JPS6097646A - 半導体装置 - Google Patents
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、すぐれた耐湿特性を有するエポキシ樹脂封
止型半導体装置に関するものである。
止型半導体装置に関するものである。
一般に、エポキシ樹脂封止型の半導体装置は、外部リー
ドとエポキシ樹脂との接着性が悪いため、高温高湿条件
下では著しく半導体特性を損なう。
ドとエポキシ樹脂との接着性が悪いため、高温高湿条件
下では著しく半導体特性を損なう。
このため、外部リードに金、銀、ニッケルなどのことが
行われているが、満足な結果は得られていない。
行われているが、満足な結果は得られていない。
この発明は、上記の問題を解決して、高温高湿条件下に
おいてもすぐれた耐湿特性を有するエポキシ樹脂封止型
半導体装置を提供することを目的としてなされたもので
ある。
おいてもすぐれた耐湿特性を有するエポキシ樹脂封止型
半導体装置を提供することを目的としてなされたもので
ある。
すなわち、この発明は、少なくとも半導体素子と外部リ
ードとを構成要素とし、これら構成要素が結合されてエ
ポキシ樹脂で一体に被覆されてなるエポキシ樹脂封止型
半導体装置において、前記構成要素のうち少なくとも外
部リードの表面にこのリードのエポキシ樹脂被覆部から
外部引き出し部にまたがるポリイミド系樹脂被膜を形成
し、この被膜で上記両部を被覆したことを特徴とする半
導体装置に係るものである。
ードとを構成要素とし、これら構成要素が結合されてエ
ポキシ樹脂で一体に被覆されてなるエポキシ樹脂封止型
半導体装置において、前記構成要素のうち少なくとも外
部リードの表面にこのリードのエポキシ樹脂被覆部から
外部引き出し部にまたがるポリイミド系樹脂被膜を形成
し、この被膜で上記両部を被覆したことを特徴とする半
導体装置に係るものである。
前記のポリイミド系樹脂被膜を形成するには、一般には
この被膜を形成すべき部分にポリイミド系樹脂の前駆体
の有機溶剤溶液を塗布し乾燥させたのち加熱してこの前
駆体をイミド化させる。
この被膜を形成すべき部分にポリイミド系樹脂の前駆体
の有機溶剤溶液を塗布し乾燥させたのち加熱してこの前
駆体をイミド化させる。
ｒのを８月において田い＾冶７．ポ１１イミド秦桔Ｊｌ
ｌ旨の前駆体には、ジアミンとテトラカルボン酸二無水
物とを反応させて得られるポリアミド酸や、ジアミンと
テトラカルボン酸二無水物の誘導体（たとえば低級ジア
ルキルエステル）とを反応させて得られるポリアミド酸
誘導体のほか、ジアミンとともにジアミノアミドを併用
しこれらとテトラカルボン酸二無水物ないしその誘導体
とを反応させて得られるポリイミド−インインドロキナ
シリジオン樹脂の前駆体などが広く包含される。
ｌ旨の前駆体には、ジアミンとテトラカルボン酸二無水
物とを反応させて得られるポリアミド酸や、ジアミンと
テトラカルボン酸二無水物の誘導体（たとえば低級ジア
ルキルエステル）とを反応させて得られるポリアミド酸
誘導体のほか、ジアミンとともにジアミノアミドを併用
しこれらとテトラカルボン酸二無水物ないしその誘導体
とを反応させて得られるポリイミド−インインドロキナ
シリジオン樹脂の前駆体などが広く包含される。
上記の前駆体の合成に用いられるジアミンとしては、た
とえば４・４′−ジアミノジフェニルエーテル、４・４
′−ジアミノジフェニルメタン、４・４′−ジアミノア
ミドとルスルホン、４・４′−ジアミノジフェニルサル
ファイド、ベンジジン、メタフェニレンジアミン、パラ
フェニレンジアミン、１・５−ナフタレンジアミン、２
・６−ナフタレンジアミン、エチレンジアミン、シクロ
ヘキサンジアミンなどが用いられる。これらは一種であ
っても二種以上を併用してもよい。
とえば４・４′−ジアミノジフェニルエーテル、４・４
′−ジアミノジフェニルメタン、４・４′−ジアミノア
ミドとルスルホン、４・４′−ジアミノジフェニルサル
ファイド、ベンジジン、メタフェニレンジアミン、パラ
フェニレンジアミン、１・５−ナフタレンジアミン、２
・６−ナフタレンジアミン、エチレンジアミン、シクロ
ヘキサンジアミンなどが用いられる。これらは一種であ
っても二種以上を併用してもよい。
