JPS6071662A - 導電性銀ペ−スト組成物 - Google Patents
導電性銀ペ−スト組成物Info
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- JPS6071662A JPS6071662A JP18165483A JP18165483A JPS6071662A JP S6071662 A JPS6071662 A JP S6071662A JP 18165483 A JP18165483 A JP 18165483A JP 18165483 A JP18165483 A JP 18165483A JP S6071662 A JPS6071662 A JP S6071662A
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- Japan
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- mol
- polyimide resin
- organic solvent
- precursor
- paste composition
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は主として半導体素子をステムあるいはリード
フレームからなる基板に接着固定するだめのいわゆるグ
イボンディング用として有用な導電性銀ペースト組成物
に関する。
フレームからなる基板に接着固定するだめのいわゆるグ
イボンディング用として有用な導電性銀ペースト組成物
に関する。
半導体装置、たとえばトランジスタでは、IJ−ドフレ
ーム上に半導体素子を導電性接着材料によってグイボン
ディングし、上記素子上の一対の電極を対応する他のリ
ードフレームにそれぞれ金属線を介して電気的に接続し
、さらにこれらを一体に樹脂封止している。上記の導電
性接着材料としては、従来、エポキシ樹脂をバインダ成
分とした導電性銀ペースト組成物が用いられ、これをリ
ードフレーム上に所定量塗工しこの」二に半導体素子を
配置したのち、加熱硬「ヒさせて」−記素子をダイボン
ディングするという手法がとられてきた。ところが、上
記従来の導電性銀ペースト組成物を用いてダイボンディ
ングされた半導体装置は、高温での電気特性に劣る欠点
があった。
ーム上に半導体素子を導電性接着材料によってグイボン
ディングし、上記素子上の一対の電極を対応する他のリ
ードフレームにそれぞれ金属線を介して電気的に接続し
、さらにこれらを一体に樹脂封止している。上記の導電
性接着材料としては、従来、エポキシ樹脂をバインダ成
分とした導電性銀ペースト組成物が用いられ、これをリ
ードフレーム上に所定量塗工しこの」二に半導体素子を
配置したのち、加熱硬「ヒさせて」−記素子をダイボン
ディングするという手法がとられてきた。ところが、上
記従来の導電性銀ペースト組成物を用いてダイボンディ
ングされた半導体装置は、高温での電気特性に劣る欠点
があった。
この欠点を回避したものとして、無水ピロメリット酸と
通常の芳香族ジアミンとから構成されるポリアミド酸の
如き・一般のポリイミド樹脂の前駆体の溶液に銀粉を混
練してなる導電性銀ペースト組成物が提案されており、
これによればグイボンディング時の加熱硬化により上記
前駆体が閉環(イミド化)して耐熱性に非常にすぐれた
ポリイミド樹脂を与えるため、半導体装置の高温での電
気特性に好結果がもたらされる。
通常の芳香族ジアミンとから構成されるポリアミド酸の
如き・一般のポリイミド樹脂の前駆体の溶液に銀粉を混
練してなる導電性銀ペースト組成物が提案されており、
これによればグイボンディング時の加熱硬化により上記
前駆体が閉環(イミド化)して耐熱性に非常にすぐれた
ポリイミド樹脂を与えるため、半導体装置の高温での電
気特性に好結果がもたらされる。
殻
しかるに、上記提案の一家のポリイミド樹脂の前駆体で
は閉環(イミド化)後の吸湿率が比較的高くまた半導体
素子に対する密着性にもがけるため、高温高湿下で基板
と素子との接着強度の低下をきたすなど耐湿特墾子結果
が得ら1ないという欠点があった。
は閉環(イミド化)後の吸湿率が比較的高くまた半導体
素子に対する密着性にもがけるため、高温高湿下で基板
と素子との接着強度の低下をきたすなど耐湿特墾子結果
が得ら1ないという欠点があった。
この発明は、上記の観点から、半導体素子を基板上に強
固に接着固定できまた耐熱性とともに耐湿特性をも向上
しつる新規かつ有用な導電性接着材料を得ることを目的
としたものである。
固に接着固定できまた耐熱性とともに耐湿特性をも向上
しつる新規かつ有用な導電性接着材料を得ることを目的
としたものである。
ところで、この出願人は、すでに特定のジアミンと芳香
族テトラカルボン酸またはその誘導体とを反応させるこ
とによって、半導体素子などに対する密着性が良好でか
つ低吸湿率でありしかも有機溶剤に溶解性のポリイミド
樹脂またはその前、躯体を得ることに成功した。
族テトラカルボン酸またはその誘導体とを反応させるこ
とによって、半導体素子などに対する密着性が良好でか
つ低吸湿率でありしかも有機溶剤に溶解性のポリイミド
樹脂またはその前、躯体を得ることに成功した。
この発明は、引き続く研究において、上述の如くして得
られる有機溶剤可溶性のポリイミド樹脂を有機溶剤に溶
解さぜ、あるいはその前駆体の有機溶剤溶液を調製し、
これら溶液にさらに銀粉を混練してなる導電性銀ペース
ト組成物が、前記目的にかなった、つまり従来のエポキ
シ糸およびポリイミド樹脂の前駆体系銀ペースト組成物
のいずれの欠点をも有しない半導体素子のタイポンティ
ング用としてきわめて好適な導電性接着材料となりうる
ことを知り、なされたものである。
