JPS61100983A - イオンレ−ザ管 - Google Patents

イオンレ−ザ管

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Publication number
JPS61100983A
JPS61100983A JP22171884A JP22171884A JPS61100983A JP S61100983 A JPS61100983 A JP S61100983A JP 22171884 A JP22171884 A JP 22171884A JP 22171884 A JP22171884 A JP 22171884A JP S61100983 A JPS61100983 A JP S61100983A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon carbide
metallic
ring
package
rings
Prior art date
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Pending
Application number
JP22171884A
Other languages
English (en)
Inventor
Norio Takahashi
鷹觜 紀雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS61100983A publication Critical patent/JPS61100983A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、シリコンカーバイト製細管を備えたイオンレ
ーザ管に関する。
(従来の技術およびその問題点) イオンレーザは、イオン化された希ガスのエネルギーレ
ベル間の遷移によって、レーザ発振を行なわせるもので
あり、可視域においてワット台の大出力連続発振が得ら
れる唯一のガスレーザなので、ラマン分光、ホログラフ
ィ−などの光源として広く用いられている。しかし、希
ガスのイオン化エネルギーが高いため、レーザ細管内に
数10アンペアにおよぶ大電流アーク放電を行なわせる
必要がある。そのため第2図(a)、 (b)に示すよ
うに中央に穴の設けられたグラファイトディスク群4゜
5.6を並べ中央穴11の列をもりてレーザ細管とする
ものが用いられている。さらに6〜9 kWにおよdc
熱をレーザ細管外部に放出させるため、管外部に冷癲水
を通すなどして冷却している。しかし、グラファイトデ
ィスク群4.5.6のレーザ細管部11で発生した熱は
グラファイトディスク部4.5.6を熱の伝導によシ、
加熱し、赤熱化(900〜1300℃B)する。そして
グラファイトディスク群の熱放射面10からの放射熱は
直接外部に放出できるが熱放射面10の面積Sは(1)
式で表わされる。
5=t−d・π   ・・・・・・(1)t:グラファ
イトディスクの厚さ 、  d:グラファイトディスクの直径π:円周率 グラファイトディスクの厚さt = 5 ml 、直径
d=30正の時、熱放射面10の面積S=471−であ
るため、レーザ細管部11の温度が上昇し、2000℃
Bにも達する。そのため、長時間使用していると、レー
ザ細管部11のグラファイトが粉末となってくずれる。
レーザ細管部11の穴径は放電形状にそって徐々に大き
くなシ、グラファイト粉末がグラファイトディスク群4
.5.6  の間に積って7ノード3とカソード7間の
絶縁抵抗を劣化させる。
そして7ノード3とカソード1間の放電開始に悪影響を
与え放電しにくくなる。またレーザ細管部11の穴径が
大きくなることによシ、アーク放電の電流密度が低下し
、レーザ出力の減少や、レーザ発振子−ドがT E M
 o oモードを維持できなくなるという問題がある。
また、排気工程においてグラファイトディスク群4.5
.6を高周波加熱してガス出しを実施した場合、レーザ
管lと熱放射面10が全面的に接触しているため、レー
ザ管1を通して外気に熱が伝導するためレーザ管1に石
英管を使用してもグラファイトディスク群4.5.6の
レーザ細管部11の温度としては900〜1300”Q
B程度に制限されてしまう。このため、レーザ細管部1
1の温度が2000℃Bにも達した時にはグラファイト
ディスク群4.5.6に吸蔵されていた不純ガスの放出
があ)レーザ出力の減少やグラファイト粉末の発生によ
る7ノード3、カソード1間の絶縁劣化となる問題があ
る。
本発明の目的は、上記の問題点を除去し、長期間にわた
って放電開始しやすい、安定な出力を得ることのできる
イオンレーザ管を提供することである。
(問題点を解決するための手段) レーザ管外囲器内にシリコンカーバイドディスク群より
なるレーザ細管を有するイオンレーザ管において、シリ
コンカーバイドディスクの外周部の両面を斜めに切削し
、この切削部の両面に一対の金属リングを設けた複合体
をセラミ、り製外囲器内に絶縁リングを介して複数個継
続して配置し、外囲器と金属リングを固着したことを特
徴とする。
(実施例) 第1図の一実施例について本発明の詳細な説明する。ア
ルミナセラミ、り外囲器12内にアルミナ絶縁りング1
