JPS6095435A - 露光用マスク - Google Patents
露光用マスクInfo
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- JPS6095435A JPS6095435A JP58202104A JP20210483A JPS6095435A JP S6095435 A JPS6095435 A JP S6095435A JP 58202104 A JP58202104 A JP 58202104A JP 20210483 A JP20210483 A JP 20210483A JP S6095435 A JPS6095435 A JP S6095435A
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- JP
- Japan
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- scales
- main
- pattern
- focus
- outside
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明はＩＣ，Ｔ、８Ｉ等の半導体集積回路を製造する
ための投影露光装置に使う露光用マスクに関する。
ための投影露光装置に使う露光用マスクに関する。
（発明の背景）
この種の露光装置においては、投影レンズの倍率を測定
するために倍率測定専用のマスク（またはレティクル）
が使用されていた。また、投影レンズの最良の焦点検出
のためには、投影レンズの焦点を段階的に変化させ、そ
の都度同一ウェハの異なる領域に所定のパターンを露光
し７てゆき、そ（１） して該ウェハを現偉した後に顕微鏡で観察して最も解像
の良いシ璽ットを探す。この最も解像の良いシ璽ットに
対応する焦点が投影レンズの最良の焦点となる。しかし
ながら、前者においては倍率測定のたびに倍率測定専用
マスクに交換しなければならないので、このマスク交換
時間が無駄であること及びマスク交換時のゴミの発生が
問題となる。また、後者においては顕微鏡を検出者が観
察しなから各シ璽ットを目視によって比較するので、最
良焦点検出が不正確になり易かった。
するために倍率測定専用のマスク（またはレティクル）
が使用されていた。また、投影レンズの最良の焦点検出
のためには、投影レンズの焦点を段階的に変化させ、そ
の都度同一ウェハの異なる領域に所定のパターンを露光
し７てゆき、そ（１） して該ウェハを現偉した後に顕微鏡で観察して最も解像
の良いシ璽ットを探す。この最も解像の良いシ璽ットに
対応する焦点が投影レンズの最良の焦点となる。しかし
ながら、前者においては倍率測定のたびに倍率測定専用
マスクに交換しなければならないので、このマスク交換
時間が無駄であること及びマスク交換時のゴミの発生が
問題となる。また、後者においては顕微鏡を検出者が観
察しなから各シ璽ットを目視によって比較するので、最
良焦点検出が不正確になり易かった。
一方、長時間（例えば数日に渡って）同一の露光用マス
クを投影露光装置に装填したままで露光を続ける場合、
投影レンズの倍率や焦点の変化を易 途中で検査したという要求がおる。この場合、これまで
のよう表方法を採用するとそのたびにマスクを交換して
露光しなければならないから、ＩＣ１ＬＳＩ等の製造能
力が低下してしまう。更に、マスク交換によつて投影露
光装置外へ取り出された露光用マスクにゴミが付着する
可能性がある。
クを投影露光装置に装填したままで露光を続ける場合、
投影レンズの倍率や焦点の変化を易 途中で検査したという要求がおる。この場合、これまで
のよう表方法を採用するとそのたびにマスクを交換して
露光しなければならないから、ＩＣ１ＬＳＩ等の製造能
力が低下してしまう。更に、マスク交換によつて投影露
光装置外へ取り出された露光用マスクにゴミが付着する
可能性がある。
そのため倍率や焦点変化の前後でゴミの影響を受（２）
けてないものと受けたものとが製造され、ＩＣ１ＬＳＩ