られる有機溶剤可溶性のポリイミド樹脂を有機溶剤に溶
解さぜ、あるいはその前駆体の有機溶剤溶液を調製し、
これら溶液にさらに銀粉を混練してなる導電性銀ペース
ト組成物が、前記目的にかなった、つまり従来のエポキ
シ糸およびポリイミド樹脂の前駆体系銀ペースト組成物
のいずれの欠点をも有しない半導体素子のタイポンティ
ング用としてきわめて好適な導電性接着材料となりうる
ことを知り、なされたものである。
すなわち、この発明は、っぎの一般式(1);〔式中、
Rは二価の有機基、R′は一価の有機基、nは1〜10
00の整数〕 で表わされるジアミノシロキサン1〜40モル%と、2
・5−ジ(4−アミノフェニル)−3・4−ジフェニル
チオフェンを少なくとも含む芳香族ジアミン60〜99
モル%とからなるジアミノ化合物と、芳香族テトラカル
ボン酸二無水物またはその誘導体とを有機溶剤中で反応
させて得られるシロキサン変性ポリイミド樹脂またはそ
の前駆体の有機溶剤溶液に銀粉を混練したことを特徴と
する導電性銀ペースト組成物に係るものである。
Rは二価の有機基、R′は一価の有機基、nは1〜10
00の整数〕 で表わされるジアミノシロキサン1〜40モル%と、2
・5−ジ(4−アミノフェニル)−3・4−ジフェニル
チオフェンを少なくとも含む芳香族ジアミン60〜99
モル%とからなるジアミノ化合物と、芳香族テトラカル
ボン酸二無水物またはその誘導体とを有機溶剤中で反応
させて得られるシロキサン変性ポリイミド樹脂またはそ
の前駆体の有機溶剤溶液に銀粉を混練したことを特徴と
する導電性銀ペースト組成物に係るものである。
上記この発明によれば、ポリイミド樹脂もしくはその前
駆体をベースとした導電性接着材料を用いているから高
温下での電気特性を向上できるとともに、上記ポリイミ
ド樹脂もしくはその前駆体を構成するジアミン成分とし
てジアミノシロキサンを用いていることによって半導体
素子と基板との密着性がよくなり、また他のシアミン成
分として2・5−ジ(4−アミノフェニル)−3・4−
ジフェニルチオフェンを必須成分として用いているため
にポリイミド樹脂の吸湿率が低下し、これら効果によっ
て高温高温下での素子と基板との接着強度を向上できる
など耐湿特性を大巾に改善することができる。
駆体をベースとした導電性接着材料を用いているから高
温下での電気特性を向上できるとともに、上記ポリイミ
ド樹脂もしくはその前駆体を構成するジアミン成分とし
てジアミノシロキサンを用いていることによって半導体
素子と基板との密着性がよくなり、また他のシアミン成
分として2・5−ジ(4−アミノフェニル)−3・4−
ジフェニルチオフェンを必須成分として用いているため
にポリイミド樹脂の吸湿率が低下し、これら効果によっ
て高温高温下での素子と基板との接着強度を向上できる
など耐湿特性を大巾に改善することができる。
またこの発明において銀粉を混練させるベヒクルとして
特にポリイミド樹脂そのものの有機溶剤溶液を用いたと
きには、これに銀粉を混練したペースト組成物を半導体
素子と基板との間に介在させたのち、有機溶剤を揮散除
去しうる程度のおだやかな加熱条件によって前記良好な
特性を有する導電性硬化接着層を形成することかできる
から、グイボンディング作業が非常に容易となるという
効果が得られる。
特にポリイミド樹脂そのものの有機溶剤溶液を用いたと
きには、これに銀粉を混練したペースト組成物を半導体
素子と基板との間に介在させたのち、有機溶剤を揮散除
去しうる程度のおだやかな加熱条件によって前記良好な
特性を有する導電性硬化接着層を形成することかできる
から、グイボンディング作業が非常に容易となるという
効果が得られる。
すなわち、従来の一般のポリイミド樹脂は通常不融不溶
のため前述したとおりその前駆体の有機溶剤溶液を調製
し、これに銀粉を混練する必要があり、かかるペースト
組成物にあってはタイボンディング時に上記前駆体をイ
ミド化するために高温の加熱処理を施さなければならず
、作業性の面での不利がある。
のため前述したとおりその前駆体の有機溶剤溶液を調製
し、これに銀粉を混練する必要があり、かかるペースト
組成物にあってはタイボンディング時に上記前駆体をイ
ミド化するために高温の加熱処理を施さなければならず
、作業性の面での不利がある。
これに対し、この発明に係るシロキサン変性ポリイミド
樹脂は有機溶剤に溶解性であるため、前述のとおりポリ
イミド樹脂そのものの有機溶剤溶液を銀粉のベヒクルと
することが可能であり、これによって上記グイホンディ
ングの作業性の改善が図られる。
樹脂は有機溶剤に溶解性であるため、前述のとおりポリ
イミド樹脂そのものの有機溶剤溶液を銀粉のベヒクルと
することが可能であり、これによって上記グイホンディ
ングの作業性の改善が図られる。
もちろん、この発明においては、上記ポリイミド樹脂そ
のものの有機溶剤溶液を用いるほか、その前駆体の有機
溶剤溶液を用いることをも包含する。すなわち、上述の
如き作業性の改善を特に望まない場合は前駆体の有機溶
剤溶液を用いることをあえて排除するものではない。用
途によっては充分に利用可能であり、この場合でも少な
くとも前記した従来の前駆体溶液の欠点を回、促するこ
とかできる。
のものの有機溶剤溶液を用いるほか、その前駆体の有機
溶剤溶液を用いることをも包含する。すなわち、上述の
如き作業性の改善を特に望まない場合は前駆体の有機溶
剤溶液を用いることをあえて排除するものではない。用
途によっては充分に利用可能であり、この場合でも少な
くとも前記した従来の前駆体溶液の欠点を回、促するこ
とかできる。
この発明においてジアミノ化合物の一成分として用いる
前記一般式(1)で表わされるジアミノシロキサンの代
表例を挙ければ、下記のものがある。
前記一般式(1)で表わされるジアミノシロキサンの代
