JPS61102006A - surge absorber - Google Patents
surge absorberInfo
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- JPS61102006A JPS61102006A JP59224459A JP22445984A JPS61102006A JP S61102006 A JPS61102006 A JP S61102006A JP 59224459 A JP59224459 A JP 59224459A JP 22445984 A JP22445984 A JP 22445984A JP S61102006 A JPS61102006 A JP S61102006A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子機器を雷などの各種サージ電圧から保護
するサージ吸収器に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a surge absorber that protects electronic equipment from various surge voltages such as lightning.
従来例の構成とその問題点
近年、電子機器の多機能化に伴ない、家電機器、情報通
信機器、産業機器分野等において、数多くのIC,LS
Iなどの半導体が用いられている。Conventional configurations and their problems In recent years, as electronic equipment has become more multifunctional, many ICs and LS
Semiconductors such as I are used.
これらの半導体は、優れた機能を持つ反面、雷や誘導負
荷の開閉時に発生するサージ電圧に対して極めて敏感で
あり、誤動作あるいは破壊、機能停止に至る場合も少な
くない。このような有害なサージ電圧から半導体を保護
するために、酸化亜鉛やチタン酸ストロンチウムなどを
主成分とするセラミックバリスタが幅広く用いられてい
る。これらのバリスタは、単品適用で充分その効果を発
揮するが、そのサージ抑制効果をさらに向上させるため
に、抵抗器やインダクタンスなどのインピーダンス要素
と組合せ、複合サージ吸収器として適用する場合が増加
してきた。Although these semiconductors have excellent functionality, they are extremely sensitive to surge voltages generated by lightning or when inductive loads are switched on and off, often resulting in malfunction, destruction, or failure. To protect semiconductors from such harmful surge voltages, ceramic varistors whose main components are zinc oxide, strontium titanate, etc. are widely used. These varistors are effective when used alone, but in order to further improve their surge suppression effects, they are increasingly being combined with impedance elements such as resistors and inductances to form composite surge absorbers. .
このような従来のサージ吸収器について第4図を用いて
説明する。第4図は従来のサージ吸収器を被爆It薇器
に接続した状態の回路図で、1は被保護機器、2.3は
被保護機器1の信号線、4は信号[12,3側の線間に
接続された第1のバリスタ、5は被保護機器1側の線間
に同様に接続された第2のバリスタ、6は第1のバリス
タ4と第2のバリスタ5との間で信号線2に直列に接続
されたインピーダンス要素の一例としての抵抗器、7は
前記2filJのバリスタ4,5と1個の抵抗器6とで
π字型に構成されたサージ吸収器である。Such a conventional surge absorber will be explained using FIG. 4. Figure 4 is a circuit diagram of a conventional surge absorber connected to an atomic bomb device, where 1 is the protected device, 2.3 is the signal line of the protected device 1, and 4 is the signal line [12, 3 side] A first varistor connected between the lines, 5 a second varistor similarly connected between the lines on the protected equipment 1 side, and 6 a signal between the first varistor 4 and the second varistor 5. A resistor 7 as an example of an impedance element connected in series with the line 2 is a surge absorber configured in a π-shape with the 2filJ varistors 4 and 5 and one resistor 6.
