JPS611018A - 微細パタ−ンの形成方法 - Google Patents
微細パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS611018A JPS611018A JP59124077A JP12407784A JPS611018A JP S611018 A JPS611018 A JP S611018A JP 59124077 A JP59124077 A JP 59124077A JP 12407784 A JP12407784 A JP 12407784A JP S611018 A JPS611018 A JP S611018A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fine pattern
- resist film
- electron beam
- film
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体ウェーハなどの基板の主面上に設けら
れた被処理膜の微細パターンを荷電粒子ビームの照射に
よって形成する方法に関するものである。
れた被処理膜の微細パターンを荷電粒子ビームの照射に
よって形成する方法に関するものである。
以下、半導体ウェーハの主面上に微細パターンのレジス
ト膜を形成する方法を例にとり説明する。
ト膜を形成する方法を例にとり説明する。
第１図（４）は半導体ウェーハの主面上に微細パターン
のレジスト膜を形成する従来の方法に用いられる微細パ
ターン形成装置の一例の主要構成要素を示す断面図、第
１図（Ｂ）はこの従来例の装置によって半導体ウェーハ
の主面上に形成されたレジスト膜を示す断面図である。
のレジスト膜を形成する従来の方法に用いられる微細パ
ターン形成装置の一例の主要構成要素を示す断面図、第
１図（Ｂ）はこの従来例の装置によって半導体ウェーハ
の主面上に形成されたレジスト膜を示す断面図である。
図において、（１）は微細パターン形成装置の真空チャ
ンバー（図示せず）内において、半導体ウェーハ鉛の主
面上に成膜された電子ビーム露光用のネガ形のレジスト
膜（６０）を露光するための所要のエネルギーを有する
電子ビーム（２）を放射する電子銃。
ンバー（図示せず）内において、半導体ウェーハ鉛の主
面上に成膜された電子ビーム露光用のネガ形のレジスト
膜（６０）を露光するための所要のエネルギーを有する
電子ビーム（２）を放射する電子銃。
（３）は電子ビーム（２）の集束および偏向を行う電磁
レンズである。
レンズである。
このような微細パターン形成装置を用いる従来の方法で
は、まず、第１図（Ａ）に示すように、微細パターン形
成装置の真空チャンバー（図示せず）内において、半導
体ウェーハ（イ）の主面上に成膜されたレジスト膜（６
０）の微細パターンを形成すべき部分（６０ａ）にのみ
、電子銃（１）から放射され所要のエネルギーを有する
電子ビーム（２）を電磁レンズ（３）の作用によって集
束・偏向させて照射し露光する。
は、まず、第１図（Ａ）に示すように、微細パターン形
成装置の真空チャンバー（図示せず）内において、半導
体ウェーハ（イ）の主面上に成膜されたレジスト膜（６
０）の微細パターンを形成すべき部分（６０ａ）にのみ
、電子銃（１）から放射され所要のエネルギーを有する
電子ビーム（２）を電磁レンズ（３）の作用によって集
束・偏向させて照射し露光する。
次に、第１図（Ｂ）に示すように、この露光されたレジ
スト膜（６ｏ）が主面上に形成され半導体ウェーハωを
上述の真空チャンバー内から取シ出し、この露光された
レジスト膜（６０）に現像処理を施して、レジスト膜（
６０）の未露光部分を除去すると、微細パターンのレジ
ス） 膜（６０）の部分（６Ｏａ）が主面上に形成され
た半導体ウェーハ（至）が得られる。
スト膜（６ｏ）が主面上に形成され半導体ウェーハωを
上述の真空チャンバー内から取シ出し、この露光された
レジスト膜（６０）に現像処理を施して、レジスト膜（
６０）の未露光部分を除去すると、微細パターンのレジ
ス） 膜（６０）の部分（６Ｏａ）が主面上に形成され
た半導体ウェーハ（至）が得られる。
ところで、この従来の方法では、電子ビーム（２）のレ
ジスト膜（６０）の部分（６０ａ）への露光量によって
レジスト膜（６０）の部分（６Ｏａ）のパターン寸法が
変化するので、このレジスート膜（６０）の部分（６０
ａ）のパターン寸法を精度よく形成するためには、こル
シスト膜（６０）の部分（６０ａ）のパターン寸法全測
