JPH0476031U - - Google Patents
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- JPH0476031U JPH0476031U JP11959690U JP11959690U JPH0476031U JP H0476031 U JPH0476031 U JP H0476031U JP 11959690 U JP11959690 U JP 11959690U JP 11959690 U JP11959690 U JP 11959690U JP H0476031 U JPH0476031 U JP H0476031U
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- JP
- Japan
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- vapor phase
- phase growth
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- dry air
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Description
第１図は本考案にかかる気相成長装置の系統図
、第２図は従来型の気相成長装置の系統図である
。 １……支持棒、２……サセプタ、３……基板、
４……ＲＦコイル、５……反応管、６……水素導
入口、７……マスフローコントローラ、８……バ
ブラー、９……三方弁、１０……ガスボンベ、１
１……ニードルバルブ、１２……圧力計、１３…
…ダストフイルタ、１４……コールドトラツプ、
１５……ロータリーポンプ、１６……可変バルブ
、１７……ドライエア（または酸素）導入口。
、第２図は従来型の気相成長装置の系統図である
。 １……支持棒、２……サセプタ、３……基板、
４……ＲＦコイル、５……反応管、６……水素導
入口、７……マスフローコントローラ、８……バ
ブラー、９……三方弁、１０……ガスボンベ、１
１……ニードルバルブ、１２……圧力計、１３…
…ダストフイルタ、１４……コールドトラツプ、
１５……ロータリーポンプ、１６……可変バルブ
、１７……ドライエア（または酸素）導入口。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) −Ｖ族結晶成長原料を、ＭＯ−ＣＶＤ法
を用いて反応管内に配置されたサセプタ上の化合
物半導体基板上に気相成長させる装置において、 反応管よりキヤリアガス、反応生成物を排気す
る排気系に、ドライエアまたはドライ酸素を導入
させることを特徴とする気相成長装置。 (2) 実用新案登録請求の範囲第１項の記載にお
いて、ドライエアまたはドライ酸素は、液体窒素
トラツプまたはフオアライントラツプに導入する
ことを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11959690U JPH0476031U (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11959690U JPH0476031U (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0476031U true JPH0476031U (ja) | 1992-07-02 |
Family
ID=31867542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11959690U Pending JPH0476031U (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0476031U (ja) |
-
1990
- 1990-11-14 JP JP11959690U patent/JPH0476031U/ja active Pending