まず、雷などのサージ電圧は信号線2,3間に発生する
が、そのサージ電圧は、第1段目に位置する第1のバリ
スタ4によって、そのサージエネルギーの多くは吸収さ
れ、ある程度低い電圧に抑制される。さらに、この抑制
された電圧は抵抗器6と第2のバリスタ5によってさら
に低い電圧に抑制され、被保護機器1にとって充分低い
電圧となる。従来、これらの複合サージ吸収器は、個々
のディスクリート部品の組合せによって形成されていた
。例えば、第1及び第2のバリスタ4,5は、酸化亜鉛
バリスタで、それぞれ2本のリード線をもつラジアルリ
ードタイプのもの、また抵抗器6は、必要な定格電力を
有した炭素皮膜抵抗器、金属皮膜抵抗器、ソリッド抵抗
器などのアクシャルリードタイプのものが、プリント基
板上に個別に装着されていた。しかしながら、このよう
な構成方法では、小型化、軽邑化が難しく、まだ組立て
に用する工数も高く、経済的な面においても問題があり
、小型で同様な特性を有するサージ吸収器が望まれてい
た。First, surge voltage such as lightning occurs between the signal lines 2 and 3, but most of the surge energy is absorbed by the first varistor 4 located in the first stage, resulting in a somewhat lower voltage. is suppressed. Furthermore, this suppressed voltage is further suppressed to a lower voltage by the resistor 6 and the second varistor 5, and becomes a sufficiently low voltage for the protected device 1. Traditionally, these composite surge absorbers have been formed by a combination of individual discrete components. For example, the first and second varistors 4 and 5 are zinc oxide varistors, each of a radial lead type with two lead wires, and the resistor 6 is a carbon film resistor with the required power rating. Axial lead types such as , metal film resistors, and solid resistors were mounted individually on printed circuit boards. However, with this configuration method, it is difficult to downsize and lighten the structure, the number of man-hours required for assembly is still high, and there are problems from an economical perspective.Therefore, a surge absorber that is small and has similar characteristics is desired. was.
発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するもので、従来と同等
な特性を持ち、小型・軽最で且つ組立て工数を低減でき
るサージ吸収器を提供することを目的とする。OBJECTS OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned conventional drawbacks, and aims to provide a surge absorber that has characteristics equivalent to the conventional ones, is smaller and lighter, and can reduce the number of assembly steps.
発明の構成
上記目的を達成するため、本発明のサージ吸収器は、板
状のバリスタ基板と、このバリスタ基板の両面にこのバ
リスタ基板を挟んで相対向するように形成されかつ少な
くとも一方が複数に分割された電極と、前記バリスタ基
板上でかつ前記分割された電極間に形成された抵抗体や
インダクタといったインピーダンス要素と、前記バリス
タ基板上に形成されて前記電極のうち終端となる電極を
前記バリスタ基板の縁部に引き出すプリント配線と、こ
れらプリント配線部分で前記バリスタ基板を挟み込む金
属製の外部端子とを備えた構成としたものである。Structure of the Invention In order to achieve the above object, the surge absorber of the present invention includes a plate-shaped varistor substrate, and a plurality of varistor substrates formed on both sides of the varistor substrate so as to face each other with the varistor substrate sandwiched therebetween. The divided electrodes, an impedance element such as a resistor or an inductor formed on the varistor substrate and between the divided electrodes, and an electrode formed on the varistor substrate and serving as a terminal among the electrodes are connected to the varistor. The varistor board is configured to include printed wiring drawn out to the edge of the board, and metal external terminals that sandwich the varistor board between these printed wiring parts.
かかる構成によれば、1枚のバリスタ基板で、複数のバ
リスタ及び複数のインピーダンス要素が形成され、従来
のディスクリート複合サージ吸収器にとってかわること
が可能となる。According to this configuration, a plurality of varistors and a plurality of impedance elements are formed on one varistor board, and it becomes possible to replace a conventional discrete composite surge absorber.
実施例の説明
以下、本発明の実施例について、図面に基づいて説明す
る。DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described based on the drawings.
