JPH0338022A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0338022A JPH0338022A JP1173334A JP17333489A JPH0338022A JP H0338022 A JPH0338022 A JP H0338022A JP 1173334 A JP1173334 A JP 1173334A JP 17333489 A JP17333489 A JP 17333489A JP H0338022 A JPH0338022 A JP H0338022A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- region
- carrier concentration
- boundary
- semiconductor
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の製造方法に関し、
マスク合わせパターンを必要としないで、マス−り露光
ができる半導体装置の製造方法を目的とし、半導体基板
に該基板の逆導電型領域、或いは該基板とキャリア濃度
が異なるキャリア濃度変動領域を設けるとともに該基板
の側面に電極を設け、該基板の上部、或いは該基板の下
部よりＸおよびＹ方向に沿って電磁波を走査しながら照
射し、該電磁波の照射による基板内の電位を、前記電柵
間で測定し、 前記基板と前記基板の逆導電型領域の境界位置のＰ−Ｎ
接合部、或いは前記基板とキャリア濃度変動領域との境
界位置で発生している内部電界による基板内の電位変動
を測定することで、前記基板内の内部電界の発生位置を
検知して前記Ｐ−Ｎ接合部の位置、或いは基板とキャリ
ア濃度変動領域との境界位置を検知し、 前記Ｐ−Ｎ接合部、および前記基板とキャリア濃度変動
領域の境界位置の検知情報を基にして前記半導体基板に
塗布したレジスト膜への露光、或いは前記半導体基板へ
のイオン注入の位置決めを行うようにしたことで構成す
る。
ができる半導体装置の製造方法を目的とし、半導体基板
に該基板の逆導電型領域、或いは該基板とキャリア濃度
が異なるキャリア濃度変動領域を設けるとともに該基板
の側面に電極を設け、該基板の上部、或いは該基板の下
部よりＸおよびＹ方向に沿って電磁波を走査しながら照
射し、該電磁波の照射による基板内の電位を、前記電柵
間で測定し、 前記基板と前記基板の逆導電型領域の境界位置のＰ−Ｎ
接合部、或いは前記基板とキャリア濃度変動領域との境
界位置で発生している内部電界による基板内の電位変動
を測定することで、前記基板内の内部電界の発生位置を
検知して前記Ｐ−Ｎ接合部の位置、或いは基板とキャリ
ア濃度変動領域との境界位置を検知し、 前記Ｐ−Ｎ接合部、および前記基板とキャリア濃度変動
領域の境界位置の検知情報を基にして前記半導体基板に
塗布したレジスト膜への露光、或いは前記半導体基板へ
のイオン注入の位置決めを行うようにしたことで構成す
る。
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
ＩＣ，、ＬＳＩ等の半導体装置の製造に於いては、例え
ばシリコン（Ｓｉ） ａ板上に二酸化シリコン膜（Ｓｉ
ｎｇ）を形成し、該５ｊＯＪｌを所定のパターンに開口
し、該開口部を通じて該基板と逆導電型の不純物原子を
イオン注入等の方法で導入してＰ−Ｎ接合を形成して半
導体装置を形成している。
ばシリコン（Ｓｉ） ａ板上に二酸化シリコン膜（Ｓｉ
ｎｇ）を形成し、該５ｊＯＪｌを所定のパターンに開口
し、該開口部を通じて該基板と逆導電型の不純物原子を
イオン注入等の方法で導入してＰ−Ｎ接合を形成して半
導体装置を形成している。
従来、このようなＳ３０ｇ膜に開口部を設ける方法とし
て、Ｓｉ基板にＳｉＯ□膜を該基板の熱酸化法で形成し
た後、該基板上にレジスト膜を塗布し、該基板上より所
定の部分が開口されたホトマスクを設置し、該ホトマス
ク上より紫外線等の光照射を行ってレジスト膜を所定の
