JPS6099561A - 精密加工法 - Google Patents
精密加工法Info
- Publication number
- JPS6099561A JPS6099561A JP59206629A JP20662984A JPS6099561A JP S6099561 A JPS6099561 A JP S6099561A JP 59206629 A JP59206629 A JP 59206629A JP 20662984 A JP20662984 A JP 20662984A JP S6099561 A JPS6099561 A JP S6099561A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- water
- supporting surface
- raw material
- precision
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
- B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
水溝又は水穴内の水により氷結刺着し、その状態におい
て同原材料を加工することを斗ｊＩ徴とする精冨加工法
に関するものであってシリコンウェハー′）°の粘Ｘビ
７；し化加工、対称度精富加工を能率良く行うことを１
」白りとするものである。
て同原材料を加工することを斗ｊＩ徴とする精冨加工法
に関するものであってシリコンウェハー′）°の粘Ｘビ
７；し化加工、対称度精富加工を能率良く行うことを１
」白りとするものである。
本発明を図面に小才実施例について説明すると機枠に回
転台盤１を設け、同回転台盤１の支持面２（台面）に対
面する面３をイＪする回転盤・１をｊ，１降調ｆη１１
１在に設けてなる仕Ｊ二ＮＨ ５において、Ｊ−記支持
面２に第４図〜第１３図に示すように水溝又は水穴８を
設は水嵩又は水穴８から表面張力によって若干盛上った
水をシリコンウェハー７（薄い半導体板）で押えて水膜
層（４〜７Å以上）を形成する。そして支持面２の支軸
９を上記回転台盤ｌの軸受に支持するものである。この
ようにして上記シリコンウェハー７の載置部即ち仕上加
工部６を一２０６Ｃ以下（−３０〜−５０℃以下）に保
持し、同回転台盤１の支持面２にシリコンウェハー７（
薄い半導体板）を支持することが出来る。シリコンウェ
ハー７に代えてカラス薄片（ウェハー７へのプリント配
線透写用印画又は陽画ガラス薄板）、ＧＧＧ （カドリ
ニウム・ガリウムΦカーネット）、フェライト、水晶お
よびセラミック、カリュームひ素その他の半導体および
金属等の材料であっても良い。そして回転台盤１および
回転盤４を第１図に示すように矢印の方向に適当な圧力
で相対運動させ研１＆剤を用いて上記によりウェハー７
の上面を１￥耗と研削の内作用によりＨｆ２きカッ同ウ
ェハー７の厚さを３００ル以下に形成することか出来る
。その後電磁波その他の手段により」二記氷結を溶解し
同ウェハー７を支持面２から分離し同ウェハー７を反転
して上述同様に同ウェハー７を四面２に支持し上述同様
に同ウェハー７の上面を磨き同ウェハー７の表”Ａ ＋
ｒ＋：Ｊ面を支十〜面２と対Ｗｊ３の平行精度と同一精
度の平行面に仕上げることが出来る。
転台盤１を設け、同回転台盤１の支持面２（台面）に対
面する面３をイＪする回転盤・１をｊ，１降調ｆη１１
１在に設けてなる仕Ｊ二ＮＨ ５において、Ｊ−記支持
面２に第４図〜第１３図に示すように水溝又は水穴８を
設は水嵩又は水穴８から表面張力によって若干盛上った
水をシリコンウェハー７（薄い半導体板）で押えて水膜
層（４〜７Å以上）を形成する。そして支持面２の支軸
９を上記回転台盤ｌの軸受に支持するものである。この
ようにして上記シリコンウェハー７の載置部即ち仕上加
工部６を一２０６Ｃ以下（−３０〜−５０℃以下）に保
持し、同回転台盤１の支持面２にシリコンウェハー７（
薄い半導体板）を支持することが出来る。シリコンウェ
ハー７に代えてカラス薄片（ウェハー７へのプリント配
線透写用印画又は陽画ガラス薄板）、ＧＧＧ （カドリ
ニウム・ガリウムΦカーネット）、フェライト、水晶お
よびセラミック、カリュームひ素その他の半導体および
金属等の材料であっても良い。そして回転台盤１および
回転盤４を第１図に示すように矢印の方向に適当な圧力
で相対運動させ研１＆剤を用いて上記によりウェハー７
の上面を１￥耗と研削の内作用によりＨｆ２きカッ同ウ
ェハー７の厚さを３００ル以下に形成することか出来る
。その後電磁波その他の手段により」二記氷結を溶解し
同ウェハー７を支持面２から分離し同ウェハー７を反転
して上述同様に同ウェハー７を四面２に支持し上述同様
に同ウェハー７の上面を磨き同ウェハー７の表”Ａ ＋
ｒ＋：Ｊ面を支十〜面２と対Ｗｊ３の平行精度と同一精
度の平行面に仕上げることが出来る。
従来支持面２に上記ウェハー７を接着剤によって接着し
たものである。ところが接着剤は柔軟であるためウェハ
ー７の下面と支持面２とを平行に保ハし難く、かつ接着
剤は薄くすると分子構造の限界に辻して接着力を失うし
、接７１剤は加熱および溶剤により固定および分子１１
させるため作業能率を向」二し知い欠陥があった。
たものである。ところが接着剤は柔軟であるためウェハ
ー７の下面と支持面２とを平行に保ハし難く、かつ接着
剤は薄くすると分子構造の限界に辻して接着力を失うし
、接７１剤は加熱および溶剤により固定および分子１１
させるため作業能率を向」二し知い欠陥があった。
本発明は上記欠陥に鑑みなされたものであって、本発明
は上述のように支持面と原材料とを支持面に形成した水
溝又は水穴内の水により氷結千１ノｊし、その状７ｍ’
）において同ノル（材料を加工することを４、〜徴とす
る精布加工法であるから、支持面と原材料とは水の凍結
