JPS6095954A - 半導体素子のボンデイング用Al線 - Google Patents
半導体素子のボンデイング用Al線Info
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- JPS6095954A JPS6095954A JP58203879A JP20387983A JPS6095954A JP S6095954 A JPS6095954 A JP S6095954A JP 58203879 A JP58203879 A JP 58203879A JP 20387983 A JP20387983 A JP 20387983A JP S6095954 A JPS6095954 A JP S6095954A
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- JP
- Japan
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- bonding
- wire
- added
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- tensile strength
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- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C21/00—Alloys based on aluminium
- C22C21/06—Alloys based on aluminium with magnesium as the next major constituent
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01551—Changing the shapes of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子のチップ電極と基板あるいはリード
フレームとの接続に使用するワイヤボンディング用の0
.02〜0.511111φAχ線に関づる。
フレームとの接続に使用するワイヤボンディング用の0
.02〜0.511111φAχ線に関づる。
一般にボンディング用線は線引き加工時およびボンディ
ング作業時における断線を防ぐために所定の引張り強度
を必要とするとともにボンディング時における高温軟化
を防止してボール形状の安定、ネック切れの防止、潰れ
11Jの一定化及びボンディング後の接着強度(ボンデ
ィング強度)を維持することを要件とされ、また樹脂モ
ールドする場合のように腐食性雰■1気に線がさらされ
る場合には耐食性も重要な条件となる。
ング作業時における断線を防ぐために所定の引張り強度
を必要とするとともにボンディング時における高温軟化
を防止してボール形状の安定、ネック切れの防止、潰れ
11Jの一定化及びボンディング後の接着強度(ボンデ
ィング強度)を維持することを要件とされ、また樹脂モ
ールドする場合のように腐食性雰■1気に線がさらされ
る場合には耐食性も重要な条件となる。
しかるに高純度A は軟かづぎて所定の引張り強度が得
られないために、高純度へ に各種の元素を添加するこ
とにより機械的強度を改善づることか考えられているが
、添加元素の種類、添加量によっては、所定の引張り強
度が得られず、引張り強度が得られたとしても硬りぎて
チップ割れの原因となったり、添加元素の偏析により引
張り強度、ボンディング強度が均一化せず、品質にバラ
ツキがでる結果となる。
られないために、高純度へ に各種の元素を添加するこ
とにより機械的強度を改善づることか考えられているが
、添加元素の種類、添加量によっては、所定の引張り強
度が得られず、引張り強度が得られたとしても硬りぎて
チップ割れの原因となったり、添加元素の偏析により引
張り強度、ボンディング強度が均一化せず、品質にバラ
ツキがでる結果となる。
本発明は断る事情に鑑み案出されたもので、実験結果よ
り添加元素の秒類とその添加[1によってボンディング
性に優れ/j 3M正な引張り強度及びボンディング弾
痕を確保りるどともに耐食性を改善し、しかも品質を均
一化するボンディング用ARflAを提供t!lυとり
るもので、斯る木°発明/l線は、高純度/1(99,
9%以上)に、0.5〜2.□wt%Mgを含有させる
とともに白金族元素(Pd 、 Pt 、 Rn 、
Ru 。
り添加元素の秒類とその添加[1によってボンディング
性に優れ/j 3M正な引張り強度及びボンディング弾
