JPS61100788A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents
電気光学装置の製造方法Info
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- JPS61100788A JPS61100788A JP59222549A JP22254984A JPS61100788A JP S61100788 A JPS61100788 A JP S61100788A JP 59222549 A JP59222549 A JP 59222549A JP 22254984 A JP22254984 A JP 22254984A JP S61100788 A JPS61100788 A JP S61100788A
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、各画素に結合され２ＭＩＭ素子が自己整合法
にエリ形成された電気光学装置の製造方法に関する。
にエリ形成された電気光学装置の製造方法に関する。
従来のＭＩＭ素子を結合した電気光学装置の製造方法と
して、８．ＭｏｒＯｓｇｕｍｉ、ｅｔ ａｌ Ｊａ
ｐａｎＤｉｓｐｌａｙ ’８５．Ｐ、＋０４−４０７．
１９８５があり、１画素の断面を第４図に示す。基板１
上にＭＩＭ素子の第１の電極２及び絶縁体５を形成し所
定の形状に加工するつ次に透明画素成極６ｔ−形成し所
定の形状に加工した後、第１電極のサイドに陽極酸化法
に工す絶縁体４を形成する。続いてＭＩＭ素子の第２の
電極５が透明画素゛電極６と電気的にコンタクトがとれ
、しかもＭＩＭ素子の非線形特性を上げるためＭＩＭ素
子の＠１の電極２との重なり部１５を、できるだけ小さ
くする様に形成加工されていた。
して、８．ＭｏｒＯｓｇｕｍｉ、ｅｔ ａｌ Ｊａ
ｐａｎＤｉｓｐｌａｙ ’８５．Ｐ、＋０４−４０７．
１９８５があり、１画素の断面を第４図に示す。基板１
上にＭＩＭ素子の第１の電極２及び絶縁体５を形成し所
定の形状に加工するつ次に透明画素成極６ｔ−形成し所
定の形状に加工した後、第１電極のサイドに陽極酸化法
に工す絶縁体４を形成する。続いてＭＩＭ素子の第２の
電極５が透明画素゛電極６と電気的にコンタクトがとれ
、しかもＭＩＭ素子の非線形特性を上げるためＭＩＭ素
子の＠１の電極２との重なり部１５を、できるだけ小さ
くする様に形成加工されていた。
しかしながら従来のシ造方法では、電気光学装置の表示
品質を低下させない様なＭＩＭ素子の非線形特性を出す
ためには、ＭＩＭ素子の第２の電極５ｔ−形成する除フ
ァインフォトリソ技術、特にファイ／アライメントを必
要としなければならず、歩留を低下させコストを高くし
ていた。
品質を低下させない様なＭＩＭ素子の非線形特性を出す
ためには、ＭＩＭ素子の第２の電極５ｔ−形成する除フ
ァインフォトリソ技術、特にファイ／アライメントを必
要としなければならず、歩留を低下させコストを高くし
ていた。
本発明は、かかる欠点を除去したもので、その目的は、
ネガタイプフォトレジストを用いた自己整合法により、
非線形特性の良好ｆｉＭＩＭ素子を形成し１表示品質の
高い電気光学装置の製造方法を提供することにある２ 以下、実施例をあげ本発明の詳細な説明する。
ネガタイプフォトレジストを用いた自己整合法により、
非線形特性の良好ｆｉＭＩＭ素子を形成し１表示品質の
高い電気光学装置の製造方法を提供することにある２ 以下、実施例をあげ本発明の詳細な説明する。
〔実施例１〕
第１図−（ａ） ＃ （ｂ）に本発明に基づくプロセス
を示ｌ し、第１図−（ｃ） Ｋ上記プロセス
に基づいて製作したＭＩＭ素子群の１部平面図を示すｃ
第１図−（ａｔに示す如く、基板１上にＭＩＭ素子の第
１の電極２を形成し所定の形状に加工し、仄にＭＩＭ素
子の＠１の電極２の表面にＭＩＭ素子の絶縁体４を形成
する。仄にＭＩＭ素子の第２の電極５及び透明電極６を
形成する。尚ＭＩＭ素子の第２の電極５のｌＩ！厚はｚ
ｏｏＸ以下とする。仄にネガタイプフォトレジスト１４
を形成し、ＭＩＭ素子の第１の電極２をマスクとして基