第1図は本発明の第1の実施例におけるサージ吸収器の
構成を示すもので、Aは裏面図、Bは平面図、Cは側面
図である。第1図において、8は板状をなしたバリスタ
基板、9はバリスタ基板8の裏面に銀焼付けなどによっ
て形成された電極、10、11はバリスタ基板8の表面
に同様に形成された電極で、電極10.11は、電極9
にバリスタ基板8を介して対向する位置にある。また電
極10は、適用上大きなエネルギーを吸収するため、電
極11よりも広く設定しである。12.13.14は終
端となる電極9.10.11からバリスタ基板8の縁部
まで引き伸ばされたプリント配線で、電極9.10.1
1の形成時に電極9.10.11と同一材料で同時にス
クリーン印刷法などで形成される。15.16.17は
プリント配線12.13.14の縁部に接続された金属
製の外部端子で、バリスタ基板8を挟み込む形で固定さ
れ、高温半田などによってそれぞれ電気的に接続される
。18は電極10.11間を接続する抵抗体で、バリス
タ基板8の表面に焼付けによって形成されたグレーズ抵
抗体である。このグレーズ抵抗体は量産性に富み、また
基板のフラット性を維持する特徴をもつ。このように構
成されたサージ吸収器は、実装時、外部端子15.16
.17を残して、エポキシ樹脂などでコーティングされ
る。FIG. 1 shows the configuration of a surge absorber according to a first embodiment of the present invention, in which A is a back view, B is a top view, and C is a side view. In FIG. 1, 8 is a plate-shaped varistor substrate, 9 is an electrode formed on the back surface of the varistor substrate 8 by silver baking, etc., and 10 and 11 are electrodes similarly formed on the surface of the varistor substrate 8. Electrode 10.11 is electrode 9
The varistor substrate 8 is located at a position opposite to the varistor substrate 8. Further, the electrode 10 is set wider than the electrode 11 in order to absorb a large amount of energy in the application. 12.13.14 is a printed wiring extending from the terminal electrode 9.10.11 to the edge of the varistor board 8, and the electrode 9.10.1
When forming electrodes 9, 10, and 11, they are simultaneously formed of the same material as electrodes 9, 10, and 11 by a screen printing method or the like. Metal external terminals 15, 16, and 17 are connected to the edges of the printed wiring 12, 13, and 14, and are fixed with the varistor board 8 sandwiched therebetween, and are electrically connected to each other by high-temperature solder or the like. A resistor 18 connects the electrodes 10 and 11, and is a glaze resistor formed on the surface of the varistor substrate 8 by baking. This glaze resistor is suitable for mass production and has the feature of maintaining the flatness of the substrate. When the surge absorber configured in this way is mounted, the external terminals 15, 16
.. All but 17 are coated with epoxy resin or the like.
以上のように構成された3本の外部端子15.16゜1
7をもつサージ吸収器は、第4図に示した従来のサージ
吸収器の回路と同様な構成を持つことになる。すなわち
、第1のバリスタ4は電極9,10間で形成され、抵抗
6は抵抗体18で、また第2のバリスタ5は電極9.1
1間でそれぞれ形成される。Three external terminals configured as above 15.16°1
7 will have a similar configuration to the conventional surge absorber circuit shown in FIG. That is, the first varistor 4 is formed between electrodes 9, 10, the resistor 6 is a resistor 18, and the second varistor 5 is formed between electrodes 9, 10.
Each is formed between 1 and 2.
外部端子16は信号1m2の線路側へ、外部端子17は
信号線17は信号線2の被保護機器1側へ、また外部端
子15は信号線3に接続されることとなる。The external terminal 16 is connected to the signal line 1m2 line side, the signal line 17 is connected to the protected device 1 side of the signal line 2, and the external terminal 15 is connected to the signal line 3.
このように本実施例によれば、1枚の板状のバリスタ基
板8で2個のバリスタと1個の抵抗体とを構成すること
が可能となり、小形・軽量・省スペースならびに組立工
数の低減を実現できる。In this way, according to this embodiment, it is possible to configure two varistors and one resistor with a single plate-shaped varistor board 8, resulting in a small size, light weight, space saving, and reduction in assembly man-hours. can be realized.
次に、本発明の第2の実施例について第2図及び第3図
に基づいて説明する。第3図は本発明の第2の実施例に
おけるサージ吸収器を被保護機器に接続した状態の回路
図で、第4図の回路構成を対称形としたものである。4
a、4b及び5a。Next, a second embodiment of the present invention will be described based on FIGS. 2 and 3. FIG. 3 is a circuit diagram of a second embodiment of the present invention in which a surge absorber is connected to a protected device, and is a symmetrical version of the circuit configuration shown in FIG. 4. 4
a, 4b and 5a.