定し、その測定結果によって電子ビーム（２）のレジス
ト膜（６ｏ）の部分（６０ａ）への露光量をコントロー
ルする必要があった。しかし、レジス） ！ （６０）
の部分（６０ａ）のパターン寸法を測定する場合には。
ジスト膜（６０）の部分（６０ａ）への露光量によって
レジスト膜（６０）の部分（６Ｏａ）のパターン寸法が
変化するので、このレジスート膜（６０）の部分（６０
ａ）のパターン寸法を精度よく形成するためには、こル
シスト膜（６０）の部分（６０ａ）のパターン寸法全測
定し、その測定結果によって電子ビーム（２）のレジス
ト膜（６ｏ）の部分（６０ａ）への露光量をコントロー
ルする必要があった。しかし、レジス） ！ （６０）
の部分（６０ａ）のパターン寸法を測定する場合には。
レジスト膜（６０）の部分（６０ａ）に電子ビーム（２
）が照射された半導体ウェーハ（至）を微細パターン形
成装置の真空チャンバーの外に取り出して現像処理を行
ったのちに、別の微細パターン寸法測定装置でレジスト
膜（６０）の部分（６０ａ ）のパターン寸法の測定を
行なわなければならないので、その測定結果によって電
子ビーム（２）のレジスト膜（６０）の部分（６０ａ）
への露光量をコントロールすることがむずかしく、レジ
スト膜（６０）の部分（６０ａ）のパターン寸法を精度
よく形成することは容易ではないという欠点があったっ 〔発明の概要〕 この発明は、かかる欠点を除去するためになさす れたもので、基板の主面上に設けられた被処理膜の荷電
粒子ビームの照射によって形成された微細パターンに被
処理膜に変化を与えない低エネルギー、低電流の電子ビ
ームを照射して生ずる反射電子による微細パターンの像
によって微細パターンの寸法を測定し、その測定結果に
よって荷電粒子ビームの被処理膜への照射量をコントロ
ールすることによって、被処理膜の微細パターンを精度
よく形成することができる方法を提供するものである。
）が照射された半導体ウェーハ（至）を微細パターン形
成装置の真空チャンバーの外に取り出して現像処理を行
ったのちに、別の微細パターン寸法測定装置でレジスト
膜（６０）の部分（６０ａ ）のパターン寸法の測定を
行なわなければならないので、その測定結果によって電
子ビーム（２）のレジスト膜（６０）の部分（６０ａ）
への露光量をコントロールすることがむずかしく、レジ
スト膜（６０）の部分（６０ａ）のパターン寸法を精度
よく形成することは容易ではないという欠点があったっ 〔発明の概要〕 この発明は、かかる欠点を除去するためになさす れたもので、基板の主面上に設けられた被処理膜の荷電
粒子ビームの照射によって形成された微細パターンに被
処理膜に変化を与えない低エネルギー、低電流の電子ビ
ームを照射して生ずる反射電子による微細パターンの像
によって微細パターンの寸法を測定し、その測定結果に
よって荷電粒子ビームの被処理膜への照射量をコントロ
ールすることによって、被処理膜の微細パターンを精度
よく形成することができる方法を提供するものである。
第２図は半導体ウェーハの主面上に微細パターンのレジ
スト膜を形成するこの発明の一実施例の方法に用いられ
る微細パターン形成装置の主要構成要素を示す断面図で
ある。
スト膜を形成するこの発明の一実施例の方法に用いられ
る微細パターン形成装置の主要構成要素を示す断面図で
ある。
図において、第１図に示した符号と同一符号は同等部分
を示す、なお、電子ビーム（２）はこの実施例での荷電
粒子ビームで１、レジスト膜（６０）はこの実施例での
被処理膜である。
を示す、なお、電子ビーム（２）はこの実施例での荷電
粒子ビームで１、レジスト膜（６０）はこの実施例での
被処理膜である。
θηはレジスト膜（６０）の電子ビーム（２）によって
露光された部分（６０ａ）を照射する電子ビーム（２）
を放射する電子銃で、この電子ビーム＠はレジスト膜（
６０）の部分（６０ａ ）に変化を与えないような低エ
ネルギー、低電流に設定されている。α葎は電子ビーム
＠の集束および偏向を行う電磁レンズ、α→は電子ビー
ム（２）のレジスト膜（６０）の部分（６０ａ）への照
射によって生ずる反射電子、 ＜ｌｉｅは反射電子Ｈの
みを検出する検出器、ａ６は電磁レンズα椴と検出器（
１４１とに接続され電子ビーム（２）のレジスト膜（６
０）の部分（６０ａ）への照射によって生ずる反射電子
０４）を検出器Ｑ５で検出することによって得られる部
分（６０ａ）の拡大像を表示する表示装置である。
露光された部分（６０ａ）を照射する電子ビーム（２）
を放射する電子銃で、この電子ビーム＠はレジスト膜（