板裏面より、紫外線１５により露光する自己整合法を行
なう。ＭＩＭ素子の第１の電極２は一般にＡｔ 、 Ｔ
ａ等の金属を使用するために紫外線１５は透過しない
。又ＭＩＭ素子の第２の金属５も、一般にＡＩ 、 Ｔ
ａ 、 Ｏｒ等の金属が用いられるが喚厚が２００Ｘ
以下であるため紫外線１５を透過する。透明電極６は透
明であるので紫外線を透過する。この結果、ＭＩＭ素子
の第１の金属２にエリマスクされた以外の所は紫外線１
５に工り露光される。次にネガタイプフォトレジスト１
４を現像し、透明電極６及びＭＩＭ素子の第２のｔ極５
を除去すると第１図−（１））に示す工うになる。すな
わち、表面にＭＩＭ素子の絶縁体４が形成されているＭ
ＩＭ素子の第１の電極２の側面部１６にのみＭＩＭ素子
の第２の電極５及び西明電極６が残る。次にネガタイプ
フォトレジスト１４を除去し第１図−（Ｃ）≦示すよう
にＭＩＭ素子の第２の１１１極５及び透明電極６′ｔ−
所定の形状に加工する。このとき電気光学装置の画素面
積が決定されるとともに、ＭＩＭ素子の長さ１７が決定
される。
を示ｌ し、第１図−（ｃ） Ｋ上記プロセス
に基づいて製作したＭＩＭ素子群の１部平面図を示すｃ
第１図−（ａｔに示す如く、基板１上にＭＩＭ素子の第
１の電極２を形成し所定の形状に加工し、仄にＭＩＭ素
子の＠１の電極２の表面にＭＩＭ素子の絶縁体４を形成
する。仄にＭＩＭ素子の第２の電極５及び透明電極６を
形成する。尚ＭＩＭ素子の第２の電極５のｌＩ！厚はｚ
ｏｏＸ以下とする。仄にネガタイプフォトレジスト１４
を形成し、ＭＩＭ素子の第１の電極２をマスクとして基
板裏面より、紫外線１５により露光する自己整合法を行
なう。ＭＩＭ素子の第１の電極２は一般にＡｔ 、 Ｔ
ａ等の金属を使用するために紫外線１５は透過しない
。又ＭＩＭ素子の第２の金属５も、一般にＡＩ 、 Ｔ
ａ 、 Ｏｒ等の金属が用いられるが喚厚が２００Ｘ
以下であるため紫外線１５を透過する。透明電極６は透
明であるので紫外線を透過する。この結果、ＭＩＭ素子
の第１の金属２にエリマスクされた以外の所は紫外線１
５に工り露光される。次にネガタイプフォトレジスト１
４を現像し、透明電極６及びＭＩＭ素子の第２のｔ極５
を除去すると第１図−（１））に示す工うになる。すな
わち、表面にＭＩＭ素子の絶縁体４が形成されているＭ
ＩＭ素子の第１の電極２の側面部１６にのみＭＩＭ素子
の第２の電極５及び西明電極６が残る。次にネガタイプ
フォトレジスト１４を除去し第１図−（Ｃ）≦示すよう
にＭＩＭ素子の第２の１１１極５及び透明電極６′ｔ−
所定の形状に加工する。このとき電気光学装置の画素面
積が決定されるとともに、ＭＩＭ素子の長さ１７が決定
される。
このようなＭＩＭ素子の動作を第２図を用いて説明する
。第２図は本発明のＭＩＭ素子を結付した電気光学装置
の一画素の等価回路（実線）を従来の等価回路（実線部
と破点線を甘わせたもの）との比較で示し友ものである
。７は絶縁体５の静電容量であり、８は絶縁体５の抵抗
分である。９はＭＩＭ素子の静電容量であり、１０はＭ
ＩＭ素子の非線型抵抗である。又１１は、液晶層の静電
容量であシ、１２は液晶層の抵抗である。ＭＩＭ素子に
ニジ液晶層を駆動する際ＭＩＭ素子の非線型抵抗１０の
非線型性が艮好な特性であること、又液晶を−の静電容
量１１に比べＭＩＭ素子の靜電容ｔ９が十分に小さいこ
とが必要である。ところが従来のＭＩＭ素子はＭＩＭ素
子の静電容量９と並列に絶縁体５の静電容ｔ７が接続さ
れている。
。第２図は本発明のＭＩＭ素子を結付した電気光学装置
の一画素の等価回路（実線）を従来の等価回路（実線部
と破点線を甘わせたもの）との比較で示し友ものである
。７は絶縁体５の静電容量であり、８は絶縁体５の抵抗
分である。９はＭＩＭ素子の静電容量であり、１０はＭ
ＩＭ素子の非線型抵抗である。又１１は、液晶層の静電
容量であシ、１２は液晶層の抵抗である。ＭＩＭ素子に
ニジ液晶層を駆動する際ＭＩＭ素子の非線型抵抗１０の
非線型性が艮好な特性であること、又液晶を−の静電容
量１１に比べＭＩＭ素子の靜電容ｔ９が十分に小さいこ
とが必要である。ところが従来のＭＩＭ素子はＭＩＭ素