パターンに露光し、例えば未露光部を除去して所定のパ
ターンに開口されたレジスト膜を形成する。
て、Ｓｉ基板にＳｉＯ□膜を該基板の熱酸化法で形成し
た後、該基板上にレジスト膜を塗布し、該基板上より所
定の部分が開口されたホトマスクを設置し、該ホトマス
ク上より紫外線等の光照射を行ってレジスト膜を所定の
パターンに露光し、例えば未露光部を除去して所定のパ
ターンに開口されたレジスト膜を形成する。
次いでこのレジスト膜をマスクとしてエソチンーグによ
りＳｉＯ□膜を所定のパターンに開口している。
りＳｉＯ□膜を所定のパターンに開口している。
ところで従来の方法では、前記Ｓｉ基板に予めホトマス
クの十字状の基準位置合わせマークに対応したマークを
、凹部状にエツチングして彫り込む方法が採られている
。そしてこの基板上に５ｉ（ｈ膜を形成して、前記Ｓｉ
基板に彫り込んだマークによって、該基板上に形成した
ＳｉＯ□膜に凹部領域が形成されるので、この凹部領域
にホトマスクの基準位置合わせマークを位置合わせして
、ホトマスクの位置合わせを行っている。
クの十字状の基準位置合わせマークに対応したマークを
、凹部状にエツチングして彫り込む方法が採られている
。そしてこの基板上に５ｉ（ｈ膜を形成して、前記Ｓｉ
基板に彫り込んだマークによって、該基板上に形成した
ＳｉＯ□膜に凹部領域が形成されるので、この凹部領域
にホトマスクの基準位置合わせマークを位置合わせして
、ホトマスクの位置合わせを行っている。
然し、５ｉＯＪ５１上にレジスト膜を所定の膜厚で塗布
した場合、該レジスト膜が着色する場合が多く、このレ
ジスト膜上よりＳｉＯ□膜の凹部領域を′ａ徽鏡を用い
て検知するのが困難で、マスク合わせに支障を来してい
た。
した場合、該レジスト膜が着色する場合が多く、このレ
ジスト膜上よりＳｉＯ□膜の凹部領域を′ａ徽鏡を用い
て検知するのが困難で、マスク合わせに支障を来してい
た。
また上記した位置合わせマークをｓｉ基板上に形成する
方法を採ると、この位置合わせマークを形成した領域に
よって半導体素子形成領域が狭められるので、形成され
る半導体装置の集積度が低下する問題がある。
方法を採ると、この位置合わせマークを形成した領域に
よって半導体素子形成領域が狭められるので、形成され
る半導体装置の集積度が低下する問題がある。
また上記Ｓｉ基板に５ｉ０２膜を形成する際の熱酸化工
程でＳｉ基板に歪が発生し、Ｓｉ基板に形成した位置合
わせマークの精度が低下する問題がある。
程でＳｉ基板に歪が発生し、Ｓｉ基板に形成した位置合
わせマークの精度が低下する問題がある。
本発明は上記した問題点を解決し、位置合わセマークを
用いずに露光位置が容易に高精度に位置合わせできるよ
うにした半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
用いずに露光位置が容易に高精度に位置合わせできるよ
うにした半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、第１図の原理図に示
すように、半導体基板１に該基板の逆導電型領域２、或
いは該基板とキャリア濃度が異なるキャリア濃度変動領
域３を設けるとともに該基板の側面に電極４を設け、 該基板の上部、或いは該基板の下部よりＸおよびＹ方向
に沿って電磁波を走査しながら照射し、該電磁波の照射
による基板内の電位を、前記電極間で測定し、 前記基板と該基板の逆導電型領域２の境界位置のＰ−Ｎ
接合部２Ａ、２Ｂ 、或いは前記基板とキャリア濃度変
動領域３との境界位置３Ａ、３Ｂで発生している内部電
界による基板ｌ内の電位変動を測定することで、前記基
板内の内部電界の発生位置を検知して前記Ｐ−Ｎ接合部
２Ａ 、 ２Ｂの位置、或いは基板ｌとキャリア濃度変
動領域３との境界位置３Ａ、３Ｂを検知し、 前記Ｐ−Ｎ接合部２Ａ、２Ｂ 、および前記基板とキャ
リア濃度変動領域３の境界位置３Ａ、３１１の検知情報
を基にして前記半導体基板に塗布したレジスト膜への露
光、或いは前記半導体基板へのイオン注入の位置決めを
行うようにしたこと構成する。
