JPS6093336A - レ−ザ微量分析装置 - Google Patents
レ−ザ微量分析装置Info
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- JPS6093336A JPS6093336A JP20208883A JP20208883A JPS6093336A JP S6093336 A JPS6093336 A JP S6093336A JP 20208883 A JP20208883 A JP 20208883A JP 20208883 A JP20208883 A JP 20208883A JP S6093336 A JPS6093336 A JP S6093336A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/10—Ion sources; Ion guns
- H01J49/16—Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field-, thermionic- or photo-emission
- H01J49/161—Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field-, thermionic- or photo-emission using photoionisation, e.g. by laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明げレーザ光を利用した分析装置に関するもので
ある。
ある。
従来この種の装置としてオ１図の構成図に示すものがあ
った。
った。
図において、１１１はレーデ光、（２１は集光レンズ、
（３）は試料、（４）はレーザ光の照射によって試料か
ら発生した２次粒子、例えば電子、イオン、中性粒子で
あり、（５）は２次粒子を検出して各種の分析を行う分
析器である。
（３）は試料、（４）はレーザ光の照射によって試料か
ら発生した２次粒子、例えば電子、イオン、中性粒子で
あり、（５）は２次粒子を検出して各種の分析を行う分
析器である。
次に動作について説明する。レーザ光（１）を集光レン
ズ（２１で小さなスポットに集光し、試料１３）の表面
上に照射し、レーザ照射された１救少な端域から発生し
た２次粒子（４）を分析器（６）で分析し、試料（３）
の畝少な端域の分析を行う。
ズ（２１で小さなスポットに集光し、試料１３）の表面
上に照射し、レーザ照射された１救少な端域から発生し
た２次粒子（４）を分析器（６）で分析し、試料（３）
の畝少な端域の分析を行う。
従来のレーザ微量分析装置では、試料（３１から発生し
た２次粒子（４）が条光レンズ１２１？通過することが
できないため、集光レンズ（２）を、１代料（３）と分
析器（５）の中間位置に設置することができなかった。
た２次粒子（４）が条光レンズ１２１？通過することが
できないため、集光レンズ（２）を、１代料（３）と分
析器（５）の中間位置に設置することができなかった。
このように、分析器（５）を集光レンズ（２）と試料を
結ぶ直線上に、設置できないため、通常はオ１図に示す
ように、試料＋３１と集光レンズ（２）の中間位置に、
試料（３）と集光レンズ（２１を結ぶ直線上をはずして
分析器１５）を設置した。
結ぶ直線上に、設置できないため、通常はオ１図に示す
ように、試料＋３１と集光レンズ（２）の中間位置に、
試料（３）と集光レンズ（２１を結ぶ直線上をはずして
分析器１５）を設置した。
このため、分析器のサイズ・形状が制限されたり、集光
レンズの焦点距離を短かくできないなど、装置構成に関
して空間的な制限を大きく受けていた。
レンズの焦点距離を短かくできないなど、装置構成に関
して空間的な制限を大きく受けていた。
筐た、例えばイオン分析の」ん合、イオン発生層の空間
分布は、第２図に示すように試料表面に半直な方向のｌ
ｊｋ分が最も多い。図において（Ｙｏ）は試料向に垂直
な方向へのイオン発生層、（θ）ｔｒｉ試料［川の垂直
方向からの角度、（Ｙ）は試料向の東直方向からθ１す
ｉｌ／′また方向へのイオン発生り姪でＹ−Ｙｏ ＩＫ
＋６θである・ｖＬつて、１１柊度の点からは、試料表
向に垂直な方向に分（１１器を設置するが望ましいが、
このような配置にした場合、レーザを試料表向に畦直な
方向から集光照射できず、集光スポットが試料表面でダ
円形になるなど、不都合が生じた。
分布は、第２図に示すように試料表面に半直な方向のｌ
ｊｋ分が最も多い。図において（Ｙｏ）は試料向に垂直
な方向へのイオン発生層、（θ）ｔｒｉ試料［川の垂直
方向からの角度、（Ｙ）は試料向の東直方向からθ１す
ｉｌ／′また方向へのイオン発生り姪でＹ−Ｙｏ ＩＫ
＋６θである・ｖＬつて、１１柊度の点からは、試料表
向に垂直な方向に分（１１器を設置するが望ましいが、
このような配置にした場合、レーザを試料表向に畦直な
方向から集光照射できず、集光スポットが試料表面でダ
円形になるなど、不都合が生じた。
この発明は上記のような従来のものの欠点ケ除去するた
めになされたもので、オニ孔を汀（７、レーザ光の光路
を斐える光学系、第２孔を有し、上記光学系によ、！ｌ
ｌｌ光路を装えられたレーザ光を集光して試料表面の緻
少哄域に照射する集光レンズ、並びに上記レーザ光の照
射によシ発生μ第２孔及びオニ孔を透過した２次粒子全
分析する分析器を婦えたものにすることにより、レーデ
入射方向と同方向に発生した２次粒子の分析ができるレ
ーザ微量分析装置を提供することを目的としている。
めになされたもので、オニ孔を汀（７、レーザ光の光路
を斐える光学系、第２孔を有し、上記光学系によ、！ｌ
ｌｌ光路を装えられたレーザ光を集光して試料表面の緻
少哄域に照射する集光レンズ、並びに上記レーザ光の照
射によシ発生μ第２孔及びオニ孔を透過した２次粒子全
分析する分析器を婦えたものにすることにより、レーデ
入射方向と同方向に発生した２次粒子の分析ができるレ
ーザ微量分析装置を提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を第３図の（・Ｒ成図に基い
