JPS609875A - 光化学反応装置 - Google Patents
光化学反応装置Info
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- JPS609875A JPS609875A JP11552883A JP11552883A JPS609875A JP S609875 A JPS609875 A JP S609875A JP 11552883 A JP11552883 A JP 11552883A JP 11552883 A JP11552883 A JP 11552883A JP S609875 A JPS609875 A JP S609875A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は２００ｎｍ以下の紫外光を照射して１反応ガス
を励起させ、もって化学反応を促進せしめる所謂光化学
反応装置に関するものである。
を励起させ、もって化学反応を促進せしめる所謂光化学
反応装置に関するものである。
近年、集積回路装置の微細化、高密度化に伴い、製造工
程の低温化が非常に重要となってきている。
程の低温化が非常に重要となってきている。
特に４００℃以下の低温に於ける膜形成を可能にする方
法とにプラズマ気相成長法と供に光化学気相成長法（Ｐ
ｈｏｔｏ −Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ以下Ｐｈｏｔｏ−ＣＶＤ法と略す）が注
目されている。
法とにプラズマ気相成長法と供に光化学気相成長法（Ｐ
ｈｏｔｏ −Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ以下Ｐｈｏｔｏ−ＣＶＤ法と略す）が注
目されている。
このＰｈｏｔｏ−ＣＶＤ法はプラズマ気相成長法に対し
膜が成長されるべき基板への損傷がないという利点をも
っている。
膜が成長されるべき基板への損傷がないという利点をも
っている。
このＰｈｏｔｏ−ＣＶＤ法の中で水銀蒸気を反応ガスと
混合させ、紫外光によって先ず水銀原子を光励起させ化
学反応を促進させる。所謂水銀増感法では、２０００ｍ
以上の長波長の紫外光によって光化学反応を生じさせる
事ができる。
混合させ、紫外光によって先ず水銀原子を光励起させ化
学反応を促進させる。所謂水銀増感法では、２０００ｍ
以上の長波長の紫外光によって光化学反応を生じさせる
事ができる。
しかしながらこの水銀増感法では堆積した膜の中に水銀
原子が取り込まれるとか排気ガス中に含まれる水銀原子
の処理が必要である等の問題があった。
原子が取り込まれるとか排気ガス中に含まれる水銀原子
の処理が必要である等の問題があった。
他方、２００ｎｍ以下の波長を用いる場合には。
水銀蒸気等の増感剤は不要となり、直接に反応ガスを光
によって励起する事が出来る。この直接法ノＰｈｏｔｏ
−ＣＶ Ｄに於いては、上述の如（２００ｎｍ以下の
波長の紫外光を用いるが、この２００ｎｍ以下の紫外光
１例えば水銀の吸収線に対応する１８４．９ｎｍの紫外
光等は、空気中の酸素に吸収されてしまうという大きな
問題があった。更に又、空気中の酸素０２やＮ２は、紫
外光で励起された後オゾン０３やオキシナイトライドを
生じるが。
によって励起する事が出来る。この直接法ノＰｈｏｔｏ
−ＣＶ Ｄに於いては、上述の如（２００ｎｍ以下の
波長の紫外光を用いるが、この２００ｎｍ以下の紫外光
１例えば水銀の吸収線に対応する１８４．９ｎｍの紫外
光等は、空気中の酸素に吸収されてしまうという大きな
問題があった。更に又、空気中の酸素０２やＮ２は、紫
外光で励起された後オゾン０３やオキシナイトライドを
生じるが。
これらのガスは人体に害のあるガスであり、この処理が
問題となるという大きな問題もあった。
問題となるという大きな問題もあった。
従って１本発明の目的は上記の問題を除去した。
直接法の光化学反応装置たとえば光化学気相成長装置を
提供する事である。
提供する事である。
本発明の光化学反応装置は光源を含み、該光源から照射
される光が通過する気体領域を、紫外光の減衰が問題に
ならない程度の、１気圧より低い圧力に保つ事を特徴と
する。
される光が通過する気体領域を、紫外光の減衰が問題に
ならない程度の、１気圧より低い圧力に保つ事を特徴と
する。
すなわち本発明の特徴は、紫外光を放射する紫外光源に
よって反応ガスを照射し、光化学反応を促進せしめる光
化学反応気相成長法に於いて、紫外光源部と反応部が該
紫外光を透過させる隔壁で分離され、かつ、紫外光線が
到達しうる気体領域を大気圧より低い圧力に保つ電光化
学反応装置にある。そして紫外光を透過させる隔壁の両
壁面の各々に接する気体領域の圧力差を常に一定に保つ
ようにすることができる。
よって反応ガスを照射し、光化学反応を促進せしめる光
化学反応気相成長法に於いて、紫外光源部と反応部が該
紫外光を透過させる隔壁で分離され、かつ、紫外光線が
到達しうる気体領域を大気圧より低い圧力に保つ電光化
学反応装置にある。そして紫外光を透過させる隔壁の両
壁面の各々に接する気体領域の圧力差を常に一定に保つ
ようにすることができる。
本発明の光化学反応装置たとえば光化学気相成長装置は
、光源から照射される紫外光は減圧に保たれた空間のみ
を照射するから、該紫外光の減衰が生じず、かつ減圧に
保たれている空間は、外部大気から遮蔽されている為、