表例を挙ければ、下記のものがある。
これらのジアミノシロキサンはジアミノ化合物全体量の
1〜40モル%、好適には1〜15モル%の割合で用い
なければならない。1モル%に満たなければ半導体素子
に対する密着性改善効果が得られず、また40モル%を
超えるとポリイミドの吸湿率や耐熱性などの特性が損な
われるため、不適当である。なおまた上記ジアミノシロ
キサンの実用量は、最終的に得られるポリイミドないし
その前駆体中のけい素原子含有量が2重量%以下に抑え
られていることが剰靜特性上望ましい。
1〜40モル%、好適には1〜15モル%の割合で用い
なければならない。1モル%に満たなければ半導体素子
に対する密着性改善効果が得られず、また40モル%を
超えるとポリイミドの吸湿率や耐熱性などの特性が損な
われるため、不適当である。なおまた上記ジアミノシロ
キサンの実用量は、最終的に得られるポリイミドないし
その前駆体中のけい素原子含有量が2重量%以下に抑え
られていることが剰靜特性上望ましい。
〈ジアミノシロキサンの例〉
CHa OCH3CH3
111
CHa 、CHa
1
CH3CH3
CHa CHa
上記のジアミノシロキサンと併用される芳香族シアミン
はジアミノ化合物全体量の60〜99モル%、好適には
85〜99モル%を占める。この芳香族ジアミンの必須
成分としてつぎのCヒ学式で表わされる2・5−ジ(4
−アミノフェニル)−3・4−ジフェニルチオフェン(
以下、チオフェン系ジアミンという)を1吏用する。
はジアミノ化合物全体量の60〜99モル%、好適には
85〜99モル%を占める。この芳香族ジアミンの必須
成分としてつぎのCヒ学式で表わされる2・5−ジ(4
−アミノフェニル)−3・4−ジフェニルチオフェン(
以下、チオフェン系ジアミンという)を1吏用する。
上記チオフェン系ジアミンは芳香族ジアミン中10モル
%以上、好ましくは50モル%以上用いるのがよく、こ
の使用量が少なければ低吸湿率のポリイミド樹脂を得る
ことが困難となる。
%以上、好ましくは50モル%以上用いるのがよく、こ
の使用量が少なければ低吸湿率のポリイミド樹脂を得る
ことが困難となる。
チオフェン系ジアミン以外の芳香族シアミンとしては、
従来公知のけい素不合ジアミンをいずれも使用できる。
従来公知のけい素不合ジアミンをいずれも使用できる。
このようなジアミンの具体例としては、メクフエニレン
ジアミン、パラフェニレンジアミン、4・4−ジアミノ
ジフェニルメタン、4・4−ジアミノジフェニルエーテ
ル、2・2−ヒス(4−アミノフェニル)プat<ン、
3・3′−ジアミノジフェニルスルホニ/、 4・4’
−ジアミノジフェニルスルフィド、ベンジジン、ベンジ
ジン−3・3−ジカルボン酸、ベンジジン−3・3′−
ジスルホン酸、ベンジジン−3−モノカルホン酸、ベン
ジジン−3−モノスルホン酸、3・3−ジメトキシ−ベ
ンジジン、パラ−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼ
ン、メクービス(4−アミンフェノキシ)ベンゼン、メ
クキシリレンジアミン、パラキシリレンジアミンなどが
挙げられる。
ジアミン、パラフェニレンジアミン、4・4−ジアミノ
ジフェニルメタン、4・4−ジアミノジフェニルエーテ
ル、2・2−ヒス(4−アミノフェニル)プat<ン、
3・3′−ジアミノジフェニルスルホニ/、 4・4’
−ジアミノジフェニルスルフィド、ベンジジン、ベンジ
ジン−3・3−ジカルボン酸、ベンジジン−3・3′−
ジスルホン酸、ベンジジン−3−モノカルホン酸、ベン
ジジン−3−モノスルホン酸、3・3−ジメトキシ−ベ
ンジジン、パラ−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼ
ン、メクービス(4−アミンフェノキシ)ベンゼン、メ
クキシリレンジアミン、パラキシリレンジアミンなどが
挙げられる。
この発明lこおいて上記のジアミノfと合物と反応させ
る芳香族テトラカルボン酸二無水物またはその誘導体と
しては、たとえばピロメリット酸二無水物(以下、PM
DAという)、3・4・3′・4−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物(以下、BTDAという)、3・
4・3′・4−ビフェニルテトラカルホン酸二無水物(
以下、5−BPDAという)、2・3・3・4−ビフェ
ニルテトラカルホン酸二無水物(以下、a−BPDAと
いう)、2・3・6・7−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、1・2・5・6−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、1・4・5・8−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、2・2′−ビス(3・4−ジカルボキシ
フェニル)プロパンニ無水物、ビス(3・4−ジカルボ
キシフェニル)スルホンニ無水物、3・4・9・10−
ペリレンテトラカルホン酸二無水物、ビス(3・4−ジ
カルボキシフェニル)エーテルニ無水物およびこれら二
無水物のクロライド、低級アルキルエステルなどの誘導
体などが挙げられる。
る芳香族テトラカルボン酸二無水物またはその誘導体と
しては、たとえばピロメリット酸二無水物(以下、PM
DAという)、3・4・3′・4−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物(以下、BTDAという)、3・
4・3′・4−ビフェニルテトラカルホン酸二無水物(
以下、5−BPDAという)、2・3・3・4−ビフェ
ニルテトラカルホン酸二無水物(以下、a−BPDAと
