JPH01278019A - リソグラフィ用マスクの構造体 - Google Patents
リソグラフィ用マスクの構造体Info
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- JPH01278019A JPH01278019A JP63107061A JP10706188A JPH01278019A JP H01278019 A JPH01278019 A JP H01278019A JP 63107061 A JP63107061 A JP 63107061A JP 10706188 A JP10706188 A JP 10706188A JP H01278019 A JPH01278019 A JP H01278019A
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- Japan
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- mask
- support frame
- film
- mask structure
- lithography
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
- G03F9/7011—Pre-exposure scan; original with original holder alignment; Prealignment, i.e. workpiece with workpiece holder
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ＩＬ業上の利用分野）
本発明はＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子の製造用のリソグ
ラフィ用マスクの構造体に関し、特にリソグラフィ用マ
スクの保持膜を緊張貼付する環状支持枠の構成を特定す
ることにより、該マスク構造体を所定の位置に迅速にし
かも高精度に配置することのできるリソグラフィ用マス
クの構造体に関するものである。
ラフィ用マスクの構造体に関し、特にリソグラフィ用マ
スクの保持膜を緊張貼付する環状支持枠の構成を特定す
ることにより、該マスク構造体を所定の位置に迅速にし
かも高精度に配置することのできるリソグラフィ用マス
クの構造体に関するものである。
（従来の技術）
最、近ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子製造用の露光装置に
おいては半導体素子の高集積化に伴って。
おいては半導体素子の高集積化に伴って。
より高分解部の焼付けがＯＴ簡な例えば波長１人〜１５
０人程度のＸ線を利用した露光装置か種々と提案されて
いる。
０人程度のＸ線を利用した露光装置か種々と提案されて
いる。
このｘｖａを利用した露光装置で使用されるリソグラフ
ィー用マスクは一般に環状の支持枠とその開口に緊張貼
付したＸ線に対する透過部としての保持膜と非透過部と
してのパターン部とを有する膜状体とから構成されてい
る。
ィー用マスクは一般に環状の支持枠とその開口に緊張貼
付したＸ線に対する透過部としての保持膜と非透過部と
してのパターン部とを有する膜状体とから構成されてい
る。
第８図、第９図は従来のＸ線を対象としたリソグラフィ
ー用マスク８１の構造体の平面図と断面図である。
ー用マスク８１の構造体の平面図と断面図である。
同図においては、保持ｌｌ！１８２を環状の支持枠８３
の周辺部に接着剤を塗布し、保持ＰＩＡ８２に張力を与
えた状態で接着固定していた。保持ＩｇＩ８２は支持枠
８３の外周に沿って切断され支持枠８３の側面にはみ出
ないよう整形されていた。
の周辺部に接着剤を塗布し、保持ＰＩＡ８２に張力を与
えた状態で接着固定していた。保持ＩｇＩ８２は支持枠
８３の外周に沿って切断され支持枠８３の側面にはみ出
ないよう整形されていた。
尚１８４はＸ線吸収体より成るパターンである。
一般に保持膜８２の厚さは有機材料膜（ポリイミド等）
の場合は５〜１０ルｍ、無機材料膜（ＳｉＮ、ＳｉＣ等
）の場合は２〜５μｍ程度である。
の場合は５〜１０ルｍ、無機材料膜（ＳｉＮ、ＳｉＣ等
）の場合は２〜５μｍ程度である。
又、支持枠８３はマスクブランクスの製法により異なる
か保持膜が無機材料（例えばチフ化ケイ素）のときは２
ないし３ｍｍの厚さのケイ素板等を用い、有機材料（例
えばポリイミド）のときはさらに厚いガラス（例えば５
ｍｍ厚のパイレックスガラス）等がしばしば用いられて
いる。いずれの場合にも吸収材の保持膜の張力を均等に
印加し、局所的な歪みを最小限に抑えるために１円環形
状を基本としており２回転対称性を有する形状をしてい
る。
か保持膜が無機材料（例えばチフ化ケイ素）のときは２
ないし３ｍｍの厚さのケイ素板等を用い、有機材料（例
えばポリイミド）のときはさらに厚いガラス（例えば５
ｍｍ厚のパイレックスガラス）等がしばしば用いられて
いる。いずれの場合にも吸収材の保持膜の張力を均等に
印加し、局所的な歪みを最小限に抑えるために１円環形
状を基本としており２回転対称性を有する形状をしてい
る。
一般に半導体製造用の焼付用マスクを用いた転写にあた
っては露光前にまずウェハとマスクとのアライメントを
行なっている。