真空中の残留ガスの励起によって生じるオゾンやオキシ
ナイトライド等の有毒ガスの問題が生じないという効果
を有する様になる。
、光源から照射される紫外光は減圧に保たれた空間のみ
を照射するから、該紫外光の減衰が生じず、かつ減圧に
保たれている空間は、外部大気から遮蔽されている為、
真空中の残留ガスの励起によって生じるオゾンやオキシ
ナイトライド等の有毒ガスの問題が生じないという効果
を有する様になる。
本発明の光化学反応装置は、光源から放射される紫外光
の減衰がない為に１反応部に到達する光の強度が強く、
光化学反応をより活発に生じさせる事が出来るという大
きな利点と、オゾンやオキシナイトライド等の励起ガス
の発生がないため。
の減衰がない為に１反応部に到達する光の強度が強く、
光化学反応をより活発に生じさせる事が出来るという大
きな利点と、オゾンやオキシナイトライド等の励起ガス
の発生がないため。
安全上非常に有利であるという利点をもつ様になる。
次に本発明をよりよく理解するために図面を用いて説明
する。
する。
第１図は従来の光化学気相成長装置を説明するための図
であり、従来の光化学気相成長装置１０１はガスコント
ロールシステム１０２と、サセプター１０３及び２００
ｎｍ以下の波長の紫外光を透過させる窓１０４をもつ反
応チャンバー１０５と。
であり、従来の光化学気相成長装置１０１はガスコント
ロールシステム１０２と、サセプター１０３及び２００
ｎｍ以下の波長の紫外光を透過させる窓１０４をもつ反
応チャンバー１０５と。
紫外光源１０６と、反射板１０７と、ガスを排気するた
めの真空ポンプ１０８とから成る。この従来の光化学気
相成長装置は、紫外光源１０６が大気中に位置している
為、該紫外光源１０６から放射された２００ｎｍ以下の
紫外光によって励起された酸素や窒素から発生したオゾ
ンやオキシナイトライドが人体へ悪影響を与えるという
大きな欠点があった。
めの真空ポンプ１０８とから成る。この従来の光化学気
相成長装置は、紫外光源１０６が大気中に位置している
為、該紫外光源１０６から放射された２００ｎｍ以下の
紫外光によって励起された酸素や窒素から発生したオゾ
ンやオキシナイトライドが人体へ悪影響を与えるという
大きな欠点があった。
第２図は本発明の第１の実施例を説明するための図であ
る。本発明の第１の実施例の光化学気相５− 成長装置２０１は、ガスコントロールシステム２０２と
、サセプター２０３及び紫外光を透過させる窓２０４を
もつ反応チャンバー２０５と、紫外光源２０６と１反射
板２０７と、ガスを排気する真空ポンプ２０８と、該紫
外光源２０６及び反射板２０７を収容する真空容器２０
９と、該真空容器２０９を真空に引く真空ポンプ２１０
とを有している。この第１の実施例の光化学気相成長装
置に於いては、紫外光源２０６は真空容器２０９内に収
容されているから、大気中のガスの吸収による紫外光の
減衰や、オゾンやオキシナイトライドの発生がないとい
う大きな利点をもつ。
る。本発明の第１の実施例の光化学気相５− 成長装置２０１は、ガスコントロールシステム２０２と
、サセプター２０３及び紫外光を透過させる窓２０４を
もつ反応チャンバー２０５と、紫外光源２０６と１反射
板２０７と、ガスを排気する真空ポンプ２０８と、該紫
外光源２０６及び反射板２０７を収容する真空容器２０
９と、該真空容器２０９を真空に引く真空ポンプ２１０
とを有している。この第１の実施例の光化学気相成長装
置に於いては、紫外光源２０６は真空容器２０９内に収
容されているから、大気中のガスの吸収による紫外光の
減衰や、オゾンやオキシナイトライドの発生がないとい
う大きな利点をもつ。
第３図は本発明の第２の実施例を説明するための図であ
る。本発明の第２の実施例の光化学気相成長装置３０１
は、特に説明しない部分は第２図に示した本発明の第１
の実施例と同じ番号で示すが、この第２の実施例では、
真空容器２０９の内部を真空にするのに１反応チャンバ
ー２０５と。
る。本発明の第２の実施例の光化学気相成長装置３０１
は、特に説明しない部分は第２図に示した本発明の第１
の実施例と同じ番号で示すが、この第２の実施例では、
真空容器２０９の内部を真空にするのに１反応チャンバ
ー２０５と。
該真空容器２０９の間をガス配管３０２と圧力制御計３
０３を介して、結合し真空容器２０９内部−６＝ の真空度と反応チャンバ−２０５内部の真空度を常に一
定の圧力差に、一般的には真空容器２０９内の圧力を若
干高めに保つ構造をとる。この本発明の第２の実施例に
於いては１本発明の第１の実施例に於ける利点に加えて
紫外光を透過させる窓２０４が機械的強）辻の小さい、
螢石等の材料で構成された場合でも、真空容器２０９と
反応チャンバー２０５の差圧を常に一定に保てる為に反
応チャンバー２０５の真壁度の急激な変化があっても窓
２０４が圧力差の為に破壊するという危険がなくなると
いう利点を有する様になる。
０３を介して、結合し真空容器２０９内部−６＝ の真空度と反応チャンバ−２０５内部の真空度を常に一
定の圧力差に、一般的には真空容器２０９内の圧力を若
干高めに保つ構造をとる。この本発明の第２の実施例に
於いては１本発明の第１の実施例に於ける利点に加えて
紫外光を透過させる窓２０４が機械的強）辻の小さい、
螢石等の材料で構成された場合でも、真空容器２０９と
反応チャンバー２０５の差圧を常に一定に保てる為に反
応チャンバー２０５の真壁度の急激な変化があっても窓