痕を確保りるどともに耐食性を改善し、しかも品質を均
一化するボンディング用ARflAを提供t!lυとり
るもので、斯る木°発明/l線は、高純度/1(99,
9%以上)に、0.5〜2.□wt%Mgを含有させる
とともに白金族元素(Pd 、 Pt 、 Rn 、
Ru 。
O3,Ir)より選択された少なくとも一元素を0.0
01〜0.3wt%含有せしめたことを要旨とする。
01〜0.3wt%含有せしめたことを要旨とする。
上記ARは99.9%以上の高純度のものを用い、マグ
ネシウム(M(1)はARの引張り強度を高める。
ネシウム(M(1)はARの引張り強度を高める。
白金族元素(Pd 、 PL 、 Rn 、 Ru 、
Os 。
Os 。
11′)は、その添加によってA、2の引張り強度を高
めるとともに、耐食性の改善に商用である。
めるとともに、耐食性の改善に商用である。
上記白金族元素はその一種又は二種以上を添加するが、
二°種以上を添加する場合でも含有(6)を0.001
〜0.3wt%とする。
二°種以上を添加する場合でも含有(6)を0.001
〜0.3wt%とする。
MoがQ、5wt%未満、白金族元素の一種又は二種以
上がO,001wt%未満であっては所定の引張り強度
が得られず線引き加工が不可能であるとともに耐食性に
劣る。
上がO,001wt%未満であっては所定の引張り強度
が得られず線引き加工が不可能であるとともに耐食性に
劣る。
とくに白金族元素が不足の場合は所定の耐食性が得られ
な−い。
な−い。
又、MOが2.Qwt%、白金族元素が0.3W【%を
越える場合は硬くなりすぎてもろくなり、チップ割れを
起したり、あるいは組成に偏析を生じて機械的強度がバ
ラ付いて品質の安定化を図れない。
越える場合は硬くなりすぎてもろくなり、チップ割れを
起したり、あるいは組成に偏析を生じて機械的強度がバ
ラ付いて品質の安定化を図れない。
以下に実施例を示す。
各試料はA1合金を溶解鋳造し、線引き加工により直径
0.031+11φの極細線ボンディング八X線とした
ものである。
0.031+11φの極細線ボンディング八X線とした
ものである。
各試料の添加元素及び(の添加量は次表(1)に示す通
りであって、白金族元素として、1〕d。
りであって、白金族元素として、1〕d。
Pt 、Rnを添加した。試料N0.15は何れの白金
族元素をも添加さUない比較量である。
族元素をも添加さUない比較量である。
尚、本発明において、残部に不可避なる不純物を含むも
のである。
のである。
表(1)
(添加m単位wt%)
上記各試料をもって機械的性質、及び、耐食性を測定し
た結果を表(2)に示す。
た結果を表(2)に示す。
表(2)
試料N0.11〜14はボンディング強度が必要強度に
達しないとともに偏析が大きく同様の試料であってもボ
ンディング強度にバラツキがみられた。
達しないとともに偏析が大きく同様の試料であってもボ
ンディング強度にバラツキがみられた。
尚、熱処理は350℃X30分である。
又、耐食性は高温、高圧、高湿度下(120℃、2気圧
、湿度90%以上、100時間)における腐食の度合を
三ランクに区別し腐食度合いの大きいものから少ないも
のへ順に×、o、Oとした。
、湿度90%以上、100時間)における腐食の度合を
三ランクに区別し腐食度合いの大きいものから少ないも
のへ順に×、o、Oとした。
上記表(2)から知れるように、本発明実部品の範囲(
試料N0.1〜10)にあって、熱処理優の硬さが適正
状態(25〜50VHN)にあり、且つ引張り強度が確
保できるとともにボンディング強度が必要強度(311
以上)を確保され、しかも耐食性に優れることが確認で
きた。従って本発明実部品は線引き加工中に断線したり
、ボンディング作業中に断線を起したりづることがない
とともにチップ割れを防ぎ、しかも品質を高品質安定に
維持することができ、ポールボンディング熱圧着法、超
音波接合法の何れに使用してもボンディング特性大なる
AR線を提供し得る。
試料N0.1〜10)にあって、熱処理優の硬さが適正
状態(25〜50VHN)にあり、且つ引張り強度が確
保できるとともにボンディング強度が必要強度(311
以上)を確保され、しかも耐食性に優れることが確認で
きた。従って本発明実部品は線引き加工中に断線したり
、ボンディング作業中に断線を起したりづることがない
とともにチップ割れを防ぎ、しかも品質を高品質安定に
維持することができ、ポールボンディング熱圧着法、超
音波接合法の何れに使用してもボンディング特性大なる
AR線を提供し得る。
1、事件の表示
昭和58年特許願第203879号
