JPS6190443A - 半導体ウエハのダイシング方法 - Google Patents
半導体ウエハのダイシング方法Info
- Publication number
- JPS6190443A JPS6190443A JP59213047A JP21304784A JPS6190443A JP S6190443 A JPS6190443 A JP S6190443A JP 59213047 A JP59213047 A JP 59213047A JP 21304784 A JP21304784 A JP 21304784A JP S6190443 A JPS6190443 A JP S6190443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- grooves
- dicing
- semiconductor
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P54/00—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体ウェハのダイシング方法に関し、半導体
ウェハをベレット化するために割る作業を手作、業によ
らず単に冷却するという簡単な方法で行うことができ、
しかもペレット自身にクラック等が入る惧れの少ない新
規な半導体ウニへのダイシング方法を提供しようとする
ものである。
ウェハをベレット化するために割る作業を手作、業によ
らず単に冷却するという簡単な方法で行うことができ、
しかもペレット自身にクラック等が入る惧れの少ない新
規な半導体ウニへのダイシング方法を提供しようとする
ものである。
背景技術
半導体装置の製造方法として本願出願人会社において試
みられたものを紹介する。これは半導体基板の一部領域
の表面部にモニター用フォトダイオードを形成し、半導
体基板の他の領域表面上に半導体レーザチップをポンデ
ィングしてなるモニター用フォトダイオード付半導体レ
ーザ装置を製造する方法であり、第６図（Ａ）乃至（Ｅ
）はその製造方法を工程順に示している。
みられたものを紹介する。これは半導体基板の一部領域
の表面部にモニター用フォトダイオードを形成し、半導
体基板の他の領域表面上に半導体レーザチップをポンデ
ィングしてなるモニター用フォトダイオード付半導体レ
ーザ装置を製造する方法であり、第６図（Ａ）乃至（Ｅ
）はその製造方法を工程順に示している。
先ず、第６図（Ａ）に示すように、半導体ウェハａに対
してフォトダイオードを形成するための一連の処理を施
すことによって各素子形成領域す、ｂ、・・・の一部に
フォトダイオードＣを形成し、又、別の部分上にレーザ
チップ接続用の半田層ｄを形成する。同図（Ａ）におい
て、ｅは隣接する各素子形成領域間を仕切るグイシング
すべきラインを示す０次いで、同図（Ｂ）に示すように
、そのダイシングすべきラインｅに沿って半導体基板ａ
の表面をハーフダイシングする。ｆ、ｆ、・・・はハー
フダイジングにより形成された溝を示す、その後、同図
（Ｃ）に示すように各素子形成領域す、ｂ、・φ拳の半
田層ｄ形成領域上に半導体レーザチップｇを位置させ、
その状態で半導体ウェハａを加熱炉（加熱温度２５０℃
）に通すことによって１枚の半導体ウェハａに対する多
数の半導体レーザチップｇ、ｇ、・・・のチップポンデ
ィングを同時に行う、この半導体レーザチップｇはその
レーザ光出射端面と後の半導体ウェハａに対するペレッ
ト分割の後におけるペレットｈの端面とが面一になるよ
うにポンディング位置が設定される。その後、電気的特
性、光学的特性の測定、検査、スクリーニング等をした
後、第６図（Ｄ）に示すようにペレット分割、即ち、ダ
イシングをする。ｈはペレットである。その後、図示し
ないステムの表面に設けられたヒートシンクｉ上にペレ
ットｈをペレットポンディングし、次に、ステムに取付
けられたリードｊ、ｊと半導体レーザチップｇ及びフォ
トダイオードＣの電極との間をワイヤポンディングする
こと等により実装される。にはワイヤを示す。
してフォトダイオードを形成するための一連の処理を施
すことによって各素子形成領域す、ｂ、・・・の一部に
フォトダイオードＣを形成し、又、別の部分上にレーザ
チップ接続用の半田層ｄを形成する。同図（Ａ）におい
て、ｅは隣接する各素子形成領域間を仕切るグイシング