の性能にバラツキが生じたり、歩出りが低下するといり
た危険がある。
の性能にバラツキが生じたり、歩出りが低下するといり
た危険がある。
（発明の目的）
本発明の目的はこのような欠点を解消する露光用マスク
を提供することである。
を提供することである。
（発明の慨要）
本発明は上記目的を達成するために、回路パターンの描
画領域の周囲に投影レンズの光学特性（投影倍率や焦点
位置）を検出するためのマークを設けた露光マスクを提
供する。
画領域の周囲に投影レンズの光学特性（投影倍率や焦点
位置）を検出するためのマークを設けた露光マスクを提
供する。
（実施例）
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。第１図は本
発明の第１実施例による露光マスクである。第１図にお
いて露光マスク１は次のように構成されている。透明な
ガラス基板２の表面には矩形の遮光枠３が設けられてい
る。この錦光枠３はガラス基板２にクロム層等を蒸着す
ることによって形成される。遮光枠３に囲まれた矩形領
域内にはＩＣ，１，ｌＩ等の集積回路を製造する丸めに
必（３） 要な所定の回路パターン４が描画されている、この回路
パターン４はガラス基板２にクロム層等の遮光体によっ
て描かれる。円５は投影レンズの投影領域を示し、この
円に囲まれる領域がウェハ上に投影されることになる。
発明の第１実施例による露光マスクである。第１図にお
いて露光マスク１は次のように構成されている。透明な
ガラス基板２の表面には矩形の遮光枠３が設けられてい
る。この錦光枠３はガラス基板２にクロム層等を蒸着す
ることによって形成される。遮光枠３に囲まれた矩形領
域内にはＩＣ，１，ｌＩ等の集積回路を製造する丸めに
必（３） 要な所定の回路パターン４が描画されている、この回路
パターン４はガラス基板２にクロム層等の遮光体によっ
て描かれる。円５は投影レンズの投影領域を示し、この
円に囲まれる領域がウェハ上に投影されることになる。
遮光枠３の外側に設けられた十字マーク６ａ１５ｂはマ
スク１を投影露光装置に対して位置決めするためのアラ
イメントマークである。
スク１を投影露光装置に対して位置決めするためのアラ
イメントマークである。
図中、左右の遮光枠３の外側にはＸ軸方向の倍率を測定
するための主尺ＭＸ、、ＭＸ２、及び副尺ＳＸ、、ＳＸ
２がアライメントマーク６ａ、５ｂの両側にそれぞれ設
けられている。主尺ＭＸ、、ＭＸ２は左側の遮光枠３の
外側に、また副尺ＳＸ１、ＳＸ２は右側の遮光枠３の外
側にそれぞれ設けられ、主尺ＭＸ、と副尺ＳＸ１、及び
主尺Ｍ Ｘ２と副尺ＳＸ２とはそれぞれ対向している。
するための主尺ＭＸ、、ＭＸ２、及び副尺ＳＸ、、ＳＸ
２がアライメントマーク６ａ、５ｂの両側にそれぞれ設
けられている。主尺ＭＸ、、ＭＸ２は左側の遮光枠３の
外側に、また副尺ＳＸ１、ＳＸ２は右側の遮光枠３の外
側にそれぞれ設けられ、主尺ＭＸ、と副尺ＳＸ１、及び
主尺Ｍ Ｘ２と副尺ＳＸ２とはそれぞれ対向している。
上下の遮光枠３の外側にはＹ軸方向の倍率を測定するた
めの主人ＭＹ、、ＭＹ２、及び副尺Ｓ Ｙ、、Ｓ Ｙ、
がそれぞれ設けられている。主尺Ｍ Ｙ、、ＭＹ２は上
側の遮光枠の外側に、また副尺ＳＹ、、Ｓ Ｙ、は下側
の遮光枠の外側にそれぞれ（４） 設けられ、主人ＭＹ、と副尺ＳＹ０、及び主尺ＭＹｄ副
尺ＳＹ２とはそれぞれ対向している。
めの主人ＭＹ、、ＭＹ２、及び副尺Ｓ Ｙ、、Ｓ Ｙ、
がそれぞれ設けられている。主尺Ｍ Ｙ、、ＭＹ２は上
側の遮光枠の外側に、また副尺ＳＹ、、Ｓ Ｙ、は下側
の遮光枠の外側にそれぞれ（４） 設けられ、主人ＭＹ、と副尺ＳＹ０、及び主尺ＭＹｄ副
尺ＳＹ２とはそれぞれ対向している。
第２図に主尺と副尺の具体例を示す。主尺及び副尺はＸ
軸方向及びＹ軸方向に関して同種のものを用いることが
できる。第２図において、Ｘ軸方向の主尺ＭＸＩ（ＭＸ
ｔ）は、クロム層等の遮光部にピッチＮ１をもって設け
られた複数の透明な目盛７から成る。また、Ｘ軸方向の
副尺ｓｘ、（ｓｘ、）は遮光部にピッチＮ！ （’Ｆ
