JPS6095948A - 半導体素子のボンデイング用Al線 - Google Patents

半導体素子のボンデイング用Al線

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JPS6095948A
JPS6095948A JP58203873A JP20387383A JPS6095948A JP S6095948 A JPS6095948 A JP S6095948A JP 58203873 A JP58203873 A JP 58203873A JP 20387383 A JP20387383 A JP 20387383A JP S6095948 A JPS6095948 A JP S6095948A
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JP
Japan
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bonding
wire
strength
tensile strength
corrosion resistance
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JP58203873A
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JPH0454383B2 (ja
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Shozo Hayashi
林 正蔵
Shinji Shirakawa
白川 信次
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Tanaka Denshi Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Denshi Kogyo KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体素子のチップ電極と基板あるいはリード
フレームとの接続に使用するワイ(7ボンデイング用の
0.02〜0.5+1111φAR線に関づる。
一般にボンディング用線は線引き加工時およびボンディ
ング作業時における断線を防ぐために所定の引張り強度
を必要とづるとともにボンディング時における高温軟化
を防止してボール形状の安定、ネック切れの防止、漬れ
111の一定化及びボンディング後の接着強度(ボンデ
ィング強度)を維持することを要件とされ、また樹脂モ
ールドする場合のように腐食性雰囲気に線がさらされる
場合には耐食性も重要な条件となる。
しかるに高純磨△χは軟か1ぎC所定の引張り強度が1
!7られないために、高純1良Δλに各種の元素を添力
l目゛ることにより機械的強電を改善することが考えら
れているが、添加元素の種類、添加単によっては、所定
の引張り強度が得られず、引張り強度が得られ!ことし
ても硬ずぎてチップ割れの原因となったり、添加元素の
偏析により引張り強度、ボンディング強度が均一化せず
、品質にバラツキがでる結果となる。
本発明は断る事情に鑑み案出されたもので、実験結果よ
り添加元素の種類とその添加単によってボンディング性
に優れた適正な引張り強度及びボンディング強度を確保
するとともに耐食性を改善し、しかも品質を均−化覆る
ボンディング用AR線を提供せんとするものC1斯る木
発明Aλ線は、高純度へχ(99,9%以上)に、0.
5〜1.5wt%3iを含有させるとともに白金族元素
(Pd 、 Pt 、 Rn 、 Ru 。
O3,lr)より選択された少なくとも一元素を0.0
01〜Q、3wt%含有せしめたことを要旨とする。
上記ARは99.9%以上の高純度のものを用い、シリ
コン(Sl)はAλの引張り強度を高める。
白金族元素(Pd、Pt、Rn、Ru、Os。
Ir)は、その添加によってARの引張り強度を高める
とともに、耐食性の改善に有用である。
上記白金族元素はその一種又は二種以上を添加するが、
二種以上を添加する場合でも含0吊を0.001〜0.
3wt%とする。
Siがo、5wt%未満、白金族元素の一種又は二種以
上がO,001wt%未満であっては所定の引張り強度
が得られず線引き加工が不可能であるとともに耐食性に
劣る。
とくに白金族元素が不足の場合は所定の耐食性が得られ
ない。
又、Siが1.5wt%、白金族元素が0.3wt%を
越える場合は硬くなりすぎてもろくなり、チップ割れを
起したり、あるいは組成に偏析を生じて機械的強度がバ
ライ1いて品質の安定化を図れない。
以下に実施例を示づ。
各試料はA1合金を溶解鋳造し、線引き加工により直径
0.03Imφの極細線ボンディングAR線としたもの
である。
各試料の添加元素及びその添加量は次表(1)に示す通
りであって、白金族元素としU、Pd 。
Pt 、Rnを添加した。試料N0.15は何れの白金
族元素をも添加させない比較量である。
尚、本発明において、残部に不可避なる不純物を含むも
のである。
表(1) (添IJIIm単位wt%〉 上記各試料をもっ゛C機械的性質、及び、耐食性を測定
した結果を表(2)に示す。
表(2) の試料であってもボンディング強度にバラツキがみられ
た。
尚、熱処理は350℃×30分である。
又、耐食性は高温、高圧、高湿度下(120℃、2気圧
、湿度90%以上、100時間)における腐食の度合を
三ランクに区別し腐食度合いの大きいものから少ないも
のへ順に×、0、◎とした。
上記表(2)から知れるように、本発明実施品の範囲(
試料N0.1〜10)にあって、熱処理後の硬さが適正
状態(25〜50VHN)にあり、且つ引張り強度が確
保できるとともにボンディング弾痕が必要強度(3(1
以上)を確保され、しかも耐食性に優れることが確認で
きた。従って本発明実施品は線引き加工中に断線したり
、ボンディング作業中に断線を起したりすることがない
とともにチップ割れを防ぎ、しかも品質を高品質安定に
維持することができ、ポールボンディング熱圧着法、超
音波接合法の何れに使用してもボンディング特性大なる
A、2線を提供し得る。
1、事件の表示 昭和58年特許願第203873号 2、発明の名称 半導体素子のボンディング用へ多線 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 氏名(名称) 田中電子工業株式会社 4、代理人 5、補正命令の日付(自発補正) 昭和 年 月 日 補 正 明 細 書 1、発明の名称 半導体素子のボンディング用Aj線 2、特許請求の範囲 高純度AJに、0.5〜1.5wt%のシリコン(Si
