JPS61100983A - イオンレ−ザ管 - Google Patents
イオンレ−ザ管Info
- Publication number
- JPS61100983A JPS61100983A JP22171884A JP22171884A JPS61100983A JP S61100983 A JPS61100983 A JP S61100983A JP 22171884 A JP22171884 A JP 22171884A JP 22171884 A JP22171884 A JP 22171884A JP S61100983 A JPS61100983 A JP S61100983A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- metallic
- ring
- package
- rings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 238000005219 brazing Methods 0.000 abstract description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001093 holography Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、シリコンカーバイト製細管を備えたイオンレ
ーザ管に関する。
ーザ管に関する。
(従来の技術およびその問題点)
イオンレーザは、イオン化された希ガスのエネルギーレ
ベル間の遷移によって、レーザ発振を行なわせるもので
あり、可視域においてワット台の大出力連続発振が得ら
れる唯一のガスレーザなので、ラマン分光、ホログラフ
ィ−などの光源として広く用いられている。しかし、希
ガスのイオン化エネルギーが高いため、レーザ細管内に
数10アンペアにおよぶ大電流アーク放電を行なわせる
必要がある。そのため第2図(a)、 (b)に示すよ
うに中央に穴の設けられたグラファイトディスク群4゜
5.6を並べ中央穴11の列をもりてレーザ細管とする
ものが用いられている。さらに6〜9 kWにおよdc
熱をレーザ細管外部に放出させるため、管外部に冷癲水
を通すなどして冷却している。しかし、グラファイトデ
ィスク群4.5.6のレーザ細管部11で発生した熱は
グラファイトディスク部4.5.6を熱の伝導によシ、
加熱し、赤熱化(900〜1300℃B)する。そして
グラファイトディスク群の熱放射面10からの放射熱は
直接外部に放出できるが熱放射面10の面積Sは(1)
式で表わされる。
ベル間の遷移によって、レーザ発振を行なわせるもので
あり、可視域においてワット台の大出力連続発振が得ら
れる唯一のガスレーザなので、ラマン分光、ホログラフ
ィ−などの光源として広く用いられている。しかし、希
ガスのイオン化エネルギーが高いため、レーザ細管内に
数10アンペアにおよぶ大電流アーク放電を行なわせる
必要がある。そのため第2図(a)、 (b)に示すよ
うに中央に穴の設けられたグラファイトディスク群4゜
5.6を並べ中央穴11の列をもりてレーザ細管とする
ものが用いられている。さらに6〜9 kWにおよdc
熱をレーザ細管外部に放出させるため、管外部に冷癲水
を通すなどして冷却している。しかし、グラファイトデ
ィスク群4.5.6のレーザ細管部11で発生した熱は
グラファイトディスク部4.5.6を熱の伝導によシ、
加熱し、赤熱化(900〜1300℃B)する。そして
グラファイトディスク群の熱放射面10からの放射熱は
直接外部に放出できるが熱放射面10の面積Sは(1)
式で表わされる。
5=t−d・π ・・・・・・(1)t:グラファ
イトディスクの厚さ 、 d:グラファイトディスクの直径π:円周率 グラファイトディスクの厚さt = 5 ml 、直径
d=30正の時、熱放射面10の面積S=471−であ
るため、レーザ細管部11の温度が上昇し、2000℃
Bにも達する。そのため、長時間使用していると、レー
ザ細管部11のグラファイトが粉末となってくずれる。
イトディスクの厚さ 、 d:グラファイトディスクの直径π:円周率 グラファイトディスクの厚さt = 5 ml 、直径