Ｎｔ ）をもって設けられ九複数の透明な目盛８から成
る。目盛７．８はＸ軸方向に配列されている。一方、Ｙ
軸方向の主尺ＭＹ。
軸方向及びＹ軸方向に関して同種のものを用いることが
できる。第２図において、Ｘ軸方向の主尺ＭＸＩ（ＭＸ
ｔ）は、クロム層等の遮光部にピッチＮ１をもって設け
られた複数の透明な目盛７から成る。また、Ｘ軸方向の
副尺ｓｘ、（ｓｘ、）は遮光部にピッチＮ！ （’Ｆ
Ｎｔ ）をもって設けられ九複数の透明な目盛８から成
る。目盛７．８はＸ軸方向に配列されている。一方、Ｙ
軸方向の主尺ＭＹ。
（ＭＹυ、及び副尺ｓｙ、（ｓｙυは、Ｘ軸方向の主尺
及び副尺とそれぞれ同様のものである。但し主尺ＭＹ、
（ＭＹ、）及び副尺Ｓ Ｙ、（８Ｙ、）のそれぞれの目
盛９．１０はＹ軸方向に配列されている。
及び副尺とそれぞれ同様のものである。但し主尺ＭＹ、
（ＭＹ、）及び副尺Ｓ Ｙ、（８Ｙ、）のそれぞれの目
盛９．１０はＹ軸方向に配列されている。
第３図は投影露光装置の構造の慨略図である。
第３図において、照明装置１１は露光マスク１を照明す
るためのものである。照明装置１１からの光によって照
明されたマスク１の光像は、投影レンズ１２によってウ
ェハ１３上に結像される。つ（５） エバ１３上には感光層が塗布されているから、マスク１
の回路パターンが感光層に転写される。
るためのものである。照明装置１１からの光によって照
明されたマスク１の光像は、投影レンズ１２によってウ
ェハ１３上に結像される。つ（５） エバ１３上には感光層が塗布されているから、マスク１
の回路パターンが感光層に転写される。
ウェハ１３はＸステージ１４に塔載されたウェハホルダ
１５に載置される。Ｘステージ１４は、Ｘステージ１６
に載置されており、このＸステージ１６に対してＸ軸方
向に移動可能である。Ｘステージ１６はＹ軸方向に移動
可能である。ウェハ１３はＸステージ１４及びＸステー
ジ１６の移動によってＸ軸方向及びＹ軸方向に移動され
る。Ｘステージ１４及びＸステージ１６の移動量はレー
ザ干渉計（不図示）等によりて計測される。ブラインド
（遮光体）１７は照明装置１１とマスク１との間に設け
られている。そして、このブラインド１２は遮光枠３の
四辺に対応して設けられていて矩形の光透過領域を形成
する。実際に回路パターンをウェハ１３上の感光層に焼
き付けるときには、ブラインド１２は遮光枠３の上方ま
で進出しく第３図に点線で示す）、アライメントマーク
Ｑａ１５ｂ、主尺ＭＸ、、ＭＸｔ、ＭＹ、、ＭＹ、、及
び副尺８Ｘ１、ＳＸ２、ｓＹ、、８Ｙ、を遮蔽する。一
方、（６） 倍率測定のための焼き付けに際しては、ブラインド１２
はマスク１上から退いて主尺、副尺がウェハ上に投影さ
れるようにする。尚、遮光枠３は実際に回路パターンを
焼き付けるときに、ブラインド１２の先端の半影がウェ
ハ上に形成されるのを防ぐために設けである。
１５に載置される。Ｘステージ１４は、Ｘステージ１６
に載置されており、このＸステージ１６に対してＸ軸方
向に移動可能である。Ｘステージ１６はＹ軸方向に移動
可能である。ウェハ１３はＸステージ１４及びＸステー
ジ１６の移動によってＸ軸方向及びＹ軸方向に移動され
る。Ｘステージ１４及びＸステージ１６の移動量はレー
ザ干渉計（不図示）等によりて計測される。ブラインド
（遮光体）１７は照明装置１１とマスク１との間に設け
られている。そして、このブラインド１２は遮光枠３の
四辺に対応して設けられていて矩形の光透過領域を形成
する。実際に回路パターンをウェハ１３上の感光層に焼
き付けるときには、ブラインド１２は遮光枠３の上方ま
で進出しく第３図に点線で示す）、アライメントマーク
Ｑａ１５ｂ、主尺ＭＸ、、ＭＸｔ、ＭＹ、、ＭＹ、、及
び副尺８Ｘ１、ＳＸ２、ｓＹ、、８Ｙ、を遮蔽する。一
方、（６） 倍率測定のための焼き付けに際しては、ブラインド１２
はマスク１上から退いて主尺、副尺がウェハ上に投影さ
れるようにする。尚、遮光枠３は実際に回路パターンを
焼き付けるときに、ブラインド１２の先端の半影がウェ
ハ上に形成されるのを防ぐために設けである。
