JPH0243758A - 樹脂封止型半導体素子 - Google Patents
樹脂封止型半導体素子Info
- Publication number
- JPH0243758A JPH0243758A JP63193763A JP19376388A JPH0243758A JP H0243758 A JPH0243758 A JP H0243758A JP 63193763 A JP63193763 A JP 63193763A JP 19376388 A JP19376388 A JP 19376388A JP H0243758 A JPH0243758 A JP H0243758A
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- JP
- Japan
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- resin
- semiconductor element
- metal supporting
- supporting board
- support plate
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、放熱体を兼ねる金属支持板上に半導体素体が
固定され、さらにその半導体素体および金属支持板が被
覆されてなる樹脂封止型半導体素子に関する。
固定され、さらにその半導体素体および金属支持板が被
覆されてなる樹脂封止型半導体素子に関する。
ＪＥＤＥＣ外形Ｔｏ −２２０ＡＢ、Ｔｏ −３Ｐ等の
樹脂封止型半導体素子は、放熱体として働き、取付用の
穴などが設けられることもある金属支持板上にダイオー
ドチップ、トランジスタチップなどを固着し、チップの
接合露出部を接合被覆樹脂（ＪＣＲ）で保護し、そのあ
と支持板と分離されているリードとチップ上の電極をア
ルミニウム線のボンディングなどで接続したのち、チッ
プ上、支持板上を覆い、リードの基部を包囲するように
樹脂注型を行って製造される。
樹脂封止型半導体素子は、放熱体として働き、取付用の
穴などが設けられることもある金属支持板上にダイオー
ドチップ、トランジスタチップなどを固着し、チップの
接合露出部を接合被覆樹脂（ＪＣＲ）で保護し、そのあ
と支持板と分離されているリードとチップ上の電極をア
ルミニウム線のボンディングなどで接続したのち、チッ
プ上、支持板上を覆い、リードの基部を包囲するように
樹脂注型を行って製造される。
そのような樹脂封止型半導体素子においては、金属支持
板と注型樹脂との密着力が弱く、その界面から湿気が侵
入して素子の特性、例えば耐圧特性が劣化する問題があ
った。
板と注型樹脂との密着力が弱く、その界面から湿気が侵
入して素子の特性、例えば耐圧特性が劣化する問題があ
った。
本発明の課題は、上記の問題を解決し、金属支持板に注
型樹脂との界面からの湿気の侵入による特性の劣化のな
い樹脂封止型半導体素子を提供することにある。
型樹脂との界面からの湿気の侵入による特性の劣化のな
い樹脂封止型半導体素子を提供することにある。
上記課題の解決のために、本発明は、金属支持板上に半
導体素体が固着され、半導体素体および金属支持板が注
型樹脂で被覆される樹脂封止型半導体素子において、少
なくとも半導体素体の周囲の金属支持板と注型樹脂との
間にポリイミド樹脂の塗布膜が介在するものとする。
導体素体が固着され、半導体素体および金属支持板が注
型樹脂で被覆される樹脂封止型半導体素子において、少
なくとも半導体素体の周囲の金属支持板と注型樹脂との
間にポリイミド樹脂の塗布膜が介在するものとする。
ポリイミド系塗布膜は注型樹脂および金属支持板と良好
な密着性を有するので、この塗布膜が半導体素体周囲の
支持板と樹脂の間に介在することにより、湿気の半導体
素体への侵入が阻止される。
な密着性を有するので、この塗布膜が半導体素体周囲の
支持板と樹脂の間に介在することにより、湿気の半導体
素体への侵入が阻止される。
Ｃ実施例〕
第１．第２図は本発明のＪＥＤＥＣ外形Ｔｏ−３Ｐトラ
ンジスタ素子における一実施例を示し、第１図は断面図
、第２図は透視上面図である。トランジスタチップｌの
下面の電極をニッケルめっきをした銅板などを用いる金
属支持板２の上にはんだ付けする。支持板２の一方には
取付部２１、他方にはコレクタ端子３が形成されている
。トランジスタチップ１の上面のエミッタ電橋はエミッ
タ端子４と、ベース電極にベース端子５とボンディング
ワイヤー６で接続する０図示しないがコレクタ端子３．
エミッタ端子４およびベース端子５の先端は製造工程中
ばリードフレームの連結部により連結されている。この
あとチップ１の周囲にポリイミド系樹脂７を塗布する。
ンジスタ素子における一実施例を示し、第１図は断面図
、第２図は透視上面図である。トランジスタチップｌの
下面の電極をニッケルめっきをした銅板などを用いる金
属支持板２の上にはんだ付けする。支持板２の一方には
取付部２１、他方にはコレクタ端子３が形成されている
。トランジスタチップ１の上面のエミッタ電橋はエミッ
タ端子４と、ベース電極にベース端子５とボンディング
ワイヤー６で接続する０図示しないがコレクタ端子３．
エミッタ端子４およびベース端子５の先端は製造工程中
ばリードフレームの連結部により連結されている。この
あとチップ１の周囲にポリイミド系樹脂７を塗布する。
この塗布膜７は支持板２へのチップ１の装着前に形成し
てもよい、しかし、その場合にはチップのろう付けを妨
げないよう、多少広目の部分を残して塗布する必要があ
る。
てもよい、しかし、その場合にはチップのろう付けを妨
げないよう、多少広目の部分を残して塗布する必要があ
る。
次いで、従来と同様に樹脂８を注型する。第２図では、
ポリイミド系塗布膜７の部分は第１図と同様点を打って
示し、樹脂８の輪郭はｍ線によって示す。
ポリイミド系塗布膜７の部分は第１図と同様点を打って
示し、樹脂８の輪郭はｍ線によって示す。
第３図、第４図は本発明の効果を示す耐湿性試験結果で
ある。第３図は比較のために製作された４種類の試料を
示し、試料Ａはポリイミド系樹脂を塗布せず、試料Ｂは
チップ１の上面にのみ、試料Ｃはチップ１の上面および
側面に、試料りは第１、第２図に示した実施例と同様チ
ップｌの周囲にポリイミド系樹脂７をそれぞれ塗布した
ものである。そのあと同様に樹脂８を注型した。第４図
は、これらの試料を圧力釜を用いて２気圧、１２１℃の