によって富着し、支持面２と原材料７の下面とを平行に
保持し得て原材料７の対称精度および平行精度を向上し
かつ同原材料７の厚さを著しく減少し得るばかりでなく
、原材料７は迅速に付着しかつ解凍により迅速に分離し
作業能率を向上し得る効果がある。
は上述のように支持面と原材料とを支持面に形成した水
溝又は水穴内の水により氷結千１ノｊし、その状７ｍ’
）において同ノル（材料を加工することを４、〜徴とす
る精布加工法であるから、支持面と原材料とは水の凍結
によって富着し、支持面２と原材料７の下面とを平行に
保持し得て原材料７の対称精度および平行精度を向上し
かつ同原材料７の厚さを著しく減少し得るばかりでなく
、原材料７は迅速に付着しかつ解凍により迅速に分離し
作業能率を向上し得る効果がある。
第１図は本発明による加工状態を示す正面図、第２図は
原材料支持面の平面図、第３図は原材料との容器内氷結
状態の正面図、第４図は支持面の他の実施例の平面図、
第５図は第４図の正面図、第６図は支持面の他の実施例
の平面図、第７図は負′シロ図の正面図、第８図は支持
面の他の実施例の平面図、第９図は第８図の正面図、第
１０図は支持面の他の実施例の平面図、第１１図は第１
０図の拡大正面図、第１２図は支持面のその他の実施例
の平面図、第１３図は第１２図の拡大正面図で ゛ある
。 ２・・支持面、７・・原材料、８・・水溝又は水穴。 特許出願人 長 浦 善 昭
原材料支持面の平面図、第３図は原材料との容器内氷結
状態の正面図、第４図は支持面の他の実施例の平面図、
第５図は第４図の正面図、第６図は支持面の他の実施例
の平面図、第７図は負′シロ図の正面図、第８図は支持
面の他の実施例の平面図、第９図は第８図の正面図、第
１０図は支持面の他の実施例の平面図、第１１図は第１
０図の拡大正面図、第１２図は支持面のその他の実施例
の平面図、第１３図は第１２図の拡大正面図で ゛ある
。 ２・・支持面、７・・原材料、８・・水溝又は水穴。 特許出願人 長 浦 善 昭
Claims (1)
- １〕支持面とＢ１（材料とを支持面に形成した水溝又は
水穴内の水により氷結性！，し、その状態において同Ｊ
ｂＣ材料を加工することを特徴とする精冨加工法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59206629A JPS6099561A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 精密加工法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59206629A JPS6099561A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 精密加工法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57149600A Division JPS5937045A (ja) | 1982-07-29 | 1982-08-26 | 精密加工法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6099561A true JPS6099561A (ja) | 1985-06-03 |
Family
ID=16526529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59206629A Pending JPS6099561A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 精密加工法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6099561A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0786803A1 (en) * | 1996-01-25 | 1997-07-30 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Backing pad and method for polishing semiconductor wafer therewith |
| EP0798078A3 (en) * | 1996-03-28 | 1998-04-08 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for manufacturing backing pad and apparatus used therefor |
-
1984
- 1984-10-01 JP JP59206629A patent/JPS6099561A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0786803A1 (en) * | 1996-01-25 | 1997-07-30 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Backing pad and method for polishing semiconductor wafer therewith |
| EP0798078A3 (en) * | 1996-03-28 | 1998-04-08 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for manufacturing backing pad and apparatus used therefor |
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