次に、上述の露光マスクと投影露光装置を使って投影倍
率を測定する方法を説明する。ここで、露光マスク１の
主尺ＭＸ、、 ＭＸ、と副尺ＳＸ３．５Ｘｌｌどのそれ
ぞれのＸ軸方向の間隔、及び主尺ＭＹ、、ＭＹ、と副尺
ＳＹ１、Ｓ Ｙ、とのそれぞれのＹ軸方向の間隔をそれ
ぞれ８０１ｍとする。また投影露光装置は露光マスクを
１／１０に縮小してウェハ上に投影するものとする。第
４図にはこの投影倍率測定方法の手順に従りて焼き付け
られたウェハ上のチップパターンが示しである（主尺、
副尺としてはＭＸ、、８Ｘ１、ＭＹ、、８ Ｙ、を代表
的に描いである）。
率を測定する方法を説明する。ここで、露光マスク１の
主尺ＭＸ、、 ＭＸ、と副尺ＳＸ３．５Ｘｌｌどのそれ
ぞれのＸ軸方向の間隔、及び主尺ＭＹ、、ＭＹ、と副尺
ＳＹ１、Ｓ Ｙ、とのそれぞれのＹ軸方向の間隔をそれ
ぞれ８０１ｍとする。また投影露光装置は露光マスクを
１／１０に縮小してウェハ上に投影するものとする。第
４図にはこの投影倍率測定方法の手順に従りて焼き付け
られたウェハ上のチップパターンが示しである（主尺、
副尺としてはＭＸ、、８Ｘ１、ＭＹ、、８ Ｙ、を代表
的に描いである）。
先ず、ウェハ１３の感光層に露光マスク１のパターンを
焼き付ける。これが第４図の第１チツプパターン２０で
あり、主尺ＭＸ、□、ＭＹ、及び副尺（７） ｓｘ、、ｓｙ、がそれぞれ焼き付けられている。次に、
Ｘステージ１４を駆動してウェハ１３をＸ軸方向にＬ
＝ ８ ｍｙｉ移動する。そして再び露光マスク１のパ
ターンを感光層に焼き付ける。これが第４図の第２チツ
プパターン２１でアシ、主尺ＭＸ、。
焼き付ける。これが第４図の第１チツプパターン２０で
あり、主尺ＭＸ、□、ＭＹ、及び副尺（７） ｓｘ、、ｓｙ、がそれぞれ焼き付けられている。次に、
Ｘステージ１４を駆動してウェハ１３をＸ軸方向にＬ
＝ ８ ｍｙｉ移動する。そして再び露光マスク１のパ
ターンを感光層に焼き付ける。これが第４図の第２チツ
プパターン２１でアシ、主尺ＭＸ、。
、ＭＹ、、及び副尺ｓｘ、 、 、ｓｙ、、がそれぞれ
焼き付けられている。更に、Ｘステージ１４、Ｘステー
ジ１６を駆動して、ウェハ１３が第１チツプパターン２
０の焼き付は時の位置からＹ軸方向に８龍移動した状態
にする。そして露光マスク１のパターンを焼き付ける。
焼き付けられている。更に、Ｘステージ１４、Ｘステー
ジ１６を駆動して、ウェハ１３が第１チツプパターン２
０の焼き付は時の位置からＹ軸方向に８龍移動した状態
にする。そして露光マスク１のパターンを焼き付ける。
これが第４図の第３チツプパターン２２であυ、主尺Ｍ
Ｘ１−８、ＭＹ、−８及び副尺ｓｘ、、 、ｓｙ、、が
それぞれ焼き付けられる。このようにして露光マスク１
のパターンを感光層に焼き付けると、第１チツプパター
７２０とｔｉｌＥ２チップパターン２１の間では主尺Ｍ
Ｘ、、と副尺ＳＸ、、とが対向して焼き付けられ、また
第１チツプパターン２０と第３チツプパターン２３の間
では主尺ＭＹ、、と副尺ＳＹ、。
Ｘ１−８、ＭＹ、−８及び副尺ｓｘ、、 、ｓｙ、、が
それぞれ焼き付けられる。このようにして露光マスク１
のパターンを感光層に焼き付けると、第１チツプパター
７２０とｔｉｌＥ２チップパターン２１の間では主尺Ｍ
Ｘ、、と副尺ＳＸ、、とが対向して焼き付けられ、また
第１チツプパターン２０と第３チツプパターン２３の間
では主尺ＭＹ、、と副尺ＳＹ、。
とが対向して焼き付けられることになる。
（８）
その後ウェハ１３を現偉し、顕微鏡で観察する。もし、
投影レンズ１２に投影倍率誤差がないとすれば主尺ＭＸ
１−２と副尺ＳＸ、、との目盛ずれ、及び主尺ＭＹ、、
と副尺８Ｙ、、との目盛ずれはそれぞれ生じない。投影
倍率に哄差があれば目盛ずれが生ずることになる。従っ
て、目盛ずれを読むことによって主尺及び副尺が重なり
合う４箇所における投影倍率の変化（誤差）を知ること
ができる。
投影レンズ１２に投影倍率誤差がないとすれば主尺ＭＸ
１−２と副尺ＳＸ、、との目盛ずれ、及び主尺ＭＹ、、
と副尺８Ｙ、、との目盛ずれはそれぞれ生じない。投影