3“、金属リング14′ドロー材17、タングステン製
アノード16.金属リング14とロー材17、アルミナ
絶縁リング13′、金属リング14′ロー材17、シリ
コンカーバイトディスク15、金属リング140−材1
7の順で、7ノード及びシリコンカーバイトディスク群
15を組込み、アルミナセラミック外囲器12をカソー
ド7側を上にして900℃〜1000℃のロー付炉に入
れ加熱する。このようにカソード7側を上にして加熱し
ているため、絶縁リング13“、金属リング14′、ア
ノード16、金属リング14、絶縁リング14等のレー
ザ管構成部品は、自重によシ加熱状態である程度密着し
、ロー材17がとけてアルミナ外囲器12と金属リング
14.14’とがロー材される。その後、ロー付炉から
取シ出し冷却すると、今まで膨張していたアルミナセラ
ミック外囲器12、絶縁リング13“、 13’、 1
3、金属リング14.14’は収縮し、熱膨張係数の小
さいシリコンカーバイトディスク15は熱膨張係数が小
さい分だけ収縮が少ないので金演リング14.14’と
密着する。タングステン製アノード16も同様に熱膨張
係数が小さいので金属リング14.14’とよく密着す
る。よって、アノード16以上のような構成によシ、ア
ノード16とカソード7間の放電による熱は、レーザ細
管部11からシリコンカーバイトディスク群15、熱伝
導面19、金属リング14.14’、アルミナセラミッ
ク外囲器12を通して伝導されアルミナセラミック外題
器12の外を流れる冷却水(図には示していない)にす
みやかに伝導されるので効率よく発熱を放出することが
できる。
(発明の効果) 以上述べたように、本発明によれば、レーザ細管部の温
度上昇は熱伝導による放散によシ数100℃程度ときわ
めて低くおさえることができ、長時間使用してもタング
ステン製7ノード、シリコンカーバイトディスク群は劣
化しない。従って、レーザ細管部の穴径は変化せず、シ
リコンカーバイトディスク群のスパッタも発生しないの
で長期間にわたって放電開始しやすい、レーザ出力の安
定なイオンレーザ管を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のイオンレーザ管を示す断面図、第2図
(a)は従来のイオンレーザ管の軸断面図、第2図(b
)は従来のイオンレーザ管のグラファイト部品部の横断
面図である。 1・・・・・・レーザ管、2,2′・・・・・・光学窓
、3・・・・・・アノード、 4.5.6  ・・・・
・・グ2ファイトディスク群、7・・・・・・カノード
、8.9.18・・・・・・ガスリターンパス、10・
・・・・・熱放射面、11・・・・・・レーザ細管部、
12・・・・・・アルミナセラミック外囲器、13゜1
3’、13”・・・・・・アルミナ絶縁リング、14.
14’・・・・・・金属リング、15・・・・・・シリ
コンカーバイトディスク群、16・・・・・・タングス
テン製アノード、17・・・・・・ロー材、19・・・
・・・熱伝導面。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. アノードとカソード間にシリコンカーバイドディスク群
    よりなるレーザ細管を有するイオンレーザ管において、
    前記シリコンカーバイドディスクの外周部の両面を斜め
    に切削し、この切削部の両面に一対の金属リングを設け
    たシリコンカーバイドディスクと一対の金属リングとの
    複合体を外囲器内に絶縁リングを介して複数個縦続して
    配置し、外囲器と前記金属リングとを固着したことを特
    徴とするイオンレーザ管。
JP22171884A 1984-10-22 1984-10-22 イオンレ−ザ管 Pending JPS61100983A (ja)

Priority Applications (1)

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JP22171884A JPS61100983A (ja) 1984-10-22 1984-10-22 イオンレ−ザ管

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JP22171884A JPS61100983A (ja) 1984-10-22 1984-10-22 イオンレ−ザ管

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Publication Number Publication Date
JPS61100983A true JPS61100983A (ja) 1986-05-19

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ID=16771174

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22171884A Pending JPS61100983A (ja) 1984-10-22 1984-10-22 イオンレ−ザ管

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