すべきラインを示す０次いで、同図（Ｂ）に示すように
、そのダイシングすべきラインｅに沿って半導体基板ａ
の表面をハーフダイシングする。ｆ、ｆ、・・・はハー
フダイジングにより形成された溝を示す、その後、同図
（Ｃ）に示すように各素子形成領域す、ｂ、・φ拳の半
田層ｄ形成領域上に半導体レーザチップｇを位置させ、
その状態で半導体ウェハａを加熱炉（加熱温度２５０℃
）に通すことによって１枚の半導体ウェハａに対する多
数の半導体レーザチップｇ、ｇ、・・・のチップポンデ
ィングを同時に行う、この半導体レーザチップｇはその
レーザ光出射端面と後の半導体ウェハａに対するペレッ
ト分割の後におけるペレットｈの端面とが面一になるよ
うにポンディング位置が設定される。その後、電気的特
性、光学的特性の測定、検査、スクリーニング等をした
後、第６図（Ｄ）に示すようにペレット分割、即ち、ダ
イシングをする。ｈはペレットである。その後、図示し
ないステムの表面に設けられたヒートシンクｉ上にペレ
ットｈをペレットポンディングし、次に、ステムに取付
けられたリードｊ、ｊと半導体レーザチップｇ及びフォ
トダイオードＣの電極との間をワイヤポンディングする
こと等により実装される。にはワイヤを示す。
発明が解決しようとする問題点
ところで、上述したような半導体製造方法において意外
に面倒なのはダイシングである。というのは、工程（Ｃ
）において溝ｅを形成した後個々のペレットにする分割
、即ちダイシングは半導体ウェハａの裏側を例えばピン
セットで突いてウェハａに衝撃力を加えることによって
、あるいは半導体ウェハａを両手で持ってそれを撓ませ
ることによって行われていた。具体的には半導体ウェハ
ａを先ずバー状に分割し、バー状にされた複数の半導体
基板を更に分割してペレット化するというように行なわ
れている。このような方法によれば、ウェハあるいはバ
ー状の基板ａから分離された１つのペレットを得るため
にはウェハあるいはバー状の基板ａに対して割るための
力を加える動作が少なくとも１回以上必要となる。そし
て、通常１枚の半導体ウェハａに数予測の半導体レーザ
ｂ、ｂ、 ＠・・が形成されているので、一枚の半導
体ウェハａに対してダイシングを行うには手で力を加え
る動作を何千回も行わねばならず、非常に面倒である。
に面倒なのはダイシングである。というのは、工程（Ｃ
）において溝ｅを形成した後個々のペレットにする分割
、即ちダイシングは半導体ウェハａの裏側を例えばピン
セットで突いてウェハａに衝撃力を加えることによって
、あるいは半導体ウェハａを両手で持ってそれを撓ませ
ることによって行われていた。具体的には半導体ウェハ
ａを先ずバー状に分割し、バー状にされた複数の半導体
基板を更に分割してペレット化するというように行なわ
れている。このような方法によれば、ウェハあるいはバ
ー状の基板ａから分離された１つのペレットを得るため
にはウェハあるいはバー状の基板ａに対して割るための
力を加える動作が少なくとも１回以上必要となる。そし
て、通常１枚の半導体ウェハａに数予測の半導体レーザ
ｂ、ｂ、 ＠・・が形成されているので、一枚の半導
体ウェハａに対してダイシングを行うには手で力を加え
る動作を何千回も行わねばならず、非常に面倒である。
しかも、手作業でウェハａに力を加えるため加える力の
強さが強すぎたりすることも少なくない、そのためペレ
ットにクラックが入ったり、完全に破壊されたりするこ
とも多く、歩留りを低下させる。
強さが強すぎたりすることも少なくない、そのためペレ
ットにクラックが入ったり、完全に破壊されたりするこ
とも多く、歩留りを低下させる。
しかして、本発明は半導体ウェハをペレット化するため
の作業を手作業によらず簡単に行うことができ、しかも
ペレット自身にクラック等が生じたりする慣れの少゛な
い新規な半導体ウェハのダイシング方法を提供しようと
するものである。
の作業を手作業によらず簡単に行うことができ、しかも
ペレット自身にクラック等が生じたりする慣れの少゛な
い新規な半導体ウェハのダイシング方法を提供しようと
するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するため本発明半導体ウェハのダイシ
ング方法は、半導体ウェハの一主表面に各素子形成領域
間を仕切る格子状のラインに沿うて溝を形成し、該溝に