また、上記ジアミンと併用できるジアミノアミドとして
は、たとえば４・４′−ジアミノジフェニルエーテル−
３−スルホンアミド、３・４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル−４−スルホンアミド、３・４−ジアミノジフェ
ニルメタン−４−スルホンアミド、３・４−ジアミノジ
フェニルスルホン−４−スルホンアミド、４・４′−ジ
アミノジフェニルエーテル−３−カルボンアミド、３・
４′−ジアミノジフェニルエーテル−４−カルボンアミ
ド、４・４−ジアミノジフェニルメタン−３−カルボン
アミド、４．・４′−ジアミノジフェニルスルホン−３
−カルボンアミド、４・４′−ジアミノジフェニルサル
ファイド−３−カルボンアミド、３・４′−ジアミノジ
フェニルサルファイド−３７−スルホンアミドなどがあ
る。これらは一種であっても二種以上を併用してもよい
。。
は、たとえば４・４′−ジアミノジフェニルエーテル−
３−スルホンアミド、３・４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル−４−スルホンアミド、３・４−ジアミノジフェ
ニルメタン−４−スルホンアミド、３・４−ジアミノジ
フェニルスルホン−４−スルホンアミド、４・４′−ジ
アミノジフェニルエーテル−３−カルボンアミド、３・
４′−ジアミノジフェニルエーテル−４−カルボンアミ
ド、４・４−ジアミノジフェニルメタン−３−カルボン
アミド、４．・４′−ジアミノジフェニルスルホン−３
−カルボンアミド、４・４′−ジアミノジフェニルサル
ファイド−３−カルボンアミド、３・４′−ジアミノジ
フェニルサルファイド−３７−スルホンアミドなどがあ
る。これらは一種であっても二種以上を併用してもよい
。。
上記のジアミン類と反応させるテトラカルボン酸二無水
物としては、たとえばピロメリット酸二無水物、３・３
′・４・４′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、
３・３′・４・４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、シクロペンクンテトラカルボン酸二無水物、
１・２・５・６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物
、２・３・６・７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、２・３・５・６−ピリジンテトラカルボン酸二無水
物、３・４・９・１０−ペリレンテトラカルボン酸二無
水物、４・４′−スルホニルシフタル酸二無水物、ブタ
ンテトラカルボン酸二無水物などが用いられる。これら
は一種であっても二種以上を併用してもよい。また、上
記二無水物の誘導体としては低級ジアルキルエステル化
物やハロゲン化物などが挙げられる。
物としては、たとえばピロメリット酸二無水物、３・３
′・４・４′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、
３・３′・４・４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、シクロペンクンテトラカルボン酸二無水物、
１・２・５・６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物
、２・３・６・７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、２・３・５・６−ピリジンテトラカルボン酸二無水
物、３・４・９・１０−ペリレンテトラカルボン酸二無
水物、４・４′−スルホニルシフタル酸二無水物、ブタ
ンテトラカルボン酸二無水物などが用いられる。これら
は一種であっても二種以上を併用してもよい。また、上
記二無水物の誘導体としては低級ジアルキルエステル化
物やハロゲン化物などが挙げられる。
ポリイミド系樹脂の前駆体を溶解させるための有機溶剤
は、上記前駆体を合成する際に用いた有機溶剤をそのま
ま使用でき、必要に応じて前駆体合成後にさらに希釈し
てもよい。溶剤量は組成物の固形分濃度が１０〜３０重