5bはそれぞれ信号線2,3側のバリスタ及び被保護機
器1側のバリスタで、一端を共通としている。19は接
地端子で、前記4個のバリスタ4a。5b is a varistor on the side of the signal lines 2 and 3, and a varistor on the side of the protected device 1, each having one end in common. 19 is a ground terminal, and the four varistors 4a.
4b、5a、5bの共通側端子となるものである。This serves as a common side terminal for 4b, 5a, and 5b.
5a 、5bは抵抗体である。なお、他の符号は第4図
と同様である。5a and 5b are resistors. Note that other symbols are the same as in FIG. 4.
第3図は本発明の第2の実施例におけるサージ吸収器を
示しており、基本的には第1の実施例の構成の2回路分
を1枚のバリスタ基板で構成したものである。第3図の
Aは裏面図、Bは平面図、Cは側面図である。第3図に
おいて、9aは板状のバリスタ基板8の裏面に設けられ
た電極、10a。FIG. 3 shows a surge absorber according to a second embodiment of the present invention, which basically consists of two circuits of the structure of the first embodiment on one varistor board. In FIG. 3, A is a back view, B is a plan view, and C is a side view. In FIG. 3, reference numeral 9a indicates an electrode 10a provided on the back surface of the plate-shaped varistor substrate 8.
11a 、 10b 、 11bはバリスタ基板8の表
面に形成された電極で、これらの電極10a 、 11
a 、 10b 。11a, 10b, 11b are electrodes formed on the surface of the varistor substrate 8, and these electrodes 10a, 11
a, 10b.
11bは前記電極9aにバリスタ基板8を介して対向し
ている。12a 、 13a 、 13b 、 14a
、 14bはそれぞれ電極9a 、 10a 、 1
1a 、 10b 、 11bからバリスタ基板8の縁
部まで引き伸ばされたプリント配線、20.16b 、
17b 、 16a 、 17aはプリント配線9a
、 10a 、 Ila 、 10b 、 11bに
接続された金属製の外部端子、18a 、 18bはグ
レーズ抵抗体である。バリスタ4aは電極9a、10a
間で、バリスタ5aは電極9a 、 11a間で、バリ
スタ4bは電極9a 、 10b間で、バリスタ5bは
電極9a。11b faces the electrode 9a with the varistor substrate 8 in between. 12a, 13a, 13b, 14a
, 14b are electrodes 9a, 10a, 1, respectively.
Printed wiring stretched from 1a, 10b, 11b to the edge of the varistor board 8, 20.16b,
17b, 16a, 17a are printed wiring 9a
, 10a, Ila, 10b, 11b, and 18a, 18b are glaze resistors. Varistor 4a has electrodes 9a and 10a
In between, varistor 5a is between electrodes 9a and 11a, varistor 4b is between electrodes 9a and 10b, and varistor 5b is between electrode 9a.
11b IIJでそれぞれ形成される。また抵抗体6a
は抵抗体18aで、抵抗体6bは抵抗体18bでそれぞ
れ形成される。外部端子16b 、 16aはそれぞれ
信号線2.3の線路側に接続され、外部端子16b。11b and IIJ, respectively. Also, the resistor 6a
is formed by the resistor 18a, and the resistor 6b is formed by the resistor 18b. The external terminals 16b and 16a are each connected to the line side of the signal line 2.3, and the external terminal 16b.
16aは、信号線2,3の被保護機器1側へ接続される
。また外部端子20は接地端子19に接続される。16a is connected to the protected device 1 side of the signal lines 2 and 3. Further, the external terminal 20 is connected to the ground terminal 19.