て説明する。
て説明する。
図において、１ｌｌｖ′ｉレーザ光、（２）は集光レン
ズ、（３１Ｉ″ｉ例えば半等体などの試料、１４１はレ
ーツ′尤の集光照射によって発生した２次粒子、−］え
ば電中央部に開けられたオニ孔、（８）は集光レンズ１
２１の中央部に開けられた第２孔である。牙４図はこの
実施例における反射＠（６１の正面図と側面図で、第５
図は同じく条光レンズ（２）の正面図と画面図を示して
いる。
ズ、（３１Ｉ″ｉ例えば半等体などの試料、１４１はレ
ーツ′尤の集光照射によって発生した２次粒子、−］え
ば電中央部に開けられたオニ孔、（８）は集光レンズ１
２１の中央部に開けられた第２孔である。牙４図はこの
実施例における反射＠（６１の正面図と側面図で、第５
図は同じく条光レンズ（２）の正面図と画面図を示して
いる。
レーザ光Ｉｌ＋を４５器反射鏡（６）で光路を折シ曲べ
集光レンズ）２１で条光し、試料・（３）の表面上の微
少Ｉｉｌ：Ｉ域に混光照射する。レーザ照射によって試
料（３）から発生した２次粒子１４）は試料表面からい
ろいろな方向に飛んで行くが、第２孔（８）及びオニ孔
（７）を趨過した２次粒子（４）は分析器（５）で分析
される。７１孔（７）、第２孔（８）及び分析器（５）
全試料＋３１表曲に垂直な同一線上に丈けることにょシ
、試Ｎ １３１表曲に垂直な方向の２次粒子（４）を分
析できる。
集光レンズ）２１で条光し、試料・（３）の表面上の微
少Ｉｉｌ：Ｉ域に混光照射する。レーザ照射によって試
料（３）から発生した２次粒子１４）は試料表面からい
ろいろな方向に飛んで行くが、第２孔（８）及びオニ孔
（７）を趨過した２次粒子（４）は分析器（５）で分析
される。７１孔（７）、第２孔（８）及び分析器（５）
全試料＋３１表曲に垂直な同一線上に丈けることにょシ
、試Ｎ １３１表曲に垂直な方向の２次粒子（４）を分
析できる。
また、第６図ｒよレーデ光のプロフィールを示ｔもので
、（ａ）に示すようなカフス分布したプロフィールのレ
ーザ光の代わシに、（ｂｌに示すようなプロフィールの
レーザ光を使用するほうが、オニ孔（７）及び第２孔（
８）によるレーザ光のエネルギ損失を小さくするので、
より好ましい。
、（ａ）に示すようなカフス分布したプロフィールのレ
ーザ光の代わシに、（ｂｌに示すようなプロフィールの
レーザ光を使用するほうが、オニ孔（７）及び第２孔（
８）によるレーザ光のエネルギ損失を小さくするので、
より好ましい。
なお、上記実施例では光学系（６）として反射鏡を用い
たが、オフ図の正面図＋ Ｌｕ１Ｉ而図に示す上うなプ
リズムでもよい。また第５図に集光レンズ（２１一枚の
例を示したが、数種類のレンズを組み合わせた集光レン
ズ系であってもよい。
たが、オフ図の正面図＋ Ｌｕ１Ｉ而図に示す上うなプ
リズムでもよい。また第５図に集光レンズ（２１一枚の
例を示したが、数種類のレンズを組み合わせた集光レン
ズ系であってもよい。
また、上記実施汐りでｔま分析装置の場合について説明
したが、分析装置を組み込んだレーザ加工機であっても
よく、上記実施例と同様の効果を奏する。
したが、分析装置を組み込んだレーザ加工機であっても
よく、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によればオニ孔を付し、レーザ
光の光路を変える光学系、第２孔を刊し、上記光学系に
より光路ｋＷえられたレーザ光全集光して試料表面の１
数少端域に照射する集光レンズ、並びに上記レーザ光の
照射により発生し、第２孔及びオニ孔を透過した２次粒
子を分析する分析器を備えたものにすることにより、レ
ーザ入熱方向と同方向に発生した２次粒子の分析ができ
るレーザ微４分析装置が得られる効果がある。
光の光路を変える光学系、第２孔を刊し、上記光学系に
より光路ｋＷえられたレーザ光全集光して試料表面の１
数少端域に照射する集光レンズ、並びに上記レーザ光の
照射により発生し、第２孔及びオニ孔を透過した２次粒
子を分析する分析器を備えたものにすることにより、レ
ーザ入熱方向と同方向に発生した２次粒子の分析ができ
るレーザ微４分析装置が得られる効果がある。
第１図は促来のレーザ微量分折襞【ｄを示す構ｊＪｙ図
、第２図はイオン発生はのを問分布を示す特性図、第８
図はこの発明の一実ｂｍ例のレーザ微量分析装置を示す
燵成図、第４図はこの発明の一実施例による反射鏡を示
す正面図と側面図、第５図は同じく集光レンズの一実施
例を示す正ｒｆＩＩ図と側面図、第６図はレーザ光のプ
ロフィールを示す特性図、刃・７図はＣの発明の他のズ
施例のプリズムケ示す正ｃｌｊｊ図と側面図である。 図において、＋１１はレーザ光、（２）は集光レンズ、
（３）は試料、（４）は２次粒子、（５）は分析器、（
６１は光学系、（７）はオニ孔、（８）は第２孔である
。 なお、図中、同−宿号は同−又は１目当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 第３図 第４図 手続補止書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５８−２０２０８８号２、発明
の名称 レーザ機敏分析装置 ：３．補正をする者 代表台片１１１仁八部 ６ 補正の対課 明細書の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の欄。 ６、 補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり訂正す
る。 ／２）同第２貝第１０行及び第１２行、並ひに第４貝第
６行及び第６貝第１４行の「微少」？「巖小」に訂正す
る。 ７ 添付書類の目録 補正後の特許請求の範囲ｒ記載した書面 １通以上 特Ｉ？！Ｆ請求の範囲 （１１第１孔ｒ有し、レーザ光の光路音度える光学系、
第２孔會有し、上記光学系により光路會変えらｔ′した
レーザ光？集光して試料表面の微生領域に照射する集光
レンズ、並びに上記レーザ光の照射により発生し、第２
孔及び第１孔を透過した２次粒子ケ分析する分析器ケ＠
えたレーザ微量分析装置。 （２） 第２孔が集光レンズの中上部に開けられ、上記
