JPS6032322A - レジスト膜除去装置 - Google Patents
レジスト膜除去装置Info
- Publication number
- JPS6032322A JPS6032322A JP58141318A JP14131883A JPS6032322A JP S6032322 A JPS6032322 A JP S6032322A JP 58141318 A JP58141318 A JP 58141318A JP 14131883 A JP14131883 A JP 14131883A JP S6032322 A JPS6032322 A JP S6032322A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- plasma
- resist
- wafer
- remaining
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体装置の製造の際用いられるレジスト膜
を除去するレジスト膜除去装置の改良に関する。
を除去するレジスト膜除去装置の改良に関する。
周知の如く、ＬＳＩ等の半導体装置の製造においては、
微細パターン形成のためにフォトリングラフイー技術が
用いられている。この際、レジスト膜と呼ばれる感光剤
上に・ぐターンを焼き付け、このレジスト膜をマスクと
して種々の処理が行なわれている。そして、処理後のレ
ジスト膜は、従来、強酸＋０２プラズマ等によシ除去さ
れている。
微細パターン形成のためにフォトリングラフイー技術が
用いられている。この際、レジスト膜と呼ばれる感光剤
上に・ぐターンを焼き付け、このレジスト膜をマスクと
して種々の処理が行なわれている。そして、処理後のレ
ジスト膜は、従来、強酸＋０２プラズマ等によシ除去さ
れている。
しかしながら、強酸などの薬品によりレジスト膜を除去
する方法では、処理時に薬品によって除去されたレジス
ト膜がＬＳＩに付着したシ、薬品自体に危険性が存在す
るという欠点を有する。このようなことから、最近、０
２プラズマによりレジスト膜の除去が一般化しつつある
。
する方法では、処理時に薬品によって除去されたレジス
ト膜がＬＳＩに付着したシ、薬品自体に危険性が存在す
るという欠点を有する。このようなことから、最近、０
２プラズマによりレジスト膜の除去が一般化しつつある
。
しかしながら、最近のＬＳＩの製造にはＲＩＥ（Ｒｅａ
ｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ ）やイオンプラ
ンテーシヨンなどの手段が用いられているため、これら
の処理を行なった後のレジスト膜は処理前と比べ分子構
造が変わっており、０２プラズマによる方法では第１図
に示す如くエツチング能力（し臣■医劣り チング速度との関係を示す曲線を、（Ｂ）はＲＩＥ、後
のレノスト膜の処理時間とエツチング速度との関係を示
す曲線を夫々示す。
ｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ ）やイオンプラ
ンテーシヨンなどの手段が用いられているため、これら
の処理を行なった後のレジスト膜は処理前と比べ分子構
造が変わっており、０２プラズマによる方法では第１図
に示す如くエツチング能力（し臣■医劣り チング速度との関係を示す曲線を、（Ｂ）はＲＩＥ、後
のレノスト膜の処理時間とエツチング速度との関係を示
す曲線を夫々示す。
また、０□グ２ズマによる方法によれば、段差部などで
レジスト膜を完全に除去できず、レジスト残シが生ずる
。その結果、レジスト膜除去後の工程において、パター
ンくずれやカーボン汚染をひき起こし、素子の歩留シを
低下させる。
レジスト膜を完全に除去できず、レジスト残シが生ずる
。その結果、レジスト膜除去後の工程において、パター
ンくずれやカーボン汚染をひき起こし、素子の歩留シを
低下させる。
〔発明の目的）
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、従来の０２
プラズマを用いた装置に紫外線源を設けることによシレ
ジスト膜の除去能力を向上しえるレジスト膜除去装置を
提供することを目的とするものである。
プラズマを用いた装置に紫外線源を設けることによシレ
ジスト膜の除去能力を向上しえるレジスト膜除去装置を
提供することを目的とするものである。
本発明は、従来のＯ，ｆラズマによるレジスト膜除去装
置の真空チャンバー内に紫外線源を発生期の酸素原子の
発生を促すとともに、ウェーハ上に残存するレノスト膜
の分解を進め、これによシ分解の進んだレジスト膜を０
２プラズマ、オゾン、発生期の酸素原子と反応させて、
水、炭化水素等の形ですみやかに真空系に排気させ、も
ってレジスト膜をすみやかに除去できることを骨子とす
るものである。
置の真空チャンバー内に紫外線源を発生期の酸素原子の
発生を促すとともに、ウェーハ上に残存するレノスト膜
の分解を進め、これによシ分解の進んだレジスト膜を０
２プラズマ、オゾン、発生期の酸素原子と反応させて、
水、炭化水素等の形ですみやかに真空系に排気させ、も