６０）の部分（６０ａ ）に変化を与えないような低エ
ネルギー、低電流に設定されている。α葎は電子ビーム
＠の集束および偏向を行う電磁レンズ、α→は電子ビー
ム（２）のレジスト膜（６０）の部分（６０ａ）への照
射によって生ずる反射電子、 ＜ｌｉｅは反射電子Ｈの
みを検出する検出器、ａ６は電磁レンズα椴と検出器（
１４１とに接続され電子ビーム（２）のレジスト膜（６
０）の部分（６０ａ）への照射によって生ずる反射電子
０４）を検出器Ｑ５で検出することによって得られる部
分（６０ａ）の拡大像を表示する表示装置である。
このように構成された微細パターン形成装置を用いるこ
の実施例の方法では、微細パターン形成装置の真空チャ
ンバー内において、電子ビーム（ハ）がレジスト膜（６
０）の電子ビーム（２）によ如露光された部分（６０ａ
）を少しも変化させることなく走査することができるの
で、電子ビーム（６）のレジスト膜（６０）の部分（６
０ａ）を走査するときに生ずる反射電子ａ４１を検出器
αＱＫよって検出【−１この検出された反射電子α→に
よるレジスト膜（６０）の部分（６０ａ ）の拡大像を
表示装置ＱＱに表示することができる。従つて１表示装
置ＯＱに表示されたレジスト膜（６ｏ）の部分（６０ａ
）の拡大像によってレジスト膜（６０）の部分（６０ａ
）のパターン寸法を測定し、その測定結果によって電子
ビーム（２）のレジスト膜（６０）の部分（６０ａ ）
への露光量をコントロールすることができるので、レジ
スト膜（６０）の部分（６０ａ）のパターン寸法を精度
よく形成することができる。
の実施例の方法では、微細パターン形成装置の真空チャ
ンバー内において、電子ビーム（ハ）がレジスト膜（６
０）の電子ビーム（２）によ如露光された部分（６０ａ
）を少しも変化させることなく走査することができるの
で、電子ビーム（６）のレジスト膜（６０）の部分（６
０ａ）を走査するときに生ずる反射電子ａ４１を検出器
αＱＫよって検出【−１この検出された反射電子α→に
よるレジスト膜（６０）の部分（６０ａ ）の拡大像を
表示装置ＱＱに表示することができる。従つて１表示装
置ＯＱに表示されたレジスト膜（６ｏ）の部分（６０ａ
）の拡大像によってレジスト膜（６０）の部分（６０ａ
）のパターン寸法を測定し、その測定結果によって電子
ビーム（２）のレジスト膜（６０）の部分（６０ａ ）
への露光量をコントロールすることができるので、レジ
スト膜（６０）の部分（６０ａ）のパターン寸法を精度
よく形成することができる。
なお、この実施例では、半導体ウェーハ（至）の主面上
に設けられたレジスト膜（６０）を電子ビーム（２）に
よって露光する方法を例にとり述べだが、この発明はこ
れに限らず、半導体ウェーハやガラス基板などのその他
の基板の主面上に設けられたイオンビーム中露光用レジ
スト膜をイオンビームによって露光する方法や、これら
の基板の主面上に設けられた絶縁膜または導電膜をイオ
ンビームによってエツチングする方法にも適用すること
ができる。
に設けられたレジスト膜（６０）を電子ビーム（２）に
よって露光する方法を例にとり述べだが、この発明はこ
れに限らず、半導体ウェーハやガラス基板などのその他
の基板の主面上に設けられたイオンビーム中露光用レジ
スト膜をイオンビームによって露光する方法や、これら
の基板の主面上に設けられた絶縁膜または導電膜をイオ
ンビームによってエツチングする方法にも適用すること
ができる。
以上、説明したように、この発明による微細パターンの
形成方法では、基板の主面上に設けられた被処理膜の荷
電粒子ビームの照射によって形成された微細パターンに
被処理膜を変化させない低エネルギー、低電流の電子ビ
ームを照射して生ずる反射電子による微細パターンの像
によって微細パターンの寸法を測定し、その測定結果に
よって荷電粒子ビームの被処理膜への照射量をコントロ
ールするので、被処理膜の微細パターンを精度よく形成
することができる。
形成方法では、基板の主面上に設けられた被処理膜の荷
電粒子ビームの照射によって形成された微細パターンに
被処理膜を変化させない低エネルギー、低電流の電子ビ
ームを照射して生ずる反射電子による微細パターンの像
によって微細パターンの寸法を測定し、その測定結果に
よって荷電粒子ビームの被処理膜への照射量をコントロ
ールするので、被処理膜の微細パターンを精度よく形成
することができる。
第１図（Ａ）は半導体ウェーハの主面上に微細パターン
のレジスト膜を形成する従来の方法に用いられる微細パ
ターン形成装置の一例の主要構成要素を示す断面図、第