いう)、2・3・6・7−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、1・2・5・6−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、1・4・5・8−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、2・2′−ビス(3・4−ジカルボキシ
フェニル)プロパンニ無水物、ビス(3・4−ジカルボ
キシフェニル)スルホンニ無水物、3・4・9・10−
ペリレンテトラカルホン酸二無水物、ビス(3・4−ジ
カルボキシフェニル)エーテルニ無水物およびこれら二
無水物のクロライド、低級アルキルエステルなどの誘導
体などが挙げられる。
これらの中でも特にs −B P D Aまたはこれと
他の二無水物とを併用したものがもつとも好ましく、か
かる二無水物を用いると、高温高湿雰囲気下、たとえば
121℃、2気圧のプレッシャークツカーテスト(以下
、PCTという)下での電気特性にもつともすぐれた、
つまり1li1.j湿特訃の良好なポリイミド樹脂が得
られる。
他の二無水物とを併用したものがもつとも好ましく、か
かる二無水物を用いると、高温高湿雰囲気下、たとえば
121℃、2気圧のプレッシャークツカーテスト(以下
、PCTという)下での電気特性にもつともすぐれた、
つまり1li1.j湿特訃の良好なポリイミド樹脂が得
られる。
この発明において上記ジアミノ化合物と芳香族テトラカ
ルボン酸二無水物またはその誘導体との反応は、有機溶
剤中側成分を略等モル用いて一般に窒素ガス気流中で行
うが、いずれか一方を多少多く使用しても差し支えない
。この反応に当って、ジアミノ化合物としては、上述し
たジアミノシロキサンの一種もしくは二種以北とチオフ
ェン系シアミンを必須とする芳香族シアミンの一種もし
くは二種以上が用いられ、また芳香族テトラカルホン酸
二無水物またはその誘導体としては11ワ記例示したも
のの中から一種もしくは二種以上か用いられる。
ルボン酸二無水物またはその誘導体との反応は、有機溶
剤中側成分を略等モル用いて一般に窒素ガス気流中で行
うが、いずれか一方を多少多く使用しても差し支えない
。この反応に当って、ジアミノ化合物としては、上述し
たジアミノシロキサンの一種もしくは二種以北とチオフ
ェン系シアミンを必須とする芳香族シアミンの一種もし
くは二種以上が用いられ、また芳香族テトラカルホン酸
二無水物またはその誘導体としては11ワ記例示したも
のの中から一種もしくは二種以上か用いられる。
上記反応でシロキサン変性ポリイミド樹脂の前駆体を得
る場合は、有機溶剤としてN−メチル−2−ピロリドン
、N−N−ジメチルアセトアミド、N−N’−ジメチル
ホルムアミド、ヘキサメチルホスホルアミドなどの高極
性塩基性溶剤のほか、メタクレゾール、パラクレゾール
、キシレノール、フェノールおよびこれらの混合溶剤の
如きフ呈ノール系溶剤やこれにさらにキシレン、トルエ
ンの如き芳香族溶剤を加えた低@湿性溶剤などを用いる
ことができる。
る場合は、有機溶剤としてN−メチル−2−ピロリドン
、N−N−ジメチルアセトアミド、N−N’−ジメチル
ホルムアミド、ヘキサメチルホスホルアミドなどの高極
性塩基性溶剤のほか、メタクレゾール、パラクレゾール
、キシレノール、フェノールおよびこれらの混合溶剤の
如きフ呈ノール系溶剤やこれにさらにキシレン、トルエ
ンの如き芳香族溶剤を加えた低@湿性溶剤などを用いる
ことができる。
またその際の反応条件、つまり前駆体を得るための反応
条件としては、通常60℃以下、特に好適には30℃以
下とされ、かかる温度下で高い重合度か得られるまで反
応させればよい。この重合度は反応物の固有粘度〔η〕
を調べることによって簡単に検知できる。
条件としては、通常60℃以下、特に好適には30℃以
下とされ、かかる温度下で高い重合度か得られるまで反
応させればよい。この重合度は反応物の固有粘度〔η〕
を調べることによって簡単に検知できる。
このようにして得られるシロキサン変性ポリイミド樹脂
の前駆体は、固有粘度〔η〕がO14〜0.8の範囲に
あり、不揮発分濃度25重量%での溶液粘度は1,00
0〜20,000センチポイズ程度である。上記固有粘
度があまりに低くなりすぎると皮膜形成能に劣ってくる
し、半導体素子に適用したときの絶縁特性、耐熱性など
の緒特性が損なわれる。
の前駆体は、固有粘度〔η〕がO14〜0.8の範囲に
あり、不揮発分濃度25重量%での溶液粘度は1,00
0〜20,000センチポイズ程度である。上記固有粘
度があまりに低くなりすぎると皮膜形成能に劣ってくる
し、半導体素子に適用したときの絶縁特性、耐熱性など
の緒特性が損なわれる。
なお、この明細書において、固有粘度〔η〕は、特に断
らない限り、溶媒としてN−メチル−2−ピロリドンを
使用し測定温度30±001℃で次式にしたがって算出
した値を意味する。
らない限り、溶媒としてN−メチル−2−ピロリドンを
使用し測定温度30±001℃で次式にしたがって算出
した値を意味する。
Jn(t/lo)
〔η〕−□
t;ウベローデ粘度計で測定されるポリマー溶液の落下
時間 (o;上記同様に測定される溶媒の落下時間C;ポリマ
ー濃度(0,5重量%) 上記シロキサン変性ポリイミド樹脂の前駆体は、芳香族
ジアミンとしてチオフェン系ジアミンのみを用いた場合
を例にとれば、後記の一般式I2)にて示されるように
、チオフェン系ジアミンおよびジアミノシロキサンがア
ミド結合を介してそれぞれ芳香族テトラカルボン酸二無
水物と結合した構成単位を通常ランダムに有するもので
ある。この前駆体はその溶液に銀粉を加えてペースト組
成物としこれを半導体素子に適用したのち高温加熱処理