っては露光前にまずウェハとマスクとのアライメントを
行なっている。
Ｘ線用リソグラフィーに限らず、近接露光方式を用いた
フォトリソグラフィー加工を行う際には、被加工材、例
えばシリコンウェハー（その表面にフォトレジストか塗
布されている）とマスク構造体のマスク材の保持膜との
間隔（プリントギャップ）を正確に設定しつつ、マスク
面がウニへ面に対して平行となるようにして、双方を所
定の関係に例えば１／１００膳ｍのオーダーて高精度に
位置合わせなする必要がある。
フォトリソグラフィー加工を行う際には、被加工材、例
えばシリコンウェハー（その表面にフォトレジストか塗
布されている）とマスク構造体のマスク材の保持膜との
間隔（プリントギャップ）を正確に設定しつつ、マスク
面がウニへ面に対して平行となるようにして、双方を所
定の関係に例えば１／１００膳ｍのオーダーて高精度に
位置合わせなする必要がある。
しかしながら環状支持枠を用いているため方位を容易に
決め難くこれらの作用を迅速にしかも高精度に行うこと
が大変難しく、転写精度の低下やスループットの低下を
もたらす原因となっている。
決め難くこれらの作用を迅速にしかも高精度に行うこと
が大変難しく、転写精度の低下やスループットの低下を
もたらす原因となっている。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は転写パターンが形成されている保持膜が緊張貼
付された支持枠を環形状で構成したマスク構造体を用い
てウニ八面上に該パターンを転写するリソグラフィーに
おいてウェハに対するマスク構造体の回転方向の位置決
め及びマスク構造体の傾斜補正を迅速にしかも高精度に
行うことのできるリソグラフィ用マスクの構造体の提供
を目的とする。
付された支持枠を環形状で構成したマスク構造体を用い
てウニ八面上に該パターンを転写するリソグラフィーに
おいてウェハに対するマスク構造体の回転方向の位置決
め及びマスク構造体の傾斜補正を迅速にしかも高精度に
行うことのできるリソグラフィ用マスクの構造体の提供
を目的とする。
（問題点を解決するための手段）
転写パターンを形成した保持膜の周辺部を緊張貼付する
ようにした環状支持枠の周辺部に該環状支持枠の底面に
対して略垂直な鏡面より成る切欠面を少なくとも１つ設
けたことである。
ようにした環状支持枠の周辺部に該環状支持枠の底面に
対して略垂直な鏡面より成る切欠面を少なくとも１つ設
けたことである。
（実施例）
第１図は本発明のりソグラフィ用マスクの構造体１０の
第一実施例の平面図、第２図はそのＡ−Ａ′線に沿った
断面図である。
第一実施例の平面図、第２図はそのＡ−Ａ′線に沿った
断面図である。
第１．第２図においてｌは支持枠であり、円環形状をし
ており、良好な熱伝導率を有する鉄。
ており、良好な熱伝導率を有する鉄。
ニッケル、コバルト、Ｍ銅、タングステン、モリブデン
簿の金属、又はその合金類、熱膨張率の小さいパイレッ
クスガラス、石英等より成っている。
簿の金属、又はその合金類、熱膨張率の小さいパイレッ
クスガラス、石英等より成っている。
支持枠１の環状部の一領域はラウピング加工等において
超平面に研磨された平面ｆ１＋７が形成されている。こ
の平面部７により後述する緊張貼付する保持ｌＩ５！２
の平面度を決定している。
超平面に研磨された平面ｆ１＋７が形成されている。こ
の平面部７により後述する緊張貼付する保持ｌＩ５！２
の平面度を決定している。
２は保持膜であり１例えばＸ線透過率の良いポリイミド
、ポリアミド、ポリエステル、パリレン等の有機薄膜や
窒化ホウ素、窒化シリコン、窒化アルミ、炭化ケイ素、
チタン等の無機薄膜及び／又は複合膜等より成っている
。
、ポリアミド、ポリエステル、パリレン等の有機薄膜や
窒化ホウ素、窒化シリコン、窒化アルミ、炭化ケイ素、
チタン等の無機薄膜及び／又は複合膜等より成っている
。
６はｘＨ吸収体であり保持膜２面上に所定のパターンで
形成されている。
形成されている。
Ｘ線吸収体６としては、例えばＸ線吸収率の高い金属で
ある金、白金、タンタル、タングステン、パラジウム、
ロジウム、インジウム、ニッケル等の０，５〜ｌＢｍ程
度のＳ膜が用いられる。
ある金、白金、タンタル、タングステン、パラジウム、
ロジウム、インジウム、ニッケル等の０，５〜ｌＢｍ程
度のＳ膜が用いられる。
４は切欠面であり、環状の支持枠ｌの周辺部の一部に支
持枠ｌの底面１ａに対して略垂直で、しかもフライス加
工、研削盤にて略鏡面となるようになされている。
持枠ｌの底面１ａに対して略垂直で、しかもフライス加
工、研削盤にて略鏡面となるようになされている。
本実施例では切欠面４を基準とし、支持枠ｌの平面部７
に保持膜２を接着剤を介して接触加圧し、該接着剤の硬
化により、保持１１ｇ２を支持枠１に接着している。
に保持膜２を接着剤を介して接触加圧し、該接着剤の硬
化により、保持１１ｇ２を支持枠１に接着している。
その後、保持膜２の外周にはみ出た部分を支持枠ｌの外
周に沿って切断している。
周に沿って切断している。
本実施例で用いている接着剤の材ネ１としては、例えば
ゴム系、エポキシ系、エマルジョン系、アミン系、ポリ
イミド系等があり、熱硬化型、光硬化型、溶剤型等が使
用可能であり、特に剪断程度が大であり、かつ耐熱性の
良好な接着剤か好ましい。
ゴム系、エポキシ系、エマルジョン系、アミン系、ポリ