子の静電容量９と並列に絶縁体５の静電容ｔ７が接続さ
れている。
すなわちＭＩＭ素子の等価容貴が大きくなり、液晶層の
静電容量９に比べ十分に小さくすることができずに電気
光学装置の表示品質を低下させてしまう。又ＭＩＭ素子
の非線型抵抗１０と並列に絶縁体５の抵抗８が並列に接
続されている。、ＭＩＭ素子の非線型抵抗１０は低電圧
を印加したとき高抵抗となシ、高電圧を印加したとき低
抵抗となる特徴がある。このため絶縁体３の抵抗８が並
列に接続されると、低電圧を印加したときのＭＩＭ素子
の抵抗値が小さくなり電気光学装置の表示品質を低下さ
せてしまう。ところが本発明に工ればＭＩＭ素子に並列
に接続される静電容量が存在していない。従って液晶１
−の静砿容ｔ１１に直列に接続される静電容量は、ＭＩ
Ｍ素子の＃電番ｔ９たけであり液晶層の静電容１ｔ１１
に比べ、ＭＩＭ素子の静電容ｔ９ｔ−十分に小さくする
ことが可能となり、電気光学装置の表示品質を向上させ
ることができる。又ＭＩＭ素子に並列に接続される抵抗
は存在しない。このためＭＩＭ素子の非線型抵抗１０に
低電圧を印加したとき高抵抗とな抄、高電圧を印加した
とき低抵抗となる特徴が十分に利用できる。又、ＭＩＭ
素子の第２の電極５）工び透明電極６は、表面にＭＩＭ
素子の絶縁体４を形成したＭＩＭ素子の第１の電極２の
側面しか存在しないため、精密フォトリソ技術が不快で
しかも非線形特注の優れたＭＩＭ素子が得られる。
静電容量９に比べ十分に小さくすることができずに電気
光学装置の表示品質を低下させてしまう。又ＭＩＭ素子
の非線型抵抗１０と並列に絶縁体５の抵抗８が並列に接
続されている。、ＭＩＭ素子の非線型抵抗１０は低電圧
を印加したとき高抵抗となシ、高電圧を印加したとき低
抵抗となる特徴がある。このため絶縁体３の抵抗８が並
列に接続されると、低電圧を印加したときのＭＩＭ素子
の抵抗値が小さくなり電気光学装置の表示品質を低下さ
せてしまう。ところが本発明に工ればＭＩＭ素子に並列
に接続される静電容量が存在していない。従って液晶１
−の静砿容ｔ１１に直列に接続される静電容量は、ＭＩ
Ｍ素子の＃電番ｔ９たけであり液晶層の静電容１ｔ１１
に比べ、ＭＩＭ素子の静電容ｔ９ｔ−十分に小さくする
ことが可能となり、電気光学装置の表示品質を向上させ
ることができる。又ＭＩＭ素子に並列に接続される抵抗
は存在しない。このためＭＩＭ素子の非線型抵抗１０に
低電圧を印加したとき高抵抗とな抄、高電圧を印加した
とき低抵抗となる特徴が十分に利用できる。又、ＭＩＭ
素子の第２の電極５）工び透明電極６は、表面にＭＩＭ
素子の絶縁体４を形成したＭＩＭ素子の第１の電極２の
側面しか存在しないため、精密フォトリソ技術が不快で
しかも非線形特注の優れたＭＩＭ素子が得られる。
〔実施例２〕
第５図−（ＪＬＩに本発明に基づく他の実施例の主要プ
ロセスを示し、第ｓ ：ｎ −（ｂ）に上記プロセスに
工り製作されたＭＩＭ素子の断面図を示す。ＭＩＭ素子
の第２の電極５及び透明電極６ｔ−形成し、ネガタイプ
フォトレジスト１４を形成する工Ｓｔでは実施例１と全
く同じである。実施例１との相違点は自己整寸法にシい
てのフォトマスクの併用でありｓ＠５Ｖ−（ａ）に示す
工うに、基板１の裏面にフォトマスク１８を設置し、紫
外＠１５を用いて′ ４１オ、。ｆ、。□イア、オ、
ッ、わ、４□現像し、透明電極６及びＭＩＭ素子の藁２
の電極５を除去すると藁３図−（１））に示すようにな
る。すなわち、表面にＭＩＭ素子の絶縁体４が形成され
ているＭＩＭ素子のｆＢｌの電極２の側面部１６にＭＩ
Ｍ素子が形成されるとともに、電気光学装置の画素面積
及びＭＩＭ素子の長さ１７が決定される。つまり１工程
でＭＩＭ素子、−電気光学装置の画素電極及びＭＩＭ素
子の長さが決定できる。本方法は、ＩＣ製造のように数
μｍの精度が必要な場＠は回線であるが、ＭＩＭ素子製
造においては十壽りμｍの精度で十分であるため可能と
なつ几。
ロセスを示し、第ｓ ：ｎ −（ｂ）に上記プロセスに
工り製作されたＭＩＭ素子の断面図を示す。ＭＩＭ素子
の第２の電極５及び透明電極６ｔ−形成し、ネガタイプ
