JPS6092626A - 樹脂封止型半導体装置の製造装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造装置

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JPS6092626A
JPS6092626A JP58201626A JP20162683A JPS6092626A JP S6092626 A JPS6092626 A JP S6092626A JP 58201626 A JP58201626 A JP 58201626A JP 20162683 A JP20162683 A JP 20162683A JP S6092626 A JPS6092626 A JP S6092626A
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Japan
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resin
force
metallic block
metal block
mold
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JP58201626A
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Akira Shinohara
篠原　彰
Tsutomu Ishiguro
石黒　勉
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Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • H10W74/01—Manufacture or treatment
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、効率的な熱放散特性を得る樹脂封止型半導体
装置の製造装置に関する。
従来例の構成とその問題点 −１従来、比較的発熱量の大きい半導体装置において、
発熱した熱をすみやかに装置外部に放出するために、例
えば、第１図に示すように、シリコンチップを接着した
金属ブロック１の一部または一端面を樹脂封止体２を有
する装置本体から露出させ、この金属ブロック１の露出
面を実装基板や外部放熱板に密着させることにより放熱
効果を高める構造がある。なお、図中の符号３で表わし
たものは外部リードである。この場合、金属ブロック１
の露出面、すなわち、実装基板や外部放熱板と密着させ
るべき面に、封止過程で封止用初詣の薄パリが流出固着
すると、金属ブロックと実装基板や外部放熱板面との密
着を妨け、放熱効果を著しく低下させる。流出固着した
樹脂パリを金属ブロック面から除去する方法として、ブ
ラッシング法、サンドブラスト法等があるが、固着した
樹脂パリ除去は大きな労力、経費を必要とする。
発明の目的 本発明は前記樹脂パリの流出を何ら労力を要せず効果的
に防止することの可能な製造装置を提供するものであり
、これにより放熱特性にすぐれた樹脂封止型半導体装置
を得る。
発明の構成 樹脂封止型半導体装置本体を形成する少なくとも一端面
に露出した金属ブロックが連続に延長するかたちで装置
本体から突出する形状を有する半導体装置を製造するの
に適用の樹脂封止金型であり、樹脂封止工程で前記金属
ブロックを封止金型でクランプした時、前記金属ブロッ
クの装置から露出させるべき面と接する刺止金型面に装
置本体から突出する金属ブロックの根本付近の位置から
金属ブロックを押し上げる方向にわずかな角度（例えば
１０′〜１°）の昇り勾配をもたせる。すなわち、樹脂
封止の際、封止金型で金属ブロックをクランプした時、
金属ブロックを押し曲げるがごとき力を加えるのである
。この時、装置本体から露出すべき面は、曲げ反発力に
よって金型面に強く押し伺けられ露出面への樹脂の回シ
込みを効果的に防止することになる。
実施例の説明 第２図に本発明の一例を示す。第２図の４は樹脂封止金
型の下型であシ、金属ブロック１の突出する部分の根本
付近の０点を起点として角度θを有する。第３図に下金
型４と止金型５との一対の封止金型で金属ブロック１を
クランプした時の状態図を示す。金属ブロック１は、Ｐ
１Ｐ２のクランプ圧力によって生ずる金属ブロック１自
身の曲げ反発力Ｆによって、同金属ブロック１の装置本
体から露出すべき面が金型の面に強く押しつけられる。
なお、第２図、第３図中の符号６，７で表わしたものは
、内部に封入される半導体素子および接続細線である。
発明の効果 本発明によれば、前記曲げ反発力によって、金属ブロッ
クの下面が、下金型に強く押しく＝Ｊけられ、この結果
、半導体装置の少なくとも一端面から露出する金属ブロ
ックの面への樹脂の回り込みが阻止される。このことに
より、同装置の放熱特性は十分に維持されると共に、樹
脂パリ工程が不要となり大幅な工数削減が可能となった
。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来例樹脂封止半導体装置の外観図、第２図は
本発明実施例装置を示す樹脂封止金型構造図、第３図は
本発明実施例の樹脂封止金型をクランプした状態図であ
る。。 １・・・・・・金属ブロック、２・・・・・・樹脂封止
体、３・・・・・・外部リード、４・・・・・下金型、
６・・・・・・上金型。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体素子を載置し、放熱体を兼ねる金属ブロッ
    クの一面が接触する樹脂封止成形用金型面に、前記金属
    ブロック面の一方の側で小角度の昇シ勾配部をそなえ、
    前記金属ブロックの他方の側を上下一対の金型の一部で
    クランプして、前記金属ブロック面を前記金型の昇シ勾
    配部に圧接させる構造の樹脂封止型半導体装置の製造装
    置。
  2. （２）金型面の昇シ勾配部が１度〜１分の範囲の角度に
    選定された特許請求の範囲第１項に記載の樹脂封止型半
    導体装置の製造装置。
JP58201626A 1983-10-27 1983-10-27 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Expired - Lifetime JPH0650747B2 (ja)

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JPS6092626A true JPS6092626A (ja) 1985-05-24
JPH0650747B2 JPH0650747B2 (ja) 1994-06-29

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5252783A (en) * 1992-02-10 1993-10-12 Motorola, Inc. Semiconductor package

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS554913A (en) * 1978-06-26 1980-01-14 Hitachi Ltd Resin molding method
JPS5952539A (ja) * 1982-09-20 1984-03-27 株式会社富士電機総合研究所 電磁式粉砕混合等処理装置

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JPH0650747B2 (ja) 1994-06-29

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