JPS6096760A - スパツタリングタ−ゲツト装置 - Google Patents
スパツタリングタ−ゲツト装置Info
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- JPS6096760A JPS6096760A JP20367483A JP20367483A JPS6096760A JP S6096760 A JPS6096760 A JP S6096760A JP 20367483 A JP20367483 A JP 20367483A JP 20367483 A JP20367483 A JP 20367483A JP S6096760 A JPS6096760 A JP S6096760A
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- Japan
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- target
- metal plate
- plate
- sputtering
- sputtering target
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Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスパッタリング装置に使用されるスパッタリン
グターゲット装置に関する。
グターゲット装置に関する。
一般にこの種のターゲット装置に設けられるターゲット
は、スパッタリングされて発熱すると共にその発熱によ
り熱変形し易いので冷却パイプ等の冷却手段を備えたバ
ッキングプレートにねじ止めにより取付けされるが、使
用したターゲットを新品に交換する場合該ねじを取外し
て交換するを要し、作業性が悪い欠点がある０本発明は
こうした欠点を改良しワンタッチ式で交換可能なターゲ
ラトラ提供することを目的としたもので、冷却手段を備
えたスパッタリングターゲット装置のバッキングプレー
トに着脱自在にスパッタリングターゲラトラ取付けする
式のものに於て、・′該スパッタリングターゲットの背
面に、モリブデンその他の熱伝導性が良く剛性を備え且
つ比較的融点の高い金属板を接着し、この金属板の部分
でワンタッチを実現することを第１の特徴とし、さらに
該バッキングプレートにこれと密接して熱膨張により膨
大化した該金属板を保持する保持手段を設け、該金属板
がスパッタリングにより発生する熱で膨張すると該保持
手段に圧接してワンタッチに保持されることを第２の特
徴とする。
は、スパッタリングされて発熱すると共にその発熱によ
り熱変形し易いので冷却パイプ等の冷却手段を備えたバ
ッキングプレートにねじ止めにより取付けされるが、使
用したターゲットを新品に交換する場合該ねじを取外し
て交換するを要し、作業性が悪い欠点がある０本発明は
こうした欠点を改良しワンタッチ式で交換可能なターゲ
ラトラ提供することを目的としたもので、冷却手段を備
えたスパッタリングターゲット装置のバッキングプレー
トに着脱自在にスパッタリングターゲラトラ取付けする
式のものに於て、・′該スパッタリングターゲットの背
面に、モリブデンその他の熱伝導性が良く剛性を備え且
つ比較的融点の高い金属板を接着し、この金属板の部分
でワンタッチを実現することを第１の特徴とし、さらに
該バッキングプレートにこれと密接して熱膨張により膨
大化した該金属板を保持する保持手段を設け、該金属板
がスパッタリングにより発生する熱で膨張すると該保持
手段に圧接してワンタッチに保持されることを第２の特
徴とする。
本発明の実施例を図面につき説明するに、第１図に於て
、（１）は真空室、（２）は該真空室（１）内に設けら
れたスパッタリングターゲット装置、（３）は該ターゲ
ット装置（２）を構成する銅製その他のバッキングプレ
ー） 、（４）は該バッキングプレート（３）上に設け
られるスパッタリングターゲットを示し、該ターゲット
（４）に電力が投入されるとその構成物質がスパッタさ
れ、通常対向位置に設けられたサブストレートに薄膜状
に付着する。
、（１）は真空室、（２）は該真空室（１）内に設けら
れたスパッタリングターゲット装置、（３）は該ターゲ
ット装置（２）を構成する銅製その他のバッキングプレ
ー） 、（４）は該バッキングプレート（３）上に設け
られるスパッタリングターゲットを示し、該ターゲット
（４）に電力が投入されるとその構成物質がスパッタさ
れ、通常対向位置に設けられたサブストレートに薄膜状
に付着する。
（５）は該バッキングプレート（３）に設けた冷却パイ
プから成る冷却手段で、スパッタリングに伴ない発生す
るターゲット（４）の熱は該プレート（３）に伝えられ
、該冷却手段（５）に於て吸収される。
プから成る冷却手段で、スパッタリングに伴ない発生す
るターゲット（４）の熱は該プレート（３）に伝えられ
、該冷却手段（５）に於て吸収される。
以上の構成は従来のターゲット装置の構成とほぼ同様で
あるが、本発明に於てはターゲット（４）をバッキング
プレート（３）に着脱するを容易とすべく、該ターゲッ
ト（４）の背面（４ａ）に熱伝導性が良く剛性を備えし
かも比較的融点の高い金属板（６）を高温ろう接等によ
り接着し、該金属板（６）がスパッタリングにより熱膨
張するとその周辺部等をバッキングプレート（３）の保
持手段（７）により保持するようにした。
あるが、本発明に於てはターゲット（４）をバッキング
