JPS6142832U - 気相成長装置 - Google Patents

気相成長装置

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JPS6142832U
JPS6142832U JP12662384U JP12662384U JPS6142832U JP S6142832 U JPS6142832 U JP S6142832U JP 12662384 U JP12662384 U JP 12662384U JP 12662384 U JP12662384 U JP 12662384U JP S6142832 U JPS6142832 U JP S6142832U
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JP
Japan
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vapor phase
phase growth
growth equipment
reaction gases
reaction
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JP12662384U
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肇 小杉
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例によるＬＰＧＶＤ装置の長手
方向の断面図である。 第２図、第３図は従来のＬＰＧＩＩ：ＶＤ装置反応部の
長手力向の断面図である。 １・・・ウエーハ支持台、２・・・ウエーハ、３・・・
反応管、４・・・反応管の入口側蓋体、５・・・反応管
の出口側蓋体、６・・・ガス供給孔、７・・・加熱炉、
訃・・排気孔、９・・・排気ポンプ、１０．１１・・・
ガス導入管。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 少なくとも２種類以上の反応ガスの供給を必要とする気
    箱成長装置において、全ての反応ガスを各々単独に反応
    管内に供給するためのガス供給管を有することを特徴と
    する薄膜気相成長装置。 ℃
JP12662384U 1984-08-21 1984-08-21 気相成長装置 Pending JPS6142832U (ja)

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