d=30正の時、熱放射面10の面積S=471−であ
るため、レーザ細管部11の温度が上昇し、2000℃
Bにも達する。そのため、長時間使用していると、レー
ザ細管部11のグラファイトが粉末となってくずれる。
レーザ細管部11の穴径は放電形状にそって徐々に大き
くなシ、グラファイト粉末がグラファイトディスク群4
.5.6 の間に積って7ノード3とカソード7間の
絶縁抵抗を劣化させる。
くなシ、グラファイト粉末がグラファイトディスク群4
.5.6 の間に積って7ノード3とカソード7間の
絶縁抵抗を劣化させる。
そして7ノード3とカソード1間の放電開始に悪影響を
与え放電しにくくなる。またレーザ細管部11の穴径が
大きくなることによシ、アーク放電の電流密度が低下し
、レーザ出力の減少や、レーザ発振子−ドがT E M
o oモードを維持できなくなるという問題がある。
与え放電しにくくなる。またレーザ細管部11の穴径が
大きくなることによシ、アーク放電の電流密度が低下し
、レーザ出力の減少や、レーザ発振子−ドがT E M
o oモードを維持できなくなるという問題がある。
また、排気工程においてグラファイトディスク群4.5
.6を高周波加熱してガス出しを実施した場合、レーザ
管lと熱放射面10が全面的に接触しているため、レー
ザ管1を通して外気に熱が伝導するためレーザ管1に石
英管を使用してもグラファイトディスク群4.5.6の
レーザ細管部11の温度としては900〜1300”Q
B程度に制限されてしまう。このため、レーザ細管部1
1の温度が2000℃Bにも達した時にはグラファイト
ディスク群4.5.6に吸蔵されていた不純ガスの放出
があ)レーザ出力の減少やグラファイト粉末の発生によ
る7ノード3、カソード1間の絶縁劣化となる問題があ
る。
.6を高周波加熱してガス出しを実施した場合、レーザ
管lと熱放射面10が全面的に接触しているため、レー
ザ管1を通して外気に熱が伝導するためレーザ管1に石
英管を使用してもグラファイトディスク群4.5.6の
レーザ細管部11の温度としては900〜1300”Q
B程度に制限されてしまう。このため、レーザ細管部1
1の温度が2000℃Bにも達した時にはグラファイト
ディスク群4.5.6に吸蔵されていた不純ガスの放出
があ)レーザ出力の減少やグラファイト粉末の発生によ
る7ノード3、カソード1間の絶縁劣化となる問題があ
る。
本発明の目的は、上記の問題点を除去し、長期間にわた
って放電開始しやすい、安定な出力を得ることのできる
イオンレーザ管を提供することである。
って放電開始しやすい、安定な出力を得ることのできる
イオンレーザ管を提供することである。
(問題点を解決するための手段)
レーザ管外囲器内にシリコンカーバイドディスク群より
なるレーザ細管を有するイオンレーザ管において、シリ
コンカーバイドディスクの外周部の両面を斜めに切削し
、この切削部の両面に一対の金属リングを設けた複合体
をセラミ、り製外囲器内に絶縁リングを介して複数個継
続して配置し、外囲器と金属リングを固着したことを特
徴とする。
なるレーザ細管を有するイオンレーザ管において、シリ
コンカーバイドディスクの外周部の両面を斜めに切削し
、この切削部の両面に一対の金属リングを設けた複合体
をセラミ、り製外囲器内に絶縁リングを介して複数個継
続して配置し、外囲器と金属リングを固着したことを特
徴とする。
(実施例)
第1図の一実施例について本発明の詳細な説明する。ア
ルミナセラミ、り外囲器12内にアルミナ絶縁りング1
3“、金属リング14′ドロー材17、タングステン製
アノード16.金属リング14とロー材17、アルミナ
絶縁リング13′、金属リング14′ロー材17、シリ
コンカーバイトディスク15、金属リング140−材1
7の順で、7ノード及びシリコンカーバイトディスク群
15を組込み、アルミナセラミック外囲器12をカソー
ド7側を上にして900℃〜1000℃のロー付炉に入
れ加熱する。このようにカソード7側を上にして加熱し
ているため、絶縁リング13“、金属リング14′、ア
ノード16、金属リング14、絶縁リング14等のレー