すように、半導体基板１に該基板の逆導電型領域２、或
いは該基板とキャリア濃度が異なるキャリア濃度変動領
域３を設けるとともに該基板の側面に電極４を設け、 該基板の上部、或いは該基板の下部よりＸおよびＹ方向
に沿って電磁波を走査しながら照射し、該電磁波の照射
による基板内の電位を、前記電極間で測定し、 前記基板と該基板の逆導電型領域２の境界位置のＰ−Ｎ
接合部２Ａ、２Ｂ 、或いは前記基板とキャリア濃度変
動領域３との境界位置３Ａ、３Ｂで発生している内部電
界による基板ｌ内の電位変動を測定することで、前記基
板内の内部電界の発生位置を検知して前記Ｐ−Ｎ接合部
２Ａ 、 ２Ｂの位置、或いは基板ｌとキャリア濃度変
動領域３との境界位置３Ａ、３Ｂを検知し、 前記Ｐ−Ｎ接合部２Ａ、２Ｂ 、および前記基板とキャ
リア濃度変動領域３の境界位置３Ａ、３１１の検知情報
を基にして前記半導体基板に塗布したレジスト膜への露
光、或いは前記半導体基板へのイオン注入の位置決めを
行うようにしたこと構成する。
第１図の原理図、第１図の１−１’線に沿った断面図の
第２図に示すように、例えばＰ型のＳｉ基板ｌにＮ型の
不純物原子をイオン注入してＮ型領域２、或いは該基板
より高濃度のＰ型の不純物を導入したＰ″領域３を形成
し、このＳｉ基板１にＸ方向およびＹ方向に電子ビーム
を走査しながら照射する。
第２図に示すように、例えばＰ型のＳｉ基板ｌにＮ型の
不純物原子をイオン注入してＮ型領域２、或いは該基板
より高濃度のＰ型の不純物を導入したＰ″領域３を形成
し、このＳｉ基板１にＸ方向およびＹ方向に電子ビーム
を走査しながら照射する。
図示するようにＳｔ基板ｌの表面にＸ方向およびＹ方向
に沿って電子ビームを走査しながら照射すると、Ｎ型領
域２の一端部のＰ−Ｎ接合部２Ａで電子と正孔の対が発
生し、この内の電子はＮ型領域２内を矢印入方向に沿っ
て通過し、Ｎ型領域２の他端部のＰ−Ｎ接合部２ＢでＰ
型のＳｉ基板１に放出される。
に沿って電子ビームを走査しながら照射すると、Ｎ型領
域２の一端部のＰ−Ｎ接合部２Ａで電子と正孔の対が発
生し、この内の電子はＮ型領域２内を矢印入方向に沿っ
て通過し、Ｎ型領域２の他端部のＰ−Ｎ接合部２ＢでＰ
型のＳｉ基板１に放出される。
そのため、第３図に示す上記電子ビームを走査した際の
基Ｆｉｌの側端部に設けた電極４間に発生する電位分布
図に示すように、内部電界が発生しているＰ−Ｎ接合部
２Ａでは正孔が過剰となり、電位分布曲線１１に中電位
のピーク値１１Ａが生じる。
基Ｆｉｌの側端部に設けた電極４間に発生する電位分布
図に示すように、内部電界が発生しているＰ−Ｎ接合部
２Ａでは正孔が過剰となり、電位分布曲線１１に中電位
のピーク値１１Ａが生じる。
そして前記Ｎ型領域２のＸ方向の他の他端部の内部電界
が発生しているＰ−Ｎ接合部２Ｂは、放出された電子に
より電子過剰となり、その部分は電位分布曲線１１で一
電位のピーク値１１Ｂが生じる。
が発生しているＰ−Ｎ接合部２Ｂは、放出された電子に
より電子過剰となり、その部分は電位分布曲線１１で一
電位のピーク値１１Ｂが生じる。
また第２図に示すＰ″領域３の基板との境界値１３Ａで
は電子と正孔対が発生し、この内の正孔はｐ ６ ？ｉ
Ｉ域３を通過してＰ″領域３の他の境界位置３Ｂで基板
に放出される。そのためＰ１領域３の内部電界が発生す
る境界位置３Ａでは電子が過剰に成るために電位分布曲
線１２に示すように一電位のピーク値１２＾が生じ、Ｐ
′領域３の内部電界が発生する他の境界位置３Ｂでは放
出された正孔により正孔過剰となり、その部分は電位分
布曲線１２で中電位のピーク値１２Ｂを生じる。
は電子と正孔対が発生し、この内の正孔はｐ ６ ？ｉ
Ｉ域３を通過してＰ″領域３の他の境界位置３Ｂで基板
に放出される。そのためＰ１領域３の内部電界が発生す
る境界位置３Ａでは電子が過剰に成るために電位分布曲
線１２に示すように一電位のピーク値１２＾が生じ、Ｐ
′領域３の内部電界が発生する他の境界位置３Ｂでは放
出された正孔により正孔過剰となり、その部分は電位分
布曲線１２で中電位のピーク値１２Ｂを生じる。