２０４が圧力差の為に破壊するという危険がなくなると
いう利点を有する様になる。
尚、実施例では光化学気相成長装置について述べて来た
が、本発明の装置の構造は２００ｎｍ以下の波長の紫外
光源を用いる光化学エツチング装置や、紫外線によって
基板表面を清浄化する光化学洗浄装置にも適用できる争
は明白であろう。
が、本発明の装置の構造は２００ｎｍ以下の波長の紫外
光源を用いる光化学エツチング装置や、紫外線によって
基板表面を清浄化する光化学洗浄装置にも適用できる争
は明白であろう。
第１図は従来の光化学気相成長を説明するための図、第
２図は本発明の第１の実施例の光化学気相成長装置を説
明するための図、第３図は本発明の第２の実施例の光化
学気相成長装置を説明するための図である。 尚１図において、１０１，２０１，３０１・・明光化学
気相成長装置、１０２，２０２・・曲ガスコントロール
システム％ １０３，２０３・・曲サセプター、ｌＯ４
，２ｏ４・・曲窓、１０５，２０５−曲反応−ｆ−ｗン
バー、１０６，２０６・・・用紫外光源、１０７，２０
７・・−・・・反射板、１０８，２０８，２１０・・曲
真空ポンプ。 ２０９・・・・・・真空容器、３ｏ２・・曲ガス配管、
３ｏ３・・・・・・圧力制御計である。 ￥−Ｉ Ｔ￥］ 隼 ２ 回
２図は本発明の第１の実施例の光化学気相成長装置を説
明するための図、第３図は本発明の第２の実施例の光化
学気相成長装置を説明するための図である。 尚１図において、１０１，２０１，３０１・・明光化学
気相成長装置、１０２，２０２・・曲ガスコントロール
システム％ １０３，２０３・・曲サセプター、ｌＯ４
，２ｏ４・・曲窓、１０５，２０５−曲反応−ｆ−ｗン
バー、１０６，２０６・・・用紫外光源、１０７，２０
７・・−・・・反射板、１０８，２０８，２１０・・曲
真空ポンプ。 ２０９・・・・・・真空容器、３ｏ２・・曲ガス配管、
３ｏ３・・・・・・圧力制御計である。 ￥−Ｉ Ｔ￥］ 隼 ２ 回
Claims (2)
- （１）紫外光を放射する紫外光源によって反応ガスを照
射し、光化学反応を促進せしめる光化学反応気相成長法
に於いて、紫外光源部と反応部とが該紫外光を透過させ
る隔壁で分離され、かつ該紫外光源部は大気圧より低い
圧力に保たれていることを特徴とする光化学反応装置。 - （２）紫外光を透過させる隔壁の両壁面の各々に接する
両気体領域の圧力は常に大気圧より低い圧力値に保たれ
てかつ該両気体領域の圧力差を一定に保つようにしたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の光化学
反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11552883A JPS609875A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 光化学反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11552883A JPS609875A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 光化学反応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS609875A true JPS609875A (ja) | 1985-01-18 |
Family
ID=14664756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11552883A Pending JPS609875A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 光化学反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609875A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6228871U (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-21 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59129770A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-26 | Ushio Inc | 光化学蒸着装置 |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP11552883A patent/JPS609875A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59129770A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-26 | Ushio Inc | 光化学蒸着装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6228871U (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-21 |
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