JPS61102648A - リソグラフイ−用マスク構造体 - Google Patents
リソグラフイ−用マスク構造体Info
- Publication number
- JPS61102648A JPS61102648A JP59223851A JP22385184A JPS61102648A JP S61102648 A JPS61102648 A JP S61102648A JP 59223851 A JP59223851 A JP 59223851A JP 22385184 A JP22385184 A JP 22385184A JP S61102648 A JPS61102648 A JP S61102648A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flatness
- mask structure
- thin film
- mask
- lithography
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板のリソグラフィー加工技術において
用いられるマスク構造体に関する。
用いられるマスク構造体に関する。
リソグラフィー加工技術を用いて被加工材表面を部分的
に変質せしめることくよシ各種製品を製造することが工
業上特に電子工業の分野において広く利用されておシ、
この加工技術によれば、１４ターンが同一の表蘭変質部
を有する製品を大量に製造することができる。被加工材
の表面変質は各種エネルギー線の照射によシ行われ、こ
の際にはパターン形成のため、部分的にエネルギー線遮
断材を配置してなるマスクが用すられる。このようなマ
スクとしては照射するエネルギー線が可視光の場合には
、ガラス又は石英等の透明基板上に黒色の遮光盪料を部
分的に塗布したシ又はＮｉ 、 Ｃｒ等の金属の可視光
不透過性の薄板また°は薄膜を部分的に付与したものが
用いられていた。
に変質せしめることくよシ各種製品を製造することが工
業上特に電子工業の分野において広く利用されておシ、
この加工技術によれば、１４ターンが同一の表蘭変質部
を有する製品を大量に製造することができる。被加工材
の表面変質は各種エネルギー線の照射によシ行われ、こ
の際にはパターン形成のため、部分的にエネルギー線遮
断材を配置してなるマスクが用すられる。このようなマ
スクとしては照射するエネルギー線が可視光の場合には
、ガラス又は石英等の透明基板上に黒色の遮光盪料を部
分的に塗布したシ又はＮｉ 、 Ｃｒ等の金属の可視光
不透過性の薄板また°は薄膜を部分的に付与したものが
用いられていた。
しかるに、近年よ〕微細なノ々ターン形成が求められ、
更によシ短時間でのリソグラフィー加工技術が求められ
るにつれて、照射するエネルギー線としてＸ線、更には
イオン線等の粒子線が用いられる様になってきた。これ
らのエネルギー線は、上記可視光の場合に比較してマス
ク形成部材として用いられたガラス板や石英板を通過せ
しめると大部分が吸収されてしまう。このため、これら
のエネルギー線を用いる場合には、ガラス板や石英板を
用いてマスクを形成することは好ましくない。 □
そこでＸ線や粒子線を照射するエネルギー線として周込
るリソグラフィー加工技術においては各種の無機薄膜た
とえばチッ化シリコン、チッ化ホウ素又は酸化シリコン
等の薄膜あるいは各種の有機薄膜をエネルギー透過体と
して用いて、これらの面上に金、白金、ニッケル、ノぐ
ラジウム、ロジウム又はインジウム等の金属薄膜をエネ
ルギー吸収体として部分的に付与することにより、マス
クを形成することが行われている。
更によシ短時間でのリソグラフィー加工技術が求められ
るにつれて、照射するエネルギー線としてＸ線、更には
イオン線等の粒子線が用いられる様になってきた。これ
らのエネルギー線は、上記可視光の場合に比較してマス
ク形成部材として用いられたガラス板や石英板を通過せ
しめると大部分が吸収されてしまう。このため、これら
のエネルギー線を用いる場合には、ガラス板や石英板を
用いてマスクを形成することは好ましくない。 □
そこでＸ線や粒子線を照射するエネルギー線として周込
るリソグラフィー加工技術においては各種の無機薄膜た
とえばチッ化シリコン、チッ化ホウ素又は酸化シリコン
等の薄膜あるいは各種の有機薄膜をエネルギー透過体と
して用いて、これらの面上に金、白金、ニッケル、ノぐ
ラジウム、ロジウム又はインジウム等の金属薄膜をエネ
ルギー吸収体として部分的に付与することにより、マス
クを形成することが行われている。
マスクは自己保形性がないので、適宜の保持体に支持さ
れる。かくして構成されるリソグラフィー用マスク構造
体としては第１図に例示する断面図が示す如きものが用
すられている。これはエネルギー線吸収性のマスク材ｌ
を所望のパターンにて片面に付与されたエネルギー線透
過性の保持薄膜２の周辺部が環状保持基板３と接着剤４
によシ接着されている。環状保持基板３の最上部平端面
゛３＆には接着剤４が塗布されておらず、該平端面３ａ
の外側に角度θにて交わる面３ｂにのみ接着剤４が塗布
されて騒る。
れる。かくして構成されるリソグラフィー用マスク構造
体としては第１図に例示する断面図が示す如きものが用
すられている。これはエネルギー線吸収性のマスク材ｌ
を所望のパターンにて片面に付与されたエネルギー線透
