JPS6096756A - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置Info
- Publication number
- JPS6096756A JPS6096756A JP20307083A JP20307083A JPS6096756A JP S6096756 A JPS6096756 A JP S6096756A JP 20307083 A JP20307083 A JP 20307083A JP 20307083 A JP20307083 A JP 20307083A JP S6096756 A JPS6096756 A JP S6096756A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- tank
- pellet
- substance
- vacuum chamber
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/246—Replenishment of source material
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体基板上に薄膜を形成するための蒸着
装置に関するものである。
装置に関するものである。
従来、この種の装置として第１図に示すものがあった。
図において、１は蒸発物質、２は蒸発物質１を保持する
るつぼ、３は蒸発物質１を加熱する電子ビーム、４は電
子ビーム３を発生する電子銃、５は電子ビーム３を偏向
させる偏向磁石である。
るつぼ、３は蒸発物質１を加熱する電子ビーム、４は電
子ビーム３を発生する電子銃、５は電子ビーム３を偏向
させる偏向磁石である。
次に動作について説明する。蒸着物質１をるつぼ２に入
れ、電子銃４により発生された電子ビーム３をるつぼ２
と電子銃４との間に印加した直流電界により加速し、偏
向磁石５により電子ビーム３を偏向させ、これを蒸着物
質１に衝突させることにより、蒸着物質１を加熱蒸発さ
せるものである。
れ、電子銃４により発生された電子ビーム３をるつぼ２
と電子銃４との間に印加した直流電界により加速し、偏
向磁石５により電子ビーム３を偏向させ、これを蒸着物
質１に衝突させることにより、蒸着物質１を加熱蒸発さ
せるものである。
従来の蒸着装置は以上のように構成されているので、電
子銃、るつぼ等を真空槽内に設置する必要があり、それ
らにより発生する不純物が問題となる。また、同一真空
槽内で多種の物質を蒸着するには、蒸着すべき物質の種
類に応じて蒸発物質を交換する必要がある。また、膜の
均一性を保つため、Ｍ星治具等により基板を移動させる
必要がある。更に、多量の蒸発物質の一部を加熱するた
め、熱伝導によるエネルギーの損失も大きいなどの欠点
があった。
子銃、るつぼ等を真空槽内に設置する必要があり、それ
らにより発生する不純物が問題となる。また、同一真空
槽内で多種の物質を蒸着するには、蒸着すべき物質の種
類に応じて蒸発物質を交換する必要がある。また、膜の
均一性を保つため、Ｍ星治具等により基板を移動させる
必要がある。更に、多量の蒸発物質の一部を加熱するた
め、熱伝導によるエネルギーの損失も大きいなどの欠点
があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、蒸着物質からなるペレットをビー
ムにより真空槽内で加熱蒸発させることにより、蒸着物
質以外のものを真空槽内に入れることなく純度の高い良
質の蒸着膜を短時間に形成でき、また多種類の蒸発物質
を交互に蒸発させて多層蒸着ができ、また多数の基板に
同時に均一な蒸着膜を形成できる蒸着装置を提供するこ
とを目的としている。
めになされたもので、蒸着物質からなるペレットをビー
ムにより真空槽内で加熱蒸発させることにより、蒸着物
質以外のものを真空槽内に入れることなく純度の高い良
質の蒸着膜を短時間に形成でき、また多種類の蒸発物質
を交互に蒸発させて多層蒸着ができ、また多数の基板に
同時に均一な蒸着膜を形成できる蒸着装置を提供するこ
とを目的としている。
［発明の実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第２
図において、７は球形の真空槽、７ａは真空槽７と真空
ポンプ（図示せず）とを継ぐパイプ、６は基板に蒸着す
べき蒸発物質からなるペレット（図示せず）を真空槽７
内に供給するペレット供給装置、８は真空槽７内で落下
中の蒸発物質ペレットを加熱蒸発させる、レーザ光線、
電子線。
図において、７は球形の真空槽、７ａは真空槽７と真空
ポンプ（図示せず）とを継ぐパイプ、６は基板に蒸着す
べき蒸発物質からなるペレット（図示せず）を真空槽７
内に供給するペレット供給装置、８は真空槽７内で落下
中の蒸発物質ペレットを加熱蒸発させる、レーザ光線、
電子線。
もしくはイオン線を発生する大出力パルスビーム発生装
置、９は真空槽７内に収容され、蒸着膜が形成される基
板、ｌＯはパルスビームである。
置、９は真空槽７内に収容され、蒸着膜が形成される基
板、ｌＯはパルスビームである。
次に本発明の動作について説明する。ペレット供給装置
６により真空槽７内に蒸発物質ベレ・ノドが供給される
と、重力により、もしくは、ペレ・ノド供給時にこれを
