図を参照しながら具体
的に説明する。
第２同社本発明によるメッキ装置の断面構造全模式的に
示したものである。第２図において、２１は被メツキ基
板、２２は基板２１を固定する治具である。該治具２２
は、例えばテフロンを用いて形成され、その主平面には
例えばゴム製のＯ−リング（又はガスケット）２３を介
して被メツキ基板２１がその被メッキ面を外側に向けて
設置されており、前゛船治具２２の主平面と該基板２１
および前記Ｏ−リング（又はガスケット）２３とで四重
れた空間２２αに臨ませて治具本体２２に穿口２４が開
口され、該穿口２４に管第を介して真空ポンプ（図示略
）を接続する。空間２２α内が真空ポンプによって真空
引きされる結果、該基板２１は前記０−リング２３番介
して前記治具２２の主平面上に密着固定される。前記空
間２２ｃＬ内に社導電性スポンジ若しくは通常のスポン
ジ３が挿入されており、該スポンジ篤と基板２１の裏面
との簡には導電性金属からなる電極２６を配置し、電極
２６を前記スポンジ６および穿口別を通してメッキ用電
源Ｅの陰極に導線２７で接続する。
示したものである。第２図において、２１は被メツキ基
板、２２は基板２１を固定する治具である。該治具２２
は、例えばテフロンを用いて形成され、その主平面には
例えばゴム製のＯ−リング（又はガスケット）２３を介
して被メツキ基板２１がその被メッキ面を外側に向けて
設置されており、前゛船治具２２の主平面と該基板２１
および前記Ｏ−リング（又はガスケット）２３とで四重
れた空間２２αに臨ませて治具本体２２に穿口２４が開
口され、該穿口２４に管第を介して真空ポンプ（図示略
）を接続する。空間２２α内が真空ポンプによって真空
引きされる結果、該基板２１は前記０−リング２３番介
して前記治具２２の主平面上に密着固定される。前記空
間２２ｃＬ内に社導電性スポンジ若しくは通常のスポン
ジ３が挿入されており、該スポンジ篤と基板２１の裏面
との簡には導電性金属からなる電極２６を配置し、電極
２６を前記スポンジ６および穿口別を通してメッキ用電
源Ｅの陰極に導線２７で接続する。
この結果、前記基板２１は陰極と電気的に接続される。
なお、スポンジ２５に代えて軟質ゴム又はスプリングを
用いてもよい。前記導＠２７は、例えばガラス管若しく
はプラスチック管２８および接続治具四で外部か−ら隔
離されておシ、前記基板２１および治Ａ２２を＠３０内
に充填されたメッキ液３１の中に浸漬した場合にも該基
板２１の被メッキ面のみが陰極として作用する。該基板
２１の被メッキ面に対向して陽極電極３２が設置され、
メッキ用電源Ｅから供給される直流又はパルス電流によ
って所定の金属イオンによるメッキ面が前記基板２１の
表面に形成される。上記の構造を有する本発明のメッキ
装置によれば、被メツキ基板２１被メッキ面の裏面から
広く面状に導通を取っているため、被メツキ面内におけ
る電位分布が均一となシ、一様なメッキ速度が得られる
。更に１被メツキ基板２１はその裏面のみが治具２２に
接触しており、被メッキ面をさえぎる物が無く、また電
極部は０−リング等によってメッキ液から遮蔽されてい
るため、被メツキ基板全面に均一にメッキを施すことが
できる効果を有する。
用いてもよい。前記導＠２７は、例えばガラス管若しく
はプラスチック管２８および接続治具四で外部か−ら隔
離されておシ、前記基板２１および治Ａ２２を＠３０内
に充填されたメッキ液３１の中に浸漬した場合にも該基
板２１の被メッキ面のみが陰極として作用する。該基板
２１の被メッキ面に対向して陽極電極３２が設置され、
メッキ用電源Ｅから供給される直流又はパルス電流によ
って所定の金属イオンによるメッキ面が前記基板２１の
表面に形成される。上記の構造を有する本発明のメッキ
装置によれば、被メツキ基板２１被メッキ面の裏面から
広く面状に導通を取っているため、被メツキ面内におけ
る電位分布が均一となシ、一様なメッキ速度が得られる
。更に１被メツキ基板２１はその裏面のみが治具２２に
接触しており、被メッキ面をさえぎる物が無く、また電
極部は０−リング等によってメッキ液から遮蔽されてい
るため、被メツキ基板全面に均一にメッキを施すことが
できる効果を有する。
第１図は従来のメッキ装置の模式断面図、第２図は本発
明メッキ装置の模式断面図を示す。 ２１・・・被メツキ基板、２２・・・治具、２３・・・
ｏ−リング又杜ガスケット、冴・・・穿口、ｂ・・・ス
ポンジ、２７・・・導線、２８・・・管、２９・・・接
続治具、３１・・・メッキ液、３２・・・陽極電極
明メッキ装置の模式断面図を示す。 ２１・・・被メツキ基板、２２・・・治具、２３・・・
ｏ−リング又杜ガスケット、冴・・・穿口、ｂ・・・ス
ポンジ、２７・・・導線、２８・・・管、２９・・・接
続治具、３１・・・メッキ液、３２・・・陽極電極
Claims (1)
- （１）槽内のメッキ液中に浸漬する治具に真空吸引によ
プ被メッキ基板の裏面を気密に支持する支持面と、被メ
ツΦ基板の裏面に面接触によシ圧着固定する陰極電極と
を設け、該陰極電極に接続した電源コードをメッキ液よ
り隔離して外部へ引き出したことを１＃！ｉ徴とするメ
ッキ４ｔｉｔｔＺ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20139283A JPS6092497A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | メツキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20139283A JPS6092497A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | メツキ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6092497A true JPS6092497A (ja) | 1985-05-24 |
Family
ID=16440323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20139283A Pending JPS6092497A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | メツキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6092497A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5024746A (en) * | 1987-04-13 | 1991-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Fixture and a method for plating contact bumps for integrated circuits |
| JPH0476051U (ja) * | 1990-11-16 | 1992-07-02 | ||
| JPH06108285A (ja) * | 1991-04-22 | 1994-04-19 | Toshiba Corp | 半導体ウェハめっき用治具 |
| CN107881542A (zh) * | 2017-11-10 | 2018-04-06 | 北京航空航天大学 | 梯度阴极沉积法制备低温高湿液滴驱动铜丝的方法 |
| WO2024104256A1 (zh) * | 2022-11-18 | 2024-05-23 | 天合光能股份有限公司 | 太阳能电池的电镀装置及电镀设备 |
-
1983
- 1983-10-27 JP JP20139283A patent/JPS6092497A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5024746A (en) * | 1987-04-13 | 1991-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Fixture and a method for plating contact bumps for integrated circuits |
| JPH0476051U (ja) * | 1990-11-16 | 1992-07-02 | ||
| JPH06108285A (ja) * | 1991-04-22 | 1994-04-19 | Toshiba Corp | 半導体ウェハめっき用治具 |
| CN107881542A (zh) * | 2017-11-10 | 2018-04-06 | 北京航空航天大学 | 梯度阴极沉积法制备低温高湿液滴驱动铜丝的方法 |
| CN107881542B (zh) * | 2017-11-10 | 2019-04-12 | 北京航空航天大学 | 梯度阴极沉积法制备低温高湿液滴驱动铜丝的方法 |
| WO2024104256A1 (zh) * | 2022-11-18 | 2024-05-23 | 天合光能股份有限公司 | 太阳能电池的电镀装置及电镀设备 |
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