ザ管構成部品は、自重によシ加熱状態である程度密着し
、ロー材17がとけてアルミナ外囲器12と金属リング
14.14’とがロー材される。その後、ロー付炉から
取シ出し冷却すると、今まで膨張していたアルミナセラ
ミック外囲器12、絶縁リング13“、 13’、 1
3、金属リング14.14’は収縮し、熱膨張係数の小
さいシリコンカーバイトディスク15は熱膨張係数が小
さい分だけ収縮が少ないので金演リング14.14’と
密着する。タングステン製アノード16も同様に熱膨張
係数が小さいので金属リング14.14’とよく密着す
る。よって、アノード16以上のような構成によシ、ア
ノード16とカソード7間の放電による熱は、レーザ細
管部11からシリコンカーバイトディスク群15、熱伝
導面19、金属リング14.14’、アルミナセラミッ
ク外囲器12を通して伝導されアルミナセラミック外題
器12の外を流れる冷却水(図には示していない)にす
みやかに伝導されるので効率よく発熱を放出することが
できる。
ルミナセラミ、り外囲器12内にアルミナ絶縁りング1
3“、金属リング14′ドロー材17、タングステン製
アノード16.金属リング14とロー材17、アルミナ
絶縁リング13′、金属リング14′ロー材17、シリ
コンカーバイトディスク15、金属リング140−材1
7の順で、7ノード及びシリコンカーバイトディスク群
15を組込み、アルミナセラミック外囲器12をカソー
ド7側を上にして900℃〜1000℃のロー付炉に入
れ加熱する。このようにカソード7側を上にして加熱し
ているため、絶縁リング13“、金属リング14′、ア
ノード16、金属リング14、絶縁リング14等のレー
ザ管構成部品は、自重によシ加熱状態である程度密着し
、ロー材17がとけてアルミナ外囲器12と金属リング
14.14’とがロー材される。その後、ロー付炉から
取シ出し冷却すると、今まで膨張していたアルミナセラ
ミック外囲器12、絶縁リング13“、 13’、 1
3、金属リング14.14’は収縮し、熱膨張係数の小
さいシリコンカーバイトディスク15は熱膨張係数が小
さい分だけ収縮が少ないので金演リング14.14’と
密着する。タングステン製アノード16も同様に熱膨張
係数が小さいので金属リング14.14’とよく密着す
る。よって、アノード16以上のような構成によシ、ア
ノード16とカソード7間の放電による熱は、レーザ細
管部11からシリコンカーバイトディスク群15、熱伝
導面19、金属リング14.14’、アルミナセラミッ
ク外囲器12を通して伝導されアルミナセラミック外題
器12の外を流れる冷却水(図には示していない)にす
みやかに伝導されるので効率よく発熱を放出することが
できる。
(発明の効果)
以上述べたように、本発明によれば、レーザ細管部の温
度上昇は熱伝導による放散によシ数100℃程度ときわ
めて低くおさえることができ、長時間使用してもタング
ステン製7ノード、シリコンカーバイトディスク群は劣
化しない。従って、レーザ細管部の穴径は変化せず、シ
リコンカーバイトディスク群のスパッタも発生しないの
で長期間にわたって放電開始しやすい、レーザ出力の安
定なイオンレーザ管を得ることができる。
度上昇は熱伝導による放散によシ数100℃程度ときわ
めて低くおさえることができ、長時間使用してもタング
ステン製7ノード、シリコンカーバイトディスク群は劣
化しない。従って、レーザ細管部の穴径は変化せず、シ
リコンカーバイトディスク群のスパッタも発生しないの
で長期間にわたって放電開始しやすい、レーザ出力の安
定なイオンレーザ管を得ることができる。
第1図は本発明のイオンレーザ管を示す断面図、第2図
(a)は従来のイオンレーザ管の軸断面図、第2図(b
)は従来のイオンレーザ管のグラファイト部品部の横断
面図である。 1・・・・・・レーザ管、2,2′・・・・・・光学窓
、3・・・・・・アノード、 4.5.6 ・・・・
・・グ2ファイトディスク群、7・・・・・・カノード
、8.9.18・・・・・・ガスリターンパス、10・
・・・・・熱放射面、11・・・・・・レーザ細管部、
12・・・・・・アルミナセラミック外囲器、13゜1
3’、13”・・・・・・アルミナ絶縁リング、14.