集光レンズが試料表面と平行に設けられている特許請求
の範囲第１項記載のレーザ徽址分析装置。
、第２図はイオン発生はのを問分布を示す特性図、第８
図はこの発明の一実ｂｍ例のレーザ微量分析装置を示す
燵成図、第４図はこの発明の一実施例による反射鏡を示
す正面図と側面図、第５図は同じく集光レンズの一実施
例を示す正ｒｆＩＩ図と側面図、第６図はレーザ光のプ
ロフィールを示す特性図、刃・７図はＣの発明の他のズ
施例のプリズムケ示す正ｃｌｊｊ図と側面図である。 図において、＋１１はレーザ光、（２）は集光レンズ、
（３）は試料、（４）は２次粒子、（５）は分析器、（
６１は光学系、（７）はオニ孔、（８）は第２孔である
。 なお、図中、同−宿号は同−又は１目当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 第３図 第４図 手続補止書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５８−２０２０８８号２、発明
の名称 レーザ機敏分析装置 ：３．補正をする者 代表台片１１１仁八部 ６ 補正の対課 明細書の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の欄。 ６、 補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり訂正す
る。 ／２）同第２貝第１０行及び第１２行、並ひに第４貝第
６行及び第６貝第１４行の「微少」？「巖小」に訂正す
る。 ７ 添付書類の目録 補正後の特許請求の範囲ｒ記載した書面 １通以上 特Ｉ？！Ｆ請求の範囲 （１１第１孔ｒ有し、レーザ光の光路音度える光学系、
第２孔會有し、上記光学系により光路會変えらｔ′した
レーザ光？集光して試料表面の微生領域に照射する集光
レンズ、並びに上記レーザ光の照射により発生し、第２
孔及び第１孔を透過した２次粒子ケ分析する分析器ケ＠
えたレーザ微量分析装置。 （２） 第２孔が集光レンズの中上部に開けられ、上記
集光レンズが試料表面と平行に設けられている特許請求
の範囲第１項記載のレーザ徽址分析装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｆｌｌ オニ孔を伺し、レーザ光の光路を変える光学系
、第２孔を有し、上記光学系により光路を変えられたレ
ーザ光を集光して試料表面の微少＠域に照射する集光レ
ンズ、並びに上記レーザ光の照射により発生し、第２孔
及びオニ孔を透過した２次粒子を分析する分析器を（Ｉ
ｉｆｊえたレーザ微量分析装置。 （２１第２孔が集光レンズの中心部に開けられ、上記集
光レンズが試料表面と平行に設けられている特許１、請
求の範囲オ１項記載のレーザ微量分析装置ｄ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20208883A JPS6093336A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | レ−ザ微量分析装置 |
| GB08427104A GB2149569B (en) | 1983-10-26 | 1984-10-26 | Optical microanalyzer |
| DE19843439287 DE3439287C2 (de) | 1983-10-26 | 1984-10-26 | Lasermikrostrahlanalysiergerät |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20208883A JPS6093336A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | レ−ザ微量分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6093336A true JPS6093336A (ja) | 1985-05-25 |
| JPH0447262B2 JPH0447262B2 (ja) | 1992-08-03 |
Family
ID=16451764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20208883A Granted JPS6093336A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | レ−ザ微量分析装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6093336A (ja) |
| DE (1) | DE3439287C2 (ja) |
| GB (1) | GB2149569B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS639855A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Rikagaku Kenkyusho | 電子計数装置 |
| JPS63146339A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-18 | Shimadzu Corp | 飛行時間型質量分析計 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4325724A1 (de) * | 1993-07-30 | 1995-02-02 | Paul Dr Debbage | Vorrichtung und Verfahren zur Untersuchung eines Objektes und zur Einwirkung auf das Objekt |
| DE4343076C2 (de) * | 1993-12-16 | 1997-04-03 | Phototherm Dr Petry Gmbh | Vorrichtung zum photothermischen Prüfen einer Oberfläche eines insbesondere bewegten Gegenstandes |