2、発明の名称
半導体素子のボンディング用AI2.線氏名(名称)
田中電子工業株式会社 5、補正命令の日付(自発補正) 昭和 年 月 日 補 正 明 l!1 口 1、発明の名称 半導体素子のボンディング用AJ線 2、特許請求の範囲 高純度AUに、0.5〜2..0wt%の7グネシウム
(Mill )を含有させるとともに白金族元素(Pd
、Pt、Rh、Ru、Os、 Ir>より選択された少
くとも一元素を0.001〜0.3wt%含右せしめた
半導体素子のボンディング用AJ線。
田中電子工業株式会社 5、補正命令の日付(自発補正) 昭和 年 月 日 補 正 明 l!1 口 1、発明の名称 半導体素子のボンディング用AJ線 2、特許請求の範囲 高純度AUに、0.5〜2..0wt%の7グネシウム
(Mill )を含有させるとともに白金族元素(Pd
、Pt、Rh、Ru、Os、 Ir>より選択された少
くとも一元素を0.001〜0.3wt%含右せしめた
半導体素子のボンディング用AJ線。
3、発明の詳細な説明
本発明は半導体素子のチップ電極と基板あるいはリード
フレームとの接続に使用するワイヤボンディング用の0
.02〜O,,5+uφAJ線に関する。
フレームとの接続に使用するワイヤボンディング用の0
.02〜O,,5+uφAJ線に関する。
一般にボンディング用線は線引き加工時およびボンディ
ング作業時にお藝)る断線を防ぐために所定の引張り強
度を必要とするとともにボンディング時における高温軟
化を防止してボール形状の安定、ネック切れの防止、澗
れ1Jの一定化及びボンディング後の接着強度(ボンデ
ィング強度)を維持することを要f1とされ、また樹脂
モールドする場合のように腐食性雰囲気に線がさらされ
る場合には耐食性も重要な条件となる。
ング作業時にお藝)る断線を防ぐために所定の引張り強
度を必要とするとともにボンディング時における高温軟
化を防止してボール形状の安定、ネック切れの防止、澗
れ1Jの一定化及びボンディング後の接着強度(ボンデ
ィング強度)を維持することを要f1とされ、また樹脂
モールドする場合のように腐食性雰囲気に線がさらされ
る場合には耐食性も重要な条件となる。
しかるに高純*AJは軟かすぎて所定の引張り強度が得
られな(\ために、高純度AJに各種の元素を添加する
ことにより機械的強度を改善することが考えられている
が、添加元素の種類、添加量によっては、所定の引張り
強度が得られず、引張り強度が得られたとしても硬1ぎ
てチップ割れの原因となったり、添加元素の偏析により
引張り強度、ボンディング強度が均一化せず、品質にバ
ラツキがでる結果となる。
られな(\ために、高純度AJに各種の元素を添加する
ことにより機械的強度を改善することが考えられている
が、添加元素の種類、添加量によっては、所定の引張り
強度が得られず、引張り強度が得られたとしても硬1ぎ
てチップ割れの原因となったり、添加元素の偏析により
引張り強度、ボンディング強度が均一化せず、品質にバ
ラツキがでる結果となる。
本発明は断る事情に鑑み案出されたもので、実験結果よ
り添加元素の種類とその添加…によってボンディング性
に優れた適正な引張り強度及びボンディング強度を確保
するとともに耐食性を改善し、しかも品質を均一化する
ボンディング用Ajllを提供Uんとづるもので、断る
木発明AJ線は、高純度AJ (99,9%以上)に、
0.5〜2.0wt%MUを含有させるとともに白金族
元素(Pd、Pt、R11,RLI。
り添加元素の種類とその添加…によってボンディング性
に優れた適正な引張り強度及びボンディング強度を確保
するとともに耐食性を改善し、しかも品質を均一化する
ボンディング用Ajllを提供Uんとづるもので、断る
木発明AJ線は、高純度AJ (99,9%以上)に、
0.5〜2.0wt%MUを含有させるとともに白金族
元素(Pd、Pt、R11,RLI。
O8,Ir)より選択された少なくとも一元素を0.0
01〜0.3wt%含有せしめたことを要旨とする。
01〜0.3wt%含有せしめたことを要旨とする。
上記AUは99.9%以上の高純度のものを用い、マグ
ネシウム(M(1)はAUの引張り強度を高める。
ネシウム(M(1)はAUの引張り強度を高める。
白金族元素(Pd 、 Pt 、 Rh 、 Ru 、
Os 。
Os 。
Ir)は、その添加によってAJの引張り強度を高める
とともに、耐食性の改善に有用である。
とともに、耐食性の改善に有用である。
上記白金族元素はその一種又は二種以上を添加づるが、
二種以上を添加する場合でも含有量を0.001〜0.
3wt%とする。
二種以上を添加する場合でも含有量を0.001〜0.