ってレジスト膜をすみやかに除去できることを骨子とす
るものである。
以下、本発明の一実施例を第２図を参照して説明する。
図中の１は、真空チャンバーである。このチャンバー１
は配管２を介して減圧が可能な構造となっているととも
に、配管３がら０２ガスを導入できる。同チャンバー１
の底部には、ウェハをセットするウェハキャリア４が載
置されてイル。同チャンバー１の底部には、２ケの板状
の印加電極５，５が前記ウェハキャリア４を快むように
対向して設けられている。このＲＦ印加電極５，５は、
真空チャンバー１に近接して設けられたＲＦ発生器６に
電気的に接続している。
は配管２を介して減圧が可能な構造となっているととも
に、配管３がら０２ガスを導入できる。同チャンバー１
の底部には、ウェハをセットするウェハキャリア４が載
置されてイル。同チャンバー１の底部には、２ケの板状
の印加電極５，５が前記ウェハキャリア４を快むように
対向して設けられている。このＲＦ印加電極５，５は、
真空チャンバー１に近接して設けられたＲＦ発生器６に
電気的に接続している。
同チャンバー１の上方の角部には、紫外線源としての電
力５００Ｗの２本の′低圧水銀灯７，７が設けられてい
る。また、低圧水銀灯７，７と前記チャンバー１の壁部
間には、低圧水銀灯７，７からの紫外線を効率よくウェ
ハに照射するだめの反射鏡８，８が設けられている。
力５００Ｗの２本の′低圧水銀灯７，７が設けられてい
る。また、低圧水銀灯７，７と前記チャンバー１の壁部
間には、低圧水銀灯７，７からの紫外線を効率よくウェ
ハに照射するだめの反射鏡８，８が設けられている。
しかして、前述した構造のレジスト膜除去装置によれば
、真空チャンバー１内に低圧水銀灯７．７を設けた構造
となっているため、低圧水銀灯７，７からの紫外線によ
りＯ，ｆラズマ。
、真空チャンバー１内に低圧水銀灯７．７を設けた構造
となっているため、低圧水銀灯７，７からの紫外線によ
りＯ，ｆラズマ。
オゾン、酸素原子の発生を促すとともに、ウニ・・上に
残存するレジスト膜の分解を進めることができる。その
結果、分解の進んだレジスト膜を０□プラズマ、オゾン
、発生期の酸素原子と反応させ、レジスト膜を水、炭化
水素の形ですみやかに真空系によシ排気できる。したが
って、従来と比ベレジスト膜のエツチング速度を著しく
向上でき、レジスト残シはきわめて少なかった。したが
って、レジスト残シに起因する素子の歩留シを向上でき
る。事実、第３図に示すような分光吸収特性を持っボッ
型レジストを用いて通常用いられる露光によシウェハ９
上にパターンを形成し、ＲＩＥによシエッチング後、本
発明装置を用いて０２圧力を１０ Ｔｏｒｒ、周波数１
３．５６０ＭＨｚ、電力５００Ｗの条件でレジスト膜の
除去を行なったところ、第４図に示す如く、エツチング
速度が紫外線を照射しない場合と比べ、約５０チ向上し
た。なお、図中の（４）は紫外線を照射した場合の処理
時間とエツチング速度の関係を示す曲線を、（Ｂ）は紫
外線を照射しない場合の処理時間とエツチング速度の関
係を示す曲線を夫々示す。同図よシ、紫外線を照射した
場合のエツチング速度が照射しない場合と比べ著しく向
上していることが確認できる。
残存するレジスト膜の分解を進めることができる。その
結果、分解の進んだレジスト膜を０□プラズマ、オゾン
、発生期の酸素原子と反応させ、レジスト膜を水、炭化
水素の形ですみやかに真空系によシ排気できる。したが
って、従来と比ベレジスト膜のエツチング速度を著しく
向上でき、レジスト残シはきわめて少なかった。したが
って、レジスト残シに起因する素子の歩留シを向上でき
る。事実、第３図に示すような分光吸収特性を持っボッ
型レジストを用いて通常用いられる露光によシウェハ９
上にパターンを形成し、ＲＩＥによシエッチング後、本
発明装置を用いて０２圧力を１０ Ｔｏｒｒ、周波数１
３．５６０ＭＨｚ、電力５００Ｗの条件でレジスト膜の
除去を行なったところ、第４図に示す如く、エツチング
速度が紫外線を照射しない場合と比べ、約５０チ向上し
た。なお、図中の（４）は紫外線を照射した場合の処理
時間とエツチング速度の関係を示す曲線を、（Ｂ）は紫
外線を照射しない場合の処理時間とエツチング速度の関
係を示す曲線を夫々示す。同図よシ、紫外線を照射した
場合のエツチング速度が照射しない場合と比べ著しく向
上していることが確認できる。
また、本発明によれば、第３図に示すような分光吸収特
性を持つレジスト膜に対しては吸収のピーク値に対応す
る波長の元を照射することニヨシ、エツチング速度を更
に向上できる。
性を持つレジスト膜に対しては吸収のピーク値に対応す
る波長の元を照射することニヨシ、エツチング速度を更
に向上できる。
なお、上記実施例では、紫外線源として低圧水銀灯を用
いたが、これに限らず、例えば水銀・キセノン灯の他の
紫外線源を用いてもよい。また、低圧水銀灯の本数は、
上記実施例の如く、２本に限らず、第５図に示す如く多
数の低圧水銀灯をウェハ９・・・の上下左右の周囲でか
つウェハ９・・・の外周部Ａするように配置してもよい
。
いたが、これに限らず、例えば水銀・キセノン灯の他の