| DE19637480C2 (de) * | 1996-09-13 | 2001-02-08 | Thorald Bergmann | Vorrichtung zur massenspektrometrischen Analyse von Oberflächen |
| DE10002970B4 (de) * | 2000-01-25 | 2004-09-16 | Gkss-Forschungszentrum Geesthacht Gmbh | Vorrichtung zur Analyse von in tröpfchenförmigen Flüssigkeitsproben enthaltenen Elementen |
| GB2400976B (en) * | 2000-09-06 | 2005-02-09 | Kratos Analytical Ltd | Ion optics system for TOF mass spectrometer |
| JP4104132B2 (ja) * | 2003-04-23 | 2008-06-18 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 高速粒子発生装置 |
| DE102004044196B4 (de) * | 2004-09-14 | 2019-03-07 | Bruker Daltonik Gmbh | Massenspektrometer mit einem Lasersystem für die Ionisation einer Probe durch matrixunterstützte Laserdesorption in der massenspektrometrischen Analyse |
| GB2428868B (en) | 2005-10-28 | 2008-11-19 | Thermo Electron Corp | Spectrometer for surface analysis and method therefor |
| CN113921372B (zh) * | 2021-12-02 | 2025-07-11 | 国开启科量子技术(北京)有限公司 | 一种激光溅射原子发生装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5145586A (ja) * | 1974-10-16 | 1976-04-19 | Hitachi Ltd |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2141387C3 (de) * | 1971-08-18 | 1975-12-11 | Ernst Dr. 8000 Muenchen Remy | Verfahren zur auf Mikrobereiche beschränkten Verdampfung, Zerstörung, Anregung und/oder Ionisierung von Probenmaterial sowie Anordnung zur Durchführung des Verfahrens |
| FR2253410A5 (ja) * | 1973-12-03 | 1975-06-27 | Inst Nat Sante Rech Med | |
| DE2734918A1 (de) * | 1977-08-03 | 1979-06-21 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Einrichtung zur analyse von proben |
| DE2922128A1 (de) * | 1979-05-31 | 1980-12-11 | Strahlen Umweltforsch Gmbh | Ionenquelle fuer einen massenanalysator |
| GB2080027B (en) * | 1980-07-10 | 1985-02-27 | Hughes Technology Pty Ltd | Laser particle generator |
-
1983
- 1983-10-26 JP JP20208883A patent/JPS6093336A/ja active Granted
-
1984
- 1984-10-26 GB GB08427104A patent/GB2149569B/en not_active Expired
- 1984-10-26 DE DE19843439287 patent/DE3439287C2/de not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5145586A (ja) * | 1974-10-16 | 1976-04-19 | Hitachi Ltd |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS639855A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Rikagaku Kenkyusho | 電子計数装置 |
| JPS63146339A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-18 | Shimadzu Corp | 飛行時間型質量分析計 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3439287A1 (de) | 1985-05-09 |
| GB2149569A (en) | 1985-06-12 |
| JPH0447262B2 (ja) | 1992-08-03 |
| GB2149569B (en) | 1987-08-26 |
| DE3439287C2 (de) | 1986-02-20 |
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