このように本実施例によれば、1枚のバリスタ基板8で
4個のバリスタと2個の抵抗とを構成することが可能と
り、小型・軽量・省スペース化及び組立工数の低減を、
第1の実施例よりもさらに効果的に実現できる。In this way, according to the present embodiment, it is possible to configure four varistors and two resistors with one varistor board 8, resulting in smaller size, lighter weight, space saving, and reduced assembly man-hours.
This can be realized more effectively than the first embodiment.
なお、さらにより多くの回路、また実施例と異なる回路
をバリスタ基板上に構成することも可能である。例えば
、抵抗体18.18a、18bとしてチップ抵抗体を用
いたものである。動作については第1及び第2の寥施例
と同様である。このようにチップ抵抗体を用いれば、用
途にって抵抗値を容易に変更することができ、また抵抗
焼付のように高温焼付処理が不要となり、バリスタ基板
8への特性影響が少なくなるという特徴を有する。また
チップ抵抗体として、単に直線的な特性を有するものだ
けでなく、ヒユーズ抵抗体、あるいは正特性サーミスタ
チップ抵抗体などの半導体抵抗体の接続も容易となるな
どの効果をも有する。Note that it is also possible to configure more circuits or circuits different from those in the embodiments on the varistor substrate. For example, chip resistors are used as the resistors 18.18a and 18b. The operation is similar to the first and second embodiments. By using a chip resistor in this way, the resistance value can be easily changed depending on the application, and there is no need for high-temperature baking treatment like resistor baking, which reduces the effect on the characteristics of the varistor board 8. has. Further, as a chip resistor, not only one having linear characteristics but also a semiconductor resistor such as a fuse resistor or a positive temperature coefficient thermistor chip resistor can be easily connected.
また別の例としては、インピーダンス要素として、抵抗
体1g、 18a 、 18bの代わりにチップインダ
クタを用いることが挙げられる。通常、サージ電圧は数
十(KHz )〜1 (MH2)程度の高周波成分を含
んでいるが、これらの周波数成分に対しては、抵抗体よ
りもインダクタの方がより良いサージ電圧減衰特性を示
す。このチップインダクターをインピーダンス要素とし
て用いることにより、用途によるインダクタンス値の変
更が容易で、サージ電圧減衰特性が抵抗体よりも優れて
いる、焼付は時の影響が回避できるなどの効果が得られ
る。Another example is to use chip inductors as impedance elements instead of the resistors 1g, 18a, and 18b. Normally, surge voltage includes high frequency components on the order of several tens of kilohertz (KHz) to one kilometer (MH2), but inductors exhibit better surge voltage attenuation characteristics than resistors for these frequency components. . By using this chip inductor as an impedance element, it is easy to change the inductance value depending on the application, the surge voltage attenuation characteristics are better than that of a resistor, and the effects of seizure can be avoided over time.
なお、上記実施例では外部端子を一辺に集めたが、バリ
スタ基板8の他の部分に分散させて上記と同様の効果が
1!7られることは勿論である。In the above embodiment, the external terminals are gathered on one side, but it goes without saying that the same effect as above can be obtained by dispersing them in other parts of the varistor board 8.
発明の詳細
な説明したように本発明によれば、小型・軽量・省スペ
ース化が実現できると同時に、単一部品で複合回路が形
成されるため、組立て工数を低減できる。またインピー
ダンス要素として焼付抵抗体を用いることによって量産
性に富みかつ表面がフラットな基板を構成することがで
きる。またインピーダンス要素としてチップ抵抗体を用
いることによって、抵抗値の容易な制御、抵抗体の種類
・機能の多様化が可能となる。またインピーダンス要素
としてチップインダクタを用いることによって、優れた
サージ抑制特性が得られると同時に、インダクタンス値
の制御が容易となる。As described in detail, according to the present invention, it is possible to realize miniaturization, light weight, and space saving, and at the same time, since a composite circuit is formed with a single component, the number of assembly steps can be reduced. Further, by using a baked-in resistor as an impedance element, it is possible to construct a substrate with a flat surface that is highly suitable for mass production. Furthermore, by using a chip resistor as an impedance element, it is possible to easily control the resistance value and to diversify the types and functions of the resistor. Further, by using a chip inductor as an impedance element, excellent surge suppression characteristics can be obtained, and at the same time, the inductance value can be easily controlled.