イミド系等があり、熱硬化型、光硬化型、溶剤型等が使
用可能であり、特に剪断程度が大であり、かつ耐熱性の
良好な接着剤か好ましい。
本実施例に係るリソグラフィー用マスクを用いてフォト
リソグラフィー工程を行う際は、マスク１０の切欠面４
を基準にして露光装置に接着し回転方向及び直交座標位
置を露光装置の所定の位置に設定する０重ね露光の暇は
、１回目の露光と同様に切欠面４を基準とすることによ
り、回転方向及び直交座標位置合せを容易としている。
リソグラフィー工程を行う際は、マスク１０の切欠面４
を基準にして露光装置に接着し回転方向及び直交座標位
置を露光装置の所定の位置に設定する０重ね露光の暇は
、１回目の露光と同様に切欠面４を基準とすることによ
り、回転方向及び直交座標位置合せを容易としている。
第３図、第４図は各々本発明に係るマスクの一部に設け
た切欠面を利用して該マスクの回転方向と垂直方向の位
置決めを行うときの一実施例の概略図である。
た切欠面を利用して該マスクの回転方向と垂直方向の位
置決めを行うときの一実施例の概略図である。
第３図においてはマスク１０の基準とすべき方向Ｉ−１
’ と垂直の方向に、位置決め用の平行光線１１（例え
ば赤外可視光線など）をマスク１０の切欠面４に照射し
、該切欠面４からの反射光１２を検出器２２にて検出し
、マスク１ｏの回転位を方向との角度差２θを検出して
いる。そして、マスク１０を角度θだけ回転させること
により、切欠面４を基準とすべき方向１−１’に合致さ
せている。
’ と垂直の方向に、位置決め用の平行光線１１（例え
ば赤外可視光線など）をマスク１０の切欠面４に照射し
、該切欠面４からの反射光１２を検出器２２にて検出し
、マスク１ｏの回転位を方向との角度差２θを検出して
いる。そして、マスク１０を角度θだけ回転させること
により、切欠面４を基準とすべき方向１−１’に合致さ
せている。
又、同様に第４図に示すようにマスクｌＯの切欠面４の
基準平面ＩＩ −１１’に平行でかつ切欠面４に垂直に
平行光線１１を入射し１反射光１２とマスク１０の基準
平面ＩＩ −１１’に対してなす角度を検出することに
より、マスク１０面の基準平面ｎ −ＩＩ ’に対する
位置を決定している。
基準平面ＩＩ −１１’に平行でかつ切欠面４に垂直に
平行光線１１を入射し１反射光１２とマスク１０の基準
平面ＩＩ −１１’に対してなす角度を検出することに
より、マスク１０面の基準平面ｎ −ＩＩ ’に対する
位置を決定している。
このような方法により、マスクＩＯを所望の回転位置方
向および所定の傾きに合致させた後、マスク構造体上の
アライメントマークと半導体ウェハー上のアライメント
マークに可視光線ビームを照射し１合致点を検出しなが
らアライメントマークを行うことにより露光状態の位置
に設定している。
向および所定の傾きに合致させた後、マスク構造体上の
アライメントマークと半導体ウェハー上のアライメント
マークに可視光線ビームを照射し１合致点を検出しなが
らアライメントマークを行うことにより露光状態の位置
に設定している。
第５図は本発明のりソグラフィ用マスクの構造体１０の
第２実施例の平面図である０本実施例では環状支持枠ｌ
の周辺部に略対称に２つの切欠面４ａ、４ｂを設けてい
る。
第２実施例の平面図である０本実施例では環状支持枠ｌ
の周辺部に略対称に２つの切欠面４ａ、４ｂを設けてい
る。
２つの切欠面４ａ、４ｂは支持枠ｌの裏面と切欠面４ａ
、４ｂとのなす角度が９０±０．０５″となる様に、フ
ライス加工、平面研削盤にて研削し、ラッピング加工に
て平面度が１重２人（入＝６３２．８重ｍ＞表面粗さ０
．０５μｍＲｍｓの鏡面研摩面としている。この支持枠
ｌにＸ線用の保持１５１２を接着し、保持膜２上に所定
の手法にてｘ５吸収体パターンを形成している。
、４ｂとのなす角度が９０±０．０５″となる様に、フ
ライス加工、平面研削盤にて研削し、ラッピング加工に
て平面度が１重２人（入＝６３２．８重ｍ＞表面粗さ０
．０５μｍＲｍｓの鏡面研摩面としている。この支持枠
ｌにＸ線用の保持１５１２を接着し、保持膜２上に所定
の手法にてｘ５吸収体パターンを形成している。
このマスク構造体ｌＯを用いて位ご合せを行う際、マス
ク基準平面に平行かつ切欠面４ａ、４ｂに垂直にＨｅ−
Ｎｅレーザーの平行光線を照射し、切欠面４ａ、４ｂか
らの反射光がＨｅ−Ｎｅレーザーの入射光と重なる状態
に回転位置及びマスクの傾きを補正している。
ク基準平面に平行かつ切欠面４ａ、４ｂに垂直にＨｅ−
Ｎｅレーザーの平行光線を照射し、切欠面４ａ、４ｂか
らの反射光がＨｅ−Ｎｅレーザーの入射光と重なる状態
に回転位置及びマスクの傾きを補正している。
本実施例によれば、切欠面４ａ、４ｂの２方向にＨｅ−
Ｎｅレーザーを入射することにより、切欠面４ａ、４ｂ
からの反射光はそれぞれが対称の位２２ ｒＡ係となる
ため、さらに精度良く傾きを補正することができる。
Ｎｅレーザーを入射することにより、切欠面４ａ、４ｂ
からの反射光はそれぞれが対称の位２２ ｒＡ係となる
ため、さらに精度良く傾きを補正することができる。
第６図は本発明のりソグラフィ用マスクの構造体ｌＯの
第３実施例の断面図である。
第３実施例の断面図である。
本実施例では支持枠１の外周部の保持膜２が接着される
平面部７の一部を外周方向に傾斜した傾斜部としている
。そして、支持枠ｌの周辺部に２つの切欠面４ａ、４ｂ