凍結して体積が膨張するダイシング用の液を入れ、その
状態で半導体ウェハを冷却することにより上記液を凍結
させてその凍結による原液の膨張力により半導体ウェハ
を上記溝にてブレークすることを特徴とするものである
。
ング方法は、半導体ウェハの一主表面に各素子形成領域
間を仕切る格子状のラインに沿うて溝を形成し、該溝に
凍結して体積が膨張するダイシング用の液を入れ、その
状態で半導体ウェハを冷却することにより上記液を凍結
させてその凍結による原液の膨張力により半導体ウェハ
を上記溝にてブレークすることを特徴とするものである
。
作用
しかして１本発明半導体ウェハのダイシング方法によれ
ば溝内に入れられたダイシング用の液（例えば水）の凍
結するときの膨張力によって半導体ウェハをブレークす
るので半導体ウェハを単に冷却するだけでペレット分割
をすることができる。そして、溝幅、溝の深さを適宜な
大きさにすることによってダイシング用の液が凍結時に
半導体ウェハに加える力をブレークするに必要な適度な
強さにすることができ、ペレット分割に際して加える力
の強過ぎによる割れ等が生じる慣れをなくすことができ
る。
ば溝内に入れられたダイシング用の液（例えば水）の凍
結するときの膨張力によって半導体ウェハをブレークす
るので半導体ウェハを単に冷却するだけでペレット分割
をすることができる。そして、溝幅、溝の深さを適宜な
大きさにすることによってダイシング用の液が凍結時に
半導体ウェハに加える力をブレークするに必要な適度な
強さにすることができ、ペレット分割に際して加える力
の強過ぎによる割れ等が生じる慣れをなくすことができ
る。
実施例
以下に、本発明半導体ウェハのダイシング方法を添附図
面に示した実施例に従って詳細に説明する。
面に示した実施例に従って詳細に説明する。
第１図乃至第４図は本発明半導体ウェノλのダイシング
方法の一実施例を工程順に示すものである。
方法の一実施例を工程順に示すものである。
（Ａ）半導体ウェハ１の各素子形成領域２．２、・φΦ
に半導体デバイス製造技術によってＰＩＮ型のフォトダ
イオード３を形成し、各素子形成領域２．２．・・・の
半導体レーザ接続部に半田層４を半田蒸着及びフォトエ
ツチングにより形成する。第１図は半田層４形成後にお
ける半導体ウェハ１の全体を示す斜視図である。同図に
おいて、５はグイシングすべきラインを示している。
に半導体デバイス製造技術によってＰＩＮ型のフォトダ
イオード３を形成し、各素子形成領域２．２．・・・の
半導体レーザ接続部に半田層４を半田蒸着及びフォトエ
ツチングにより形成する。第１図は半田層４形成後にお
ける半導体ウェハ１の全体を示す斜視図である。同図に
おいて、５はグイシングすべきラインを示している。
（Ｂ）次に、上記グイシングすべきライン５に沿って半
導体ウェハ１表面にハーフダイシングを施すことによっ
て溝６，６、拳・・を形成する。
導体ウェハ１表面にハーフダイシングを施すことによっ
て溝６，６、拳・・を形成する。
該各溝６，６、・−・はその両端部６ａ、６ａ、・ｅ・
が半導体ウェハｌの周縁より稍内側に位置されており、
そうすることにより全部の溝６゜６、拳・Φによって平
面形状が格子状の謂わば一つの容器が構成され、該容器
に液を入れた状態にできるようにされている。第２図（
Ａ）はハーフダイシング後における半導体ウェハｌの全
体を示す斜視図、同図（Ｂ）は同じく半導体ウェハｌの
一部を示す拡大斜視図である。
が半導体ウェハｌの周縁より稍内側に位置されており、
そうすることにより全部の溝６゜６、拳・Φによって平
面形状が格子状の謂わば一つの容器が構成され、該容器
に液を入れた状態にできるようにされている。第２図（
Ａ）はハーフダイシング後における半導体ウェハｌの全
体を示す斜視図、同図（Ｂ）は同じく半導体ウェハｌの
一部を示す拡大斜視図である。
（Ｃ）次に、各素子形成領域４．４、・・・上にレーザ
チップ７をポンディングし、その後、前述した溝６．６
、・Φ・からなる格子状の容器内に凍結して体積が膨張
する液、例えば水８を入れる。第３図は溝６．６、・・
・内に水を入れた状態における半導体ウェハ１の一部を
示す拡大斜視図である。
チップ７をポンディングし、その後、前述した溝６．６
、・Φ・からなる格子状の容器内に凍結して体積が膨張
する液、例えば水８を入れる。第３図は溝６．６、・・
・内に水を入れた状態における半導体ウェハ１の一部を