することによって、後記の一般式(3)に示される如き
、イミド結合を有するシロキサン変性ポリイミド樹脂と
なる。
時間 (o;上記同様に測定される溶媒の落下時間C;ポリマ
ー濃度(0,5重量%) 上記シロキサン変性ポリイミド樹脂の前駆体は、芳香族
ジアミンとしてチオフェン系ジアミンのみを用いた場合
を例にとれば、後記の一般式I2)にて示されるように
、チオフェン系ジアミンおよびジアミノシロキサンがア
ミド結合を介してそれぞれ芳香族テトラカルボン酸二無
水物と結合した構成単位を通常ランダムに有するもので
ある。この前駆体はその溶液に銀粉を加えてペースト組
成物としこれを半導体素子に適用したのち高温加熱処理
することによって、後記の一般式(3)に示される如き
、イミド結合を有するシロキサン変性ポリイミド樹脂と
なる。
一方、前記有機溶剤中での反応によって直接シロキサン
変性ポリイミド樹脂を得る場合は、有機溶剤としてメク
クレゾール、パラクレゾール、キシレノーノペフェノー
ルおよびこれらの混合溶剤の如キフェノール系溶剤やこ
れにさらにキシレン、トルエンの如き芳香族溶剤を加え
た低吸湿性溶剤が用いられる。
変性ポリイミド樹脂を得る場合は、有機溶剤としてメク
クレゾール、パラクレゾール、キシレノーノペフェノー
ルおよびこれらの混合溶剤の如キフェノール系溶剤やこ
れにさらにキシレン、トルエンの如き芳香族溶剤を加え
た低吸湿性溶剤が用いられる。
かかる溶剤を用いて、一般に80〜200℃の範囲で徐
々に加熱昇温させながら約1〜10時間反応させる。こ
の反応は、アミド化反応とこれに引き続くイミド化反応
とからなる脱水重縮合反応てあり、イミド化反応時に副
生ずる水は反応糸外へ留去して取り除く。この水の除去
により反応率が高められ高分子量のポリイミドが得られ
る。前記溶剤は水と相溶しにくいために副生ずる水の留
去を容易とし、またイミド化反応完了後の吸湿による加
水分解およびこれに起因した分子量の低下を防止するの
に好結果をもたらす。
々に加熱昇温させながら約1〜10時間反応させる。こ
の反応は、アミド化反応とこれに引き続くイミド化反応
とからなる脱水重縮合反応てあり、イミド化反応時に副
生ずる水は反応糸外へ留去して取り除く。この水の除去
により反応率が高められ高分子量のポリイミドが得られ
る。前記溶剤は水と相溶しにくいために副生ずる水の留
去を容易とし、またイミド化反応完了後の吸湿による加
水分解およびこれに起因した分子量の低下を防止するの
に好結果をもたらす。
このようにして得られるシロキサン変性ポリイミド樹脂
は、その固有粘度〔η〕が約0.3〜3.0の範囲にあ
り、たとえばつぎの一般式(3)で示されるように、チ
オフェン系ジアミンおよびジアミノシロキサンがイミド
結合を介してそれぞれ芳香族テトラカルボン酸二無水物
と結合した構成眼位を通常ランダムに有するものである
。なお、一般式(3)では芳香族ジアミンとしてチオフ
ェン系ジアミンのみを用いた例を示している。
は、その固有粘度〔η〕が約0.3〜3.0の範囲にあ
り、たとえばつぎの一般式(3)で示されるように、チ
オフェン系ジアミンおよびジアミノシロキサンがイミド
結合を介してそれぞれ芳香族テトラカルボン酸二無水物
と結合した構成眼位を通常ランダムに有するものである
。なお、一般式(3)では芳香族ジアミンとしてチオフ
ェン系ジアミンのみを用いた例を示している。
このシロキサン変性ポリイミド樹脂は、上記合成時に用
いた有機溶剤の溶1夜として、あるいはこの溶液から一
旦適宜の手段で樹脂を単離したのち別の有機溶剤(この
溶剤には前記した高極性塩基性溶剤も含まれる)に溶解
させた溶液として使用に供される。
いた有機溶剤の溶1夜として、あるいはこの溶液から一
旦適宜の手段で樹脂を単離したのち別の有機溶剤(この
溶剤には前記した高極性塩基性溶剤も含まれる)に溶解
させた溶液として使用に供される。
なお、上記のシロキサン変性ポリイミド樹脂またはその
前駆体を合成するに当たって、反応原料としての各有機
溶剤並びに前記のテトラカルボン酸二無水物またはその
誘導体およびジアミン成分は、これにNa、l<、Ca
などのカチオン性不純物やCl−などのアニオン性不
純物が含まれていると、得られるシロキサン変性ポリイ
ミド樹脂またはその前駆体の溶液を半導体素子のグイポ
ンティングに適用したとき素子の電気特性や耐湿特性が
悪くなるおそれがある。したがって、上記各原料はあら
かじめ周知の方法により充分精製したのち、使用すべき
である。たとえばNa イオンで5ppm以下、好適に
はl’ppm以下であることが望ましい。
前駆体を合成するに当たって、反応原料としての各有機
溶剤並びに前記のテトラカルボン酸二無水物またはその
誘導体およびジアミン成分は、これにNa、l<、Ca
などのカチオン性不純物やCl−などのアニオン性不
純物が含まれていると、得られるシロキサン変性ポリイ
ミド樹脂またはその前駆体の溶液を半導体素子のグイポ
ンティングに適用したとき素子の電気特性や耐湿特性が
悪くなるおそれがある。したがって、上記各原料はあら
かじめ周知の方法により充分精製したのち、使用すべき
である。たとえばNa イオンで5ppm以下、好適に
はl’ppm以下であることが望ましい。
この発明の導電性銀ペースト組成物は、上述の如くして
得られるシロキサン変性ポリイミド樹脂またはその前駆
体の有機溶剤溶液に銀粉を混練してなるものであり、こ
の混線に当たってグイボンディング時の密着性を向上さ
せるなどの目的で必要に応じてシランカップリング剤や
ポリシロキサい。
得られるシロキサン変性ポリイミド樹脂またはその前駆
体の有機溶剤溶液に銀粉を混練してなるものであり、こ
の混線に当たってグイボンディング時の密着性を向上さ
せるなどの目的で必要に応じてシランカップリング剤や
ポリシロキサい。