量％程度となるようにするのがよい。かかる有機溶剤の
具体例としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−Ｎ
−ジメチルアセトアミド、Ｎ−Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−Ｎ−ジエチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
サイド、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレン
スルホン、２−エトキシエチルアセタートなどが挙げら
れる。また、これら溶媒とともに組成物の粘度を調整す
るためにナフサなどの汎用溶媒を併用することもできる
。
は、上記前駆体を合成する際に用いた有機溶剤をそのま
ま使用でき、必要に応じて前駆体合成後にさらに希釈し
てもよい。溶剤量は組成物の固形分濃度が１０〜３０重
量％程度となるようにするのがよい。かかる有機溶剤の
具体例としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−Ｎ
−ジメチルアセトアミド、Ｎ−Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−Ｎ−ジエチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
サイド、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレン
スルホン、２−エトキシエチルアセタートなどが挙げら
れる。また、これら溶媒とともに組成物の粘度を調整す
るためにナフサなどの汎用溶媒を併用することもできる
。
このようにして調製されるポリイミド系樹脂の前駆体の
溶液を、半導体装置のポリイミド系樹脂被膜を形成すべ
き部分に、通常は乾煙後の厚みが１〜３０μ程度となる
ように塗布し乾燥させたのち加熱硬化（イミド化）させ
ることによりポリイミド系樹脂被膜が形成される。
溶液を、半導体装置のポリイミド系樹脂被膜を形成すべ
き部分に、通常は乾煙後の厚みが１〜３０μ程度となる
ように塗布し乾燥させたのち加熱硬化（イミド化）させ
ることによりポリイミド系樹脂被膜が形成される。
第１図および第２図は、この発明の半導体装置の一例（
トランジスタ）を示したものであり、外部リードである
リードフレームｌａ上に導電性銀ペースト組成物などの
グイボンディング材３により半導体素子２が強固に接着
されている。４，４゛は他のリードフレームｌｂ、Ｉｃ
に金属線５，５を介して電気的に接続された一対の電極
である。６はトランスファー成形などにより上記のリー
ドフレーム１ ａ ＋ １ ｂ ＋ １ ｃ ｓ半導体
素子２、グイボンディング材３、電極４，４および金属
線５，５を一体に被覆したエポキシ樹脂である。
トランジスタ）を示したものであり、外部リードである
リードフレームｌａ上に導電性銀ペースト組成物などの
グイボンディング材３により半導体素子２が強固に接着
されている。４，４゛は他のリードフレームｌｂ、Ｉｃ
に金属線５，５を介して電気的に接続された一対の電極
である。６はトランスファー成形などにより上記のリー
ドフレーム１ ａ ＋ １ ｂ ＋ １ ｃ ｓ半導体
素子２、グイボンディング材３、電極４，４および金属
線５，５を一体に被覆したエポキシ樹脂である。
７は、上記リードフレームｌａ、ｌｂ、ｌｃのエポキシ
樹脂６に被覆される部分の表面全面とこの被覆部表面か
らひき続く外部引き出し部表面の一部を被覆するポリイ
ミド系樹脂被膜である。
樹脂６に被覆される部分の表面全面とこの被覆部表面か
らひき続く外部引き出し部表面の一部を被覆するポリイ
ミド系樹脂被膜である。
前記のポリイミド系樹脂被膜は、少なくとも第１図およ
び第２図に示すように外部リード（リードフレームＩａ
、ｌｂ、ｌｃ）のエポキシ樹脂被覆部表面全面とこの被
覆部表面からひき続（外部引き出し部表面に形成される
ことが必要である。なお、この引き出し部表面における
ポリイミド系樹脂被膜は、エポキシ樹脂被覆部との境界
から延出した外方の通常は０．２ ｍｍ以上、好ましく