加速することにより、該ペレ・ノドは真空槽７の中心に
向かって飛行する。ペレ・ノドが球形の真空槽７の中心
に達するのに同期して、大出力パルスビーム発生装置８
よりビーム１０力（発射される。当該ビーム１０はベレ
・ノドに衝突し、短時間にペレットを加熱し、蒸発させ
る。そしてその蒸気は真空槽７内で等方的に飛散し、真
空槽７の内表面に置かれた複数の基板９上に均一に蒸着
されることとなる。
６により真空槽７内に蒸発物質ベレ・ノドが供給される
と、重力により、もしくは、ペレ・ノド供給時にこれを
加速することにより、該ペレ・ノドは真空槽７の中心に
向かって飛行する。ペレ・ノドが球形の真空槽７の中心
に達するのに同期して、大出力パルスビーム発生装置８
よりビーム１０力（発射される。当該ビーム１０はベレ
・ノドに衝突し、短時間にペレットを加熱し、蒸発させ
る。そしてその蒸気は真空槽７内で等方的に飛散し、真
空槽７の内表面に置かれた複数の基板９上に均一に蒸着
されることとなる。
このように、呆実施例では、るつぼ、電子銃、偏向磁石
などの蒸発物質以外のものを真空槽内に入れることなり
、蒸発物質のペレ・ノドのみを真空槽内に供給するよう
にしたので、純度の高し）良質の蒸着膜を形成できる。
などの蒸発物質以外のものを真空槽内に入れることなり
、蒸発物質のペレ・ノドのみを真空槽内に供給するよう
にしたので、純度の高し）良質の蒸着膜を形成できる。
また大出力のパルスビームによりペレットを蒸発させる
ので蒸着時間が短い。また異なる物質のペレットを順次
蒸発させることにより多層蒸着ができる。更に真空槽を
球形としペレットをその中心付近で蒸発させるので、多
数の基板に膜厚の均一な膜を形成できるものである。
ので蒸着時間が短い。また異なる物質のペレットを順次
蒸発させることにより多層蒸着ができる。更に真空槽を
球形としペレットをその中心付近で蒸発させるので、多
数の基板に膜厚の均一な膜を形成できるものである。
以上のように、この発明によれば、蒸発物質のペレット
をビームにより真空槽内の空中で蒸発させるようにした
ので、純度の高い良質の蒸着膜を形成できる。また、ペ
レットを短時間で蒸発させるため、蒸着時間が短く、更
に異なる物質のペレットを順次蒸発させることにより多
層蒸着ができる効果がある。また多数の基板に均一な膜
を同時に形成できる効果がある。
をビームにより真空槽内の空中で蒸発させるようにした
ので、純度の高い良質の蒸着膜を形成できる。また、ペ
レットを短時間で蒸発させるため、蒸着時間が短く、更
に異なる物質のペレットを順次蒸発させることにより多
層蒸着ができる効果がある。また多数の基板に均一な膜
を同時に形成できる効果がある。
第１図は従来の蒸着装置の蒸発源の概念図、第２図はこ
の発明の一実施例による蒸着装置の概念図である。 ６・・・ペレット供給装置、７・・・真空槽、８・・・
大出力パルスビーム発生装置、９・・・基板、１０・・
・パルスビーム。 代理人 大 岩 増 雄
の発明の一実施例による蒸着装置の概念図である。 ６・・・ペレット供給装置、７・・・真空槽、８・・・
大出力パルスビーム発生装置、９・・・基板、１０・・
・パルスビーム。 代理人 大 岩 増 雄
Claims (1)
- （１）蒸着膜を形成すべき基板が収容された真空槽と、
上記基板に蒸着すべき蒸発物質からなるペレットを上記
真空槽内に供給するペレット供給装置と、上記真空槽内
で移動しているペレットにビームを照射して該ペレット
を加熱蒸発させるビーム発生装置とを備えたことを特徴
とする蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20307083A JPS6096756A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20307083A JPS6096756A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6096756A true JPS6096756A (ja) | 1985-05-30 |
Family
ID=16467845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20307083A Pending JPS6096756A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6096756A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5114181A (ja) * | 1974-06-19 | 1976-02-04 | Airco Inc | Kishitsunohifukuhoho |
-
1983
- 1983-10-27 JP JP20307083A patent/JPS6096756A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5114181A (ja) * | 1974-06-19 | 1976-02-04 | Airco Inc | Kishitsunohifukuhoho |
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