この発明において用いられる銀粉は、その製法により各
種の形状のものがあり、樹状粉、鱗片状粉、粒状粉、多
孔質粉、針状粉などが挙げられる。
種の形状のものがあり、樹状粉、鱗片状粉、粒状粉、多
孔質粉、針状粉などが挙げられる。
好ましくは樹状粉、麟片状粉を使用するのかよい。
これら銀粉の粒子径は一般に100メツシユフリーハス
、好適には325メツシユフリーパスであるのがよい。
、好適には325メツシユフリーパスであるのがよい。
使用用は、組成物全体の固形分中通常60〜95重量%
、好適には70〜90市iii’、 96である。
、好適には70〜90市iii’、 96である。
この発明の上記ペースト組成物における有機溶剤量とし
ては組成物の固形分濃度が通常10〜50重量%程度と
なるようにするのがよい。前記ポリイミド樹脂またはそ
の前駆体の合成時シご用いた有機溶剤量では不足する場
合などにあっては、上記ペースト組成物の調製時に適宜
補充すれはよい。
ては組成物の固形分濃度が通常10〜50重量%程度と
なるようにするのがよい。前記ポリイミド樹脂またはそ
の前駆体の合成時シご用いた有機溶剤量では不足する場
合などにあっては、上記ペースト組成物の調製時に適宜
補充すれはよい。
このようにして調製されるこの発明の導電性銀ペースト
組成物は、これを公知の方法lこ僧じてたとえはステム
ないしリードフレームと半導体素子との間に介在させた
のち、シロキサン変性ポリイミド樹脂の有機溶剤溶液を
用いたものでは、この溶剤が揮赦しうる程度の温度、た
とえば150〜250℃で0.5〜10分間の加熱処理
を施す。また前1枢体の有機溶剤溶液を用いたものでは
、通常200〜250℃で120〜360分間の高温加
熱処理を施して上記前駆体をイミドfヒする。かくする
ことにより、半導体素子および基板に対する密着性と1
酬熱性とにすぐれる導電性を有する低吸湿率の硬化接着
樹脂層を形成することができる。
組成物は、これを公知の方法lこ僧じてたとえはステム
ないしリードフレームと半導体素子との間に介在させた
のち、シロキサン変性ポリイミド樹脂の有機溶剤溶液を
用いたものでは、この溶剤が揮赦しうる程度の温度、た
とえば150〜250℃で0.5〜10分間の加熱処理
を施す。また前1枢体の有機溶剤溶液を用いたものでは
、通常200〜250℃で120〜360分間の高温加
熱処理を施して上記前駆体をイミドfヒする。かくする
ことにより、半導体素子および基板に対する密着性と1
酬熱性とにすぐれる導電性を有する低吸湿率の硬化接着
樹脂層を形成することができる。
以」二のように、この発明の導電性銀ペースト組成物に
よれは、その本来の導電機能と共に耐熱性および密着性
さらに而」温特性にすぐれた硬化接着樹脂層を形成でき
るため、これら特性が要求される各種の用途にきわめて
有用であり、なかでも半導体素子のグイボンディング用
としてすぐれた効果を発揮する。
よれは、その本来の導電機能と共に耐熱性および密着性
さらに而」温特性にすぐれた硬化接着樹脂層を形成でき
るため、これら特性が要求される各種の用途にきわめて
有用であり、なかでも半導体素子のグイボンディング用
としてすぐれた効果を発揮する。
以下に、この発明の実施例を記載してより具体的に説明
する。なお、以下の実施例および比較例で用いた銀粉は
、実施例1〜3および比較例1〜3は325メツシユフ
リーパスのりん片状銀粉、実施例4〜6および比較例4
〜5は同様の粒子径を有する樹状銀粉である。
する。なお、以下の実施例および比較例で用いた銀粉は
、実施例1〜3および比較例1〜3は325メツシユフ
リーパスのりん片状銀粉、実施例4〜6および比較例4
〜5は同様の粒子径を有する樹状銀粉である。
実施例1
塩化カルシウム充てん管付き還流冷却器、かきまぜ器、
温度計を装備した3 00 mlのセパレフプルフラス
コにN−メチルピロリドン216gを入れ、これにビス
(3−アミノプロピル)テ1−ラメチルジシロキサン(
前記(ヒ学式へのシアミノシロキサン)3.72P(0
,015モル)を入れ、ついでチオフェン系ジアミン8
5.539(0,085モル)を仕込み溶解するまで撹
拌した。その後5−BPDA29.4 !i’ (0,
1モル)を徐々に添加し、30℃以下シこ保持しながら
透明粘稠溶液となるまで撹拌した。これにより、固有粘
度0.90のシロキサン変性ポリイミド樹脂の前:枢体
溶液が得られた。
温度計を装備した3 00 mlのセパレフプルフラス
コにN−メチルピロリドン216gを入れ、これにビス
(3−アミノプロピル)テ1−ラメチルジシロキサン(
前記(ヒ学式へのシアミノシロキサン)3.72P(0
,015モル)を入れ、ついでチオフェン系ジアミン8
5.539(0,085モル)を仕込み溶解するまで撹
拌した。その後5−BPDA29.4 !i’ (0,
1モル)を徐々に添加し、30℃以下シこ保持しながら
透明粘稠溶液となるまで撹拌した。これにより、固有粘
度0.90のシロキサン変性ポリイミド樹脂の前:枢体
溶液が得られた。
つぎに、この溶液に固形分全体中80重ffi 96を
占める割合の銀粉を加え、三本ロールでよく混練し、溶
剤量の調節によって固形分濃度を45.5重量%とした
この発明の導電性銀ペースト組成物を得た。
占める割合の銀粉を加え、三本ロールでよく混練し、溶
剤量の調節によって固形分濃度を45.5重量%とした
この発明の導電性銀ペースト組成物を得た。
実施的2
チオフェン系ジアミン0.085モルの代りに、チオフ
ェン系ジアミン0.068モルと4・4−シアアミノジ
フェニルエーテル0.017モルとを用いた以外は、実
施例1と同様にして固有粘度0.93のシロキサン変性
ポリイミド樹脂の前駆体溶液を得、この溶液を用いて以
下実施例1と同様にして銀粉含量(固形分全体の)78