紫外線源を用いてもよい。また、低圧水銀灯の本数は、
上記実施例の如く、２本に限らず、第５図に示す如く多
数の低圧水銀灯をウェハ９・・・の上下左右の周囲でか
つウェハ９・・・の外周部Ａするように配置してもよい
。
この場合、ウェハ９・・・への紫外線の照射量が実施例
の場合と比べて多くなり、レジスト膜のエツチング速度
を向上できる。
の場合と比べて多くなり、レジスト膜のエツチング速度
を向上できる。
また、上記実施例では、ＲＦ印加電極が板状の場合につ
いて述べたが、これに限らず、他の種々の形態の場合で
もよい。例えば、第６図に示す如く、複数の低圧水銀灯
１１・・・にコイル状のＲＦ印加電極１２・・・を巻き
付けて低圧水銀灯と一体化してもよい。この場合、真空
チャン／マー（図示せず）内の空間を有効に利用できる
とともに、紫外線のウェノ・への照射量を多くしてレジ
スト膜のエツチング速度を向上できる。
いて述べたが、これに限らず、他の種々の形態の場合で
もよい。例えば、第６図に示す如く、複数の低圧水銀灯
１１・・・にコイル状のＲＦ印加電極１２・・・を巻き
付けて低圧水銀灯と一体化してもよい。この場合、真空
チャン／マー（図示せず）内の空間を有効に利用できる
とともに、紫外線のウェノ・への照射量を多くしてレジ
スト膜のエツチング速度を向上できる。
更に、上記実施例では、ウェハを立てた状態で配置する
場合について述べたが、これに限らず、例えばウェハの
面を上に向けた状態でもよい。この場合、実施例と比べ
、紫外線の照射効率を向上できる。
場合について述べたが、これに限らず、例えばウェハの
面を上に向けた状態でもよい。この場合、実施例と比べ
、紫外線の照射効率を向上できる。
以上詳述した如く本発明によれば、レジスト膜の除去能
力を向上し、歩留りの良好なレジスト膜除去装置を提供
することを目的とするものである。
力を向上し、歩留りの良好なレジスト膜除去装置を提供
することを目的とするものである。
第１図はレジスト膜のＲＩＥ 、イオングランテーンヨ
ン前後の処理時間とエツチング速度との関係を示す特性
図、第２図は本発明の一実施例に係るレジスト膜除去装
置の説明図、第３図は第２図図示の装置によって除去し
たボッ型レジスト膜の分光吸収特性図、第４図は同装置
による紫外線を照射した時としない時のレジスト膜の処
理時間とエツチング速度との関係を示す特性図、第５図
及び第６図は本発明の他の実施例を示すレジスト膜除去
装置の説明図である。 １・・・真空チャンバー、４・・・ウェハキャリア、ゝ
７−；、ｊ。 与・ｉ・、； ５．１２・・・ＲＦ印加電極、６・・・ＲＦ発生器、
７゜１１・・・低圧水銀灯（紫外線源）、８・・・反射
鏡、９ ・・・ ウ ェ ノ・ 。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 １ ＠ ０ ５ １０ 久埋吟肉 （ｍｉｎ） 第２図 第３図 第４図 ＡｉＪｅｒ’Ｉ （ｍｉｎ）
ン前後の処理時間とエツチング速度との関係を示す特性
図、第２図は本発明の一実施例に係るレジスト膜除去装
置の説明図、第３図は第２図図示の装置によって除去し
たボッ型レジスト膜の分光吸収特性図、第４図は同装置
による紫外線を照射した時としない時のレジスト膜の処
理時間とエツチング速度との関係を示す特性図、第５図
及び第６図は本発明の他の実施例を示すレジスト膜除去
装置の説明図である。 １・・・真空チャンバー、４・・・ウェハキャリア、ゝ
７−；、ｊ。 与・ｉ・、； ５．１２・・・ＲＦ印加電極、６・・・ＲＦ発生器、
７゜１１・・・低圧水銀灯（紫外線源）、８・・・反射
鏡、９ ・・・ ウ ェ ノ・ 。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 １ ＠ ０ ５ １０ 久埋吟肉 （ｍｉｎ） 第２図 第３図 第４図 ＡｉＪｅｒ’Ｉ （ｍｉｎ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 半導体装置の際用いられるレジスト膜を０２ｆラ
ズマによシ除去する装置において、ＲＦ発生器と、内部
にウェハを載置する真空チャ／バーと、この真空チャン
バー内に設けられ、かつ前記ＲＦ発生器に接続し７’ｃ
ＲＦ印加電極と、同チャンバー内に設けられた紫外線源
とを具備することを特徴とするレジスト膜除去装置。 ２、紫外線源として低圧水銀灯あるいは水銀・キセノン
灯を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のレジスト膜除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141318A JPS6032322A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | レジスト膜除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141318A JPS6032322A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | レジスト膜除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032322A true JPS6032322A (ja) | 1985-02-19 |
