JPS609856B2 - 非晶質薄膜形成法 - Google Patents
非晶質薄膜形成法Info
- Publication number
- JPS609856B2 JPS609856B2 JP56145945A JP14594581A JPS609856B2 JP S609856 B2 JPS609856 B2 JP S609856B2 JP 56145945 A JP56145945 A JP 56145945A JP 14594581 A JP14594581 A JP 14594581A JP S609856 B2 JPS609856 B2 JP S609856B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- amorphous thin
- substrate
- forming
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- Expired
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、プラズマ分解法、スパッタリング法等により
、放電雰囲気下で、所要の基板上に非晶質薄膜を堆積し
て形成する非晶質薄膜形成法の改良に関する。
、放電雰囲気下で、所要の基板上に非晶質薄膜を堆積し
て形成する非晶質薄膜形成法の改良に関する。
従来の斯種非晶質薄膜形成法に於ては、プラズマ分解法
によって、基板上に非晶質薄膜を堆積形成する場合で原
理的に述べれば、第１及び第２図に示す如く、導電性を
有する載層台１上に所要の基板２を載遣し、一方、戦置
台１と対向してガス流入孔３を穿設せる電極板４を配し
て而して、載層台１及び電極板４間に電源５を接続して
、戦暦台１及び電極板４間に放電雰囲気を形成せる状態
で「載層台１及び電極板４間に、ガス流入孔３を介して
非晶質薄膜の材料の化合物ガス６（たとえばＳｉＨ４ガ
ス）の如きシリコン化合物ガスを導入せしめて、戦層台
１及び電極板４間で非晶質薄膜の材料の化合物ガス６の
プラズマ７を得、斯くて、第５図に示す如く基板２上に
非品質薄膜８を形成する様になされているのを普通とし
ている。
によって、基板上に非晶質薄膜を堆積形成する場合で原
理的に述べれば、第１及び第２図に示す如く、導電性を
有する載層台１上に所要の基板２を載遣し、一方、戦置
台１と対向してガス流入孔３を穿設せる電極板４を配し
て而して、載層台１及び電極板４間に電源５を接続して
、戦暦台１及び電極板４間に放電雰囲気を形成せる状態
で「載層台１及び電極板４間に、ガス流入孔３を介して
非晶質薄膜の材料の化合物ガス６（たとえばＳｉＨ４ガ
ス）の如きシリコン化合物ガスを導入せしめて、戦層台
１及び電極板４間で非晶質薄膜の材料の化合物ガス６の
プラズマ７を得、斯くて、第５図に示す如く基板２上に
非品質薄膜８を形成する様になされているのを普通とし
ている。
又、スパッタリング法によって、基板上に非晶質薄膜を
堆積形成する場合で原理的に述べれば、第３図及び第４
図に示す如く、第１図及び第２図との対応部分には同一
符号を付して示すも、導電性を有する載層台１上に所要
の基板２を戦置し、一方、敦暦台１を対向して非晶質薄
膜の材料の基体９を配し、而して、戦層台１及び板体９
間に電源５を接続して、敦暦台１及び板体９間に放電雰
囲気を形成せる状態で、載層台１及び板体９間に、板体
９より基板２側に向う板体９の材料のスパッタ１０を得
、斯くて、第５図に示す如く、基板２上に非晶質薄膜を
形成するようになされているのを普通としている。然し
乍ら、第１及び第２図にて上述せるプラズマ分解法によ
る場合、プラズマ７の空間的不均一性の為、非晶質薄膜
８を各部均一の厚さに形成するのが困難であった。
堆積形成する場合で原理的に述べれば、第３図及び第４
図に示す如く、第１図及び第２図との対応部分には同一
符号を付して示すも、導電性を有する載層台１上に所要
の基板２を戦置し、一方、敦暦台１を対向して非晶質薄
膜の材料の基体９を配し、而して、戦層台１及び板体９
間に電源５を接続して、敦暦台１及び板体９間に放電雰
囲気を形成せる状態で、載層台１及び板体９間に、板体
９より基板２側に向う板体９の材料のスパッタ１０を得
、斯くて、第５図に示す如く、基板２上に非晶質薄膜を
形成するようになされているのを普通としている。然し
乍ら、第１及び第２図にて上述せるプラズマ分解法によ
る場合、プラズマ７の空間的不均一性の為、非晶質薄膜
８を各部均一の厚さに形成するのが困難であった。
又、第３図及び第４図にて上述せるスパッタリング法に
よる場合、スパッタ１０の空間的不均一性の為、同様に
非晶質薄膜８を各部均一の厚さに形成するのが困難であ
った。この為、従来、第１及び第２図にて上述せるプラ
ズマ分解法によって非晶質薄膜８を形成する場合、プラ
ズマの空間的不均一性を除去すべく、載層台１を回転せ
しめることにより、基板２を公転又は自転せしめて、非
晶質薄膜８を各部均一の厚さに形成せんとすること、及
び第３及び第４図にて上述せるスパッタリング法によっ
て非晶質薄膜８を形成する場合「 スパッタ１０の空間
的不均一性を除去すべく、同様に敦瞳台１を回転せしめ
ることにより、基板２を公転又は自公転せしめて、非晶
質薄膜８を各部均一の厚さに形成することがなされてい
る。
よる場合、スパッタ１０の空間的不均一性の為、同様に