倍率に哄差があれば目盛ずれが生ずることになる。従っ
て、目盛ずれを読むことによって主尺及び副尺が重なり
合う４箇所における投影倍率の変化（誤差）を知ること
ができる。
また、感光層に転写された回路パターンは第１〜第３チ
ツプパターンのいずれにおいても二重露光されないから
そのままＩＣ製造用として利用することもできる。
ツプパターンのいずれにおいても二重露光されないから
そのままＩＣ製造用として利用することもできる。
このようにして測定した投影倍率を図表で表わすと次の
ようなことがわかる。すなわち、１１Ｉ、５図に示すよ
うに投影倍率誤差のない場、倉を正方形の線図２５で表
わし、これに対して各測定位置での倍率誤差を点線で示
すよう・な線図２６で表わす。
ようなことがわかる。すなわち、１１Ｉ、５図に示すよ
うに投影倍率誤差のない場、倉を正方形の線図２５で表
わし、これに対して各測定位置での倍率誤差を点線で示
すよう・な線図２６で表わす。
このとき、線図２６が例えば台形状になっていれば露光
マスク１が傾いていることがわかシ、台形（９） の長辺と短辺の位置から傾き方向がわかる。このように
して露光マスク１の傾余１がわかったならマスク１の傾
きを修正することによシ、感光１Ａに転写される回路パ
ターンから露光マスク１の傾きの影響を除去できる。
マスク１が傾いていることがわかシ、台形（９） の長辺と短辺の位置から傾き方向がわかる。このように
して露光マスク１の傾余１がわかったならマスク１の傾
きを修正することによシ、感光１Ａに転写される回路パ
ターンから露光マスク１の傾きの影響を除去できる。
第６図は本発明の第２％施例による露光マスク１”であ
る。第１図示のものと同一のものは同一符号を付しであ
る。この実施例では遮光枠３の外側の投影領域５の中に
焦点位置検出用のフォーカスパターンＦ１、Ｆ２、Ｆ３
、Ｆ４を設けである。
る。第１図示のものと同一のものは同一符号を付しであ
る。この実施例では遮光枠３の外側の投影領域５の中に
焦点位置検出用のフォーカスパターンＦ１、Ｆ２、Ｆ３
、Ｆ４を設けである。
またフォーカスパターンは遮光枠３の各辺に設けられた
主尺のあいだ、及び副尺のあいだにそれぞれ配置されて
いる。
主尺のあいだ、及び副尺のあいだにそれぞれ配置されて
いる。
第７図にはフォーカスパターン（代表的にＦ４）の具体
例を示す。図において、フォーカスパターンＦ１はクロ
ム層等の遮光体にＬ字状の透光部３０を設けて成る。こ
の透光部３０の幅Ｗは投影レンズ１２の解像限界、例え
ば投影レンズのＮＡ−０，３５なら８μｍ（ウェハ上で
は０．８μｍに縮小投影される）にしておく。
例を示す。図において、フォーカスパターンＦ１はクロ
ム層等の遮光体にＬ字状の透光部３０を設けて成る。こ
の透光部３０の幅Ｗは投影レンズ１２の解像限界、例え
ば投影レンズのＮＡ−０，３５なら８μｍ（ウェハ上で
は０．８μｍに縮小投影される）にしておく。
（１０）
以下、この露光マスク１°によって最、良の焦点を検出
する方法を説明する。投影露光装置としては第３図示の
ものを使用する。第８図において、ウェハ１３はＸステ
ージ１４及びＹステージ１６によって、Ｙ軸とＹ軸に４
５度で交る方向に移動される。このとき、ウェハ１３は
Ｘ軸方向に△Ｐ（＝１０μｍ）ずつ移動されるとともに
、ウェハホルダ１５によって投影レンズ１２０光軸方向
に△Ｚ（＝０．５μｍ）ずつ移動される。そして、この
△Ｐ１Δ２移動毎に感光層に露光マスクのパターンを焼
き付ける。これを現像すると第９図に示すように間隔△
Ｐをもって４５度方向に配列されたフォーカスパターン
が生成される。この断面図を第１０図に示す。第１θ図
において現像後のウェハ１３上にはフォーカスパターン
に対応した感光層へ〜鳥が残る。このフォーカスパター
ンに対応した感光層の段差部（エツジ）は焦点のずれ量
に応じて傾斜が変化してゆく。つまシ、焦点が最良なら
段差部はウェハ１３から直立しく例えば感光層１３）、
ここから焦点が正または負の方向（前ピンまたは後ピン
方向）にずれるに従って段差部の傾斜は緩くなってくる