１図（Ｂ）はこの従来例の装置によって半導体ウェーハ
の主面上に形成されたレジスト膜を示す断面図、第２図
は半導体ウェーハの主面上に微細パターンのレジスト膜
を形成するこの発明の一実施例の方法に用いられる微細
パターン形成装置の主要構成要素を示す断面図である。 図において、（２）は電子ビーム（荷電粒子ビーム）。 （イ）は電子ビーム、α→は電子ビーム（６）の反射電
子。 ＯＱは反射電子（２）による微細パターンの像を表示す
る表示装置、（至）は半導体ウェーハ、（６０）はレジ
スト膜（被処理膜）である。 なお５図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。
のレジスト膜を形成する従来の方法に用いられる微細パ
ターン形成装置の一例の主要構成要素を示す断面図、第
１図（Ｂ）はこの従来例の装置によって半導体ウェーハ
の主面上に形成されたレジスト膜を示す断面図、第２図
は半導体ウェーハの主面上に微細パターンのレジスト膜
を形成するこの発明の一実施例の方法に用いられる微細
パターン形成装置の主要構成要素を示す断面図である。 図において、（２）は電子ビーム（荷電粒子ビーム）。 （イ）は電子ビーム、α→は電子ビーム（６）の反射電
子。 ＯＱは反射電子（２）による微細パターンの像を表示す
る表示装置、（至）は半導体ウェーハ、（６０）はレジ
スト膜（被処理膜）である。 なお５図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。
Claims (2)
- （１）基板の主面上に設けられた被処理膜の微細パター
ンを形成すべき部分にのみ荷電粒子ビームを照射する工
程、この被処理膜の上記荷電粒子ビームの照射によつて
形成された微細パターンに上記被処理膜に変化を与えな
い低エネルギー、低電流の電子ビームを照射して生ずる
反射電子による上記微細パターンの像によつて上記微細
パターンの寸法を測定する工程、およびこの測定された
上記微細パターンの寸法値によつて上記荷電粒子ビーム
の上記被処理膜への照射量をコントロールする工程を備
えた微細パターンの形成方法。 - （２）被処理膜が荷電粒子ビームの照射によつて感応す
るレジスト膜であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の微細パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124077A JPS611018A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124077A JPS611018A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS611018A true JPS611018A (ja) | 1986-01-07 |
Family
ID=14876359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59124077A Pending JPS611018A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS611018A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005123318A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 解像性評価方法及び装置、並びに電子線露光システム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856419A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP59124077A patent/JPS611018A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856419A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005123318A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 解像性評価方法及び装置、並びに電子線露光システム |
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