このようにしてＰ−Ｎ接合部２Ａ、２Ｂ 、或いは基板
に対してキャリア濃度が変化している境界位置３Ａ、３
Ｂで、電位分布値のピーク値が現れるので、このピーク
値が発生した箇所を検知することで、Ｐ−Ｎ接合部２Ａ
、２Ｂの位置、或いはキャリア濃度が変動した境界位置
３Ａ、３Ｂを検知することができる。
に対してキャリア濃度が変化している境界位置３Ａ、３
Ｂで、電位分布値のピーク値が現れるので、このピーク
値が発生した箇所を検知することで、Ｐ−Ｎ接合部２Ａ
、２Ｂの位置、或いはキャリア濃度が変動した境界位置
３Ａ、３Ｂを検知することができる。
またこのように発生した電位分布の出力信号を画像処理
回路で白、黒の二値信号として信号処理してＣＲＴ画面
上に表示するとＰ領域、およびＮ領域がコントラスト良
く表示され、半導体基板内に形成されているＰ−Ｎ接合
部がＣＲ’ｒ’画面上で可視化される。
回路で白、黒の二値信号として信号処理してＣＲＴ画面
上に表示するとＰ領域、およびＮ領域がコントラスト良
く表示され、半導体基板内に形成されているＰ−Ｎ接合
部がＣＲ’ｒ’画面上で可視化される。
そして該Ｓｉ基板に予めレジスト膜を塗布し、前記検出
されたＰ−Ｎ接合部２Ａ、２Ｂや、基板とキャリア濃度
の異なる領域との境界位置３Ａ、３Ｂの基板内に於ける
位置情報を基にして電子ビーム露光装置等を動作させる
ことで、該基板の所定の位置を露光することができる。
されたＰ−Ｎ接合部２Ａ、２Ｂや、基板とキャリア濃度
の異なる領域との境界位置３Ａ、３Ｂの基板内に於ける
位置情報を基にして電子ビーム露光装置等を動作させる
ことで、該基板の所定の位置を露光することができる。
また本発明の方法と集束イオンビーム注入装置とを組み
合わせることで、基板の所定の位置にイオン注入するこ
とが可能となる。
合わせることで、基板の所定の位置にイオン注入するこ
とが可能となる。
以下、図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明
する。
する。
第４図は本発明の方法の一実施例の説明図である。
図示するように、カソード２１およびアノード２２より
なる電子銃２３より照射された電子ビーム２４は集光レ
ンズ２５で光量を絞られ、走査回路２６の走査信号によ
って走査レンズ２７を所定の位置および所定のピンチで
走査することで、前記電子ビームを例えばＰ型のＳｉ基
板ｌの基板のＸｌ、 Ｘ！＋Ｘ３・・・・・・の方向に
沿って走査する。そしてＳｉ基Ｆｉ、ｌの両側端部に形
成した電極４にて、電子ビームの走査によって基板内に
発生した電位を検出し、この検出した出力電位信号を増
幅器２８によって増幅する。そして前記第１図のＰ−Ｎ
接合部２Ａ、２Ｂと、基板とキャリア濃度変動領域３の
境界位置３Ａ、３Ｂで発生した電位のピーク値を検知し
、検出した電圧信号を、前記走査回路２６より送出され
る同期信号で同期させて画像処理回路２９にて画像信号
に変換してＣＲＴａ２の表示画面上に表示する。
なる電子銃２３より照射された電子ビーム２４は集光レ
ンズ２５で光量を絞られ、走査回路２６の走査信号によ
って走査レンズ２７を所定の位置および所定のピンチで
走査することで、前記電子ビームを例えばＰ型のＳｉ基
板ｌの基板のＸｌ、 Ｘ！＋Ｘ３・・・・・・の方向に
沿って走査する。そしてＳｉ基Ｆｉ、ｌの両側端部に形
成した電極４にて、電子ビームの走査によって基板内に
発生した電位を検出し、この検出した出力電位信号を増
幅器２８によって増幅する。そして前記第１図のＰ−Ｎ
接合部２Ａ、２Ｂと、基板とキャリア濃度変動領域３の
境界位置３Ａ、３Ｂで発生した電位のピーク値を検知し
、検出した電圧信号を、前記走査回路２６より送出され
る同期信号で同期させて画像処理回路２９にて画像信号
に変換してＣＲＴａ２の表示画面上に表示する。
そして前記出力電位信号の子信号を黒、−信号を白、或
いはこの逆に成るように画像処理回路で信号処理すると
、ＣＲＴａ２の表示画面上にＮ型領域３２や、Ｐ壁領域
３３やＰ−Ｎ接合部の位置がコントラスト良く表示画面