示す拡大斜視図である。
（Ｄ）その後、半導体ウェハｌを冷却して溝６．６、・
・拳内（換言すれば溝６．６、・・・ １か
らなる格子状の容器内）の水８を凍結させる。
・拳内（換言すれば溝６．６、・・・ １か
らなる格子状の容器内）の水８を凍結させる。
すると、水８は凍結に伴って体積が膨張し、その膨張力
によってその溝６．６、・・・にて半導体ウェハ１をブ
レークする。その結果、各素子形成領域２，２、・・・
がペレット化され互いに分離される。
によってその溝６．６、・・・にて半導体ウェハ１をブ
レークする。その結果、各素子形成領域２，２、・・・
がペレット化され互いに分離される。
このような半導体ウェハのダイシング方法によれば、溝
内に入れた水の凍結するときの膨張力によって半導体ウ
ェハをブレークするので、単に冷却するだけでグイシン
グすることができる。そして、水の膨張力を水を入れる
溝６．６、・・・の幅、深さによって調節することが可
能であり、従って、その調節によりブレークする力を適
度の強さにすることにより半導体ペレットにクラックが
生じたりする慣れをなくすことができる。第４図はダイ
シング方法状態を示す斜視図である。
内に入れた水の凍結するときの膨張力によって半導体ウ
ェハをブレークするので、単に冷却するだけでグイシン
グすることができる。そして、水の膨張力を水を入れる
溝６．６、・・・の幅、深さによって調節することが可
能であり、従って、その調節によりブレークする力を適
度の強さにすることにより半導体ペレットにクラックが
生じたりする慣れをなくすことができる。第４図はダイ
シング方法状態を示す斜視図である。
第５図は本発明半導体ウェハのダイシング方法の他の実
施例を示す斜視図である。
施例を示す斜視図である。
木実流側は各素子形成領域間を仕切るライン上に形成さ
れた溝６．６、・拳・が互いに分離され、独立している
。
れた溝６．６、・拳・が互いに分離され、独立している
。
本発明はこのような態様においても実施することができ
る。又、溝６は半導体ウェハ１の表面に形成するように
しても良いし、ダイシング用の液は凍結して体積の膨張
するものであれば水でなくても良い。
る。又、溝６は半導体ウェハ１の表面に形成するように
しても良いし、ダイシング用の液は凍結して体積の膨張
するものであれば水でなくても良い。
発明の効果
以上に述べたように、本発明半導体ウェハのダイシング
方法は、半導体ウェハの一主表面に各素子形成領域間を
仕切る格子状のラインに沿って溝を形成し、該溝に凍結
して体積が膨張するダイシング方法 却することにより上記液を凍結させてその凍結による原
液の膨張力により半導体ウェハを上記溝にてブレークす
ることを特徴とするものである。しかして１本発明半導
体ウェハのダイシング方法によれば溝内に入れられたダ
イシング用の液（例えば水）の凍結するときの膨張力に
よって半導体ウェハをブレークすることができ、それに
よってグイシングすることができる。従って、半導体ウ
ェハを単に冷却するだけでペレット分割をすることがで
きる。そして、溝幅、溝の深さを適宜な大きさにするこ
とによってダイシング用の液が凍結時に半導体ウェハに
加える力をブレークするに必要な適度な強さにすること
ができ、ペレット分割に際して割れ等が生じる惧れをな
くすことができる。
方法は、半導体ウェハの一主表面に各素子形成領域間を
仕切る格子状のラインに沿って溝を形成し、該溝に凍結
して体積が膨張するダイシング方法 却することにより上記液を凍結させてその凍結による原
液の膨張力により半導体ウェハを上記溝にてブレークす
ることを特徴とするものである。しかして１本発明半導
体ウェハのダイシング方法によれば溝内に入れられたダ
イシング用の液（例えば水）の凍結するときの膨張力に
よって半導体ウェハをブレークすることができ、それに
よってグイシングすることができる。従って、半導体ウ
ェハを単に冷却するだけでペレット分割をすることがで
きる。そして、溝幅、溝の深さを適宜な大きさにするこ
とによってダイシング用の液が凍結時に半導体ウェハに
加える力をブレークするに必要な適度な強さにすること
ができ、ペレット分割に際して割れ等が生じる惧れをな
くすことができる。
第１図、第２図（Ａ）、（Ｂ）、第３図及び第４図は本
発明半導体ウェハのダイシング方法の実施の一例を工程
順に示す斜視図、第５図は本発明半導体ウェハのダイシ