3wt%とする。
MOがo、5wt%未満、白金族元素の一種又は二種以
上が0.001wt%未満であっては所定の引張り強度
が得られず線引き加工が不可能であるとともに耐食性に
劣る。
上が0.001wt%未満であっては所定の引張り強度
が得られず線引き加工が不可能であるとともに耐食性に
劣る。
とくに白金族元素が不足の場合は所定の耐食性が得られ
ない。
ない。
又、Mgが2.0wt%、白金族元素が0.3wt%を
越える場合は硬くなりすぎてもろくなり、チップ割れを
起しb勺、あるいは組成に偏析を生じて機械的強度がバ
ラ付いて品質の安定化を図れない。
越える場合は硬くなりすぎてもろくなり、チップ割れを
起しb勺、あるいは組成に偏析を生じて機械的強度がバ
ラ付いて品質の安定化を図れない。
以下に実施例を示す。。
各試料はA4合金を溶解紡造し、線引き加工により直径
o、o3mmφの極細線ボンディングAJ線としたもの
である。
o、o3mmφの極細線ボンディングAJ線としたもの
である。
各試料の添加元素及びその添加量は次表(1)に示す通
りであって、白金族元素として、Pd。
りであって、白金族元素として、Pd。
Pt 、Rhを添加した。試料N0.15は何れの白金
族元素をも添加させない比較量である。
族元素をも添加させない比較量である。
尚、本発明において、残部に不可避なる不純物を含むも
のである。
のである。
表(1)
(添加m単位wt%)
上記各試料をもって機械的性質、及び、耐食性を測定し
た結果を表(2)に示づ。
た結果を表(2)に示づ。
表(2)
試料N0.11〜14G!ボンディング強度が必要強度
に達しないとともに偏析が大きく同種の試料であってb
ボンディング強度にバラツキがみられた。
に達しないとともに偏析が大きく同種の試料であってb
ボンディング強度にバラツキがみられた。
尚、熱処理は350℃×30分である。
又、耐食性は高温、高圧、高湿度下(120℃、2気圧
、湿度90%以上、100時間)における腐食の度合を
三ランクに区別し腐食度合いの大きいものから少ないも
のへ順に×、01◎とした。
、湿度90%以上、100時間)における腐食の度合を
三ランクに区別し腐食度合いの大きいものから少ないも
のへ順に×、01◎とした。
上記表(2)から知れるように、本発明実施品の範囲(
試料No、1〜10)にあって、熱処理後の硬さが適正
状態(25〜50 V LI N )にあり、且つ引張
り強度が確保できるとともにボンディング弾痕が必要強
直(3(1以上)を確保され、しかも耐食性に優れるこ
とが確認できた。従って本発明実施品は線引き加工中に
断線したり、ボンディング作業中に断線を起したり°す
ることがないとともにチップ割れを防ぎ、しかも品質を
n品質安定に維持することができ、ポールボンディング
熱圧着法、超音波接合法の何れに使用してもボンディン
グ特竹大なるΔJ線を提供し得る。
試料No、1〜10)にあって、熱処理後の硬さが適正
状態(25〜50 V LI N )にあり、且つ引張
り強度が確保できるとともにボンディング弾痕が必要強
直(3(1以上)を確保され、しかも耐食性に優れるこ
とが確認できた。従って本発明実施品は線引き加工中に
断線したり、ボンディング作業中に断線を起したり°す
ることがないとともにチップ割れを防ぎ、しかも品質を
n品質安定に維持することができ、ポールボンディング
熱圧着法、超音波接合法の何れに使用してもボンディン
グ特竹大なるΔJ線を提供し得る。
Claims (1)
- 高N度ARに、0.5〜2.0w1%のマグネシウム(
M(1)を含有させるとともに白金族元素(Pd 、
Pt 、 Rn 、 Ru 、 Os 、 I r )
より選択された少くとも一元素を0.001〜0.3w
t%含有せしめた半導体素子のボンディング用A、2線
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58203879A JPS6095954A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体素子のボンデイング用Al線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58203879A JPS6095954A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体素子のボンデイング用Al線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6095954A true JPS6095954A (ja) | 1985-05-29 |
| JPH0347579B2 JPH0347579B2 (ja) | 1991-07-19 |
Family
ID=16481225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58203879A Granted JPS6095954A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体素子のボンデイング用Al線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6095954A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198851A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Hitachi Ltd | 半導体用高耐食高硬度ボール付アルミニウム合金ワイヤ |
| US5711858A (en) * | 1994-04-12 | 1998-01-27 | International Business Machines Corporation | Process for depositing a conductive thin film upon an integrated circuit substrate |
| EP4289985A4 (en) * | 2021-02-05 | 2025-10-29 | Nippon Micrometal Corp | ALUMINUM CABLING MATERIAL |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP58203879A patent/JPS6095954A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198851A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Hitachi Ltd | 半導体用高耐食高硬度ボール付アルミニウム合金ワイヤ |
| US5711858A (en) * | 1994-04-12 | 1998-01-27 | International Business Machines Corporation | Process for depositing a conductive thin film upon an integrated circuit substrate |
| EP4289985A4 (en) * | 2021-02-05 | 2025-10-29 | Nippon Micrometal Corp | ALUMINUM CABLING MATERIAL |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0347579B2 (ja) | 1991-07-19 |
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