上に表示される。
いはこの逆に成るように画像処理回路で信号処理すると
、ＣＲＴａ２の表示画面上にＮ型領域３２や、Ｐ壁領域
３３やＰ−Ｎ接合部の位置がコントラスト良く表示画面
上に表示される。
以上述べたように本発明の方法により、位置合わせマー
クを用いることなく、半導体基板に形成された透導電体
領域や、高濃度領域のパターンを検出することができ、
このパターンデータを基にして、露光装置を稼働させて
露光すると高精度に露光できる。
クを用いることなく、半導体基板に形成された透導電体
領域や、高濃度領域のパターンを検出することができ、
このパターンデータを基にして、露光装置を稼働させて
露光すると高精度に露光できる。
また上記パターンデータを基にして、集束イオンビーム
照射装置を用いてイオン注入すると、半導体基板の所定
領域に高精度にイオン注入することができる。
照射装置を用いてイオン注入すると、半導体基板の所定
領域に高精度にイオン注入することができる。
尚、本実施例では電磁波として電子ビームを用いたが、
電子ビームの代わりにレーザ光、赤外光、可視光、Ｘ線
等の電磁波をビーム状にして用いても良い。
電子ビームの代わりにレーザ光、赤外光、可視光、Ｘ線
等の電磁波をビーム状にして用いても良い。
また半導体基板の内部電界の発生領域として本実施例で
示したＳｉ基板に形成したＰ−Ｎ接合領域、Ｐ” Ｐ領
域の他に、Ｐ−Ｐ領域、Ｎ″ＮＮ領域−Ｎｊｆｆ域の境
界位置でも同様な現象が発生するし、またＳｉ基板の他
にＭＩＳ構造の半導体装置の場合は、半導体基板と絶縁
膜領域の界面の半導体基板表面でエネルギーバンドが曲
がり、内部電界を発生しているところや、ヘテロ構造の
半導体装置に於けるヘテロ界面に於いて、上記電磁波を
照射す−ると上記した実施例と同様な現象が発生する。
示したＳｉ基板に形成したＰ−Ｎ接合領域、Ｐ” Ｐ領
域の他に、Ｐ−Ｐ領域、Ｎ″ＮＮ領域−Ｎｊｆｆ域の境
界位置でも同様な現象が発生するし、またＳｉ基板の他
にＭＩＳ構造の半導体装置の場合は、半導体基板と絶縁
膜領域の界面の半導体基板表面でエネルギーバンドが曲
がり、内部電界を発生しているところや、ヘテロ構造の
半導体装置に於けるヘテロ界面に於いて、上記電磁波を
照射す−ると上記した実施例と同様な現象が発生する。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように本発明によれば、位置合
わせマークを用いることなく、半導体基板の露光すべき
パターンの位置を高精度に検知でき、レジスト膜が基板
上に塗布されている場合でも、パターンの大きさや位置
を高精度に検知することができるので、半導体装置の露
光工程や、イオン注入工程に於けるパターンの位置を高
精度に検知でき、本発明の方法を半導体装置の製造工程
に用いると高精度に露光、およびイオン注入ができる効
果を有する。
わせマークを用いることなく、半導体基板の露光すべき
パターンの位置を高精度に検知でき、レジスト膜が基板
上に塗布されている場合でも、パターンの大きさや位置
を高精度に検知することができるので、半導体装置の露
光工程や、イオン注入工程に於けるパターンの位置を高
精度に検知でき、本発明の方法を半導体装置の製造工程
に用いると高精度に露光、およびイオン注入ができる効
果を有する。
第１図は本発明の方法の原理図、
第２図は第１図の１−１′線に沿った断面図、第３図は
本発明の方法に於ける電子ビームを走査した時の電圧出
力図、 第４図は本発明の方法の一実施例の説明図を示す。 図において、 １は半導体基板（Ｐ型Ｓｉ基板）、２は逆導電型領域（
Ｎ型領域） 、２Ａ、２ＢはＰ−Ｎ接合部、３はキャリ
ア濃度変動領域（Ｐ“領域） 、３Ａ、３Ｂは境界位置
、４は電極、１１．１２は電位分布１ｉＩＩ線、ＩＩＡ
、１１８．１２Ａ。 １２Ｂはピーク値、２１はカソード、２２はアノード、
２３は電子銃、２４は電子ビーム、２５は集光レンズ、
２６は走査回路、２７は走査レンズ、２８は増幅器、２
９は画像処理回路、３１はＣＲＴ 、 ３２はＮ型領域