重量%、固形分41.2重量%の導電性銀ペースト組成
物を得た。
ェン系ジアミン0.068モルと4・4−シアアミノジ
フェニルエーテル0.017モルとを用いた以外は、実
施例1と同様にして固有粘度0.93のシロキサン変性
ポリイミド樹脂の前駆体溶液を得、この溶液を用いて以
下実施例1と同様にして銀粉含量(固形分全体の)78
重量%、固形分41.2重量%の導電性銀ペースト組成
物を得た。
比較例1
ジアミノシロキサン0.015モルとチオフェン糸ジア
ミン0.085モルの代りに、4・4−ジアミノジフェ
ニルエーテルを0.1モル用いた以外ハ、実施例1と同
様にてポリイミド樹脂の前駆体溶液を得、この溶液を用
いて以下実施例1と同様にして銀粉含量(固形分全体の
)81重量%、固形分42.2重量%の導電性銀ペース
ト組成物を得た。
ミン0.085モルの代りに、4・4−ジアミノジフェ
ニルエーテルを0.1モル用いた以外ハ、実施例1と同
様にてポリイミド樹脂の前駆体溶液を得、この溶液を用
いて以下実施例1と同様にして銀粉含量(固形分全体の
)81重量%、固形分42.2重量%の導電性銀ペース
ト組成物を得た。
比較例2
チオフェン系ジアミン0.085モルの代りに、4・4
−ジアミノジフェニルエーテルを0.085モル用いた
以外は、実施例1と同様にしてシロキサン変性ポリイミ
ド樹脂の前駆体溶液を得、この溶液を用いて以下実施例
1と同様にして銀粉含量(固形分全体の)79重量%、
固形分402重量%の導電性銀ペースト組成物を得た。
−ジアミノジフェニルエーテルを0.085モル用いた
以外は、実施例1と同様にしてシロキサン変性ポリイミ
ド樹脂の前駆体溶液を得、この溶液を用いて以下実施例
1と同様にして銀粉含量(固形分全体の)79重量%、
固形分402重量%の導電性銀ペースト組成物を得た。
実施例3
塩化カルシウム充てん管付き還流冷却器、かきまぜ器、
温度計を装備した3 00 m、eのセパレクブルフラ
スコに、クレゾール216gとキシレン1(lとを入れ
、ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサ
ン(前記化学式へのジアミノシロキサン)3.727(
0,015モル)を入れ、ついでチオフェン系ジアミン
35.53 g(0,085モル)を仕込み溶解するま
で撹拌した。その後5−BPDA29.4 g(0,1
モル)を徐々に添加し、撹拌しながら1時間で180℃
まで昇温した。
温度計を装備した3 00 m、eのセパレクブルフラ
スコに、クレゾール216gとキシレン1(lとを入れ
、ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサ
ン(前記化学式へのジアミノシロキサン)3.727(
0,015モル)を入れ、ついでチオフェン系ジアミン
35.53 g(0,085モル)を仕込み溶解するま
で撹拌した。その後5−BPDA29.4 g(0,1
モル)を徐々に添加し、撹拌しながら1時間で180℃
まで昇温した。
昇温途中、一時反応系が固fヒするがさらに加熱してい
くと均一溶液となった。また反応系が80〜120℃に
なると脱水反応がおこり、イミド化反応が進行し始めた
。副生じた水は窒素ガスを流しながらキシレンと共沸さ
せて反応系外へ留去した。このようにして、180〜1
90℃で8時間加熱反応させて透明で粘稠な均一溶液を
得た。
くと均一溶液となった。また反応系が80〜120℃に
なると脱水反応がおこり、イミド化反応が進行し始めた
。副生じた水は窒素ガスを流しながらキシレンと共沸さ
せて反応系外へ留去した。このようにして、180〜1
90℃で8時間加熱反応させて透明で粘稠な均一溶液を
得た。
このようにして得られたシロキサン変性ポリイミド樹脂
の溶液は、固形分濃度(200℃で2時間加熱して測定
)が24.2重量%、固有粘度が0780であった。ま
た、このmWをガラス板上に塗布したのち80℃で0.
5 mmH!i’下2時間加熱乾燥して得た皮膜につき
、赤外線吸収スペクトルを測定したところ、1780c
m および1720\ cm にイくド基に基づ<、C=Oの吸収か明確に3忍
められた。
の溶液は、固形分濃度(200℃で2時間加熱して測定
)が24.2重量%、固有粘度が0780であった。ま
た、このmWをガラス板上に塗布したのち80℃で0.
5 mmH!i’下2時間加熱乾燥して得た皮膜につき
、赤外線吸収スペクトルを測定したところ、1780c
m および1720\ cm にイくド基に基づ<、C=Oの吸収か明確に3忍
められた。
この溶液を用いて以下実施例1と同様にして銀粉含量(
固形分全体の)80重量%、固形分41.0重量96の
導電性銀ペースト組成物を得た。
固形分全体の)80重量%、固形分41.0重量96の
導電性銀ペースト組成物を得た。
実施例4
s−BPDAo、1モルの代りに、a −B P D
Aを0.1モル用いた以外は、実施例3と同様にして、
固有粘度0.600のシロキサン変性ポリイミド樹脂の
溶液を得、この溶液を用いて以下実施例1と同様にして
銀粉含量(固形分全体の)80重量%。
Aを0.1モル用いた以外は、実施例3と同様にして、
固有粘度0.600のシロキサン変性ポリイミド樹脂の
溶液を得、この溶液を用いて以下実施例1と同様にして
銀粉含量(固形分全体の)80重量%。
固形分45.2重重%の尋電性銀ペースト組成物を得た
。
。
実施例5
s−BPDAo、1モルの代りに、BTDAを0.1モ
ル用いた以外は、実施例3と同様にして、固有粘度0.
680のシロキサン変性ポリイミド樹脂の溶液を得、以
下この溶液を用いて実施例1と同様にして銀粉含量(固
形分全体の)80重用96゜固形分44.2重量96の
導電性銀ペースト組成物を得た。
ル用いた以外は、実施例3と同様にして、固有粘度0.