は０．３ ｒｎｍ以上０５πｍ以下の範囲りを被覆する
ように形成されることが好ましい。
び第２図に示すように外部リード（リードフレームＩａ
、ｌｂ、ｌｃ）のエポキシ樹脂被覆部表面全面とこの被
覆部表面からひき続（外部引き出し部表面に形成される
ことが必要である。なお、この引き出し部表面における
ポリイミド系樹脂被膜は、エポキシ樹脂被覆部との境界
から延出した外方の通常は０．２ ｍｍ以上、好ましく
は０．３ ｒｎｍ以上０５πｍ以下の範囲りを被覆する
ように形成されることが好ましい。
前記樹脂被膜が形成される外部リードの材質としては、
鉄系、鉄−ニッケル合金系、銅系、銅合金系などが挙げ
られるが、これらに限定されず、これら材質からなる外
部リードに金、銀、ニッケルなどのメッキが施されたも
のでもよい。
鉄系、鉄−ニッケル合金系、銅系、銅合金系などが挙げ
られるが、これらに限定されず、これら材質からなる外
部リードに金、銀、ニッケルなどのメッキが施されたも
のでもよい。
前記の樹脂被膜は、上記のように外部リードの表面に形
成されるとともに、その他半導体素子、この半導体素子
を接続するための電極、電線などの構成要素のエポキシ
樹脂被覆部表面の一部または全部に形成されていてもよ
い。
成されるとともに、その他半導体素子、この半導体素子
を接続するための電極、電線などの構成要素のエポキシ
樹脂被覆部表面の一部または全部に形成されていてもよ
い。
なお、この発明において用いられる封止樹脂であるエポ
キシ樹脂としては特に限定されず、例えばノボラック型
、ビスフェノール型などのエポキシ樹脂が挙げられる。
キシ樹脂としては特に限定されず、例えばノボラック型
、ビスフェノール型などのエポキシ樹脂が挙げられる。
また、これらを硬化させるための硬化剤としてはフェノ
ール樹脂、芳香族アミン、酸無水物などが挙げられる。
ール樹脂、芳香族アミン、酸無水物などが挙げられる。
上記のような構成からなるこの発明の半導体装置は、ポ
リイミド系樹脂被膜が外部リードと封止樹脂であるエポ
キシ樹脂との両方に対して接着性にすぐれたものである
ため之外部リードはこの樹脂被膜を介してエポキシ樹脂
と強固に接着されている。このため、この半導体装置は
、従来のエポキシ樹脂封止型半導体装置のようにエポキ
シ樹脂と外部リードとの接着性が悪いことに起因する半
導体特性の低下がなく、扁温扁湿下においてもすぐれた
耐湿特性を有するものである。
リイミド系樹脂被膜が外部リードと封止樹脂であるエポ
キシ樹脂との両方に対して接着性にすぐれたものである
ため之外部リードはこの樹脂被膜を介してエポキシ樹脂
と強固に接着されている。このため、この半導体装置は
、従来のエポキシ樹脂封止型半導体装置のようにエポキ
シ樹脂と外部リードとの接着性が悪いことに起因する半
導体特性の低下がなく、扁温扁湿下においてもすぐれた
耐湿特性を有するものである。
以下に、この発明の実施例を記載してより具体的に説明
する。なお、以下において％とあるのは重量％を意味す
る。
する。なお、以下において％とあるのは重量％を意味す
る。
実施例１
無水ピロメリット酸１モルとよく精製した４・４−ジア
ミノジフェニルエーテル１モルとをＮ−メチル−２−ピ
ロリドン中約８０°Ｃ以下（とくに室温付近ないしそれ
に近い温度）に保ちながら撹拌した。これによって反応
は速かに進行し、かつ反応系の粘度は次第に上昇して、
っぎの構造式で表わされる固有粘度〔η〕が０７のポリ
イミド前駆体が得られた。
ミノジフェニルエーテル１モルとをＮ−メチル−２−ピ
ロリドン中約８０°Ｃ以下（とくに室温付近ないしそれ
に近い温度）に保ちながら撹拌した。これによって反応
は速かに進行し、かつ反応系の粘度は次第に上昇して、
っぎの構造式で表わされる固有粘度〔η〕が０７のポリ
イミド前駆体が得られた。
この前駆体はこれを１２０℃で０５時間および２５０°
Ｃで１０時間加熱処理することにより完全に硬化（イミ
ド化）シ、っきの構造式で表わされるポリイミドを与え
る。
Ｃで１０時間加熱処理することにより完全に硬化（イミ
ド化）シ、っきの構造式で表わされるポリイミドを与え
る。
一方、半導体素子をリードフレーム上にグイボンティン
クシ、さらに他のリードフレームに所定のワイヤボンデ
