JPS60924U - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS60924U JPS60924U JP9253083U JP9253083U JPS60924U JP S60924 U JPS60924 U JP S60924U JP 9253083 U JP9253083 U JP 9253083U JP 9253083 U JP9253083 U JP 9253083U JP S60924 U JPS60924 U JP S60924U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase growth
- vapor phase
- growth apparatus
- gas
- growth equipment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は本考案による気相成長装置の一実施例を示す概
要図、第２図は本考案の他の実施例を示す概要図である
。 １・・・・・・ベース、３・・・・・・ベルジャ、４ａ
、 ４ｂ・・・・・・反応室、５・・・・・・サセプ
タ、６・・・・・・ウェハ、７・・・・・・回転軸、８
・・・・・・加熱源、９・・・・・・カバー、１０ａ。 １０ｂ・・・・・・加熱源を収納する室、１２・・・・
・・回転軸ボックス、１３ａ、１３ｂ・・・・・・ノズ
ル、１４・・・・・・ガス制御装置、１５・・・・・・
排気口、１６ａ、１６ｂ・・・・・・排気管、１７．２
０ａ、 ２０ｂ、 ２３・・・・・・バルブ、１８．２
５・・・・・・浄化手段、１９．２６・・・・・・逆止
弁、２１・・・・・・プロセス制御装置、２２・・・・
・・分岐管、２４・・・・・・昇圧装置。
要図、第２図は本考案の他の実施例を示す概要図である
。 １・・・・・・ベース、３・・・・・・ベルジャ、４ａ
、 ４ｂ・・・・・・反応室、５・・・・・・サセプ
タ、６・・・・・・ウェハ、７・・・・・・回転軸、８
・・・・・・加熱源、９・・・・・・カバー、１０ａ。 １０ｂ・・・・・・加熱源を収納する室、１２・・・・
・・回転軸ボックス、１３ａ、１３ｂ・・・・・・ノズ
ル、１４・・・・・・ガス制御装置、１５・・・・・・
排気口、１６ａ、１６ｂ・・・・・・排気管、１７．２
０ａ、 ２０ｂ、 ２３・・・・・・バルブ、１８．２
５・・・・・・浄化手段、１９．２６・・・・・・逆止
弁、２１・・・・・・プロセス制御装置、２２・・・・
・・分岐管、２４・・・・・・昇圧装置。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 反応室やこれに隣接する加熱源などを収納する室に
反応ガスやパージのためなどのガスを導入するようにし
た１ないし複数台からなる気相成長装置において、前記
の各室のうち少なくとも１つの室からのガスの排気口を
、バルブにより前記の各室のうち少な（とも１つの室へ
のガスの導入側に接続可能にしたことを特徴とする気相
成長装置。 ２ ガスの排気口と導入側との接続が１つの気相成長装
置内で行なわれている実用新案登録請求の範囲第１項記
載の気相成長装置。 ３ 排気口が、他の気相成長装置のガスの導入側に接続
されている実用新案登録請求の範囲第１項記載の気相成
長装置。 ４ 排気口からのガスの一部のみをガスの導入側へ戻す
ようになっている実用新案登録請求の範囲第１．２“ま
たは３項記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9253083U JPS60924U (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9253083U JPS60924U (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60924U true JPS60924U (ja) | 1985-01-07 |
Family
ID=30222804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9253083U Pending JPS60924U (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60924U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7927455B2 (en) | 2004-10-22 | 2011-04-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
| US8092640B2 (en) | 2005-01-13 | 2012-01-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus and semiconductor device manufactured by the same apparatus |
-
1983
- 1983-06-16 JP JP9253083U patent/JPS60924U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7927455B2 (en) | 2004-10-22 | 2011-04-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
| US8092640B2 (en) | 2005-01-13 | 2012-01-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus and semiconductor device manufactured by the same apparatus |
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