プレート（３）に着脱するを容易とすべく、該ターゲッ
ト（４）の背面（４ａ）に熱伝導性が良く剛性を備えし
かも比較的融点の高い金属板（６）を高温ろう接等によ
り接着し、該金属板（６）がスパッタリングにより熱膨
張するとその周辺部等をバッキングプレート（３）の保
持手段（７）により保持するようにした。
これを更に説明すればターゲット（４）にＡｌ−Ｓｉ合
金のような高温で軟化するような材料を使用する場合そ
の背面（４ａ）にモリブデンの金属板（６）を予め高温
ろう接しておき、該金属板（６）ｔ−これよりも多少寸
法の大きいバッキングプレート（３）に形成した凹孔（
７ａ）からなる保持手段（力に挿着する。この状態では
該金属板（６）の周辺と凹孔（７ａ）との間にクリアラ
ンス（８）が存在するが、スパッタリングにより該ター
ゲット（４）が発熱すると金属板（６）が膨張してクリ
アランス（８）が消え、金属板（６）の周辺と凹孔（７
ａ）とが圧接した状態となり、ターゲット（４）の熱は
まずモリブデンの金属板（６）に伝わったのちその周辺
及び底面からバッキングプレート（３）へと伝わり、タ
ーゲット（４）の高温化が防止される。該モリブデンの
金属板（６）はターゲット（４）のＡｌ−５１合金が軟
化するような４００℃以上の高温でも充分な剛性を有し
軟化することがないからバッキングプレート（３）と大
きな面積で接触し、熱伝導性が良好になり、該金属板（
６）を凹孔（７ａ）内に収容し或は取出すワンタッチ式
の着脱が出来るのでターゲット（４）の交換時間が短縮
され、真空室（１）内の清浄さを確保することが出来る
。特にターゲット（４）が例えばシリコンのように割れ
易いものであっても金属板（６）に於てバッキングプレ
ート（３）に保持し得、その取付けによる破損事故を防
止出来て有利である。このような構造のターゲットはｋ
ｌ−ｓｓのように昇温されたとき容易に軟化し、それだ
けではワンタッチ構造が使えないものに対して有効であ
るほかＳｉ、セラミック等の脆くてクランキングを生じ
易い材料のスパッタリングに対しても有効であることは
明らかである。第１１ｉｌの（９）は金属板（６）の嵌
合孔顛に嵌合してバッキングプレート（３）との相対的
な位置を確保するピンである。スパッタリングターゲッ
ト装置としてターゲット（４）の前面に磁界を形成させ
たマグネトレン式のものが知られているが、この式のも
のでは第２図示のようにスーパーマｐイαυヲモリブデ
ン等の金属板（６）に埋込み、ターゲット（４）の前面
に磁界αのを形成することも可能である。
金のような高温で軟化するような材料を使用する場合そ
の背面（４ａ）にモリブデンの金属板（６）を予め高温
ろう接しておき、該金属板（６）ｔ−これよりも多少寸
法の大きいバッキングプレート（３）に形成した凹孔（
７ａ）からなる保持手段（力に挿着する。この状態では
該金属板（６）の周辺と凹孔（７ａ）との間にクリアラ
ンス（８）が存在するが、スパッタリングにより該ター
ゲット（４）が発熱すると金属板（６）が膨張してクリ
アランス（８）が消え、金属板（６）の周辺と凹孔（７
ａ）とが圧接した状態となり、ターゲット（４）の熱は
まずモリブデンの金属板（６）に伝わったのちその周辺
及び底面からバッキングプレート（３）へと伝わり、タ
ーゲット（４）の高温化が防止される。該モリブデンの
金属板（６）はターゲット（４）のＡｌ−５１合金が軟
化するような４００℃以上の高温でも充分な剛性を有し
軟化することがないからバッキングプレート（３）と大
きな面積で接触し、熱伝導性が良好になり、該金属板（
６）を凹孔（７ａ）内に収容し或は取出すワンタッチ式
の着脱が出来るのでターゲット（４）の交換時間が短縮
され、真空室（１）内の清浄さを確保することが出来る
。特にターゲット（４）が例えばシリコンのように割れ
易いものであっても金属板（６）に於てバッキングプレ
ート（３）に保持し得、その取付けによる破損事故を防
止出来て有利である。このような構造のターゲットはｋ
ｌ−ｓｓのように昇温されたとき容易に軟化し、それだ
けではワンタッチ構造が使えないものに対して有効であ
るほかＳｉ、セラミック等の脆くてクランキングを生じ
易い材料のスパッタリングに対しても有効であることは
明らかである。第１１ｉｌの（９）は金属板（６）の嵌
合孔顛に嵌合してバッキングプレート（３）との相対的
な位置を確保するピンである。スパッタリングターゲッ
ト装置としてターゲット（４）の前面に磁界を形成させ
たマグネトレン式のものが知られているが、この式のも
のでは第２図示のようにスーパーマｐイαυヲモリブデ
ン等の金属板（６）に埋込み、ターゲット（４）の前面
に磁界αのを形成することも可能である。
該金属板（６）としては前記したモリブデンの他にグラ
ファイト、タングステンタンタル合金１シリコンナイト
ライド等の高温で充分の剛性を持ち変形せず、熱伝導率
も大きく表面に酸化物などの厚い層が出来ない材料を選
択することが好ましく、酸化物の層が出来る金属ではそ
の表面にメッキを施して使用される。またターゲット（
４）の動作温度が低い場合には鉄、ニッケル・クロム合
金等を使用することも出来る。
ファイト、タングステンタンタル合金１シリコンナイト
ライド等の高温で充分の剛性を持ち変形せず、熱伝導率
も大きく表面に酸化物などの厚い層が出来ない材料を選
択することが好ましく、酸化物の層が出来る金属ではそ
の表面にメッキを施して使用される。またターゲット（
４）の動作温度が低い場合には鉄、ニッケル・クロム合