過性の保持薄膜２の周辺部が環状保持基板３と接着剤４
によシ接着されている。環状保持基板３の最上部平端面
゛３＆には接着剤４が塗布されておらず、該平端面３ａ
の外側に角度θにて交わる面３ｂにのみ接着剤４が塗布
されて騒る。
ところが以上の如き従来のマスク構造体におりては、マ
スク材１の保持薄膜２としてポリイミド、ポリエステル
、ポリアミド等の有機薄膜が用いられ、その薄膜の厚さ
はたとえば２μ〜１２μであるため、マスク体の寸法安
定等の信頼性に関わる良好な平面度が得られていなかっ
た。
スク材１の保持薄膜２としてポリイミド、ポリエステル
、ポリアミド等の有機薄膜が用いられ、その薄膜の厚さ
はたとえば２μ〜１２μであるため、マスク体の寸法安
定等の信頼性に関わる良好な平面度が得られていなかっ
た。
本発明の目的は、以上の如き従来技術に鑑み、改良され
た環状保持基板にマスク材保持薄膜を接着してなる、平
面度の優れた保持薄膜を有するリソグラフィー用マスク
構造体を提供することである。
た環状保持基板にマスク材保持薄膜を接着してなる、平
面度の優れた保持薄膜を有するリソグラフィー用マスク
構造体を提供することである。
本発明のかかる目的は、表面に所望の７４ターンにてマ
スク材を付与してなるマスク材保持薄膜の周辺部を保持
基板の最上部平端面で保持せしめたリソグラフィー用マ
スク構造体において、前記保持基板の最上部平端面の表
面あらさが、最大高さで２μ以下であることを特徴とす
る、リソグラフィー用マスク構造体くより達成される。
スク材を付与してなるマスク材保持薄膜の周辺部を保持
基板の最上部平端面で保持せしめたリソグラフィー用マ
スク構造体において、前記保持基板の最上部平端面の表
面あらさが、最大高さで２μ以下であることを特徴とす
る、リソグラフィー用マスク構造体くより達成される。
面が表面あらさで最大高さＲｍａＫ”２μ以下、平端面
全面の平面度を０．２μ以下とすることによシ、全面薄
膜平面度の向上が容易になシ、所望の有効面項内薄膜平
面度が得られることを特徴とするリソグラフィー用マス
゛り構造体によって達成される。
全面の平面度を０．２μ以下とすることによシ、全面薄
膜平面度の向上が容易になシ、所望の有効面項内薄膜平
面度が得られることを特徴とするリソグラフィー用マス
゛り構造体によって達成される。
本発明のリソグラフィー用マスク構造体の一実施例を図
・面を参照して説明する。
・面を参照して説明する。
第１図は本発明に関わるマスクブランクス構造体の一実
施例の断百図であシ、第２図はその平面図である。保持
薄膜２の周辺部は環状保持基板３に接着剤４によシ接着
されている。保持薄膜２は、材質としてたとえばポリイ
ミド、ポリアミド、ポリエステル等の有機薄膜がｍ−ら
れ、その薄膜の厚さはたとえば２〜１２μである。環状
保持基板３としては、たとえばシリコン、ガラス、石英
、リン青銅、黄銅、ニッケル、ステンレス等が用いられ
、最上部平端面３ａには接着剤４は塗布されない。第５
図は、保持基板最上部平面度と薄膜平面度との相関関係
を示す図である。ここで、接着された内半径ｒの有機薄
膜の全面平面度をｔとすると、任意の半径ｔにおける有
効面項内平面度αは第４図に示す如く一×ｔμで与えら
れる・この有効面項内平面度αは、環状保持基板３内の
全面平面度の間に、相関関係があるため、良好な有効面
項内平面度を得るには、必然的に優れた全面平面度が必
要である。この全面平面度の向上を図るために内半径ｒ
の環状保持基板３の最上部平端面３ａを超精密旋盤、フ
ロート研磨などによ）、表面あらさで最大高さＲｍａｘ
＝ ２μ以下、平端面全面の平面度を０．２μ以下と
することで、保持薄膜全面平面度は０．１５μ以下にす
ることができる。
施例の断百図であシ、第２図はその平面図である。保持
薄膜２の周辺部は環状保持基板３に接着剤４によシ接着
されている。保持薄膜２は、材質としてたとえばポリイ
ミド、ポリアミド、ポリエステル等の有機薄膜がｍ−ら
れ、その薄膜の厚さはたとえば２〜１２μである。環状
保持基板３としては、たとえばシリコン、ガラス、石英
、リン青銅、黄銅、ニッケル、ステンレス等が用いられ
、最上部平端面３ａには接着剤４は塗布されない。第５
図は、保持基板最上部平面度と薄膜平面度との相関関係
を示す図である。ここで、接着された内半径ｒの有機薄
膜の全面平面度をｔとすると、任意の半径ｔにおける有
効面項内平面度αは第４図に示す如く一×ｔμで与えら
れる・この有効面項内平面度αは、環状保持基板３内の
全面平面度の間に、相関関係があるため、良好な有効面
項内平面度を得るには、必然的に優れた全面平面度が必
要である。この全面平面度の向上を図るために内半径ｒ
の環状保持基板３の最上部平端面３ａを超精密旋盤、フ
ロート研磨などによ）、表面あらさで最大高さＲｍａｘ
＝ ２μ以下、平端面全面の平面度を０．２μ以下と
することで、保持薄膜全面平面度は０．１５μ以下にす
ることができる。
この保持基板の形状は、環状に限らず、第３図の様な四
角形、六角形などの多角形の形状でも、環状保持基板内
マスク材保持薄膜の全面平面度におけるマスク有効面積
半径ｔｔｘｘ内の平面度αはα＝４ｘｔμで得られる。
角形、六角形などの多角形の形状でも、環状保持基板内
マスク材保持薄膜の全面平面度におけるマスク有効面積
半径ｔｔｘｘ内の平面度αはα＝４ｘｔμで得られる。
また、保持基板の材質の選択は、石英、ガラス、黄銅等