非晶質薄膜８を各部均一の厚さに形成するのが困難であ
った。この為、従来、第１及び第２図にて上述せるプラ
ズマ分解法によって非晶質薄膜８を形成する場合、プラ
ズマの空間的不均一性を除去すべく、載層台１を回転せ
しめることにより、基板２を公転又は自転せしめて、非
晶質薄膜８を各部均一の厚さに形成せんとすること、及
び第３及び第４図にて上述せるスパッタリング法によっ
て非晶質薄膜８を形成する場合「 スパッタ１０の空間
的不均一性を除去すべく、同様に敦瞳台１を回転せしめ
ることにより、基板２を公転又は自公転せしめて、非晶
質薄膜８を各部均一の厚さに形成することがなされてい
る。
然し乍ら、斯る方法によっても、非晶質薄膜８を各部均
一の厚さに形成することが出来ないものであった。
一の厚さに形成することが出来ないものであった。
因みに「基板２が、例えば長さ２５肌、幅２．５伽の大
きさを有するガラス基板でなり〜而して、その基板２に
非晶質薄膜３を非晶質シリコンでなるものとして形成し
た場合、その非晶質薄膜８が〜第６図にて斜線図示の基
板２の外周側の領域以外の領域においては、予定の濃厚
に対して土３％以内の腰厚の変化しか有していない膜厚
で形成されるが、基板２の外周側の領域において、予定
の膜厚に対して±３％より大なる膜厚の変化を有する膜
厚で形成されるものであった。叙上に鑑み、本発明者は
種々の実験の結果、第１及び第２図にて上述せるプラズ
マ分解法による非晶質薄膜の形成法、及び第３図及び第
４図にて上述せるスパッタリング法による非晶質薄膜形
成法の何れの場合でも「上述せる如くに非晶質薄膜８が
、その全域に亘つて均一の膜厚に形成されないのがへ非
晶質薄膜８が放電雰囲気下で形成されるので、基板２の
エッヂに電界が集中するからであることを確認するに到
った。
きさを有するガラス基板でなり〜而して、その基板２に
非晶質薄膜３を非晶質シリコンでなるものとして形成し
た場合、その非晶質薄膜８が〜第６図にて斜線図示の基
板２の外周側の領域以外の領域においては、予定の濃厚
に対して土３％以内の腰厚の変化しか有していない膜厚
で形成されるが、基板２の外周側の領域において、予定
の膜厚に対して±３％より大なる膜厚の変化を有する膜
厚で形成されるものであった。叙上に鑑み、本発明者は
種々の実験の結果、第１及び第２図にて上述せるプラズ
マ分解法による非晶質薄膜の形成法、及び第３図及び第
４図にて上述せるスパッタリング法による非晶質薄膜形
成法の何れの場合でも「上述せる如くに非晶質薄膜８が
、その全域に亘つて均一の膜厚に形成されないのがへ非
晶質薄膜８が放電雰囲気下で形成されるので、基板２の
エッヂに電界が集中するからであることを確認するに到
った。
又、本発明者は叙上に鑑み、第１及び第２図にて上述せ
るプラズマ分解法による非晶質薄膜の形成法の場合、第
７及び第８図に示す如く、又、第３及び第４図にて上述
せるスパッタリング法による非晶質薄膜の形成法の場合
「第９及び第１０図に示す如く、基板２と同種、同厚の
板体１１を、基板２の周りに、その全域に亘つて同じ面
上に連接した状態に配置した状態で、第１１図に示す如
く非晶質薄膜８を、基板２上に形成する様になせば、板
体１１のエッジに電界が集中するとしても、板体１１の
幅を適当に選定して置くことにより、基板２の全域に各
部均一な電界が得られているので、非晶質薄膜８が、第
１２図にて斜線図示の如く「基板２の全域に於て各部略
々均一の膜厚に形成されることを確認するに到った。
るプラズマ分解法による非晶質薄膜の形成法の場合、第
７及び第８図に示す如く、又、第３及び第４図にて上述
せるスパッタリング法による非晶質薄膜の形成法の場合
「第９及び第１０図に示す如く、基板２と同種、同厚の
板体１１を、基板２の周りに、その全域に亘つて同じ面
上に連接した状態に配置した状態で、第１１図に示す如
く非晶質薄膜８を、基板２上に形成する様になせば、板
体１１のエッジに電界が集中するとしても、板体１１の
幅を適当に選定して置くことにより、基板２の全域に各
部均一な電界が得られているので、非晶質薄膜８が、第
１２図にて斜線図示の如く「基板２の全域に於て各部略
々均一の膜厚に形成されることを確認するに到った。
なお、この場合「板体亀川こも非晶質薄膜８が同時に形
成されるが「その板体１１は、爾後使用されることを予
定しているものではない。
成されるが「その板体１１は、爾後使用されることを予
定しているものではない。
依って「 ここに特許請求の範囲に記載される発明を「
本発明として提案するに到ったもので「その実施例とし
ては、繁亀図及び第２図で上述したように、プラズマ分
解法によって非晶質薄膜を形成する場合、第７図及び第
８図に示す如く、又、第３図及び第４図で上記したよう
にスパッタリング法によって非晶質薄膜を形成する場合
、第９図及び第ＩＱ図に示す如く、基板２と同種、同厚
の板体１１を「基板２の周りに、その全域に亘つて同じ
面上に連接した状態に配した状態で、基板２上に非晶質
薄膜８を形成する。
本発明として提案するに到ったもので「その実施例とし
ては、繁亀図及び第２図で上述したように、プラズマ分
解法によって非晶質薄膜を形成する場合、第７図及び第
８図に示す如く、又、第３図及び第４図で上記したよう
にスパッタリング法によって非晶質薄膜を形成する場合
、第９図及び第ＩＱ図に示す如く、基板２と同種、同厚
の板体１１を「基板２の周りに、その全域に亘つて同じ
面上に連接した状態に配した状態で、基板２上に非晶質