ィングを行った。このようにして結合された構成要素は
、下記のエポキシ樹脂によるトランスファーモールド成
形により一体に被覆されるものであるが、これに先がけ
て、上記のリードフレームの、エポキシ樹脂被覆部とな
る表面の全面および外部引き出し部表面のうち樹脂被覆
部との境界から外方へＱ、’３ｍｍ以内の表面に、上記
の前駆体の溶液（樹脂温度１６．５％）を乾燥後の厚み
が１５μとなるように塗布し、１２０’Ｃで０５時間お
よび２５０°Ｃで１０時間加熱処理して完全に硬化（イ
ミド化）させた。
クシ、さらに他のリードフレームに所定のワイヤボンデ
ィングを行った。このようにして結合された構成要素は
、下記のエポキシ樹脂によるトランスファーモールド成
形により一体に被覆されるものであるが、これに先がけ
て、上記のリードフレームの、エポキシ樹脂被覆部とな
る表面の全面および外部引き出し部表面のうち樹脂被覆
部との境界から外方へＱ、’３ｍｍ以内の表面に、上記
の前駆体の溶液（樹脂温度１６．５％）を乾燥後の厚み
が１５μとなるように塗布し、１２０’Ｃで０５時間お
よび２５０°Ｃで１０時間加熱処理して完全に硬化（イ
ミド化）させた。
なお、上記のリードフレームの側斜としては日立金属社
製ＹＥＦ−４２（４２アロイ；Ｎ ｉ ４１％、Ｆｅ５
９％）を用いた。
製ＹＥＦ−４２（４２アロイ；Ｎ ｉ ４１％、Ｆｅ５
９％）を用いた。
上記のようにしてリードフレーム表面にポリイミド樹脂
被膜を形成したのちノボラック型エポキシ樹脂（硬化剤
としてフェノール樹脂を使用）によるトランスファーモ
ールド成形を行って、第１図および第２図に示される如
きこの発明の半導体装置を作製した。
被膜を形成したのちノボラック型エポキシ樹脂（硬化剤
としてフェノール樹脂を使用）によるトランスファーモ
ールド成形を行って、第１図および第２図に示される如
きこの発明の半導体装置を作製した。
このようにして得た半導体装置につき、１２１°Ｃ１２
気圧での加圧浸水テスト（プレッシャークツカーテスト
）を行い、経時的な配゛線腐食を調べた結果は、後記の
表に示されるとおりであった。
気圧での加圧浸水テスト（プレッシャークツカーテスト
）を行い、経時的な配゛線腐食を調べた結果は、後記の
表に示されるとおりであった。
表中の数値は、試験個数（ｎ）４０個中の配線腐食数を
示したものである。
示したものである。
実施例２
テトラカルボン酸二無水物として無水ピロメリット酸０
５モルとベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物０．
５モルとを使用し、かつジアミンとしてよく精製した４
・４′−ジアミノジフェニルエーテル０．６モルと４・
４′−ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボンアミ
ド０．４モルとを使用した以外は、実施例１と同様にし
て後記の構造式（１）で表わされる固有粘度〔η〕が１
．８のポリイミド系樹脂の前駆体を得た。
５モルとベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物０．
５モルとを使用し、かつジアミンとしてよく精製した４
・４′−ジアミノジフェニルエーテル０．６モルと４・
４′−ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボンアミ
ド０．４モルとを使用した以外は、実施例１と同様にし
て後記の構造式（１）で表わされる固有粘度〔η〕が１
．８のポリイミド系樹脂の前駆体を得た。
この前駆体は、これを実施例１に示すイミド化条件で完
全に硬化させると後記の構造式（２）で表わされるポリ
イミド−イソインドロキナシリジオン樹脂を与える。
全に硬化させると後記の構造式（２）で表わされるポリ
イミド−イソインドロキナシリジオン樹脂を与える。
上記の前駆体溶液（樹脂濃度１２．５％）を用いて実施
例１と同様にしてこの発明の半導体装置を得た。ただし
、リードフレームの材料としては、土用機械金属社製Ｈ
５Ｍ（Ｃｕ９７．５％、Ｆｅ２．３５％。
例１と同様にしてこの発明の半導体装置を得た。ただし
、リードフレームの材料としては、土用機械金属社製Ｈ