14’・・・・・・金属リング、15・・・・・・シリ
コンカーバイトディスク群、16・・・・・・タングス
テン製アノード、17・・・・・・ロー材、19・・・
・・・熱伝導面。
(a)は従来のイオンレーザ管の軸断面図、第2図(b
)は従来のイオンレーザ管のグラファイト部品部の横断
面図である。 1・・・・・・レーザ管、2,2′・・・・・・光学窓
、3・・・・・・アノード、 4.5.6 ・・・・
・・グ2ファイトディスク群、7・・・・・・カノード
、8.9.18・・・・・・ガスリターンパス、10・
・・・・・熱放射面、11・・・・・・レーザ細管部、
12・・・・・・アルミナセラミック外囲器、13゜1
3’、13”・・・・・・アルミナ絶縁リング、14.
14’・・・・・・金属リング、15・・・・・・シリ
コンカーバイトディスク群、16・・・・・・タングス
テン製アノード、17・・・・・・ロー材、19・・・
・・・熱伝導面。
Claims (1)
- アノードとカソード間にシリコンカーバイドディスク群
よりなるレーザ細管を有するイオンレーザ管において、
前記シリコンカーバイドディスクの外周部の両面を斜め
に切削し、この切削部の両面に一対の金属リングを設け
たシリコンカーバイドディスクと一対の金属リングとの
複合体を外囲器内に絶縁リングを介して複数個縦続して
配置し、外囲器と前記金属リングとを固着したことを特
徴とするイオンレーザ管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22171884A JPS61100983A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | イオンレ−ザ管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22171884A JPS61100983A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | イオンレ−ザ管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61100983A true JPS61100983A (ja) | 1986-05-19 |
Family
ID=16771174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22171884A Pending JPS61100983A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | イオンレ−ザ管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61100983A (ja) |
-
1984
- 1984-10-22 JP JP22171884A patent/JPS61100983A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4625317A (en) | Internal mirror laser | |
| JPH0548636B2 (ja) | ||
| JPS61180488A (ja) | イオンレ−ザ管 | |
| JPS63184378A (ja) | イオンレ−ザ管 | |
| JPH05275774A (ja) | イオンレーザ管 | |
| US3760213A (en) | Anode for a discharge tube | |
| JPS6281079A (ja) | イオンレ−ザ用空冷式放電管 | |
| JP3064588B2 (ja) | レ−ザ−管 | |
| JPS5918696Y2 (ja) | イオンレ−ザ管 | |
| JP2598009B2 (ja) | 金属蒸気レーザ発振管 | |
| JPH031585A (ja) | レーザ発振器用放電管 | |
| US4821279A (en) | Gas laser | |
| JPS5818983A (ja) | イオンレ−ザ管 | |
| JPS62101093A (ja) | 金属蒸気レ−ザ装置 | |
| JPS633472B2 (ja) | ||
| JPS6037629B2 (ja) | イオンレ−ザ管 | |
| JPH0453010Y2 (ja) | ||
| JPS62226678A (ja) | イオンレ−ザ管 | |
| JPS62145788A (ja) | イオンレ−ザ管 | |
| JPS61181180A (ja) | イオンレ−ザ管 | |
| JPS61185984A (ja) | イオンレ−ザ管 | |
| JPH04361577A (ja) | イオンレーザ管 | |
| JPS62222685A (ja) | イオンレ−ザ管 | |
| JPS60219783A (ja) | ガスレ−ザ管 | |
| JPS6028284A (ja) | 希ガスイオンレ−ザ管 |