フォトレジスト１４を形成する工Ｓｔでは実施例１と全
く同じである。実施例１との相違点は自己整寸法にシい
てのフォトマスクの併用でありｓ＠５Ｖ−（ａ）に示す
工うに、基板１の裏面にフォトマスク１８を設置し、紫
外＠１５を用いて′ ４１オ、。ｆ、。□イア、オ、
ッ、わ、４□現像し、透明電極６及びＭＩＭ素子の藁２
の電極５を除去すると藁３図−（１））に示すようにな
る。すなわち、表面にＭＩＭ素子の絶縁体４が形成され
ているＭＩＭ素子のｆＢｌの電極２の側面部１６にＭＩ
Ｍ素子が形成されるとともに、電気光学装置の画素面積
及びＭＩＭ素子の長さ１７が決定される。つまり１工程
でＭＩＭ素子、−電気光学装置の画素電極及びＭＩＭ素
子の長さが決定できる。本方法は、ＩＣ製造のように数
μｍの精度が必要な場＠は回線であるが、ＭＩＭ素子製
造においては十壽りμｍの精度で十分であるため可能と
なつ几。
本発明省が鋭意研究した結果具体的な露光装置としては
プロジェクションアライナ−１−１史用し、焦点を基板
表面に調整してアライメント露光することで実現できた
。
プロジェクションアライナ−１−１史用し、焦点を基板
表面に調整してアライメント露光することで実現できた
。
以上のＬうに、本発明ではネガタイプフォトレジストを
ＭＩＭ素子を横取する第２の電極上に塗布し、ＭＩＭ素
子ｔ″構成する第１の電極をマスクとして基板裏面から
露光する自己整寸法を行なうことにより、ファインフォ
トリン技術が不安となりしかも第１電極のサイドだけで
ＭＩＭ素子を形成するため、非線形特性ｔ−低下させる
容量分と抵抗分がなくなり非線形特性の優れたＭＩＭ素
子が得られ、表示品質の高い゛は気光学装置を提供でき
る。
ＭＩＭ素子を横取する第２の電極上に塗布し、ＭＩＭ素
子ｔ″構成する第１の電極をマスクとして基板裏面から
露光する自己整寸法を行なうことにより、ファインフォ
トリン技術が不安となりしかも第１電極のサイドだけで
ＭＩＭ素子を形成するため、非線形特性ｔ−低下させる
容量分と抵抗分がなくなり非線形特性の優れたＭＩＭ素
子が得られ、表示品質の高い゛は気光学装置を提供でき
る。
一！！友前記自己ｌ１１＠法において、フォトマスクを
併用することにニジ１工程減少できるため、コストが下
がりさらに歩留りも向上することから安価な電気光学装
置の提供が可能となる。
併用することにニジ１工程減少できるため、コストが下
がりさらに歩留りも向上することから安価な電気光学装
置の提供が可能となる。
さらに大容量の表示が必要とされるコンビエータの端末
装置や薄型、大面積のＴＶの電気光学装置に対して特に
有効となる。
装置や薄型、大面積のＴＶの電気光学装置に対して特に
有効となる。
第１図−（ａ） 、 （ｂ） 、 ＜Ｃ）は本発明に基
づく電気光学装置のプロセスを示す。藁２図は本発明に
基つぐ電気光学装置の１画素分の等価回路を示す。第３
図ら） 、 （１））は本発明に基づく他のプロセスを
示す。 早４図は従来の電気光学装置の１画素の断面図である。 １・・・基板 ２・・・ＭＩＭ素子のｖ、１の電極５ ・・・絶縁体 ル・・・ＭＩＭ素子の絶”縁体 ５・・・ＭＩＭ素子の第２の１ｉｓ ６・・・透明電極 ７・・・絶縁体仝の静電容量 ８・・・絶縁体３の抵抗 ９・・・ＭＩＭ素子の靜電容菫 １０・・・ＭＩＭ素子の非線型抵抗 １１・・・欣晶層の瀞電容量 １２・・・液晶層の抵抗 １３・・・ＭＩＭ素子の第２の１を極５及び透明電極６
の電なり部 １４・・・ネガタイプフォトレジスト １５・・・紫外線 １６・・・表面にＭＩＭ素子の絶縁体４が形成されてい
るＭＩＭ素子の第１の電極２の側面部１７・・・ＭＩＭ
素子の長さ １８・・・フォトマスク 第１図 （Ｃ） 第１図 第２図 （ａ） 第３図 第４１図
づく電気光学装置のプロセスを示す。藁２図は本発明に
基つぐ電気光学装置の１画素分の等価回路を示す。第３
図ら） 、 （１））は本発明に基づく他のプロセスを
示す。 早４図は従来の電気光学装置の１画素の断面図である。 １・・・基板 ２・・・ＭＩＭ素子のｖ、１の電極５ ・・・絶縁体 ル・・・ＭＩＭ素子の絶”縁体 ５・・・ＭＩＭ素子の第２の１ｉｓ ６・・・透明電極 ７・・・絶縁体仝の静電容量 ８・・・絶縁体３の抵抗 ９・・・ＭＩＭ素子の靜電容菫 １０・・・ＭＩＭ素子の非線型抵抗 １１・・・欣晶層の瀞電容量 １２・・・液晶層の抵抗 １３・・・ＭＩＭ素子の第２の１を極５及び透明電極６