を設けている。尚、本実施例において傾斜部の角度θは
５〜３０度の範囲が適当である。
平面部７の一部を外周方向に傾斜した傾斜部としている
。そして、支持枠ｌの周辺部に２つの切欠面４ａ、４ｂ
を設けている。尚、本実施例において傾斜部の角度θは
５〜３０度の範囲が適当である。
このように傾斜部を設ければ保持膜２のマスク保持平面
が接着剤Ｓによる影響を受けないため保持膜２のマスク
保持平面の平面度が良好な平面性として実現することが
可能となる。
が接着剤Ｓによる影響を受けないため保持膜２のマスク
保持平面の平面度が良好な平面性として実現することが
可能となる。
第７図は本発明のりソグラフィ用マスクの構造体１０の
第４実施例の平面図である０本実施例では支持枠１の外
周部に４つの切欠面４ａ、４ｂ。
第４実施例の平面図である０本実施例では支持枠１の外
周部に４つの切欠面４ａ、４ｂ。
４ｃ、４ｄを前後及び左右方向に対称となるように設け
ている。
ている。
これによりマスクｌＯを前後及び左右の、双方において
、回転位ご及び傾きを良好に補正できるようにしている
。
、回転位ご及び傾きを良好に補正できるようにしている
。
（発明の効果）
本発明によれば環状支持枠の周辺部に前述の形状をした
少なくとも１つの切欠面を設けることにより１回転方向
の位置決め及び傾斜補正を高精度にしかも迅速の行うこ
とのできるリソグラフィ用マスクの構造体を達成するこ
とができる。
少なくとも１つの切欠面を設けることにより１回転方向
の位置決め及び傾斜補正を高精度にしかも迅速の行うこ
とのできるリソグラフィ用マスクの構造体を達成するこ
とができる。
４、図面の簡単な説明 、。
第１、第２図は本発明の第１実施例の平面図と断面図、
第３．第４（２Ｉは各々本発明のマスク構造体を用いて
回転方向の位置決めと傾斜補正を行う一実施例の概略図
、第５．第６．第７図は本発明の第２．第３、第４実施
例の説明図、第８．第９図は従来のマスク構造体の平面
図と断面図である。
第３．第４（２Ｉは各々本発明のマスク構造体を用いて
回転方向の位置決めと傾斜補正を行う一実施例の概略図
、第５．第６．第７図は本発明の第２．第３、第４実施
例の説明図、第８．第９図は従来のマスク構造体の平面
図と断面図である。
図中ｌＯはマスク構造体、ｌは支持枠、２は保持膜、４
．４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは切欠面、５は接着剤、６は
Ｘ線吸収体、７は平面部、ｌａは支持枠ｌの底面である
。
．４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは切欠面、５は接着剤、６は
Ｘ線吸収体、７は平面部、ｌａは支持枠ｌの底面である
。
第 １ 図
第 ２ 図
第 ３ 図
第 ５ 図
第 ７ 図
第 ８ 図
第 ９ 図
Claims (1)
- （１）転写パターンを形成した保持膜の周辺部を緊張貼
付するようにした環状支持枠の周辺部に該環状支持枠の
底面に対して略垂直な鏡面より成る切欠面を少なくとも
１つ設けたことを特徴とするリソグラフィ用マスクの構
造体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63107061A JPH01278019A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | リソグラフィ用マスクの構造体 |
| EP89304136A EP0339953B1 (en) | 1988-04-28 | 1989-04-26 | Lithographic mask structure and device for positioning the same |
| DE68921237T DE68921237T2 (de) | 1988-04-28 | 1989-04-26 | Maskenstruktur für Lithographie und Einpassvorrichtung dafür. |
| US07/343,386 US5042945A (en) | 1988-04-28 | 1989-04-26 | Lithographic mask structure and device for positioning the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63107061A JPH01278019A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | リソグラフィ用マスクの構造体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01278019A true JPH01278019A (ja) | 1989-11-08 |
Family
ID=14449504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63107061A Pending JPH01278019A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | リソグラフィ用マスクの構造体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5042945A (ja) |