第1図Aは本発明の第1の実施例におけるサージ吸収器
の裏面図、同図Bは同平面図、同図Cは同側面図、第2
図は本発明の第2の実施例におけるサージ吸収器を被保
護機器に接続した状態の回路図、第3図Aは同サージ吸
収器の裏面図、同図Bは同平面図、同図Cは同側面図、
第4図は従来のサージ吸収器を被検21!m器に接続し
た状態の回路図である。 、
8・・・バリスタ基板、9.9a 、 10.10a
、 10b 。
11、11a 、 l1b−・−電極、12.12a
、 13.13a 、 13b 、 14.14a 、
1ab−・・プリント配線、15.16.16a 、
16b 、 17.17a 、 17b 、 20−
・・外部端子、18゜18a 、 18b −・・抵抗
代理人 森 本 義 弘
第1図
第2図
第3図1A is a back view of the surge absorber according to the first embodiment of the present invention, FIG. 1B is a top view, FIG. 1C is a side view, and FIG.
The figure is a circuit diagram of a surge absorber connected to a protected device according to the second embodiment of the present invention, Figure 3A is a rear view of the surge absorber, Figure B is a top view, and Figure C is the same side view,
Figure 4 shows a conventional surge absorber under test 21! It is a circuit diagram of the state connected to m device. , 8... Varistor board, 9.9a, 10.10a
, 10b. 11, 11a, l1b-・-electrode, 12.12a
, 13.13a, 13b, 14.14a,
1ab--Printed wiring, 15.16.16a,
16b, 17.17a, 17b, 20-
・・External terminal, 18° 18a, 18b --・Resistance agent Yoshihiro Morimoto Figure 1 Figure 2 Figure 3
Claims (1)
このバリスタ基板を挟んで相対向するように形成されか
つ少なくとも一方が複数に分割された電極と、前記バリ
スタ基板上でかつ前記分割された電極間に形成されたイ
ンピーダンス要素と、前記バリスタ基板上に形成されて
前記電極のうち終端となる電極を前記バリスタ基板の縁
部に引き出すプリント配線と、これらプリント配線部分
で前記バリスタ基板を挟み込む金属製の外部端子とを備
えたサージ吸収器。 2、インピーダンス要素は、バリスタ基板上に焼付けて
形成された抵抗体である特許請求の範囲第1項記載のサ
ージ吸収器。 3、インピーダンス要素は、チップ抵抗体である特許請
求の範囲第1項記載のサージ吸収器。 4、インピーダンス要素は、インダクタである特許請求
の範囲第1項記載のサージ吸収器。 5、インダクタがチップインダクタである特許請求の範
囲第4項記載のサージ吸収器。[Scope of Claims] 1. A plate-shaped varistor substrate, electrodes formed on both sides of the varistor substrate so as to face each other with the varistor substrate sandwiched therebetween, and at least one of which is divided into a plurality of parts; and an impedance element formed between the divided electrodes, a printed wiring formed on the varistor substrate and leading out a terminal electrode among the electrodes to an edge of the varistor substrate, and these printed wiring parts. A surge absorber comprising metal external terminals that sandwich the varistor board. 2. The surge absorber according to claim 1, wherein the impedance element is a resistor formed by baking on the varistor substrate. 3. The surge absorber according to claim 1, wherein the impedance element is a chip resistor. 4. The surge absorber according to claim 1, wherein the impedance element is an inductor. 5. The surge absorber according to claim 4, wherein the inductor is a chip inductor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59224459A JPS61102006A (en) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | surge absorber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59224459A JPS61102006A (en) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | surge absorber |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102006A true JPS61102006A (en) | 1986-05-20 |
Family
ID=16814106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59224459A Pending JPS61102006A (en) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | surge absorber |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102006A (en) |
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