JPH0320065B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0320065B2 JPH0320065B2 JP58203875A JP20387583A JPH0320065B2 JP H0320065 B2 JPH0320065 B2 JP H0320065B2 JP 58203875 A JP58203875 A JP 58203875A JP 20387583 A JP20387583 A JP 20387583A JP H0320065 B2 JPH0320065 B2 JP H0320065B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- added
- wire
- small
- corrosion resistance
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01551—Changing the shapes of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
本発明は半導体素子のチツプ電極と基板あるい
はリードフレームとの接続に使用するワイヤボン
デイング用の0.02〜0.5mmφAl線に関する。 一般にボンデイング線は線引き加工時およびボ
ンテイング作業時における断線を防ぐために所定
の引張り強度を必要とするとともにボンデイング
時における高温軟化を防止してボール形状の安
定、ネツク切れの防止、潰れ巾の一定化及びボン
テイング後の接着強度(ボンテイング強度)を維
持することを要件とされ、また樹脂モールドする
場合のように腐食性雰囲気に線がさらされる場合
には耐食性も重要な条件となる。 しかるに高純度Alは軟かすぎで所定の引張り
強度が得られないために、高純度Alに各種の元
素を添加することにより機械的強度を改善するこ
とが考えられているが、添加元素の種類、添加量
によつては、所定の引張り強度が得られず、引張
り強度が得られたとしても硬すぎでチツプ割れの
原因となつたり、添加元素の偏折により引張り強
度、ボンテイング強度が均一化せず、品質にバラ
ツキがでる結果となる。 本発明は斯る事情に鑑み案出されたもので、実
験結果より添加元素の種類とその添加量によつて
ボンデイング性に優れた適正な引張り強度及びボ
ンデイング強度を確保するとともに耐食性を改善
し、しかも品質を均一化するボンデイング用Al
線を提供せんとするもので、斯る本発明Al線は、
高純度Al(99.9%以上)に、0.5〜2.0wt%Mgを含
有させるとともに0.001〜0.3wt%Fe、0.001〜
0.3wt%Ni、0.001〜0.3wt%Coからなる群より選
択された少なくとも一元素を0.001〜0.3wt%含有
せしめたことを要旨とする。 上記Alは99.9%以上の高純度のものを用い、マ
グネシウム(Mg)はAlの引張り強度を高める。 鉄(Fe)、ニツケル(Ni)及びコバルト(Co)
は周期律表の鉄族元素であつて、その添加によつ
てAlの引張り強度を高めるとともに、耐食性の
改善に有用である。 上記Fe、Ni、Coはその一種又は二種以上を添
加するが、二種以上を添加する場合でも含有量を
0.001〜0.3wt%とする。 Mgが0.5wt%未満、Fe、Ni、Coの一種又は二
種以上が0.001wt%未満であつては所定の引張り
強度が得られず線引き加工が不可能であるととも
に耐食性に劣る。 とくにFe、Ni、Coが不足の場合は所定の耐食
性が得られない。 又、Mgが2.0wt%、Fe、Ni、Coが0.3wt%を
越える場合は硬くなりすぎてもろくなり、チツプ
割れを起したり、あるいは組成に偏折を生じて機
械的強度がバラ付いて品質の安定化を図れない。 以下に実施例を示す。 各試料はAl合金を溶解鋳造し、線引き加工に
より直径0.03mmφの極細線ボンデイングAl線とし
たものである。 各試料の添加元素及びその添加量は次表(1)に示
す通りであつて、その試料No.15はFe、Ni、Coの
何れをも添加させない比較品である。 尚、本発明において、残部に不可避なる不純物
を含むものである。
はリードフレームとの接続に使用するワイヤボン
デイング用の0.02〜0.5mmφAl線に関する。 一般にボンデイング線は線引き加工時およびボ
ンテイング作業時における断線を防ぐために所定
の引張り強度を必要とするとともにボンデイング
時における高温軟化を防止してボール形状の安
定、ネツク切れの防止、潰れ巾の一定化及びボン
テイング後の接着強度(ボンテイング強度)を維
持することを要件とされ、また樹脂モールドする
場合のように腐食性雰囲気に線がさらされる場合
には耐食性も重要な条件となる。 しかるに高純度Alは軟かすぎで所定の引張り
強度が得られないために、高純度Alに各種の元
素を添加することにより機械的強度を改善するこ
とが考えられているが、添加元素の種類、添加量
によつては、所定の引張り強度が得られず、引張
り強度が得られたとしても硬すぎでチツプ割れの
原因となつたり、添加元素の偏折により引張り強
度、ボンテイング強度が均一化せず、品質にバラ
ツキがでる結果となる。 本発明は斯る事情に鑑み案出されたもので、実
験結果より添加元素の種類とその添加量によつて
ボンデイング性に優れた適正な引張り強度及びボ
ンデイング強度を確保するとともに耐食性を改善
し、しかも品質を均一化するボンデイング用Al
線を提供せんとするもので、斯る本発明Al線は、
高純度Al(99.9%以上)に、0.5〜2.0wt%Mgを含
有させるとともに0.001〜0.3wt%Fe、0.001〜
0.3wt%Ni、0.001〜0.3wt%Coからなる群より選
択された少なくとも一元素を0.001〜0.3wt%含有
せしめたことを要旨とする。 上記Alは99.9%以上の高純度のものを用い、マ
グネシウム(Mg)はAlの引張り強度を高める。 鉄(Fe)、ニツケル(Ni)及びコバルト(Co)
は周期律表の鉄族元素であつて、その添加によつ
てAlの引張り強度を高めるとともに、耐食性の
改善に有用である。 上記Fe、Ni、Coはその一種又は二種以上を添