、３３はＰ型頭域を示す。 オ歴ｇｌ！／１方沫９虚理房 第１図 才１間＾１４’茅り討旬の 第 ２ 図 イ→ざ日ＩＲ（＋方）夫、；γ全１すｄ）ビー４亀疋１
１乙吋−４ｈモｔガｍ第 ３ 図 第 図
本発明の方法に於ける電子ビームを走査した時の電圧出
力図、 第４図は本発明の方法の一実施例の説明図を示す。 図において、 １は半導体基板（Ｐ型Ｓｉ基板）、２は逆導電型領域（
Ｎ型領域） 、２Ａ、２ＢはＰ−Ｎ接合部、３はキャリ
ア濃度変動領域（Ｐ“領域） 、３Ａ、３Ｂは境界位置
、４は電極、１１．１２は電位分布１ｉＩＩ線、ＩＩＡ
、１１８．１２Ａ。 １２Ｂはピーク値、２１はカソード、２２はアノード、
２３は電子銃、２４は電子ビーム、２５は集光レンズ、
２６は走査回路、２７は走査レンズ、２８は増幅器、２
９は画像処理回路、３１はＣＲＴ 、 ３２はＮ型領域
、３３はＰ型頭域を示す。 オ歴ｇｌ！／１方沫９虚理房 第１図 才１間＾１４’茅り討旬の 第 ２ 図 イ→ざ日ＩＲ（＋方）夫、；γ全１すｄ）ビー４亀疋１
１乙吋−４ｈモｔガｍ第 ３ 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板（１）に該基板の逆導電型領域（２）、或い
は該基板とキャリア濃度が異なるキャリア濃度変動領域
（３）を設けるとともに該基板の側面に電極（４）を設
け、 該基板の上部、或いは該基板の下部よりＸおよびＹ方向
に沿って電磁波を走査しながら照射し、該電磁波の照射
による基板内の電位を、前記電極間で測定し、 前記基板と該基板の逆導電型領域（２）の基板との境界
位置のＰ−Ｎ接合部（２Ａ、２Ｂ）、或いは前記基板と
キャリア濃度変動領域（３）との境界位置（３Ａ、３Ｂ
）で発生している内部電界による基板（１）内の電位変
動を測定することで、前記基板内の内部電界の発生位置
を検知して前記Ｐ−Ｎ接合部（２Ａ、２Ｂ）の位置、或
いは基板（１）とキャリア濃度変動領域（３）との境界
位置（３Ａ、３Ｂ）を検知し、前記Ｐ−Ｎ接合部（２Ａ
、２Ｂ）、および前記基板とキャリア濃度変動領域（３
）の境界位置（３Ａ、３Ｂ）の検知情報を基にして前記
半導体基板に塗布したレジスト膜への露光、或いは前記
半導体基板へのイオン注入の注入位置の位置決めを行う
ようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1173334A JPH0338022A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1173334A JPH0338022A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0338022A true JPH0338022A (ja) | 1991-02-19 |
Family
ID=15958505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1173334A Pending JPH0338022A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0338022A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142528A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 局舎ボックス付テレビ中継送信機およびその設置方法 |
-
1989
- 1989-07-04 JP JP1173334A patent/JPH0338022A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142528A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 局舎ボックス付テレビ中継送信機およびその設置方法 |
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