金等を使用することも出来る。
尚、バッキングプレート（３）に設けられる保持手段（
力として例えば第３図示のように凹孔（７ａ）の奥部を
テーバ状（７ｂ）に拡けて構成し、金属板（６）が熱膨
張したときその周辺が該テーパ状（７ｂ）に喰い込み、
バッキングプレート（３）と金属板（６）とを圧接させ
ることも可能である。
力として例えば第３図示のように凹孔（７ａ）の奥部を
テーバ状（７ｂ）に拡けて構成し、金属板（６）が熱膨
張したときその周辺が該テーパ状（７ｂ）に喰い込み、
バッキングプレート（３）と金属板（６）とを圧接させ
ることも可能である。
このように本発明によるときはスパッタリングターゲッ
トの背面に熱伝導性が良く剛性を備え且つ比較的融点の
高い金属板を接着し、該金属板をこれが熱膨張したとき
パッキングプレートの保持手段に於て保持するようにし
たので、該ターゲットをねじ止め等の特別の固定作業を
必要とすることなくワンタッチ式でバッキングプレート
に着脱出来、ターゲット交換の作業性を向上させ得、ま
た保持手段は金属板を保持し直接ターゲラトラ保持しな
いのでターゲット自体には熱膨張に際して保持手段から
力を受けることがなく亀その変形を防止出来、さらにタ
ーゲットが高温化しても金属板は変形せずにバッキング
プレートと密着し効率良くターゲットを冷却出来る等の
効果がある。
トの背面に熱伝導性が良く剛性を備え且つ比較的融点の
高い金属板を接着し、該金属板をこれが熱膨張したとき
パッキングプレートの保持手段に於て保持するようにし
たので、該ターゲットをねじ止め等の特別の固定作業を
必要とすることなくワンタッチ式でバッキングプレート
に着脱出来、ターゲット交換の作業性を向上させ得、ま
た保持手段は金属板を保持し直接ターゲラトラ保持しな
いのでターゲット自体には熱膨張に際して保持手段から
力を受けることがなく亀その変形を防止出来、さらにタ
ーゲットが高温化しても金属板は変形せずにバッキング
プレートと密着し効率良くターゲットを冷却出来る等の
効果がある。
第１図は本発明の実施例の裁断側面図、第２図及び第！
Ｉ［ｉｌは夫々本発明の第２、第６実施例の裁断側面で
ある。
Ｉ［ｉｌは夫々本発明の第２、第６実施例の裁断側面で
ある。
Claims (1)
- 冷却手段を備えたスパッタリングターゲット装置のバッ
キングプレートに着脱自在にスパッタリングターゲット
を取付けする式のものに於て、該スパッタリングターゲ
ットの背面に、モリブデンその他の熱伝導性が良く剛性
を備え且つ比較的融点の高い金属板を接着し、該バッキ
ングプレートにこれと密接して熱膨張により膨大化した
該金属板を保持する保持手段を設けたことを特徴とする
スパッタリングターゲット装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20367483A JPS6096760A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | スパツタリングタ−ゲツト装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20367483A JPS6096760A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | スパツタリングタ−ゲツト装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6096760A true JPS6096760A (ja) | 1985-05-30 |
| JPS6330989B2 JPS6330989B2 (ja) | 1988-06-21 |
Family
ID=16477966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20367483A Granted JPS6096760A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | スパツタリングタ−ゲツト装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6096760A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63183262U (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-25 | ||
| JPS63195565U (ja) * | 1987-05-30 | 1988-12-15 |
-
1983
- 1983-11-01 JP JP20367483A patent/JPS6096760A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63183262U (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-25 | ||
| JPS63195565U (ja) * | 1987-05-30 | 1988-12-15 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6330989B2 (ja) | 1988-06-21 |
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