加するが、二種以上を添加する場合でも含有量を
0.001〜0.3wt%とする。 Mgが0.5wt%未満、Fe、Ni、Coの一種又は二
種以上が0.001wt%未満であつては所定の引張り
強度が得られず線引き加工が不可能であるととも
に耐食性に劣る。 とくにFe、Ni、Coが不足の場合は所定の耐食
性が得られない。 又、Mgが2.0wt%、Fe、Ni、Coが0.3wt%を
越える場合は硬くなりすぎてもろくなり、チツプ
割れを起したり、あるいは組成に偏折を生じて機
械的強度がバラ付いて品質の安定化を図れない。 以下に実施例を示す。 各試料はAl合金を溶解鋳造し、線引き加工に
より直径0.03mmφの極細線ボンデイングAl線とし
たものである。 各試料の添加元素及びその添加量は次表(1)に示
す通りであつて、その試料No.15はFe、Ni、Coの
何れをも添加させない比較品である。 尚、本発明において、残部に不可避なる不純物
を含むものである。
【表】
【表】
上記各試料をもつて機械的性質、及び、耐食性
を測定した結果を表(2)に示す。
を測定した結果を表(2)に示す。
【表】
【表】
試料No.11〜14はボンデイング強度が必要強度に
達しないとともに偏折が大きく同種の試料であつ
てもボンデイング強度にバラツキがみられた。 尚、熱処理は350℃×30分である。 又、耐食性は高温、高圧、高湿度下(120℃、
2気圧、湿度90%以上、100時間)における耐食
の度合を三ランクに区別し腐食度合いの大きいも
のから少ないものへ順に×、○、◎とした。 上記表(2)から知れるように、本発明実施品の範
囲(試料No.1〜10)にあつて、熱処理後の硬さが
適正状態(25〜50VHN)にあり、且つ引張り強
度が確保できるとともにボンデイング強度が必要
強度(3g以上)を確保され、しかも耐食性に優
れることが確認できた。従つて本発明実施品は線
引き加工中に断線したり、ボンデイング作業中に
断線を起したりすることがないとともにチツプ割
れを防ぎ、しかも品質を高品質安定に維持するこ
とができ、ボールボンデイング熱圧着法、超音波
接合法の何れに使用してもボンデイング特性大な
るAl線を提供し得る。
達しないとともに偏折が大きく同種の試料であつ
てもボンデイング強度にバラツキがみられた。 尚、熱処理は350℃×30分である。 又、耐食性は高温、高圧、高湿度下(120℃、
2気圧、湿度90%以上、100時間)における耐食
の度合を三ランクに区別し腐食度合いの大きいも
のから少ないものへ順に×、○、◎とした。 上記表(2)から知れるように、本発明実施品の範
囲(試料No.1〜10)にあつて、熱処理後の硬さが
適正状態(25〜50VHN)にあり、且つ引張り強
度が確保できるとともにボンデイング強度が必要
強度(3g以上)を確保され、しかも耐食性に優
れることが確認できた。従つて本発明実施品は線
引き加工中に断線したり、ボンデイング作業中に
断線を起したりすることがないとともにチツプ割
れを防ぎ、しかも品質を高品質安定に維持するこ
とができ、ボールボンデイング熱圧着法、超音波
接合法の何れに使用してもボンデイング特性大な
るAl線を提供し得る。
Claims (1)
- 1 高純度Alに、0.5〜2.0wt%のマグネシウム
(Mg)を含有させるとともに0.001〜0.3wt%の鉄
(Fe)、0.001〜0.3wt%のニツケル(Ni)、0.001〜
0.3wt%のコバルト(Co)からなる群より選択さ
れた少くとも一元素を0.001〜0.3wt%含有せしめ
た半導体素子のボンデイング用Al線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58203875A JPS6095950A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体素子のボンデイング用Al線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58203875A JPS6095950A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体素子のボンデイング用Al線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6095950A JPS6095950A (ja) | 1985-05-29 |
| JPH0320065B2 true JPH0320065B2 (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=16481158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58203875A Granted JPS6095950A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体素子のボンデイング用Al線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6095950A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198851A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Hitachi Ltd | 半導体用高耐食高硬度ボール付アルミニウム合金ワイヤ |
| JPH0615700B2 (ja) * | 1986-03-19 | 1994-03-02 | 日本軽金属株式会社 | アルミニウム細線 |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP58203875A patent/JPS6095950A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6095950A (ja) | 1985-05-29 |
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