所望の平面度が仕上加工技術で得られる場合はこれに限
定されず他の材質によるものでも充分可能である。
所望の平面度が仕上加工技術で得られる場合はこれに限
定されず他の材質によるものでも充分可能である。
本発明によれば、以上説明したように、保持基板にマス
ク材保持薄膜を接着してなるリソグラフィー用マスク構
造体にすることで、内半径ｒＩ！ｍにおける環状保持基
板内マスク材保持薄膜の全面平面度ｔにおけるマスク有
効面積半径！、ｍ内の平面基板の最上部平端面を、表面
あらさで最大高さＲｍａｚ ＝ ２μ以下、平端面全面
の平面度を０．２μ以下にすることで、全面平面度ｔは
０．１５μ以下にすることができ、寸法安定性及び精度
面上等の信頼性の高いリソグラフィー用マスク構造体が
得られる。
ク材保持薄膜を接着してなるリソグラフィー用マスク構
造体にすることで、内半径ｒＩ！ｍにおける環状保持基
板内マスク材保持薄膜の全面平面度ｔにおけるマスク有
効面積半径！、ｍ内の平面基板の最上部平端面を、表面
あらさで最大高さＲｍａｚ ＝ ２μ以下、平端面全面
の平面度を０．２μ以下にすることで、全面平面度ｔは
０．１５μ以下にすることができ、寸法安定性及び精度
面上等の信頼性の高いリソグラフィー用マスク構造体が
得られる。
第１図は、本発明において実施したマスク構造体の断面
図であり、第２図はその平面図である。 第３図は、本発明のマスク構造体の平面図である。 第４図は、半径ｒｍの環状保持基板内平面度が１である
有効面積内半径ｔと有効面項内平面度αとの相関図であ
る。 第５図は保持基板最上部平端面平面度とマスク体保持薄
膜平面度との相関図である。 代理人 弁理士 山 下 穣 平 １″ 第４図 第５図 Δ呆Ｍ蒸福Ｕ除上部平面尼
図であり、第２図はその平面図である。 第３図は、本発明のマスク構造体の平面図である。 第４図は、半径ｒｍの環状保持基板内平面度が１である
有効面積内半径ｔと有効面項内平面度αとの相関図であ
る。 第５図は保持基板最上部平端面平面度とマスク体保持薄
膜平面度との相関図である。 代理人 弁理士 山 下 穣 平 １″ 第４図 第５図 Δ呆Ｍ蒸福Ｕ除上部平面尼
Claims (1)
- （１）表面に所望のパターンにてマスク材を付与してな
るマスク材保持薄膜の周辺部を保持基板の最上部平端面
で保持せしめたリソグラフィー用マスク構造体において
、前記保持基板の最上部平端面の表面あらさが、最大高
さで２μ以下であることを特徴とする、リソグラフィー
用マスク構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223851A JPS61102648A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | リソグラフイ−用マスク構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223851A JPS61102648A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | リソグラフイ−用マスク構造体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102648A true JPS61102648A (ja) | 1986-05-21 |
Family
ID=16804708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59223851A Pending JPS61102648A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | リソグラフイ−用マスク構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102648A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4932872A (en) * | 1989-06-16 | 1990-06-12 | Lepton Inc. | Method for fabricating X-ray masks |
| KR100395172B1 (ko) * | 2000-07-22 | 2003-08-25 | 세종기술주식회사 | 1회용 거푸집을 사용하는 전철주용 기초 콘크리트 시공방법 및 그 방법에 따른 기초 콘크리트 |
-
1984
- 1984-10-26 JP JP59223851A patent/JPS61102648A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4932872A (en) * | 1989-06-16 | 1990-06-12 | Lepton Inc. | Method for fabricating X-ray masks |
| KR100395172B1 (ko) * | 2000-07-22 | 2003-08-25 | 세종기술주식회사 | 1회용 거푸집을 사용하는 전철주용 기초 콘크리트 시공방법 및 그 방법에 따른 기초 콘크리트 |
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