。
する方法を説明する。投影露光装置としては第３図示の
ものを使用する。第８図において、ウェハ１３はＸステ
ージ１４及びＹステージ１６によって、Ｙ軸とＹ軸に４
５度で交る方向に移動される。このとき、ウェハ１３は
Ｘ軸方向に△Ｐ（＝１０μｍ）ずつ移動されるとともに
、ウェハホルダ１５によって投影レンズ１２０光軸方向
に△Ｚ（＝０．５μｍ）ずつ移動される。そして、この
△Ｐ１Δ２移動毎に感光層に露光マスクのパターンを焼
き付ける。これを現像すると第９図に示すように間隔△
Ｐをもって４５度方向に配列されたフォーカスパターン
が生成される。この断面図を第１０図に示す。第１θ図
において現像後のウェハ１３上にはフォーカスパターン
に対応した感光層へ〜鳥が残る。このフォーカスパター
ンに対応した感光層の段差部（エツジ）は焦点のずれ量
に応じて傾斜が変化してゆく。つまシ、焦点が最良なら
段差部はウェハ１３から直立しく例えば感光層１３）、
ここから焦点が正または負の方向（前ピンまたは後ピン
方向）にずれるに従って段差部の傾斜は緩くなってくる
。
ウェハ上に転写されたフォーカスパターンヲ顕微鏡で観
察すれば、感光層用によるパターンが最良の焦点である
ことがわかる。従って、ウェハホルダ１５を、感光層Ｒ
１によるパターンを焼き付けた位置に設定すれば、実際
の回路パターンを最良の焦点で焼き付けることができる
ようになる。
察すれば、感光層用によるパターンが最良の焦点である
ことがわかる。従って、ウェハホルダ１５を、感光層Ｒ
１によるパターンを焼き付けた位置に設定すれば、実際
の回路パターンを最良の焦点で焼き付けることができる
ようになる。
尚、このフォーカスパターンの線幅を特公昭５６−２５
９６４号に開示されたようなパターン線幅測定装置で測
定することもできる３、この場合には最小線幅のフォー
カスパターンが最良の焦点で焼き付けられたものとなる
。
９６４号に開示されたようなパターン線幅測定装置で測
定することもできる３、この場合には最小線幅のフォー
カスパターンが最良の焦点で焼き付けられたものとなる
。
第１１図は、上記パターン線幅測定装置によって自動計
測可能とした投影倍率測定用のマークの実施例である。
測可能とした投影倍率測定用のマークの実施例である。
第１１図において、直線状のマーク（代表的に３５〜３
７）は第１図の主尺及び副尺の設けられた位置に透光部
を設けて形成しである。そして、マーク３５と３６とは
第４図に示すようにウェハをＸ軸方向に移動して焼き付
けたときに所定の間隔（例えば１０μｍ）をおいて焼き
付けられる位置に設けである。マーク３７と３８も同様
にウェハをＹ軸方向に移動して焼き付けたときに所定の
間隔をおいて焼き付けられる位置に設ケである。従って
、第１チツプパターｙ２０と第２チツプパターン２１の
焼き付けによって形成されたマーク３５と３６の間隔を
測定し、また第１チツプパターン２ｏと第３チツプパタ
ーン２２の焼き付けによって形成されたマーク３７と３
８の間隔を測定し、それぞれ所定値と比較すれば、その
差から投影倍率誤差を知ることができる。この様子は第
１２図に示されている。
７）は第１図の主尺及び副尺の設けられた位置に透光部
を設けて形成しである。そして、マーク３５と３６とは
第４図に示すようにウェハをＸ軸方向に移動して焼き付
けたときに所定の間隔（例えば１０μｍ）をおいて焼き
付けられる位置に設けである。マーク３７と３８も同様
にウェハをＹ軸方向に移動して焼き付けたときに所定の
間隔をおいて焼き付けられる位置に設ケである。従って
、第１チツプパターｙ２０と第２チツプパターン２１の
焼き付けによって形成されたマーク３５と３６の間隔を
測定し、また第１チツプパターン２ｏと第３チツプパタ
ーン２２の焼き付けによって形成されたマーク３７と３
８の間隔を測定し、それぞれ所定値と比較すれば、その
差から投影倍率誤差を知ることができる。この様子は第
１２図に示されている。
（発明の効果）
以上のような本発明によれば、集積回路を実際に製造し
ている途中であっても露光マスクを縛光装置から取シ出