薄膜８を形成する。
斯る本発明による方法によれば、上述したところから明
らかなように、目的とせる非晶質薄膜を、基板上に、各
部均一の厚さに、容易に、形成することができる、とい
う大なる特徴を有する。
らかなように、目的とせる非晶質薄膜を、基板上に、各
部均一の厚さに、容易に、形成することができる、とい
う大なる特徴を有する。
第亀図及び第２図は従来の非晶質薄膜形成法の１つを示
す略線的側面図及びその一部の平面図である。 第３図及び第４図は従来の非晶質薄膜形成法の他の１つ
を示す略線的側面図及びその一部の平面図である。第５
図及び第６図は従来の非晶質薄膜形成法によって得られ
る非晶質薄膜を示す略線的側面図及び平面図である。第
７図及び第８図は夫々本発明による非晶質薄膜形成法の
１つの実施例を示す側面図及びその一部の平面図である
。第９図及び第１０図は本発明による非晶質薄膜形成法
の他の１つの実施例を示す側面図及びその一部の平面図
である。第１１図及び第１２図は本発明による非晶質薄
膜形成法によって得られる非晶質薄膜を示す略線的側面
図及び平面図である。ｊ…萩層台、２・・・基板、３・
・・ガス流入孔、４・・・電極板、５・・・電源、６・
・・化合物ガス、７・・・プラズマ、８・・・非晶質薄
膜、９…板体、１０・・・スパッタリング、１１・・・
板体。第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図
す略線的側面図及びその一部の平面図である。 第３図及び第４図は従来の非晶質薄膜形成法の他の１つ
を示す略線的側面図及びその一部の平面図である。第５
図及び第６図は従来の非晶質薄膜形成法によって得られ
る非晶質薄膜を示す略線的側面図及び平面図である。第
７図及び第８図は夫々本発明による非晶質薄膜形成法の
１つの実施例を示す側面図及びその一部の平面図である
。第９図及び第１０図は本発明による非晶質薄膜形成法
の他の１つの実施例を示す側面図及びその一部の平面図
である。第１１図及び第１２図は本発明による非晶質薄
膜形成法によって得られる非晶質薄膜を示す略線的側面
図及び平面図である。ｊ…萩層台、２・・・基板、３・
・・ガス流入孔、４・・・電極板、５・・・電源、６・
・・化合物ガス、７・・・プラズマ、８・・・非晶質薄
膜、９…板体、１０・・・スパッタリング、１１・・・
板体。第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図
Claims (1)
- １ プラズマ分解法、スパツタリング法等により、放電
雰囲気下で、所要の基板上に非晶質薄膜を堆積して形成
する非晶質薄膜形成法に於て、 上記基板上への非晶質
薄膜の堆積形成を、上記基板と同種、同厚の板体を、上
記基板の周りにその全域に亘つて同じ面上に連接した状
態に配置した状態で行うことを特徴とする非晶質薄膜形
成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145945A JPS609856B2 (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 非晶質薄膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145945A JPS609856B2 (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 非晶質薄膜形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5845735A JPS5845735A (ja) | 1983-03-17 |
| JPS609856B2 true JPS609856B2 (ja) | 1985-03-13 |
Family
ID=15396670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56145945A Expired JPS609856B2 (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 非晶質薄膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609856B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62153051A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Hitachi Ltd | 紙葉類集積機構 |
-
1981
- 1981-09-16 JP JP56145945A patent/JPS609856B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62153051A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Hitachi Ltd | 紙葉類集積機構 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5845735A (ja) | 1983-03-17 |
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