| EP (1) | EP0339953B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01278019A (ja) |
| DE (1) | DE68921237T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006190900A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2007163311A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Japan Science & Technology Agency | 光学素子及び光学素子製造方法 |
| JP2017083806A (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-18 | 信越化学工業株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィー用ペリクルに適した接着剤とこれを用いたペリクル |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04332115A (ja) * | 1991-05-02 | 1992-11-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｘ線リソグラフィ−マスク用ｘ線透過膜 |
| JP3012069B2 (ja) * | 1991-12-04 | 2000-02-21 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光用マスク構造体及びこれを用いたｘ線露光装置 |
| JP2746511B2 (ja) * | 1993-03-04 | 1998-05-06 | 信越半導体株式会社 | 単結晶インゴットのオリエンテーションフラット幅測定方法 |
| US5436721A (en) * | 1993-06-04 | 1995-07-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | Wafer tilt gauge |
| US5383016A (en) * | 1993-07-15 | 1995-01-17 | At&T Corp. | Method for aligning two reflective surfaces |
| JPH098103A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-10 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| US5982481A (en) * | 1996-10-01 | 1999-11-09 | Mcdonnell Douglas Corporation | Alignment system and method for dish concentrators |
| US5874770A (en) * | 1996-10-10 | 1999-02-23 | General Electric Company | Flexible interconnect film including resistor and capacitor layers |
| US5760483A (en) * | 1996-12-23 | 1998-06-02 | International, Business Machines Corporation | Method for improving visibility of alignment targets in semiconductor processing |
| US6162564A (en) * | 1997-11-25 | 2000-12-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask blank and method of producing mask |
| US6083806A (en) * | 1998-07-06 | 2000-07-04 | Motorola, Inc. | Method of forming an alignment mark |
| US6630746B1 (en) | 2000-05-09 | 2003-10-07 | Motorola, Inc. | Semiconductor device and method of making the same |
| EP2554943A4 (en) * | 2010-03-31 | 2016-10-19 | Hoya Corp | LENS SHAPE MEASURING DEVICE |
| PL2918967T3 (pl) * | 2012-11-07 | 2018-10-31 | Artec Europe S.A.R.L. | Sposób monitorowania wymiarów liniowych obiektów trójwymiarowych |