すととなく投影倍率及び最良焦点等の光学特性を測定す
ることができる。また、最良焦点検出に際しては各チッ
プパターン（ショット）を比較するのではなく、同一チ
ップパターン中に焼き付けられたマークを観察すればよ
いので（１３） 最良焦点検出が正確になる。
ている途中であっても露光マスクを縛光装置から取シ出
すととなく投影倍率及び最良焦点等の光学特性を測定す
ることができる。また、最良焦点検出に際しては各チッ
プパターン（ショット）を比較するのではなく、同一チ
ップパターン中に焼き付けられたマークを観察すればよ
いので（１３） 最良焦点検出が正確になる。
第１図は本発明の第１実施例による露光マスクの平面図
、第２図は第１実施例の要部を拡大した平面図、第３図
は投影露光装置の概略の構成と投影倍率誤差検出のため
の動きを説明するだめの説明図、第４図は投影倍率誤差
検出のために焼き付けられたチップパターンを示す概略
図である。第５図は投影倍率誤差の線図である。第６図
は本発明の第２実施例による露光マスクの平面図、第７
図は第１実施例の要部を拡大した平面図、第８図は投影
露光装置の概略の構成と焦点検出のための動きを説明す
るための説明図、第９図は焦点検出のために焼き付けら
れたフォーカスマークのパターンを示す図、第１０図は
第９図のフォーカスパターンの断面図である。第１１図
は本発明の第３実施例による露光マスクの要部を拡大し
た平面図であシ、第１２図は投影倍率検出のために焼き
付けられたチップパターンを示す概略図である。 （主要部分の符号） （１４） ＭＸ、、ＭＸ、、ＭＹ、、Ｍ Ｙ、、、、主尺、Ｓ Ｘ
、、Ｓｘ２、Ｓ Ｙ、、 Ｓ Ｙ２−１ｌｌ 尺、Ｆ１
〜Ｆ４・・・フォーカスパターン 特許出願人 日本光学工業株式会社 代理人 渡 辺 隆 男 （１５） オ′ｑ図 ；Ａ−’１０図 特開昭ＧＯ−９５４３５（７） オフ１ 囚 矛ＩＺ図 万３５ ０コ １口 ；「關亡＝−」９Ｆツー−」η／
、第２図は第１実施例の要部を拡大した平面図、第３図
は投影露光装置の概略の構成と投影倍率誤差検出のため
の動きを説明するだめの説明図、第４図は投影倍率誤差
検出のために焼き付けられたチップパターンを示す概略
図である。第５図は投影倍率誤差の線図である。第６図
は本発明の第２実施例による露光マスクの平面図、第７
図は第１実施例の要部を拡大した平面図、第８図は投影
露光装置の概略の構成と焦点検出のための動きを説明す
るための説明図、第９図は焦点検出のために焼き付けら
れたフォーカスマークのパターンを示す図、第１０図は
第９図のフォーカスパターンの断面図である。第１１図
は本発明の第３実施例による露光マスクの要部を拡大し
た平面図であシ、第１２図は投影倍率検出のために焼き
付けられたチップパターンを示す概略図である。 （主要部分の符号） （１４） ＭＸ、、ＭＸ、、ＭＹ、、Ｍ Ｙ、、、、主尺、Ｓ Ｘ
、、Ｓｘ２、Ｓ Ｙ、、 Ｓ Ｙ２−１ｌｌ 尺、Ｆ１
〜Ｆ４・・・フォーカスパターン 特許出願人 日本光学工業株式会社 代理人 渡 辺 隆 男 （１５） オ′ｑ図 ；Ａ−’１０図 特開昭ＧＯ−９５４３５（７） オフ１ 囚 矛ＩＺ図 万３５ ０コ １口 ；「關亡＝−」９Ｆツー−」η／
Claims (1)
- 投影露光装置に使用する露光マスクにおいて、回路パタ
ーン描画領域の周囲に投影レンズの光学特性を検出する
ためのマークを設けたことを特徴とする露光マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58202104A JPS6095435A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58202104A JPS6095435A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6095435A true JPS6095435A (ja) | 1985-05-28 |
Family