５Ｍ（Ｃｕ９７．５％、Ｆｅ２．３５％。
Ｚｎ０．１２％、Ｐｏ、０３％）を用い、上記の前駆体
溶液を乾燥後の厚みが５０／”となるように塗布した。
溶液を乾燥後の厚みが５０／”となるように塗布した。
この半導体装置につき、実施例１と同様にしてプレッシ
ャークツカーテストを行った結果は後記の表に示される
とおりであった。
ャークツカーテストを行った結果は後記の表に示される
とおりであった。
実施例３
テトラカルボン酸二無水物として無水ピロメリット酸ｏ
、 ４モルとベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
０６モルとを使用し、かつジアミンとしてよく精製した
４・４′−ジアミノジフェニルエーテル０４モルとアミ
ノフェノキシフェニルスルホン０．６モルとを使用した
以外は、実施例１と同様にして後記の構造式（３）で表
わされる固有粘度〔η〕が２．７のポリイミド前駆体を
得た。この前駆体は、これを実施例１と同様のイミド化
条件で完全に硬化させると後記の構造式（４）で表わさ
れるポリイミドを与える。
、 ４モルとベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
０６モルとを使用し、かつジアミンとしてよく精製した
４・４′−ジアミノジフェニルエーテル０４モルとアミ
ノフェノキシフェニルスルホン０．６モルとを使用した
以外は、実施例１と同様にして後記の構造式（３）で表
わされる固有粘度〔η〕が２．７のポリイミド前駆体を
得た。この前駆体は、これを実施例１と同様のイミド化
条件で完全に硬化させると後記の構造式（４）で表わさ
れるポリイミドを与える。
上記の前駆体溶液（樹脂濃度１８％）を用いて実施例１
と同様にしてこの発明の半導体装置を得た。ただし、リ
ードフレームの材料としては、高゛砂鉄工社製ＴＡＫ−
８（Ｆｅ９９．５％以上）を用い、このリードフレーム
には鈑メッキを施した。また、上記の前駆体溶液を乾燥
後の厚みが７０μとなるように塗布した。
と同様にしてこの発明の半導体装置を得た。ただし、リ
ードフレームの材料としては、高゛砂鉄工社製ＴＡＫ−
８（Ｆｅ９９．５％以上）を用い、このリードフレーム
には鈑メッキを施した。また、上記の前駆体溶液を乾燥
後の厚みが７０μとなるように塗布した。
この半導体装置につき、実施例１と同様にしてプレッシ
ャークツカーテストを行った結果は後記の表に示される
とおりであった。
ャークツカーテストを行った結果は後記の表に示される
とおりであった。
比較例１〜３
リードフレームの表面にポリイミド系樹脂被膜を形成し
ない以外は、比較例１は実施例１と同様にして、比較例
２は実施例２と同様にして、また比較例３は実施例３と
同様にしてそれぞれ半導体装置を作製した。
ない以外は、比較例１は実施例１と同様にして、比較例
２は実施例２と同様にして、また比較例３は実施例３と
同様にしてそれぞれ半導体装置を作製した。
これらの半導体装置につき実施例１〜３と同様にしてプ
レッシャークツカーテストを行った結果は後記の表に示
されるとおりであった。
レッシャークツカーテストを行った結果は後記の表に示
されるとおりであった。
比較例４
リードフレーム表面にポリイミド樹脂被膜を形成する際
に、リードフレームのエポキシ樹脂被覆部となる表面の
うち外部引き出し部との境界から円方へ１．５ ｍ以内
の表面および引き出し部表面にハホリイミド樹脂被膜を
形成しなかった以外は実施例１と同様にして半導体装置
を得、−この半導体装置につき実施例１と同様にしてプ
レッシャークツカーテストを行った結果は後記の表に示
されるとおりであった。
に、リードフレームのエポキシ樹脂被覆部となる表面の
うち外部引き出し部との境界から円方へ１．５ ｍ以内
の表面および引き出し部表面にハホリイミド樹脂被膜を
形成しなかった以外は実施例１と同様にして半導体装置
を得、−この半導体装置につき実施例１と同様にしてプ
レッシャークツカーテストを行った結果は後記の表に示
されるとおりであった。
以上の結果から明らかなように、この発明の半導体装置
は冒温高湿下においてもすぐれた耐湿特性を有する。
は冒温高湿下においてもすぐれた耐湿特性を有する。