680のシロキサン変性ポリイミド樹脂の溶液を得、以
下この溶液を用いて実施例1と同様にして銀粉含量(固
形分全体の)80重用96゜固形分44.2重量96の
導電性銀ペースト組成物を得た。
実施例6
s −B P D A O,1モルの代りに、P M
D Aを0.1モル用いた以外は、実施例3と同様にし
て、固有粘度0.666のシロキサン変性ポリイミド樹
脂の溶液を得、この溶液を用いて以下実施例1と同様に
して銀粉含量(固形分全体の)80重量96゜固形分4
3.9重量%の導電性銀ペースト組成物を得た。
D Aを0.1モル用いた以外は、実施例3と同様にし
て、固有粘度0.666のシロキサン変性ポリイミド樹
脂の溶液を得、この溶液を用いて以下実施例1と同様に
して銀粉含量(固形分全体の)80重量96゜固形分4
3.9重量%の導電性銀ペースト組成物を得た。
比較例3
ジアミノシロキサン0.015モルとチオフェン糸ジア
ミン0.085モルとの代りに、チオフェン系ジアミン
を0.1モル用いた以外は、実施例3と同様にして、ポ
リイミド樹脂の前駆体溶液を得、この溶液を用いて以下
実施例1と同様にして銀粉含量(固形分全体の)80重
量%、固形分42.5重量%の導電性銀ペースト組成物
を得た。
ミン0.085モルとの代りに、チオフェン系ジアミン
を0.1モル用いた以外は、実施例3と同様にして、ポ
リイミド樹脂の前駆体溶液を得、この溶液を用いて以下
実施例1と同様にして銀粉含量(固形分全体の)80重
量%、固形分42.5重量%の導電性銀ペースト組成物
を得た。
比較例4
エポキシ樹脂(シェル化学社製のエピコート#828、
)21’に、2−メチルイミダゾール0.047および
銀粉80グを加え、三本ロールでよく混練して導電性銀
ペースト組成物を得た。
)21’に、2−メチルイミダゾール0.047および
銀粉80グを加え、三本ロールでよく混練して導電性銀
ペースト組成物を得た。
比較例5
エポキシ樹脂(チバ社製のGY250)10gに、フェ
ノール樹脂(部用化学社製のK P−180)57.2
−フェニルイミダゾール0.05Fおよび銀粉857を
加え、三本ロールでよく混練して導電性銀ペースト組成
物を得た。
ノール樹脂(部用化学社製のK P−180)57.2
−フェニルイミダゾール0.05Fおよび銀粉857を
加え、三本ロールでよく混練して導電性銀ペースト組成
物を得た。
以上の実施例および比較例に係る各ペースト組成物を用
いて、これを半導体素子とリードフレームとの間に介在
させたのち加熱処理を施して硬化させ、図面に示される
ような測定機を用いて、常態およびPCTX40時間後
の25℃でのせん断接着力(h/ cm2)を測定し、
PCTX40時間後のせん断接着力の保持率を下記の式
にしたがって算出した。その結果は後記の表に示される
とおりであった。
いて、これを半導体素子とリードフレームとの間に介在
させたのち加熱処理を施して硬化させ、図面に示される
ような測定機を用いて、常態およびPCTX40時間後
の25℃でのせん断接着力(h/ cm2)を測定し、
PCTX40時間後のせん断接着力の保持率を下記の式
にしたがって算出した。その結果は後記の表に示される
とおりであった。
なお、図中1は支持体、2はリードフレーム、3は導電
性硬化接着層、4は半導体素子、5はせん断接着力表示
用のプッシュプルゲージである。
性硬化接着層、4は半導体素子、5はせん断接着力表示
用のプッシュプルゲージである。
なおまた、各組成物を硬化させるための加熱処理の条件
としては、実施例1〜2および比較例1〜2の組成物に
あっては、180℃×30分、200℃×30分、25
0℃×300分とし、また実施例3〜6および比較例3
の組成物にあっては250℃で10分間とした。さらに
比較例4,5の組成物にあっては180°Cで10分間
とした。
としては、実施例1〜2および比較例1〜2の組成物に
あっては、180℃×30分、200℃×30分、25
0℃×300分とし、また実施例3〜6および比較例3
の組成物にあっては250℃で10分間とした。さらに
比較例4,5の組成物にあっては180°Cで10分間
とした。
上記の結果から明らかなように、この発明の導電性銀ペ
ースト組成物によれば、高温高湿下の接着力の低下がみ
られない耐湿特性良好で信頼性にすぐれる半導体装置を
提供できるものであることが判る。
ースト組成物によれば、高温高湿下の接着力の低下がみ
られない耐湿特性良好で信頼性にすぐれる半導体装置を
提供できるものであることが判る。
図面は導電性銀ペースト組成物を用いて半導体素子と基
板とを接着固定したときの接着力の測定方法を示す説明
図である。 特許出願人 日東電気工業株式会社 代理人 弁理士祢宜元邦夫
板とを接着固定したときの接着力の測定方法を示す説明
図である。 特許出願人 日東電気工業株式会社 代理人 弁理士祢宜元邦夫
Claims (1)
- (1)つぎの一般式(1); 〔式中、Rは二価の有機基、R′は一価の有機基、nは
1〜1000の整数〕 で表わされるジアミノシロキサン1〜40モル%と、2
・5−ジ(4−アミノフェニル)−3・4−ジフェニル
チオフェンを少なくとも含む芳香族ジアミン60〜99
モル%とからなるジアミノ化合物と、芳香族テトラカル
ボン酸二無水物またはその誘導体とを有機溶剤中で反応
させて得られるシロキサン変性ポリイミド樹脂またはそ
の前駆体の有機溶剤溶液に銀粉を混練したことを特徴と
する導電性銀ペースト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18165483A JPS6071662A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 導電性銀ペ−スト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18165483A JPS6071662A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 導電性銀ペ−スト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6071662A true JPS6071662A (ja) | 1985-04-23 |
Family
ID=16104521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18165483A Pending JPS6071662A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 導電性銀ペ−スト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6071662A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61285191A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-15 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 浮体係留装置 |
| JPS6234418U (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-28 | ||
| JPS62230826A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-09 | Nippon Steel Chem Co Ltd | シリコン変性ポリイミドの製造法 |
| JPH02219312A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-08-31 | Victor Co Of Japan Ltd | 水晶振動子 |
-
1983
- 1983-09-28 JP JP18165483A patent/JPS6071662A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61285191A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-15 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 浮体係留装置 |
| JPS6234418U (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-28 | ||
| JPS62230826A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-09 | Nippon Steel Chem Co Ltd | シリコン変性ポリイミドの製造法 |
| JPH02219312A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-08-31 | Victor Co Of Japan Ltd | 水晶振動子 |
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