| US10371507B2 (en) * | 2013-07-19 | 2019-08-06 | Nikon Corporation | Shape measurement device, structural object production system, shape measurement method, structural object production method, shape measurement program, and recording medium |
| CA2995228A1 (en) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | Adcole Corporation | Optical profiler and methods of use thereof |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3449961A (en) * | 1964-12-28 | 1969-06-17 | Gen Electric | Optical readout systems |
| US3583815A (en) * | 1969-05-01 | 1971-06-08 | Nasa | Angular displacement indicating gas bearing support system |
| US3657792A (en) * | 1970-11-13 | 1972-04-25 | Identicon Corp | Scanning mirror alignment techniques |
| US3695767A (en) * | 1970-11-18 | 1972-10-03 | Burroughs Corp | Apparatus for measuring magnetic head angle of a magnetic disc file |
| US3954339A (en) * | 1974-08-22 | 1976-05-04 | The Perkin-Elmer Corporation | Angular sensor |
| US4573791A (en) * | 1979-04-03 | 1986-03-04 | Optimetrix Corporation | Step-and-repeat projection alignment and exposure system |
| JPS5610928A (en) * | 1979-07-07 | 1981-02-03 | Shinetsu Sekiei Kk | Preparation of electronic device |
| US4298281A (en) * | 1979-07-16 | 1981-11-03 | Libbey-Owens-Ford Company | Laser system for aligning conveyor rolls |
| US4801208A (en) * | 1984-11-19 | 1989-01-31 | Nikon Corporation | Projection type exposing apparatus |
| US4801120A (en) | 1988-05-17 | 1989-01-31 | Renaud Gregoire | Reading apparatus |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP63107061A patent/JPH01278019A/ja active Pending
-
1989
- 1989-04-26 EP EP89304136A patent/EP0339953B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-26 DE DE68921237T patent/DE68921237T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-04-26 US US07/343,386 patent/US5042945A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006190900A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2007163311A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Japan Science & Technology Agency | 光学素子及び光学素子製造方法 |
| JP2017083806A (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-18 | 信越化学工業株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィー用ペリクルに適した接着剤とこれを用いたペリクル |
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| Publication number | Publication date |
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