)を含有させるとともに白金族元素(Pd、Pt、Rh
、Ru、Os、Ir)より選択された少くとも一元素を
0.001〜Q、3wt%含有せしめた半導体素子のボ
ンディング用A!線。
3、発明の詳細な説明 本発明は半導体素子のチップ電極と基板あるいはリード
フレームとの接続に使用するワイA7ボンデイング用の
0.02〜0.5+uφAU線に関する。
一般にボンディング用線は線引き加工時およびボンディ
ング作業時における断線を防ぐために所定の引張り強度
を必要とするとともにボンディング時における高温軟化
を防止してボール形状の安定、ネック切れの防止、漬れ
11】の一定化及びボンディング後の接着強度(ボンデ
ィング強度)を維持することを要件とされ、また樹脂モ
ールドする場合のように腐食性雰囲気に線がさらされる
場合には耐食性も重要な条件となる。
しかるに高純度AJは軟かすぎて所定の引張り強度が得
られないために、高純度AJに各種の元素を添加するこ
とにより機械的強電を改善することが考えられているが
、添加元素の種類、添加間によっては、所定の引張り強
度が得られず、引張り強度が得られたとしても硬すぎて
チップ割れの原因となったり、添加元素の偏析により引
張り引Lボンディング強度が均一化せず、品質にバラツ
キがでる結果となる。
本発明は断る事情に鑑み案出されたもので、実験結果よ
り添加元素の種類とその添加間によってボンディング性
に優れた適正な引張り強度及びボンディング強度を確保
するとともに耐食性を改善し、しかも品質を均一化する
ボンディング用AJ線を提供せんとするもので、斯る木
発明AJmは、高純度AJ (99,9%以上)に、0
.5〜1.5wt%3iを含有させるとともに白金族元
素(Pd 、 Pt 、 Rh 、 Ru 。
O3,Ir)より選択された少なくとも一元素を0.0
01〜Q、3wt%含有せしめたことを要旨とする。
上記AJは99.9%以上の高純度のものを用い、シ、
リコン(St)はAJの引張り強度を高める。
白金族元素(Pd 、 Pt 、 Rh 、 Ru 、
 Os 。
Ir)は、その添加によってAJの引張り強度を高める
とともに、耐食性の改善に有用である。
上記白金族元素はその一種又は二種以上を添加するが、
二種以上を添加する場合でも含有量を0.001〜0.
3wt%とする。
5i1fi0.5wt%未満、白金族元素の一種又は二
種以上が0.001wt%未満であっては所定の引張り
強度が得られず線引き加工が不可能であるとともに耐食
性に劣る。
とくに白金族元素が不足の場合は所定の耐食性が得られ
ない。
又、S:が1.5wt%、白金族元素が0.3wt%を
越える場合は硬くなりすぎてもろくなり、チップ割れを
起したり、あるいは組成に偏析を生じて機械的強度がバ
ラ付いて品質の安定化を図れない。
以下に実施例を示す。
各試料はA4合金を溶解鋳造し、線引き加工により直径
0.03mmφの極細線ボンディング強度線としたもの
である。
各試料の添加元素及びその添加量は次表(1)に示す通
りであって、白金族元素どして、Pd。
Pt 、Rhを添加した。試料No、1’5は何れの白
金族元素をも添加させない比較量である。
尚、本発明において、残部に不可避なる不純物を自むも
のである。
表(1) (添加量単位W【%) 上記各試料をもって機械的性質、及び、耐食性を測定し
た結果を表(2)に示す。
表(2) 試料N0.11〜14はボンディング強度が必要強度に
達しないとともに偏析が大きく同種の試料であってもボ
ンディング強度にバラツキ永みられた。
尚、熱処理は350℃×30分である。
又、耐食性は高温、高圧、高湿度下(120℃、2気圧
、湿度90%以上、100時間)における腐食の度合を
三ランクに区別し腐食度合いの大きいものから少ないも
のへ順に×、01◎とした。
上記表(2)から知れるように、本発明実施量の範囲(
試料No、1〜10)にあって、熱処理後の硬さが適正
状態(25〜50 V l−I N )にあり、且つ引
張り強度が確保C′きるとともにボンディング強度が必
要強度(3g以上)を確保され、しかも耐食性に優れる
ことが確認できた。従って本発明実施量は線引き加工中
に断線したり、ボンディング作業中に断線を起したりす
ることがないとともにチップ割れを防ぎ、しかも品質を
へ品質安定に維持することができ、ポールボンディング
熱圧着法、照合波接合法の何れに使用してもボンディン
グ特性人なるΔノ線を提供し得る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 高純度へχに、0.5〜1.5wt%のシリコン(St
     >を含有させるとともに白金族元素(Pd、Pt、R
    n、Ru、Os、Ir)より選択された少くとも一元素
    を0.001〜0.3wt%含有せしめた半導体素子の
    ボンディング用へX線。
JP58203873A 1983-10-31 1983-10-31 半導体素子のボンデイング用Al線 Granted JPS6095948A (ja)

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JPH0454383B2 JPH0454383B2 (ja) 1992-08-31

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022168787A1 (ja) * 2021-02-05 2022-08-11 日鉄マイクロメタル株式会社 半導体装置用Alボンディングワイヤ
WO2022168789A1 (ja) * 2021-02-05 2022-08-11 日鉄マイクロメタル株式会社 Al配線材

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59139661A (ja) * 1983-01-31 1984-08-10 Hitachi Ltd 半導体装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022168787A1 (ja) * 2021-02-05 2022-08-11 日鉄マイクロメタル株式会社 半導体装置用Alボンディングワイヤ
WO2022168789A1 (ja) * 2021-02-05 2022-08-11 日鉄マイクロメタル株式会社 Al配線材
JPWO2022168789A1 (ja) * 2021-02-05 2022-08-11
JPWO2022168787A1 (ja) * 2021-02-05 2022-08-11

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