Family
ID=15289119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58141318A Pending JPS6032322A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | レジスト膜除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032322A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61123143A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-11 | Fujitsu Ltd | レジスト灰化方法 |
| JPS61154038A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Plasma Syst:Kk | ドライアツシング装置 |
| JPS61216328A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-09-26 | Fujitsu Ltd | 真空紫外光アツシング装置 |
| JPS6340320A (ja) * | 1986-08-05 | 1988-02-20 | Fujitsu Ltd | ドライアツシング装置 |
| JPS63303085A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-09 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエッチング方法 |
| JPH0313702U (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-12 | ||
| JPH0362911A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属化フィルムコンデンサとその製造方法 |
| US5417826A (en) * | 1992-06-15 | 1995-05-23 | Micron Technology, Inc. | Removal of carbon-based polymer residues with ozone, useful in the cleaning of plasma reactors |
-
1983
- 1983-08-02 JP JP58141318A patent/JPS6032322A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61123143A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-11 | Fujitsu Ltd | レジスト灰化方法 |
| JPS61154038A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Plasma Syst:Kk | ドライアツシング装置 |
| JPS61216328A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-09-26 | Fujitsu Ltd | 真空紫外光アツシング装置 |
| JPS6340320A (ja) * | 1986-08-05 | 1988-02-20 | Fujitsu Ltd | ドライアツシング装置 |
| JPS63303085A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-09 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエッチング方法 |
| JPH0313702U (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-12 | ||
| JPH0362911A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属化フィルムコンデンサとその製造方法 |
| US5417826A (en) * | 1992-06-15 | 1995-05-23 | Micron Technology, Inc. | Removal of carbon-based polymer residues with ozone, useful in the cleaning of plasma reactors |
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