水葵気中で耐湿試験を行ったときの不良率の時間による
増加を示したものである。 １２０時間を越える長時間
の試験では本発明の実施例の素子の耐湿性が最もすぐれ
ていることがわかる。耐湿試験の不良としては、耐圧特
性の劣化のほか、ＩＣチップの場合には断線などが生ず
る。
ある。第３図は比較のために製作された４種類の試料を
示し、試料Ａはポリイミド系樹脂を塗布せず、試料Ｂは
チップ１の上面にのみ、試料Ｃはチップ１の上面および
側面に、試料りは第１、第２図に示した実施例と同様チ
ップｌの周囲にポリイミド系樹脂７をそれぞれ塗布した
ものである。そのあと同様に樹脂８を注型した。第４図
は、これらの試料を圧力釜を用いて２気圧、１２１℃の
水葵気中で耐湿試験を行ったときの不良率の時間による
増加を示したものである。 １２０時間を越える長時間
の試験では本発明の実施例の素子の耐湿性が最もすぐれ
ていることがわかる。耐湿試験の不良としては、耐圧特
性の劣化のほか、ＩＣチップの場合には断線などが生ず
る。
本発明によれば、少なくとも半導体素体周囲の金属支持
板と注型樹脂の間にポリイミド系樹脂の塗布膜を介在さ
せることにより、ポリイミド樹脂を介して金属と樹脂の
間の付着力が向上し、その結果、界面からの水分の浸入
が防止され、耐湿性の向上した樹脂封止型半導体素子が
得られる。
板と注型樹脂の間にポリイミド系樹脂の塗布膜を介在さ
せることにより、ポリイミド樹脂を介して金属と樹脂の
間の付着力が向上し、その結果、界面からの水分の浸入
が防止され、耐湿性の向上した樹脂封止型半導体素子が
得られる。
第１図は本発明の一実施例のトランジスタ素子の断面図
、第２図はその透視上面図、第３図は本発明の効果をた
めすための試験に用いた試料の断面図、第４図は第３図
の試料を用いての耐ｆＷ試験の結果を示す線図である。 １：トランジスタチップ、２；金属支持板、３：コレク
タ端子、４：エミッタ端子、５；ベース端子、７：ポリ
イミド系塗布膜、８：注型樹脂。 第１図 り 第２図
、第２図はその透視上面図、第３図は本発明の効果をた
めすための試験に用いた試料の断面図、第４図は第３図
の試料を用いての耐ｆＷ試験の結果を示す線図である。 １：トランジスタチップ、２；金属支持板、３：コレク
タ端子、４：エミッタ端子、５；ベース端子、７：ポリ
イミド系塗布膜、８：注型樹脂。 第１図 り 第２図
Claims (1)
- １）金属支持板上に半導体素体が固着され、半導体素体
および金属支持板が注型樹脂で被覆されるものにおいて
、少なくとも半導体素体の周囲の金属支持板と注型樹脂
との間にポリイミド系樹脂の塗布膜が介在することを特
徴とする樹脂封止型半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63193763A JPH0243758A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 樹脂封止型半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63193763A JPH0243758A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 樹脂封止型半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0243758A true JPH0243758A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16313403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63193763A Pending JPH0243758A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 樹脂封止型半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0243758A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55156343A (en) * | 1979-05-25 | 1980-12-05 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS59219948A (ja) * | 1983-05-30 | 1984-12-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| JPS6097646A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-31 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS6345842A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 | Seiko Epson Corp | プラスチツク・パツケ−ジ |
-
1988
- 1988-08-03 JP JP63193763A patent/JPH0243758A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55156343A (en) * | 1979-05-25 | 1980-12-05 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS59219948A (ja) * | 1983-05-30 | 1984-12-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| JPS6097646A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-31 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS6345842A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 | Seiko Epson Corp | プラスチツク・パツケ−ジ |
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