第１図および第２図は、この発明の半導体装置の一例を
示す断面図および平面図である。 ｌａ、Ｉｂ、ｌｃ・・・リードフレーム、２・・・半導
体素子、６・エポキシ樹脂、７・・ポリイミド系樹脂被
膜
示す断面図および平面図である。 ｌａ、Ｉｂ、ｌｃ・・・リードフレーム、２・・・半導
体素子、６・エポキシ樹脂、７・・ポリイミド系樹脂被
膜
Claims (1)
- （１）少なくとも半導体素子と外部リードとを構成要素
とし、これら構成要素が結合されてエポキシ樹脂で一体
に被覆されてなるエポキシ樹脂封止型半導体装置におい
て、前記構成要素のうち少なくとも外部リードの表面に
このリードのエポキシ樹脂被覆部から外部引き出し部に
またがるポリイミド系樹脂被膜を形成し、この被膜で上
記両部を被覆したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205659A JPS6097646A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205659A JPS6097646A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097646A true JPS6097646A (ja) | 1985-05-31 |
Family
ID=16510556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58205659A Pending JPS6097646A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097646A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0243758A (ja) * | 1988-08-03 | 1990-02-14 | Fuji Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体素子 |
| US5883439A (en) * | 1996-03-19 | 1999-03-16 | Nec Corporation | Semiconductor device molded in plastic package free from crack by virtue of organic stress relaxation layer |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS506279A (ja) * | 1973-05-18 | 1975-01-22 | ||
| JPS50110774A (ja) * | 1974-07-05 | 1975-09-01 |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP58205659A patent/JPS6097646A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS506279A (ja) * | 1973-05-18 | 1975-01-22 | ||
| JPS50110774A (ja) * | 1974-07-05 | 1975-09-01 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0243758A (ja) * | 1988-08-03 | 1990-02-14 | Fuji Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体素子 |
| US5883439A (en) * | 1996-03-19 | 1999-03-16 | Nec Corporation | Semiconductor device molded in plastic package free from crack by virtue of organic stress relaxation layer |
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