の電なり部 １４・・・ネガタイプフォトレジスト １５・・・紫外線 １６・・・表面にＭＩＭ素子の絶縁体４が形成されてい
るＭＩＭ素子の第１の電極２の側面部１７・・・ＭＩＭ
素子の長さ １８・・・フォトマスク 第１図 （Ｃ） 第１図 第２図 （ａ） 第３図 第４１図
Claims (2)
- （１）液晶を介して対向する一方の基板に行電極他方の
基板に列電極を形成し、前記電極の少なくとも一方の電
極の各画素にＭＩＭ（ＭｅｔａｌＩｎＩｎｓｕ−ｌａｔ
ｏｒＭｅｔａｌ）素子を結合させた電気光学装置におい
て、前記ＭＩＭ素子を構成する第２の電極を形成する工
程が、前記第２の電極上にネガタイプフォトレジストを
塗布し、前記ＭＩＭ素子を構成する第１の電極をマスク
として基板裏面より露光する自己整合法を用いたフオト
リソ工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方
法。 - （２）前記自己整合法を使つたフオトリソ工程において
、基板裏面にフォトマスクを配置して露光することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の電気光学装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59222549A JPH0627979B2 (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 電気光学装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59222549A JPH0627979B2 (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 電気光学装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61100788A true JPS61100788A (ja) | 1986-05-19 |
| JPH0627979B2 JPH0627979B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=16784183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59222549A Expired - Fee Related JPH0627979B2 (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 電気光学装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627979B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01206319A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-18 | Toshiba Corp | マトリックスアレイ基板の製造方法 |
-
1984
- 1984-10-23 JP JP59222549A patent/JPH0627979B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01206319A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-18 | Toshiba Corp | マトリックスアレイ基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0627979B2 (ja) | 1994-04-13 |
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