ング方法の別の実施例を説明するための斜視図、第６図
（Ａ）乃至（Ｅ）は背景技術を工程順に示す斜視図であ
る。 符号の説明 １・・・半導体ウェハ。 ２・・１１素子形成領域、 ６・・・溝、 ７φ＠Φダイシング用の液 第１図 第３図 第６図 （Ｅ）ｋ。
発明半導体ウェハのダイシング方法の実施の一例を工程
順に示す斜視図、第５図は本発明半導体ウェハのダイシ
ング方法の別の実施例を説明するための斜視図、第６図
（Ａ）乃至（Ｅ）は背景技術を工程順に示す斜視図であ
る。 符号の説明 １・・・半導体ウェハ。 ２・・１１素子形成領域、 ６・・・溝、 ７φ＠Φダイシング用の液 第１図 第３図 第６図 （Ｅ）ｋ。
Claims (1)
- （１）半導体ウェハの一主表面に各素子形成領域間を仕
切る格子状のラインに沿って溝を形成し、該溝に凍結し
て体積が膨張するダイシング用の液を入れ、その状態で
半導体ウェハを冷却することにより上記液を凍結させて
その凍結による該液の膨張力により半導体ウェハを上記
溝にてブレークすることを特徴とする半導体ウェハのダ
イシング方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213047A JPS6190443A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 半導体ウエハのダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213047A JPS6190443A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 半導体ウエハのダイシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6190443A true JPS6190443A (ja) | 1986-05-08 |
Family
ID=16632638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59213047A Pending JPS6190443A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 半導体ウエハのダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6190443A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5804495A (en) * | 1990-04-24 | 1998-09-08 | Mitsubishi Materials Corporation | Method of making SOI structure |
| US7294558B2 (en) * | 2004-03-08 | 2007-11-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for cleaving a wafer through expansion resulting from vaporization or freezing of liquid |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP59213047A patent/JPS6190443A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5804495A (en) * | 1990-04-24 | 1998-09-08 | Mitsubishi Materials Corporation | Method of making SOI structure |
| US7294558B2 (en) * | 2004-03-08 | 2007-11-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for cleaving a wafer through expansion resulting from vaporization or freezing of liquid |
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