ID=16452025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58202104A Pending JPS6095435A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6095435A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01140102A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Toppan Printing Co Ltd | カラー固体撮像素子用色分解フィルターの形成方法 |
| WO2000046596A1 (fr) * | 1999-02-03 | 2000-08-10 | Taiho Pharmaceutical Co., Ltd. | Dispositif de retenue d'une feuille chromatographique pour spectrometre de masse |
| JP2002270489A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-20 | Nec Corp | ショット形状計測用マーク及びそれを使用した転写の誤差検出方法 |
| CN113703283A (zh) * | 2021-09-07 | 2021-11-26 | 深圳市龙图光电有限公司 | 掩模版及曝光设备正交性检测方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49119584A (ja) * | 1973-03-15 | 1974-11-15 | ||
| JPS5883853A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-19 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学系のディストーシヨン検査方法 |
-
1983
- 1983-10-28 JP JP58202104A patent/JPS6095435A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49119584A (ja) * | 1973-03-15 | 1974-11-15 | ||
| JPS5883853A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-19 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学系のディストーシヨン検査方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01140102A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Toppan Printing Co Ltd | カラー固体撮像素子用色分解フィルターの形成方法 |
| WO2000046596A1 (fr) * | 1999-02-03 | 2000-08-10 | Taiho Pharmaceutical Co., Ltd. | Dispositif de retenue d'une feuille chromatographique pour spectrometre de masse |
| JP2002270489A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-20 | Nec Corp | ショット形状計測用マーク及びそれを使用した転写の誤差検出方法 |
| CN113703283A (zh) * | 2021-09-07 | 2021-11-26 | 深圳市龙图光电有限公司 | 掩模版及曝光设备正交性检测方法 |
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